專利名稱：：借助底漆將膠粘體粘結(jié)到基底上的制作方法借助底漆將膠粘體粘結(jié)到基底上本發(fā)明公開了在膠粘體和基底之間提供增加的粘合性的方的涂層)，或者可以是涂布在首先一提及的基底粘結(jié)于其上的第二基底上的粘合層。本發(fā)明利用底漆層以增加膠粘體與基底之間的粘合性。底漆強(qiáng)烈地粘結(jié)到基底和膠粘體上。已利用等離子技術(shù)預(yù)處理基底表面，以改進(jìn)隨后施加的涂層的粘合性。等離子預(yù)處理的作用可包括清潔、降解和燒蝕聚合物基底的表面區(qū)域，交聯(lián)聚合物基底的表面區(qū)域，導(dǎo)致引入極性基團(tuán)例如羰基到基底的表面區(qū)域內(nèi)的氧化，和/或在基底的表面區(qū)域內(nèi)離子植入。WO-A-02/098962公開了通過將基底暴露于含硅化合物和通過氧化或還原、使用等離子體(尤其是大氣輝光放電或介質(zhì)阻擋放電或電暈處理)后處理該處理過的表面，從而涂布低能基底表面的方法。EP-A-431951公開了用流出平行板反應(yīng)器的氣體處理基底的系統(tǒng)。它包括使氣體流經(jīng)一個或多個平行板反應(yīng)器并允許流出的物質(zhì)同與氣體出口相鄰放置的基底相互作用。Gherardi,N.等人的J.PhysD:Appl.Phys，2000，33，L104-L108/>開了通過4吏N2、Si出和N2的混合物穿過在兩個平行電極之間形成的介質(zhì)阻擋放電(DBD)等離子體，產(chǎn)生二氧化硅涂層。允許流出反應(yīng)器的物質(zhì)沉積在下游的基底上。Inagaki等人在Int.J.AdhesionAdhesives，2，233，1982中公開了通過注射三甲基甲硅烷基二甲胺或六甲基二硅氮烷到氬氣輝光放電中，處理數(shù)種不同的塑料基底。WO-A-02/285487>開了通過引入霧化的液體和/或固體涂層形成材料到大氣壓等離子放電和/或由其形成的電離氣體物流內(nèi)，并在大氣壓條件下，將基底暴露于霧化的涂層形成材料下，從而在基底上形成涂層的方法。WO-A-03/097245公開了其中霧化的涂層形成材料在離開霧化器后穿過激發(fā)介質(zhì)到達(dá)遠(yuǎn)離激發(fā)介質(zhì)布置的基底上的方法。已利用四甲基二硅氧烷的輝光放電聚合，在鉑線材上沉積30nm厚的底漆層，之后用數(shù)微米厚的聚(對二甲苯)層涂布(Nichols等人的J.Appl.Polymer.Sci.，Appl.PolymerS卿，38，21，1984)。WO-A-99/20809公開了下述方法其中在從包圍電極的導(dǎo)電環(huán)形腔室的閉合端流動到開放端的氣體內(nèi)，將氣體前體引入到無電弧的大氣壓RF等離子放電中，以便該前體與反應(yīng)性物質(zhì)在等離子體內(nèi)反應(yīng)，形成經(jīng)氣體噴嘴的開放端流出并沉積在噴嘴路徑內(nèi)放置的基底上的材料。EP1230414公開了涂布表面的方法，其中通過傳輸工作氣體通過激發(fā)區(qū)域，產(chǎn)生等離子體射流，其中在所述激發(fā)區(qū)域內(nèi)，通過施加高頻AC電壓到電極上，產(chǎn)生電弧放電。將前體獨(dú)立于工作氣體引入到等離子射流內(nèi)。在等離子體射流的輔助下引發(fā)前體的反應(yīng)，并在待涂布的表面上沉積反應(yīng)產(chǎn)物。在將膠粘體粘結(jié)到基底上的本發(fā)明方法中，通過等離子體沉積，施加底漆到基底上，并將膠粘體粘結(jié)到基底的底漆處理過的表面上，和底漆包含可化學(xué)鍵合到膠粘體的官能團(tuán)上的官能團(tuán)。膠粘體可以是在底漆上施加的涂層，或者可以是涂布在首先提及的基底粘結(jié)于其上的第二基底上的粘合層。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明包括涂布的制品，該制品包括用施加在底漆上的涂層涂布的基底，其特征在于通過等離子體沉積施加底漆到基底上，和膠粘體包含可化學(xué)鍵合到底漆內(nèi)的官能團(tuán)上的官能團(tuán)。根據(jù)進(jìn)一步的方面，本發(fā)明包括粘結(jié)的制品，該制品包括通過施加在至少一個基底上的底漆上的粘合劑粘結(jié)的兩個基底，其特征在于通過等離子體沉積施加底漆到基底上，和膠粘體包含可化學(xué)鍵合到底漆內(nèi)的官能團(tuán)上的官能團(tuán)。沉積底漆所使用的等離子體優(yōu)選為非平衡的大氣壓等離子體?？梢岳缭诰哂腥肟诤偷入x子體出口的電介質(zhì)外殼內(nèi)生成這種等離子體，其中工藝過程氣體經(jīng)所述電介質(zhì)外殼從入口經(jīng)過至少一個電極流動到出口。待處理的基底可與等離子體出口相鄰地布置，以便基底接觸等離子體，并相對于等離子體出口移動。底漆或其前體優(yōu)選以霧化形式引入到形成等離子體的裝置內(nèi)。在霧化底漆的一個方法中，使工藝過程氣體和底漆流經(jīng)霧化器，在所述霧化器內(nèi)，工藝過程氣體將霧化底漆。在另一方法中，霧化的底漆被注射到電極下游的等離子體內(nèi)。底漆可在等離子體內(nèi)經(jīng)歷化學(xué)反應(yīng)，例如它可以聚合，條件是保留至少一些底漆內(nèi)的將與膠粘體內(nèi)的官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)。我們已發(fā)現(xiàn)，等離子體沉積改進(jìn)底漆對基底的粘合性。在膠粘體內(nèi)存在可化學(xué)鍵合到底漆中官能團(tuán)上的官能團(tuán)改進(jìn)底漆/面涂層的粘合性。利用大氣壓等離子體沉積底漆的優(yōu)點(diǎn)是，它改進(jìn)底漆對基底的粘合性且沒有破壞底漆內(nèi)官能團(tuán)的危險，其中在底漆內(nèi)的官能團(tuán)將改進(jìn)對膠粘體的粘結(jié)?？删唧w地選擇等離子體沉積的底漆，以與膠粘體內(nèi)的組分形成化學(xué)鍵?？烧{(diào)節(jié)膠粘體的配方，以通過化學(xué)鍵合到底漆上來提高基底/膠粘體界面的粘合性。圖1是根據(jù)本發(fā)明等離子體處理表面的裝置的示意截面。圖2是根據(jù)本發(fā)明等離子體處理表面的可供替代裝置的示意截面。圖3是根據(jù)本發(fā)明等離子體處理表面的另一可供替代裝置的示意截面。圖4是圖3所示裝置的示意截面，該裝置具有從等離子體發(fā)生裝置中延伸的較長管道。等離子體通常可以是任何類型的非平衡大氣壓等離子體，例如介質(zhì)阻擋放電等離子體或擴(kuò)散介質(zhì)阻擋放電，例如輝光放電等離子體。對于本發(fā)明的目的來說，"等離子體沉積"包括通過非均勻的放電例如電暈放電的沉積。優(yōu)選擴(kuò)散介質(zhì)阻擋放電等離子體或輝光放電等離子體。優(yōu)選的工藝?yán)?低溫"等離子體，其中術(shù)語"低溫"擬指低于200x:,和優(yōu)選低于ioo'c。這些是其中碰撞相對不頻繁的等離子體(當(dāng)與熱平衡等離子體，例如火焰基體系相比時)，這種等離子體在寬泛的不同溫度下具有其構(gòu)成物質(zhì)(因此通用名"非熱平衡"等離子體)。生成非平衡大氣壓等離子體的本發(fā)明的一種優(yōu)選的裝置具有僅僅單電極。盡管缺少對電極，但該裝置仍產(chǎn)生非平衡等離子體火焰。在諸如氦氣之類的工作氣體附近存在驅(qū)動電極足以產(chǎn)生強(qiáng)的RF場，所述強(qiáng)RF場可發(fā)生等離子體電離過程并形成外部等離子體射流。圖1示出了這種具有僅僅單一電極的裝置的一個實例。這一設(shè)計由被合適的電介質(zhì)材料(8)包圍的管道(7)組成。管道(7)延伸出電介質(zhì)外殼(8)。工藝過程氣體(它任選地含有霧化的表面處理劑)進(jìn)入開口(6)。單電極(5)布置在管道外側(cè)，且它被封閉在電介質(zhì)材料層(8)內(nèi)。電極與合適的電源相連。不要求對電極。當(dāng)施加功率時，在電極周圍形成局部的電場。這些與氣體在管道內(nèi)相互作用，并形成等離子體，所述等離子體在管道(7)的末端延伸到達(dá)并伸出孔隙(9)。在具有改進(jìn)的形成氮?dú)獾入x子體射流以及氦氣和氬氣等離子體射流能力和改進(jìn)的等離子體點(diǎn)火的可供替代設(shè)計中，使用棵金屬電極。單電極，優(yōu)選尖銳(sharp)電極被容納在工藝過程氣體和任選地氣溶膠(霧化的表面處理劑)流經(jīng)其中的電介質(zhì)外殼例如塑料管道內(nèi)。當(dāng)施加功率到針狀電極上時，形成電場并電離工藝過程氣體。這可通過參考圖2更好地理解。圖2示出了容納在合適的腔室(10)內(nèi)的金屬電極(12)?？捎珊线m的電介質(zhì)材料例如聚四氟乙烯(PTFE)構(gòu)成這一腔室。作為PTFE的替代物，電介質(zhì)外殼可以是任何不導(dǎo)電的材料，例如塑料材料，如聚酰胺或聚丙烯。工藝過程氣體和氣溶膠通過電介質(zhì)外殼中的一個或多個孔隙(ll)進(jìn)入該腔室內(nèi)。當(dāng)施加電勢到電極上時，工藝過程氣體電離，和導(dǎo)引所得等離子體，使它經(jīng)出口管道(13)的開口(14)伸出。通過調(diào)節(jié)出口管道(13)的尺寸和形狀，可調(diào)節(jié)低溫非平衡大氣壓等離子體射流的形狀與長度。使用具有尖端(sharppoint)的金屬電極促進(jìn)等離子體的形成。當(dāng)施加電勢到電極上時，生成電場，所述電場將加速形成等離子體的氣體內(nèi)的荷電顆粒。當(dāng)電場密度與電極的曲率半徑成反比時，所述尖端有助于該過程。電極也可導(dǎo)致電子泄漏到氣體內(nèi)，這是由于金屬高的次級電子發(fā)射系數(shù)所致。當(dāng)工藝過程氣體移動經(jīng)過電極時，等離子體物質(zhì)從電極被攜帶離開，形成等離子體射流。在本發(fā)明的再進(jìn)一步的實施方案中，等離子體射流裝置由單中空電極組成，不具有任何對電極。氣體被吹送經(jīng)過電極中心。施加RF功率，這導(dǎo)致在電極附近形成強(qiáng)的電磁場。這引起氣體電離并形成等離子體，所述等離子體被攜帶經(jīng)過電極并以等離子體射流形式流出。這一設(shè)計狹窄的性質(zhì)便于在環(huán)境條件下生成集中的狹窄等離子體以供在三維形狀的基底上沉積功能性涂層。更一般地，該電極(一個或多個)可以是針狀、板狀、同心管道或環(huán)，氣體可經(jīng)它引入到裝置內(nèi)。可使用單電極，或者可使用多個電極?？赏ㄟ^電介質(zhì)覆蓋電極，或者不通過電介質(zhì)覆蓋電極。若使用多個電極，則它們可以是被覆蓋和未覆蓋電極的組合。一個電極可以接地或者沒有電極接地(位移電位)。若沒有電極接地，則電極可具有相同的極性或者可具有相反的極性?？墒褂闷渲械谝浑姌O同軸地布置在第二電極內(nèi)的同軸電極結(jié)構(gòu)。驅(qū)動一個電極，和另一電極可接地，且可包括介電層以防止飛弧，但不那么優(yōu)選這一構(gòu)造?？捎扇魏魏线m的金屬制造電極，且可以是例如金屬針(例如焊條)或者平坦截面形式?？赏坎茧姌O或者電極可摻入放射性元素以提高等離子體的電離?？墒褂梅派湫越饘?，例如可由含0.2-20wt%,優(yōu)選約2%放射性釷的鴒形成電極。通過釋放放射性顆粒和可引發(fā)電離的輻照，這促進(jìn)形成等離子體。這種摻雜的電極提供更加有效的次級電子發(fā)射，因此該裝置易于放電。供給所述一個或多個電極的電源是因發(fā)生等離子體而公知的射頻電源，其范圍為lkHz-300GHz。我們最優(yōu)選的范圍為極低頻率(VLF)3kHz-30kHz帶，但也可成功地使用低頻(LF)30kHz-300kHz范圍。一種合適的電源是HaidenLaboratoriesInc.PHF-2K裝置，它是一種雙極脈沖波，高頻和高壓發(fā)生器。與常規(guī)的正弦波高頻電源相比，它具有較快速的起落時間(〈3us)。因此，它提供較好的離子發(fā)生和較大的工藝效率。該裝置的頻率也是可以變化的(l-100kHz)，以匹配等離子體系統(tǒng)。電源的電壓優(yōu)選至少lkV—直到10kV或大于10kV?！愕?，產(chǎn)生等離子體所使用的工藝過程氣體可選自寬范圍的工藝過程氣體，其中包括氦氣、氬氣、氧氣、氮?dú)?、空氣、二氧化碳、一氧化二氮以及所述氣體彼此或者與其它物質(zhì)的混合物。最優(yōu)選工藝過程氣體包括基本上由氦氣、氬氣和/或氮?dú)饨M成的惰性氣體，亦即包括至少90%體積，優(yōu)選至少95%這些氣體之一或者它們中的兩種或更多種的混合物。將底漆或者底漆的前體以霧化形式引入到形成等離子體的裝置內(nèi)。霧化的底漆可以例如是可聚合的前體。當(dāng)可聚合的前體，優(yōu)選以氣溶膠形式引入到等離子體射流內(nèi)時，發(fā)生控制的等離子體聚合反應(yīng)，這一聚合反應(yīng)導(dǎo)致在與等離子體出口相鄰地布置的任何基底上沉積等離子體聚合物。使用本發(fā)明的方法時，寬范圍的底漆涂層可沉積在許多基底上。這些涂層被接枝到基底上并保留底漆前體分子的功能化學(xué)。霧化器優(yōu)選使用氣體來霧化表面處理劑?？稍陔娊橘|(zhì)外殼內(nèi)結(jié)合電極與霧化器。最優(yōu)選，將生成等離子體所使用的工藝過程氣體用作霧化氣體以霧化表面處理劑。霧化器可以是例如氣動霧化器，尤其是平行路徑的霧化器，例如加拿大MississaugaOntario的BurgenerResearchInc.銷售的霧化器，或者在美國專利6634572中所述的霧化器，或者它可以是同心的氣體霧化器?；蛘哽F化器可是超聲霧化器，其中使用泵輸送液體表面處理劑到超聲噴嘴內(nèi)，隨后它在霧化表面上形成液體膜。超聲波引起在液體膜內(nèi)形成駐波，從而導(dǎo)致形成液滴。霧化器優(yōu)選產(chǎn)生尺寸為10-IOO微米，更優(yōu)選10-50微米的液滴。本發(fā)明中使用的合適的霧化器是獲自Sono-TekCorporation，Milton，NewYork,USA的超聲噴嘴。可供替代的霧化器可包括例如電噴技術(shù)，一種通過靜電充電生成非常微細(xì)液體氣溶膠的方法。最常見的電噴裝置使用尖端的中空金屬管，其中泵送液體經(jīng)過該管。高電壓的電源與該管道的出口相連。當(dāng)接通電源和調(diào)節(jié)合適的電壓時，被泵送通過管的液體轉(zhuǎn)化成微細(xì)的連續(xù)液滴的薄霧。也可使用噴墨技術(shù)，利用熱、壓電、靜電和聲學(xué)方法，生成液滴且不需要載體氣體。因此，經(jīng)圖1的入口(6)或者經(jīng)圖2的入口(ll)喂入的工藝過程氣體可含有霧化形式的底漆或者底漆前體。這可通過在霧化器進(jìn)料入口處使用工藝過程氣體作為霧化氣體，或者通過結(jié)合工藝過程氣體物流與霧化的底漆來實現(xiàn)。在圖1所示布局的可供替代布局中，電極位于霧化器任何一側(cè)上，所述側(cè)充當(dāng)工藝過程氣體和底漆的入口。電極可以例如延伸出霧化器頂部。在這一布局中，電極優(yōu)選具有相同的極性。在本發(fā)明的一個實施方案中，結(jié)合電極與霧化器，其方式使得霧化器充當(dāng)電極。例如，若平行路徑的霧化器由導(dǎo)電材料制成時，整個霧化器裝置可用作電極。或者，導(dǎo)電組件如針可引入到不導(dǎo)電的霧化器內(nèi)，形成結(jié)合的電極-霧化器體系。圖3示出了圖2所示的針型電極系統(tǒng)的改進(jìn)的方案。在圖3中，工藝過程氣體進(jìn)入等離子體的上游(15)。可將霧化的底漆摻入到工藝過程氣體流(15)內(nèi)?；蛘撸蓪㈧F化的底漆的氣溶膠直接引入到等離子體內(nèi)。這通過靠近電極(17)頂部布置的笫二氣體入口點(diǎn)(16)來實現(xiàn)。霧化的底漆的氣溶膠可在這一點(diǎn)(16)處直接添加，且主要的工藝過程氣體仍然進(jìn)入等離子體區(qū)域(15)的上游?；蛘撸恍┕に囘^程氣體也可與在電極頂部相鄰處的氣溶膠一起添加。利用這一裝置，等離子體和前體通過從包圍電極(17)的電介質(zhì)外殼的出口處伸出的合適管道(18)流出。氣體入口點(diǎn)(16)優(yōu)選是與所述電介質(zhì)外殼的出口(18)具有角度的入口。管道(18)從電極(17)的頂部延伸等離子體射流例如最多300mm。至少部分由電介質(zhì)材料例如塑料(如聚酰胺、聚丙烯或PTFE)形成管道(18)。管道優(yōu)選具有撓性，以便等離子體出口可相對于基底移動。為了在大于300mm的長度上穩(wěn)定等離子體射流，有益的是使用導(dǎo)電圓柱體，優(yōu)選具有尖銳邊緣的導(dǎo)電圓柱體，來連接相鄰的管道片。這些圓柱體優(yōu)選沒有接地。優(yōu)選地，這些圓環(huán)在兩側(cè)上均具有圓形尖銳邊緣。當(dāng)它在這些金屬圓柱體內(nèi)部經(jīng)過時，工藝過程氣體接觸金屬。在等離子體區(qū)域內(nèi)生成的自由電子在尖銳的導(dǎo)電邊緣附近處誘導(dǎo)強(qiáng)電場，所述強(qiáng)電場在管道內(nèi)進(jìn)一步電離工藝過程氣體。在圓柱體的另一側(cè)上的尖銳邊緣產(chǎn)生強(qiáng)電場，所述強(qiáng)電場引發(fā)氣體在隨后的管道部分內(nèi)電離。按照這一方式延伸在管道內(nèi)部的等離子體。使用多種金屬連接器使得等離子體能在數(shù)米例如3-7米內(nèi)延伸。圖4示出了圖3所示的類型的改進(jìn)裝置，該裝置產(chǎn)生長的等離子體以供處理導(dǎo)電基底或者3-d物體或管道的內(nèi)部。與圖3中一樣，驅(qū)動電極(19)與工藝過程氣體(20)和霧化底漆的氣溶膠(21)相互作用，產(chǎn)生等離子體。當(dāng)?shù)入x子體離開裝置時，通過限制等離子體在管道(22)內(nèi)，來延伸等離子體射流的長度。只要等離子體限制在這一管道內(nèi)，則等離子體不會因與外部氛圍相互作用被猝滅。為了進(jìn)一步延伸等離子體的長度，將導(dǎo)電片(23)引入到管道(22)內(nèi)，以連接管道的相鄰片。導(dǎo)電金屬環(huán)(23)在兩側(cè)上均具有圓形尖銳的邊緣。所得等離子體可在顯著大的距離內(nèi)延伸，之后經(jīng)等離子體出口(24)流出并在與等離子體出口(24)相鄰的基底上沉積底漆。待用底漆涂布的基底與等離子體出口相鄰地布置，以便基底接觸等離子體，并相對于等離子體出口移動。例如，基底可移動通過等離子體出口或者等離子體出口可移動越過基底表面，尤其若使用撓性管道來延伸等離子體的話。本發(fā)明的可供替代實施方案使用擴(kuò)散介質(zhì)阻擋放電等離子體發(fā)生裝置，在所述裝置內(nèi)，在一對電極之間生成等離子體，如在WO02/28548中所述，其中液體基聚合物前體作為氣溶膠引入到大氣等離子體放電或者由其產(chǎn)生的激發(fā)物質(zhì)內(nèi)。對于典型的擴(kuò)散介質(zhì)阻擋放電等離子體發(fā)生裝置來說，在間隙為3-50mm,例如5-2Smm的一對電極之間生成均勻的等離子體。優(yōu)選在相隔最多Scm的相鄰電極之間(這取決于所使用的工藝過程氣體)生成在大氣壓下穩(wěn)態(tài)均勻的擴(kuò)散介質(zhì)阻擋放電例如輝光放電等離子體。電極是在l-100kHz，優(yōu)選15-50kHz下用l-100kV,優(yōu)選1至30kV的均方根(rms)電勢給予能量的射頻。形成等離子體所使用的電壓典型地為1至30kV，最優(yōu)選2.5至10kV，然而，實際值取決于工藝過程氣體的選擇和在電極之間的等離子體區(qū)域的尺寸。當(dāng)按照這一方式在一對電極之間生成等離子體時，基底優(yōu)選輸送通過等離子體，亦即通過電極之間的間隙，如在W002/28548中所述?？衫萌魏魏线m的電極系統(tǒng)。每一電極可包括在電介質(zhì)材料內(nèi)保留的金屬板或者金屬網(wǎng)或類似物，或者可以例如具有W002/35576中所述的類型，其中提供含電極和相鄰的介質(zhì)板的電極單元和用于導(dǎo)引冷卻導(dǎo)電液體到電極外部以覆蓋電極的平坦表面的冷卻液體分配體系。每一電極單元包括一側(cè)為介質(zhì)板形式的水密箱，其中金屬板或者網(wǎng)電極在箱內(nèi)部附著于所述水密箱上。還存在與液體分配系統(tǒng)適配的液體入口和液體出口，所述液體分配體系包括冷卻器和循環(huán)泵和/或裝有噴嘴的噴灑管道。冷卻液覆蓋遠(yuǎn)離介質(zhì)板的電極面。冷卻導(dǎo)電液體優(yōu)選是水且可含有導(dǎo)電率控制化合物，例如金屬鹽或可溶的有機(jī)添加劑。理想的是，電極是與介質(zhì)板接觸的金屬板或網(wǎng)電極。介質(zhì)板延伸超出電極周邊，和冷卻液也被導(dǎo)引越過介質(zhì)板，以覆蓋鄰接電極周邊的至少那部分電介質(zhì)。優(yōu)選地，所有介質(zhì)板用冷卻液覆蓋。水起到電鈍化金屬電極的任何界面、奇異點(diǎn)或不均勻度例如邊緣、角落或網(wǎng)端(其中在使用金屬絲網(wǎng)電極的情況下)的作用。在另一可供替代的電極系統(tǒng)中，每一電極可以是在WO2004/068916中所述的類型，其中每一電極包括具有內(nèi)壁和外壁的外殼，其中至少內(nèi)壁由電介質(zhì)材料形成，和所述外殼含有與內(nèi)壁直接接觸的至少基本上非金屬的導(dǎo)電材料而不是"常規(guī)"的金屬板或網(wǎng)。合適的電介質(zhì)材料的實例包括但不限于聚碳酸酯、聚乙烯、玻璃、玻璃層壓體和環(huán)氧填充的玻璃層壓體。優(yōu)選地，電介質(zhì)具有足夠的強(qiáng)度，以便防止電介質(zhì)被電極內(nèi)的導(dǎo)電材料彎曲或損形。優(yōu)選地，所使用的電介質(zhì)的厚度為最多50mm，最優(yōu)選15-30mm。在其中所選電介質(zhì)沒有足夠透明的情況下，可利用玻璃或類似物的窗，使得能診斷性觀察所生成的等離子體。可借助隔片或類似物隔開電極，所述隔片優(yōu)選也由電介質(zhì)材料制成，于是通過消除在導(dǎo)電液體邊緣之間的任何潛在放電，增加體系總的電介質(zhì)強(qiáng)度?；旧戏墙饘俚膶?dǎo)電材料可以是液體，例如極性溶劑，如水、醇和/或二元醇或含水的鹽溶液及其混合物，但優(yōu)選是含水的鹽溶液。當(dāng)單獨(dú)使用水時，它優(yōu)選包括自來水或礦泉水。優(yōu)選地，水含有最大約25wt。/。的水溶性鹽，例如堿金屬鹽，如氯化鈉或氯化鉀或堿土金屬鹽。這是因為在這種電極內(nèi)存在的導(dǎo)電材料具有顯著完美的保形性，從而在電介質(zhì)表面處具有完美均勻的表面電勢?；蛘撸旧戏墙饘俚膶?dǎo)電材料可以是一種或多種導(dǎo)電聚合物組合物形式，所述組合物典型地可以糊劑形式供應(yīng)。這種糊劑目前常用于電子工業(yè)中用以粘合和熱管理電子組件，例如微型處理器芯片裝置。這些糊劑典型地具有足夠的流動性以流動到表面不規(guī)則處并與之一致。用于導(dǎo)電聚合物組合物的合適聚合物可包括硅氧烷類，聚氧聚烯烴彈性體，基于蠟例如硅氧烷蠟的熱熔體，樹脂/聚合物共混物，硅氧烷聚酰胺共聚物或其它硅氧烷-有機(jī)共聚物或類似物，或環(huán)氧、聚酰亞胺、丙烯酸酯、聚氨酯或異氰酸酯基聚合物。該聚合物典型地含有導(dǎo)電顆粒，典型地是銀，但可使用可供替代的導(dǎo)電顆粒，其中包括金、鎳、銅、各種各樣的金屬氧化物和/或碳，其中包括碳納米管，或金屬化的玻璃或陶瓷珠粒?？墒褂玫膶?dǎo)電聚合物組合物的具體實例包括在EP240648中所述的導(dǎo)電聚合物，或者銀填充的有機(jī)基聚硅氧烷基組合物，例如由DowCorningCorporation銷售的DowCorningDA6523、DowCorningDA6524、DowCorningDA6526BD和DowCorningDA6533，或者4艮填充的環(huán)氧基聚合物，例如獲自(AblestikElectronicMaterials&Adhesives)的Ablebond8175，Epo-TekH20E-PFC或Epo-TekE30(EpoxyTechnologyInc.)。可根據(jù)本發(fā)明使用的大氣壓等離子體組件類型的一個實例包括第一和第二對平行間隔開的電極，在每一對電極的內(nèi)板之間的間隔形成第一和第二等離子體區(qū)域。這一組件進(jìn)一步包括傳輸基底連續(xù)通過所迷第一和第二等離子體區(qū)域的裝置和適合于引入霧化的液體或固體涂層制備材料進(jìn)入所述第一或第二等離子體區(qū)域之一內(nèi)的霧化器，并乂A開于申請人懸而未決的申請W003/086031中，在此通過參考將其引入。在優(yōu)選的實施方案中，電極垂直排列?；蛘?，可通過等離子體加強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)，將底漆施加到基底上?；瘜W(xué)氣相沉積是通過在加熱的基底附近或者其上的在氣相內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)在加熱的基底上沉積固體。所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)可包括熱分解、氧化、滲碳和氮化。典型地，CVD反應(yīng)事件的順序按序包括下述i)通過合適的引入設(shè)備，例如強(qiáng)制流動，引入反應(yīng)物氣體到反應(yīng)器內(nèi)，ii)使氣體經(jīng)反應(yīng)器擴(kuò)散到基底表面上，iii)使氣體與基底表面接觸；iv)在氣體和/或一種或多種氣體和基底表面之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；v)反應(yīng)副產(chǎn)物解吸和擴(kuò)散離開基底表面。在PE-CVD情況下，導(dǎo)引氣體，以便擴(kuò)散經(jīng)過等離子體。可利用任何合適的等離子體。對于涂布精密和熱敏網(wǎng)狀材料形式的基底來說，非熱平衡等離子體工藝是理想的，這是因為甚至在薄層的情況下，所得涂層通常不具有微孔。通過PE-CVD沉積的底漆涂層很好地粘合到甚至非極性的材料例如聚乙烯以及鋼、紡織品等上?？衫梅菬崞胶獾入x子體，例如輝光放電等離子體?？稍诘蛪?，即真空輝光放電下，或者優(yōu)選在大氣壓附近-大氣壓輝光放電中，發(fā)生輝光放電?；卓山?jīng)歷表面處理，之后等離子體沉積底漆。表面處理可除去污染物或者弱的邊界層，改性基底的表面能和/或改變表面形貌。污染物的實例是在金屬上的油和油脂，在金屬上的弱或松散的氧化物，在聚合物上的脫模劑例如硅氧烷、氟烴和蠟，和已從本體遷移到表面上的在聚合物表面上的添加劑與低分子量材料。表面預(yù)處理可例如借助等離子體技術(shù)，例如電暈放電或等離子火焰，或者通過非熱平衡等離子體，例如大氣壓等離子體。等離子體沉積的底漆含有可化學(xué)鍵合到膠粘體的官能團(tuán)上的官能團(tuán)?？苫瘜W(xué)鍵合的官能團(tuán)的一個實例是在具有與硅鍵合的氫基團(tuán)的組分和含烯鍵式不飽和基團(tuán)(典型地與硅鍵合的鏈烯基)的其它組分之間的氫化硅烷化固化的硅氧烷。含蹄鍵式不飽和基團(tuán)的膠粘體可粘合到用底漆等離子體涂布的基底上，所述底漆在基底上提供Si-H官能表面。通過氫化硅烷化固化反應(yīng)，典型地使用鉑族金屬基催化劑催化的氫化硅烷化固化反應(yīng)，在界面處借助底漆中的Si-H官能團(tuán)和膠粘體的硅氧烷配方內(nèi)的乙烯基官能團(tuán)之間的相互作用發(fā)生鍵合。設(shè)計粘合促進(jìn)的功能性等離子體聚合物底漆，其方式使得在基底和膠粘體涂層之間形成特定的化學(xué)鍵。催化劑中的鉑族金屬優(yōu)選選自鉑、銠、銥、鈀或釕。用于催化本發(fā)明組合物固化的含鉑族金屬的催化劑可以是催化與硅鍵合的氫原子和與硅鍵合的鏈烯基之間反應(yīng)的任何已知催化劑，且可以鉑族金屬或其化合物或絡(luò)合物形式存在。用作催化劑的優(yōu)選鉑族金屬是鉑。一些優(yōu)選的鉑基氬化硅烷化催化劑包括氯鉑酸、六水合氯鉑酸、二氯化鉑、和含有低分子量含乙烯基的有機(jī)基硅氧烷的這種化合物的絡(luò)合物?；跉浠柰榛袒牡湫凸柩跬橥苛辖M合物具有化學(xué)計量匹配含量的Si-H和Si-乙烯基組分，以提供充分固化的產(chǎn)物。盡管這種化學(xué)計量匹配的組合物可用作膠粘體，但底漆和膠粘體之間的界面反應(yīng)將與本體膠粘體內(nèi)的固化反應(yīng)發(fā)生竟?fàn)??？蓛?yōu)選采用過量的Si-乙烯基官能組分配制膠粘體，以便可在底漆/膠粘體界面處發(fā)生化學(xué)鍵合，且沒有損害膠粘體本體內(nèi)的固化。因此，"富含"Si-乙烯基的膠粘體配方結(jié)合Si-H官能的等離子體聚合物底漆使得能在底漆/膠粘體界面處增加化學(xué)鍵合并增加交聯(lián)，從而導(dǎo)致提高的粘結(jié)。設(shè)計膠粘體，其方式使得在底漆和膠粘體之間形成特定的化學(xué)鍵。通過這一涂布工藝生產(chǎn)的固化涂層是不具有粘性的撓性涂層，該涂層強(qiáng)烈地粘合到基底上，例如粘合到撓性基底，如塑料膜、紙張或紡織品材料；或者硬質(zhì)基底，例如金屬、玻璃，或塑性擠出部件上。在另一實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是Si-OH或Si-OR基。這些可結(jié)合具有鍵合到硅上的酰氧基例如乙酰氧基或者具有鍵合到硅上的肟基的有機(jī)基聚硅氧烷膠粘體使用。含Si-H基和與硅鍵合的乙酰氧基或?qū)⒒慕M合物被稱為室溫可硫化的密封劑?？墒褂镁哂墟I合到硅上的酰氧基或肟基的有機(jī)基聚硅氧烷膠粘體，粘結(jié)兩個基底，其中至少一個基底根據(jù)本發(fā)明用具有Si-OH或Si-OR基的等離子體沉積的底漆處理。根據(jù)本發(fā)明用等離子體沉積的底漆處理的第一基底可粘結(jié)到在第二基底上涂布的有機(jī)基聚硅氧烷膠粘體上，所述第二基底可以根據(jù)本發(fā)明用等離子體沉積的底漆處理或者可以不處理。有機(jī)基聚硅氧烷膠粘體可任選地含有諸如有機(jī)金屬化合物，例如辛酸亞錫或二月桂酸二丁錫或鈦螯合物之類的催化劑。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是伯或仲胺基和/或醇基，和膠粘體是含有環(huán)氧化物基團(tuán)的聚合物。胺基優(yōu)選伯胺基R-NH2或形成氨基醇基的一部分，例如R-NH-CH2-CH-OH。存在于底漆內(nèi)的醇基優(yōu)選如同在羥胺中一樣通過相鄰基團(tuán)來活化。環(huán)氧官能的聚合物優(yōu)選含有縮水甘油基，且可例如是衍生于雙酚或多酚的環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧官能的丙烯酸樹脂?？墒褂铆h(huán)氧膠粘體粘結(jié)兩個基底，其中至少一個基底根據(jù)本發(fā)明用具有R-冊2或R-NH-CH2-CH-0H基的等離子體沉積的底漆處理?；蛘撸捎铆h(huán)氧官能的涂料作為膠粘體涂布根據(jù)本發(fā)明用具有R-NH2或R-NH-CH2-CH-OH基的等離子體沉積的底漆處理過的基底。在可供替代的方案中，可通過等離子體沉積施加含環(huán)氧丙氧基的底漆到基底上，并用含有伯或仲胺基和/或活化醇基的膠粘體涂布。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是羥甲基，尤其是其中醇被活化的羥曱基，例如N-羥曱基。膠粘體可含有對N-羥甲基具有反應(yīng)性的羥基，例如膠粘體可以是羥基官能的聚酯或聚醚涂料組合物。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是異氰酸酯基R-NCO或者封端的異氰酸酯基。膠粘體可含有羥基和/或胺基，例如膠粘體可以是羥基官能的聚酯或聚醚或聚氨酯預(yù)聚物。這種膠粘體可形成聚氨酯涂料或者可以是用于粘結(jié)兩個基底的聚氨酯粘合劑，其中至少一個基底根據(jù)本發(fā)明已用具有異氰酸酯或封端的異氰酸酯基的等離子體沉積的底漆處理。在可供替代方案中，可通過等離子體沉積，將含有羥基和/或胺基的底漆施加到基底上，并用含有異氰酸酯或封端的異氰酸酯基的膠粘體例如異氰酸酯官能的聚氨酯預(yù)聚物涂布，所述聚氨酯預(yù)聚物可用作涂料或者用于粘結(jié)兩個基底的粘合劑。或者，可用酚樹脂粘合劑作為膠粘體涂布通過等離子體沉積施加到基底上的含有幾基和/或胺基的底漆。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是羥基，例如醇基，和膠粘體是氰基丙烯酸酯。這種體系尤其可用作粘結(jié)兩個基底的粘合劑。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是氨基，和膠粘體是聚酰亞胺樹脂或雙馬來酰亞胺樹脂。底漆可例如是氨基硅烷，如氨丙基三乙氧基硅烷或氨乙基氨丙基三曱氧基硅烷。在進(jìn)一步的實例中，存在于底漆內(nèi)的官能團(tuán)是環(huán)氧基，例如縮水甘油基，和膠粘體是聚硫醚橡膠。或者底漆可以是偶聯(lián)劑。E.P.Plueddemann在"SilanesandOtherCouplingAgents"(EdK.Mittal，VSPUtrecht,1992)中充分描述了偶聯(lián)劑，且偶聯(lián)劑是為提供化學(xué)偶聯(lián)到無機(jī)表面和有機(jī)粘合劑或涂料二者上而設(shè)計的多官能化合物。這些化合物常規(guī)地由稀溶液直接施加到基底上，或者可以配混到粘合劑或涂料內(nèi)，以產(chǎn)生底面兩用配方。這種底面兩用配方常常要求特殊的粘結(jié)或固化方法和/或方案以確保偶聯(lián)劑存在于粘合劑或涂層/基底界面處。偶聯(lián)劑的類型包括但不限于硅烷、原硅酸酯、其它原酯、鉻絡(luò)合物、鈦酸酯、硫醇和相關(guān)化合物的共聚物。因此，本發(fā)明的方法可例如包括通過大氣壓等離子體沉積施加含可化學(xué)鍵合到膠粘體內(nèi)官能團(tuán)上的取代基官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑。硅烷基偶聯(lián)劑可包括具有下述官能團(tuán)的硅烷乙烯基、氯丙基、環(huán)氧基、曱基丙烯酸酯基、伯胺基、二胺基、巰基、硫化物基或陽離子苯乙烯基。底漆偶聯(lián)劑可包括諸如C6H5Si(OMe)3之類的硅烷和二胺官能的硅烷的混合物。或者，底漆可包括樹脂底漆和偶聯(lián)劑的混合物，例如三聚氰胺樹脂和環(huán)氧官能的硅烷可用作含胺和/或羥基的膠粘體用底漆。當(dāng)膠粘體是例如基于天然橡膠或二烯橡膠的可硫固化的橡膠組合物時，含有巰基和/或硫化物基的硅烷偶聯(lián)劑例如尤其可用作待等離子體沉積的底漆處理劑。這種偶聯(lián)劑的實例是雙(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫醚、雙(三乙氧基曱硅烷基丙基)二硫醚和3-巰丙基三乙氧基硅烷。各種無機(jī)酯被要求作為增強(qiáng)塑料的偶聯(lián)劑且可用作本發(fā)明方法的底漆，其中包括氨千基膦酸酯，二鯨蠟基異丙基硼酸酯，鉻的絡(luò)合物，例如(CH2=C(Me)COO)Cr(OH)Cl2.H20ROH)和鋁、鋯與鈦的烷氧基化合物，例如{CH2=C(Me)COO}3TiOCH(Me)，以及鋯酸酯和鋯鋁酸酯，例如HO(Al/Zr)RCOOH。具有諸如COOH、CH2CH2OH、C0NH2、縮水甘油基、CH2CH(OH)CH20P0(OH)2、(CH2)3Si(OMe)3、CH2CHClCH2OSiCl3或CH2CH2OSi(OMe)3之類官能團(tuán)的甲基丙烯酸酯添加劑也可用作偶聯(lián)劑，以改進(jìn)粘合性。根據(jù)本發(fā)明可通過等離子體沉積并用膠粘體涂布的基底包括但不限于金屬，其中包括鋁、鋼和鈦，工程塑料，其中包括聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺，橡膠和彈性體，玻璃、陶瓷材料、粘土和礦物，紡織品和皮革，或者組合物，其中包括但不限于玻璃纖維、碳纖維、聚丙烯纖維和芳族聚酰胺纖維復(fù)合材料。可通過任何常規(guī)的涂布技術(shù)，將膠粘體(它是涂料)施加到涂過底漆的基底上?？膳c底漆相類似通過等離子體沉積，施加膠粘體，但通常不必要?？梢岳缤ㄟ^噴涂、刷涂、輥涂、輥襯刮刀涂布、擠壓涂裝、幕涂、注塑、粘合劑和密封劑人工和自動分配體系或粉末涂布，來施加膠粘體。視需要，可由稀釋劑，例如由溶液或乳液，施加膠粘體?？稍趯挿秶母鞣N應(yīng)用中使用本發(fā)明，這些應(yīng)用包括但不限于例如在涂布醫(yī)療設(shè)備例如待植入的設(shè)備(其中包括藥物遞送設(shè)備、導(dǎo)管、電引線和耳蝸植入物)中，施加裝飾性或防腐蝕涂層或抗粘合劑或生物相容的涂層。可利用本發(fā)明，在起搏器和神經(jīng)刺激器上形成密封。可利用本發(fā)明，施加涂層或粘合劑到電子器件、印刷電路板(PCB)、邏輯器件、生物傳感器和化學(xué)傳感器、MEMS、芯片實驗室(Lab-on-chip)和納米機(jī)器、自動組件，例如傳感器和電子儀器、襯墊和密封墊、航天、航空和航海組件與結(jié)構(gòu)體，泵送體系及其組件或消費(fèi)電子儀器，或用于顯示器件的組裝和/或密封?？衫帽景l(fā)明粘結(jié)結(jié)構(gòu)材料和諸如壓光機(jī)(其中包括結(jié)構(gòu)、建筑和復(fù)合壓光機(jī))和太陽能電池與面板之類的物品。所述的任何粘合劑體系可用橡膠增韌，以便與建筑材料一起使用?？衫帽景l(fā)明粘結(jié)或涂布鞋類、布料和休閑服、珠寶或運(yùn)動物品和設(shè)備，或者涂布包裝或氣嚢，或用于層壓聚合物膜到鋼基底上。除了膠粘體(涂層或粘合劑)對寬范圍的基底的改進(jìn)的粘合性的優(yōu)點(diǎn)以外，使用等離子體聚合的底漆的本發(fā)明方法可得到額外的優(yōu)勢。它可允許粘合到通常抑制膠粘體固化的基底上。例如，存在于聚酰胺或聚氨酯表面內(nèi)的胺基抑制含具有Si-H基的聚硅氧烷、具有乙烯基的聚硅氧烷和鉑催化劑的硅氧烷涂料體系固化，這是因為催化劑"中毒，，所致。施加涂料體系作為等離子體聚合的底漆之后施加膠粘體防止了這種抑制。這種抑制的一個實例是皮革基底。在不施加含Si-H基的底漆情況下，含具有Si-H基的聚硅氧烷、具有乙烯基的聚硅氧烷和鉑催化劑的粘合劑不固化。采用等離子體沉積的底漆，則粘合劑固化。視需要，可配制膠粘體，以便它要求在底漆內(nèi)的表面官能團(tuán)來得到強(qiáng)烈的粘合性，亦即，如果不施加在底漆上它具有很小的粘合性。通過大氣壓等離子體沉積方法沉積含偶聯(lián)劑的底漆層具有許多優(yōu)點(diǎn)。第一，因所要求的粘合性水平導(dǎo)致常規(guī)不含偶聯(lián)劑的粘合劑可用于以前不可能實現(xiàn)的不同應(yīng)用中。可不需要溶劑(環(huán)境優(yōu)勢)或仔細(xì)控制pH的情況下，實現(xiàn)通過大氣壓等離子體方法沉積。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是，可從粘合劑配方中除去偶聯(lián)劑。添加偶聯(lián)劑到粘合劑配方中可對粘合劑的流變學(xué)具有負(fù)面影響。從膠粘體中除去偶聯(lián)劑并作為底漆單獨(dú)地施加它使得粘合劑加工的靈活性更大。含有偶聯(lián)劑的配方常常要求高的固化溫度，以便在熱動力學(xué)上驅(qū)趕偶聯(lián)劑到基底-粘合劑的界面。通過從膠粘體中除去偶聯(lián)劑并作為底漆單獨(dú)地施加它，可減少固化溫度循環(huán)。通過下述實施例闡述本發(fā)明。實施例1使用圖3所示類型的大氣壓等離子體組件，在不銹鋼片材基底上沉積聚氫曱基硅氧烷底漆。將待涂布的基底與等離子體出口(18)相鄰地放置。將工藝過程氣體(氦氣或者氬氣)通過入口(15)引入。通過施加RF功率(30-60W，29kHz)到電極(17)上，生成等離子體。以通過入口(16)以5juLmii^的流量引入霧化液體形式的聚氫甲基硅氧烷。聚氫曱基硅氧烷當(dāng)穿過等離子體時產(chǎn)生一系列的自由基物質(zhì)。這些自由基經(jīng)歷聚合反應(yīng)并沉積在基底上，形成涂層。然后施加具有Si-乙烯基的液體有機(jī)硅樹脂(DowCorning的Silastic9780/50E)到處理過的鋼的表面上，并熱固化，形成橡膠狀固體樹脂涂層。在這一固化工藝過程中，液體有機(jī)硅樹脂與等離子體涂層中的Si-H官能團(tuán)化學(xué)反應(yīng)，和這使得有機(jī)硅化學(xué)鍵合到等離子體涂層上，從而將有機(jī)硅接枝到鋼表面上。在熱固化之后，嘗試從鋼上物理除去這一橡膠狀有機(jī)硅樹脂證明具有難度，和任何除去導(dǎo)致在有機(jī)硅內(nèi)的內(nèi)聚破壞。當(dāng)Silastic液體有機(jī)硅樹脂施加到?jīng)]有用等離子體涂層涂布的不銹鋼上時，與表面存在很少的粘結(jié)，和固化的橡膠狀固體有機(jī)硅樹脂容易從該表面上剝離，從而顯示出100%的粘合破壞。實施例2使用與實施例1所述相同的方法，在PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上沉積涂層。將聚氫曱基硅氧烷用作液體前體，和用氦氣或者氬氣用作工藝過程氣體。當(dāng)將DowCorning的Silastic9780/50E施加到這一等離子體涂布的表面上并固化時，再次檢測到強(qiáng)烈的粘合促進(jìn)效果，和在沒有破壞基底的情況下，不可能除去該樹脂。實施例3-10使用圖3所示類型的大氣壓等離子體組件，沉積四乙氧基原硅酸酯(TEOS)和聚氫甲基硅氧烷(PHMS)的50/50w/w混合物的等離子體聚合的底漆層到聚(對苯二曱酸酯)(PET)基底上。等離子體功率在高(100W)和低(80W)之間變化，如下表1所示。將氦氣用作工藝過程氣體。將TEOS和PHMS的混合物以霧化的液體形式經(jīng)入口(16)以表1所示的流量引入。以表1所示的線速度移動PET基底經(jīng)過等離子體出口(18)。作為比較，在不存在液體前體的情況下使用等離子體處理另一樣品(對照1)。包括沒有進(jìn)行過任何等離子體處理的PET基底的另一樣品用于測試(對照2)。在沉積等離子體聚合的底漆之后，通過刮刀涂布，施加具有Si-乙晞基的Silastic9280/50液體硅橡膠，并在70。C的溫度下固化3小時。使用180°剝離實驗，在室溫下測量硅橡膠層對PET基底的粘合性。剝離寬度為1/2英寸(12.5mm)和剝離速度為lin.(25mm)/min。表l中示出了剝離2英寸(50mm)的平均剝離力(N/m)。表1<table><row><column>實施例</column><column>功率</column><column>流量(uL/min)</column><column>線速度(mm/s)</column><column>剝離力(N/m)</column><column>破壞模式</column></row><row><column>3</column><column>高</column><column>15</column><column>25</column><column>1880</column><column>內(nèi)聚</column></row><row><column>4</column><column>高</column><column>5</column><column>10</column><column>322</column><column>混合</column></row><row><column>5</column><column>低</column><column>5</column><column>10</column><column>121</column><column>混合</column></row><row><column>6</column><column>低</column><column>15</column><column>10</column><column>2065</column><column>內(nèi)聚</column></row><row><column>7</column><column>低</column><column>15</column><column>25</column><column>1111</column><column>內(nèi)聚</column></row><row><column>8</column><column>高</column><column>5</column><column>25</column><column>118</column><column>混合</column></row><row><column>9</column><column>高</column><column>15</column><column>10</column><column>154</column><column>混合</column></row><row><column>10</column><column>低</column><column>5</column><column>25</column><column>91</column><column>混合</column></row><row><column>對照1</column><column>高</column><column>0</column><column>10</column><column>10</column><column>粘合</column></row><row><column>對照2</column><column>N/A</column><column>N/A</column><column>N/A</column><column>30</column><column>粘合</column></row><table>根據(jù)表1可看出，在通過本發(fā)明的方法施加的在底漆上的涂層對基底的粘合力(剝離強(qiáng)度)顯示出比沒有預(yù)處理或者僅僅等離子體預(yù)處理過的對照物高1或2個數(shù)量級。尤其是實施例3、6和7顯示出這種良好的粘合性，以致于試驗測量到在硅橡膠層內(nèi)的內(nèi)聚破壞而不是涂層與基底之間的粘合破壞。權(quán)利要求1.一種將膠粘體粘結(jié)到基底上的方法，其中通過等離子體沉積將底漆施加到基底上，和將膠粘體粘結(jié)到基底的底漆處理過的表面上，和底漆含有可與膠粘體內(nèi)的官能團(tuán)化學(xué)鍵合的官能團(tuán)。2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于等離子體是在具有入口和等離子體出口的電介質(zhì)外殼內(nèi)生成的非平衡大氣壓等離子體，其中工藝過程氣體經(jīng)所述電介質(zhì)外殼從所述入口經(jīng)過至少一個電極流到出口，和將待處理的基底與等離子體出口相鄰地布置，以便基底與等離子體接觸并相對于等離子體出口移動。3.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于以霧化形式引入底漆。4.權(quán)利要求2或3的方法，其特征在于工藝過程氣體和底漆穿過霧化器，在所述霧化器內(nèi)工藝過程氣體使底漆霧化。5.權(quán)利要求3的方法，其特征在于霧化的表面處理劑被注射到電極下游的等離子體內(nèi)。6.權(quán)利要求l-5任何一項的方法，其特征在于底漆含有Si-H基，和膠粘體含有烯鍵式不飽和基團(tuán)。7.權(quán)利要求6的方法，其特征在于膠粘體包括含有鍵合到硅上的乙烯基的聚有機(jī)基硅氧烷。8.權(quán)利要求1-5任何一項的方法，其特征在于底漆含有Si-0H基或Si-0R基，其中R表示具有1-6個碳原子的烷基，和膠粘體含有與硅鍵合的乙酰氧基。9.權(quán)利要求l-5任何一項的方法，其特征在于底漆是含有可與膠粘體內(nèi)的官能團(tuán)化學(xué)鍵合的取代基官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑。10.權(quán)利要求1-5任何一項的方法，其特征在于底漆含有伯或仲胺基和膠粘體含有環(huán)氧基。11.權(quán)利要求l-5任何一項的方法，其特征在于底漆含有N-羥曱基和膠粘體含有醇基。12.權(quán)利要求1-5任何一項的方法，其特征在于底漆含有異氰酸酯或封端的異氰酸酯基，和膠粘體含有羥基或胺基。13.權(quán)利要求l-12任何一項的方法用于形成涂布的基底，其中膠粘體是涂料。14.權(quán)利要求l-12任何一項的方法用于粘結(jié)基底到第二基底上，其中膠粘體是涂布在第二基底上的粘合劑。15.—種涂布的制品，它包括用施加在底漆上的涂層涂布的基底，其特征在于通過等離子體沉積施加底漆到基底上，和膠粘體包含可化學(xué)鍵合到底漆內(nèi)的官能團(tuán)上的官能團(tuán)。16.—種粘結(jié)的制品，它包括通過施加在至少一個基底上的底漆上的粘合劑粘結(jié)的兩個基底，其特征在于通過等離子體沉積施加底漆到基底上，和膠粘體包含可化學(xué)鍵合到底漆內(nèi)的官能團(tuán)上的官能團(tuán)。17.權(quán)利要求1-15任何一項的方法的用途，它用于涂布醫(yī)療設(shè)備，例如待植入設(shè)備，其中包括藥物遞送設(shè)備、導(dǎo)管、電引線、耳蝸植入物和/或用于在起搏器和神經(jīng)刺激器上形成密封。18.權(quán)利要求1-15任何一項的方法的用途，它用于涂布電子器件、印刷電路板(PCB)、邏輯器件、生物傳感器和化學(xué)傳感器、MEMS、芯片實驗室和納米機(jī)器、傳感器和電子儀器、襯墊和密封墊、航天、航空和航海組件與結(jié)構(gòu)體、泵送系統(tǒng)及其組件或消費(fèi)電子儀器或用于顯示器件的組裝和/或密封，和/或用于粘結(jié)結(jié)構(gòu)材料和諸如壓光機(jī)(其中包括結(jié)構(gòu)、建筑和復(fù)合壓光機(jī))和太陽能電池與面板之類的物品，和用于粘結(jié)或涂布鞋類、布料和休閑服、珠寶或運(yùn)動物品和設(shè)備，或者用于涂布包裝或氣嚢，和/或用于層壓聚合物膜到鋼基底上。全文摘要一種粘結(jié)膠粘體到基底上的方法，其中通過等離子體沉積施加底漆到基底上，和將膠粘體粘結(jié)到基底的底漆處理過的表面上，和底漆含有可與膠粘體內(nèi)的官能團(tuán)化學(xué)鍵合的官能團(tuán)。文檔編號C23C16/02GK101175868SQ200680016061公開日2008年5月7日申請日期2006年5月10日優(yōu)先權(quán)日2005年5月12日發(fā)明者F·古貝爾斯,L·奧尼爾,N·謝潑爾,S·利德利申請人:陶氏康寧愛爾蘭有限公司