專利名稱：：研磨劑、被研磨面的研磨方法及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造工序中所用的研磨技術(shù)，更具體涉及適合于作為絕緣性阻擋層、止蝕(etchingsto卯er)層、防反射層等的構(gòu)成材料的SiC的研磨的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑、被研磨面的研磨方法及使用其的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著半導(dǎo)體集成電路的高集成化高功能化，需要開發(fā)用于精細(xì)化高密度化的精細(xì)加工技術(shù)。半導(dǎo)體器件制造工序、特別是多層配線的形成工序中，層間絕緣膜和埋線的平坦化技術(shù)是很重要的。即，隨著配線因半導(dǎo)體制造工藝的精細(xì)化高密度化而多層化，各層中的表面的凹凸容易變大，容易產(chǎn)生其高度差超出光刻的焦點(diǎn)深度等問題。為了防止該問題，多層配線形成工序中的高度平坦化技術(shù)變得重要。作為配線材料，由于電阻率比以往所使用的鋁合金低且電遷移耐受性良好，因此著眼于銅。銅的氯化物氣體的蒸氣壓低，通過一直以來所使用的反應(yīng)性離子刻蝕法(RIE:ReactiveIonEtching)難以加工成配線形狀，因此配線的形成使用鑲嵌法(Damascene)。該方法是，在絕緣層形成配線用的溝圖案或?qū)椎劝疾?，再形成?dǎo)電性阻擋層后，通過濺射法或鍍覆法等將銅成膜而埋入溝部，然后通過化學(xué)機(jī)械研磨法(ChemicalMechanicalPolishing:以下稱為CMP)除去多余的銅和導(dǎo)電性阻擋層至露出除凹部以外的絕緣層表面，將表面平坦化，形成金屬埋線的方法。近年來，這樣同時(shí)形成銅埋入凹部而成的銅配線和導(dǎo)通孔部的雙鑲嵌法(DualDamascene)成為主流。另一方面，ULSI(超大規(guī)模集成電路Ultra-LargeScaleIntegration)中，推動(dòng)被稱為線的水平連接和被稱為觸點(diǎn)(與基板的連接)或?qū)?各層配線間的連接)的垂直連接的技術(shù)的多級(jí)連接技術(shù)不斷進(jìn)步。4近年來，特別是為了應(yīng)對(duì)集成電路的高速化，電阻率低的配線材料與介電常數(shù)低的絕緣層材料的組合受到關(guān)注，對(duì)介電常數(shù)降低的要求也涉及絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等。但是，一直以來作為構(gòu)成絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等的代表性材料所使用的SiNx的介電常數(shù)大到7左右，使用它就違背了集成電路的絕緣層整體的介電常數(shù)降低要求，是不理想的。另一方面，對(duì)于SiC，通過改善其制造方法，已知有介電常數(shù)4左右的材料，符合低介電常數(shù)化的要求。因此，基于雙鑲嵌法的半導(dǎo)體集成電路的制造方法中，也研究了將介電常數(shù)低的SiC用于止蝕層或絕緣性阻擋層、防反射層等的用途的實(shí)例(例如參照專利文獻(xiàn)l)。由此，SiC作為一個(gè)ULSI結(jié)構(gòu)中需要數(shù)層的重要材料的重要性不斷提咼o通過雙鑲嵌法同時(shí)形成銅埋入基板的凹部而成的銅配線和導(dǎo)通孔部的情況下，通常需要2階段的研磨。首先，通過第l研磨工序，除去金屬配線層的多余部分。接著，通過第2研磨工序，除去導(dǎo)電性阻擋層的多余部分。在這里，導(dǎo)電性阻擋層一般采用鉭或氮化鉭等。圖l中表示形成了以不同的線寬和配線密度構(gòu)成的線的理想的研磨后的導(dǎo)電性阻擋層3和金屬配線層4被埋設(shè)于形成在Si基板l上的絕緣層2中的狀態(tài)。這樣的平坦化中，如果實(shí)際使用研磨劑進(jìn)行CMP，則產(chǎn)生銅的埋線的凹陷(dishing)和侵蝕(erosion),不一定變得平坦。其實(shí)際的截面形狀示于圖2。在這里，凹陷5是指金屬配線層4被過度研磨而中央部凹陷的狀態(tài)，容易在寬度大的配線部發(fā)生。侵蝕是指容易在配線部密集，絕緣層的寬度變窄的部位發(fā)生，與沒有配線圖案的絕緣層部分(整體部)相比，配線部的絕緣層2被過度研磨，絕緣層2局部變薄的現(xiàn)象。g卩，表示產(chǎn)生與整體部的研磨部分7相比被進(jìn)一步研磨而成的侵蝕6。另外，編號(hào)8表示研磨前的基準(zhǔn)面。在這樣因凹陷和侵蝕而無法確保平坦性的狀態(tài)下，如果在其上繼續(xù)層疊，則隨著配線的多層化，各層中的表面的凹凸容易變大，容易產(chǎn)生其高度差超出光刻的焦點(diǎn)深度等問題。為了防止該問題，多層配線形成工序中的高度平坦化技術(shù)變得重要。作為該高度平坦化技術(shù)，可以例舉通過第2研磨工序以高速研磨除去多余的導(dǎo)電性阻擋層后，在削切露出的絕緣層的同時(shí)，金屬配線層以適度的研磨速度研磨，高度地平坦化的方法。但是，如果為了消除所產(chǎn)生的大高度差而試圖僅在第2研磨工序中通過削切絕緣層來應(yīng)對(duì)，則絕緣層的削切量變大，與此同時(shí)削切的銅配線的量也變大。這意味著配線的實(shí)質(zhì)上的損耗，導(dǎo)致配線電阻的增大。另外，根據(jù)基于輪廓儀的被研磨面的截面凹凸的研究，發(fā)現(xiàn)第2研磨工序中研磨速度被設(shè)計(jì)為最快的導(dǎo)電性阻擋層也同時(shí)削切，因此如圖3A的編號(hào)9所示，配線部的側(cè)邊的導(dǎo)電性阻擋層被過度研磨，平坦性可能會(huì)顯著受損。此外，發(fā)現(xiàn)如圖3B的編號(hào)10所示，接近配線末端的整體部的絕緣層被過度研磨，平坦性可能會(huì)部分受損。為了解決該問題，近年來希望將第2研磨工序中的削切量控制在適當(dāng)?shù)某潭?，在其上層形成由SiC形成的絕緣性阻擋層，研磨該絕緣性阻擋層，高度地平坦化。但是，SiC是硬度高的材料，通過研磨制成高度平坦的表面是非常困難的。此外，存在容易因通過研磨脫離的SiC本身而在SiC層面產(chǎn)生擦傷的問題(例如參照專利文獻(xiàn)2)，因此研究通過CMP研磨SiC層的方法的例子非常少。例如，專利文獻(xiàn)2中提出了使用金剛石磨粒研磨SiC測(cè)試晶片后，通過含膠態(tài)二氧化硅(粒徑70nm)和堿性化合物的pH為10或ll的研磨劑研磨而平坦化的方法。該方法中有刻蝕速度小的記載，所以推測(cè)主要是機(jī)械研磨而非化學(xué)研磨，存在容易發(fā)生擦傷的問題。另外，專利文獻(xiàn)3中記載了SiC晶片的制造中通過包含平均粒徑為0.15um的硬質(zhì)磨粒、作為凝集磨粒的分散劑的有機(jī)硅垸或硅油以及溶劑的研磨液進(jìn)行研磨的技術(shù)方案。但是，將該技術(shù)用于形成有高密度的精細(xì)配線的LSI用SiC層的研磨時(shí)，存在容易發(fā)生擦傷的問題。另外，專利文獻(xiàn)3所揭示的技術(shù)中，難以將有利于抑制擦傷的平均粒徑小的膠態(tài)二氧化硅用作磨粒，在分散穩(wěn)定性方面也存在不足。此外，上述的所有方法中，同時(shí)研磨硬度比SiC低的二氧化硅和SiC時(shí)，容易優(yōu)先進(jìn)行二氧化硅的研磨，因此上述方法無法用于希望高速研磨由SiC形成的絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等并抑制由二氧化硅形成的絕緣層的研磨的情況。專利文獻(xiàn)1:日本專利特表2002-526916號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2003-249426號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本專利特開2001-326200號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示本發(fā)明的目的在于在半導(dǎo)體集成電路裝置的制造的被研磨面的研磨中實(shí)現(xiàn)具有金屬埋線的絕緣層的平坦的表面。更具體地，本發(fā)明的目的在于提供適合于高速研磨作為絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等的構(gòu)成材料的SiC的研磨或者高速研磨SiC的同時(shí)可以抑制絕緣層的二氧化硅的研磨的研磨的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑、使用其的被研磨面的研磨方法及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)由以下的說明可知。本發(fā)明的要旨如下。1.研磨劑，它是半導(dǎo)體集成電路裝置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑，其中，包含磨粒(A)，選自苯并三唑類、1H-四唑類、苯磺酸類、磷酸和有機(jī)膦酸的1種以上的研磨速度調(diào)整劑(B)，介電常數(shù)為1580、沸點(diǎn)為60250。C、25。C時(shí)的粘度為0.560mPas的有機(jī)溶劑(C)以及水(D)。2.如上述l所述的研磨劑，其中，還包含堿性化合物(E)，pH在912的范圍內(nèi)。3.如上述1或2所述的研磨劑，其中，還包含無機(jī)酸(F)和pH緩沖劑(G)。4.如上述13中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，用于研磨還包含二氧化硅的被研磨面。5.如上述14中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，SiC層/二氧化硅層的研磨速度選擇比在3以上。6.如上述15中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，前述磨粒(A)為膠態(tài)二氧化硅。7.如上述16中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，將前述研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，磨粒(A)的含量在O.120質(zhì)量％的范圍內(nèi)，研磨速度調(diào)整劑(B)的含量在O.00150質(zhì)量％的范圍內(nèi)，有機(jī)溶劑(C)的含量在O.120質(zhì)量。％的范圍內(nèi)，水(D)的含量在4098質(zhì)量X的范圍內(nèi)。8.如上述17中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，前述磨粒(A)的平均一次粒徑在5300nm的范圍內(nèi)。9.提供如上述18中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其中，還包含選自聚丙烯酸、支鏈淀粉、甘氨酰甘氨酸和N-苯甲酰甘氨酸的1種以上的添加劑(H)。10.研磨方法，它是將研磨劑供于研磨墊，使半導(dǎo)體集成電路裝置的被研磨面與研磨墊接觸，通過兩者間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)進(jìn)行研磨的被研磨面的研磨方法，其中，所述被研磨面為包含SiC的被研磨面，所述研磨劑使用上述19中的任一項(xiàng)所述的研磨劑。11.半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其中，具有通過上述10所述的研磨方法研磨被研磨面的工序。通過本發(fā)明，在半導(dǎo)體集成電路裝置的制造中，可以高速研磨SiC。還可以在高速研磨SiC的同時(shí)，抑制絕緣層的二氧化硅的研磨。此外，可以獲得高度平坦化了的具有多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置。附圖的簡(jiǎn)單說明圖l為表示導(dǎo)電性阻擋層和金屬配線層被埋設(shè)于絕緣層中的狀態(tài)的配線結(jié)構(gòu)的模式化橫截面圖。圖2為用于說明埋線的凹陷和侵蝕的配線結(jié)構(gòu)的模式化橫截面圖。圖3A為用于說明被研磨面的平坦性受損的狀態(tài)的基于輪廓儀的形狀測(cè)定結(jié)果的代表性模式圖。圖3B為用于說明被研磨面的平坦性受損的狀態(tài)的基于輪廓儀的形狀測(cè)定結(jié)果的另一代表性模式圖。圖4A為用于說明包含有SiC形成的絕緣性阻擋層的被研磨面被平坦化的狀態(tài)的配線結(jié)構(gòu)的模式化橫截面圖。圖4B為用于說明包含有SiC形成的絕緣性阻擋層的被研磨面被平坦化的狀態(tài)的配線結(jié)構(gòu)的另一模式化橫截面圖。符號(hào)的說明l:Si基板，2:絕緣層，3:導(dǎo)電性阻擋層，4:金屬配線層，5:凹陷，6:侵蝕，7:整體部的研磨部分，8:研磨前的基準(zhǔn)面，9:過度的導(dǎo)電性阻擋層的削切，10:過度的整體部的絕緣層的削切，ll:絕緣性阻擋層，12:整體部的絕緣層。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，使用圖、表、式、實(shí)施例等，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，這些圖、表、式、實(shí)施例等和說明是對(duì)本發(fā)明的示例，并不限制本發(fā)明的范圍。只要與本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容相符，其它的實(shí)施方式也屬于本發(fā)明的范疇。圖中，同一符號(hào)表示同一要素。以往，如專利文獻(xiàn)2和3所示，發(fā)現(xiàn)通過化學(xué)作用和機(jī)械作用的復(fù)合效果，可以高效地實(shí)現(xiàn)非常困難的SiC研磨，SiC研磨為了提高磨削力而需要使用硬的金剛石或促進(jìn)機(jī)械的磨削力。艮P，適用于本發(fā)明的研磨劑是半導(dǎo)體集成電路裝置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑，其中包含磨粒(A)，選自苯并三唑類、1H-四唑類、苯磺酸類、磷酸和有機(jī)膦酸的1種以上的研磨速度調(diào)整劑(B)，介電常數(shù)為1580、沸點(diǎn)為6025(TC、25。C時(shí)的粘度為0.560mPas的有機(jī)溶劑(C)以及水(D)。本發(fā)明的研磨劑具有漿料的形態(tài)。如果使用這些研磨劑，則在半導(dǎo)體集成電路裝置制造的被研磨面的研磨中可以高速研磨由SiC形成的部分。因此，特別適合在如圖4A所示的反映下層配線的高度參差不齊的形狀而產(chǎn)生凹凸的SiC制的絕緣性阻擋層ll的研磨中使用。通過該研磨劑平坦化了的配線的理想的截面形狀示于圖4B。由圖4A和圖4B可知，即使在進(jìn)行除去導(dǎo)電性阻擋層的多余部分的工序(第2研磨工序)后殘留凹凸的情況下，也可以通過在設(shè)于其上的SiC制的絕緣性阻擋層的研磨中使用本發(fā)明的研磨劑來實(shí)現(xiàn)表面的平坦化。另外，對(duì)于SiC制的止蝕層、防反射層等，當(dāng)然也同樣可以良好地使用本發(fā)明的研磨劑。另外，特別適合用于希望高速研磨SiC層并抑制下層的由二氧化硅等形成的絕緣層的研磨的用途。如圖4A和圖4B的絕緣層2所示，SiC層的正下方經(jīng)常存在絕緣層，其表面可能會(huì)隨著研磨的進(jìn)行而露出于被研磨面。作為形成絕緣層的材料，通常使用二氧化硅。對(duì)于以往的研磨劑，如果存在SiC和二氧化硅共存的被研磨面，則二氧化硅的研磨速度變得非常大，由SiC形成的被研磨面和由二氧化硅形成的被研磨面部分間存在高度差時(shí)，存在難以消除該情況的問題。本發(fā)明的研磨劑由于可以相對(duì)于SiC的研磨速度大幅地抑制二氧化硅的研磨速度，因此在研磨SiC和二氧化硅共存的被研磨面的情況下也可以實(shí)現(xiàn)高度的平坦化。另外，發(fā)現(xiàn)通過上述研磨劑的組成，在獲得上述的效果的同時(shí)，可以減少由SiC或二氧化硅等形成的絕緣性的層的擦傷。因此，容易形成可靠性高且電氣特性良好的集成電路。此外，由于由SiC或二氧化硅等形成的絕緣性的層的高研磨速度，可以實(shí)現(xiàn)研磨時(shí)間的縮短和使用的研磨劑量的減少，所以成本方面的好處明顯。另外，本發(fā)明的研磨劑通常磨粒的分散穩(wěn)定性也良好。另外，本發(fā)明中，"被研磨面"是指在制造半導(dǎo)體集成電路裝置的過程中出現(xiàn)的中間階段的表面。本發(fā)明中，SiC層是研磨的對(duì)象物，所以本發(fā)明的"被研磨面"的至少一部分中存在作為止蝕層、絕緣性阻擋層、防反射層等的SiC層。由此，"包含SiC的被研磨面"是指"被研磨面"的至少一部分中有SiC露出。此外，"還包含二氧化硅的被研磨面"是指"被研磨面"的至少一部分中除了前述的SiC，還有作為絕緣層的由二氧化硅形成的絕緣層的表面露出。在這里，阻擋層是指為了防止配線金屬的銅擴(kuò)散到二氧化硅或低介電常數(shù)絕緣層中而短路所設(shè)置的防擴(kuò)散層，在不需要電導(dǎo)通的位置設(shè)置的阻擋層稱為絕緣性阻擋層，在需要電導(dǎo)通的位置設(shè)置的阻擋層稱為導(dǎo)電性阻擋層。已知絕緣性阻擋層的代表性的例子如前所述為SiC和SiNx，為了降低介電常數(shù)而在一部分結(jié)構(gòu)中包含甲基或氧。另一方面，導(dǎo)電性阻擋層的代表性的例子如前所述為鉭或氮化鉭。由SiC形成的絕緣性阻擋層的特征有，不僅介電常數(shù)低，而且可以有效地防止45(TC的退火時(shí)的銅擴(kuò)散，密合性良好，電絕緣特性良好等。止蝕層是指在通過刻蝕在絕緣層中制作用于埋線等的凹部時(shí)用于阻止刻蝕達(dá)到絕緣層的下方的層，通常需要具有比被刻蝕的絕緣層低的刻蝕速度。由SiC形成的止蝕層的特征有，相對(duì)于絕緣層的刻蝕選擇比高，介電常數(shù)低等。此外，防反射層是指在光刻工序中防止由于光自位于其下的層反射而使過多的部分曝光的現(xiàn)象的層。由SiC形成的防反射層的特征有，折射率和吸光率符合目的，介電常數(shù)低等。本發(fā)明的研磨劑中的磨粒(A)可以從公知的磨粒中適當(dāng)選擇。具體來說，較好是選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅和氧化錳的l種以上。作為二氧化硅，可以使用通過各種公知的方法制造的二氧化硅。例如，可以例舉通過將硅酸乙酯、硅酸甲酯等烷氧基硅垸化合物通過溶膠-凝膠法水解而得的膠態(tài)二氧化硅。此外，可以例舉將硅酸鈉經(jīng)離子交換而得的膠態(tài)二氧化硅或四氯化硅在氧和氫的火焰中氣相合成而得的熱解法二氧化硅。同樣也可以優(yōu)選使用膠態(tài)氧化鋁。此外，也優(yōu)選使用通過液相法或氣相法制成的氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅。其中，較好是粒徑容易控制且可以獲得高純度制品的膠態(tài)二氧化硅。從研磨特性和分散穩(wěn)定性的角度來看，磨粒(A)的平均一次粒徑較好是在5300nm的范圍內(nèi)，特別好是10100nm。此外，本發(fā)明的研磨劑中的磨粒(A)的平均二次粒徑較好是在8500nm的范圍內(nèi)，特別好是20200nm。磨粒(A)的平均粒徑可以通過公知的方法測(cè)定。例如，平均一次粒徑可以根據(jù)使水分散液干燥而得的粒子的比表面積的測(cè)定值作為等價(jià)球換算粒徑算出。在這里，粒子的比表面積可以使用株式會(huì)社島津制作所(島津製作所社)制FlowSorbII2300型等來測(cè)定。本發(fā)明的研磨劑中的平均二次粒徑為研磨劑中的凝集體的平均直徑。作為研磨劑中的平均二次粒徑的測(cè)定，可以例舉采用如日機(jī)裝株式會(huì)社(日機(jī)裝社)制MicrotracUPA等動(dòng)態(tài)光散射式粒度分布測(cè)定裝置的方法。將研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％的情況下，考慮到研磨速度、晶片面內(nèi)的研磨速度的均勻性、分散穩(wěn)定性等，本發(fā)明的研磨劑中的磨粒(A)的濃度較好是在研磨劑總質(zhì)量的O.120質(zhì)量％的范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定，更好是研磨劑總質(zhì)量的115質(zhì)量％的范圍內(nèi)。如果本發(fā)明的研磨劑中的磨粒(A)的濃度過低，則砑磨效率可能會(huì)下降。如果過高，則容易產(chǎn)生粒子的凝集。本發(fā)明人認(rèn)真研究后發(fā)現(xiàn)，對(duì)于研磨劑的組成，通過在研磨劑中添加選自苯并三唑類、1H-四唑類、苯磺酸類、磷酸和有機(jī)膦酸的l種以上的研磨速度調(diào)整劑(B)，SiC的研磨速度提高。SiC的研磨速度通過添加研磨速度調(diào)整劑(B)而提高的原因還并不清楚，但認(rèn)為可能是由于研磨速度調(diào)整劑(B)中的含氮雜環(huán)部分、磺酸部分、羥基結(jié)合磷原子部分等和存在于被研磨面的表面的碳原子或Si-C鍵發(fā)生某種化學(xué)相互作用。本發(fā)明中，苯并三唑類是指苯并三唑以及苯并三唑的結(jié)合于碳原子和/或氮原子的氫原子被l價(jià)取代基取代而得的苯并三唑衍生物，所述l價(jià)取代基有鹵素原子等l價(jià)原子，羥基、羧基、氨基等l價(jià)官能團(tuán)，烷基、烷氧基等l價(jià)有機(jī)基團(tuán)等。優(yōu)選的苯并三唑類為以下述式(1)表示的化合物。本發(fā)明中，1H-四唑類是指1H-四唑類是指1H-四唑以及1H-四唑的結(jié)合于碳原子和/或氮原子的氫原子被l價(jià)取代基取代而得的lH-四唑衍生物，所述l價(jià)取代基有鹵素原子等l價(jià)原子，羥基、羧基、氨基等l價(jià)官能團(tuán)，垸基、垸氧基等l價(jià)有機(jī)基團(tuán)等。優(yōu)選的lH-四唑類為以下述式(2)表示的化合物。本發(fā)明中，苯磺酸類是指苯磺酸以及苯磺酸的結(jié)合于碳原子的氫原子被l價(jià)取代基取代而得的苯磺酸衍生物，所述l價(jià)取代基有鹵素原子等l價(jià)原子，羥基、羧基、氨基等l價(jià)官能團(tuán)，烷基、垸氧基等l價(jià)有機(jī)基團(tuán)等。優(yōu)選的苯磺酸類為以下述式(3)表示的化合物。在這里，式(1)中，R為氫原子、碳原子數(shù)14的烷基、碳原子數(shù)14的垸氧基或羧基。此外，式(2)中，R2和R3相互獨(dú)立，為氫原子、碳原子數(shù)14的烷基、碳原子數(shù)14的烷氧基、羧基或氨基。另外，式(3)中，R4為氫原子、碳原子數(shù)14的烷基或碳原子數(shù)14的垸氧基。另外，本發(fā)明的研磨劑中存在酸性物質(zhì)或堿性物質(zhì)的情況下，研磨速度調(diào)整劑(B)也包括形成鹽的形式。作為以式(l)表示的化合物，具體可以例舉苯并三唑(以下稱為BTA)、BTA的苯環(huán)的一個(gè)4或5位的氫原子被取代為甲基的甲苯基三唑(以下稱為TTA)、被羧基取代而得的苯并三唑-4-羧酸等。作為以式(2)表示的化合物，可以例舉1H-四唑、5-氨基-lH-四唑(以下稱為HAT)、5-甲基-1H-四唑等。作為以式(3)表示的化合物，具體可以例舉對(duì)位的氫原子被取代為甲基的對(duì)甲苯磺酸(以下稱為PTS)等。此外，如五氧化二磷等水解而形成磷酸的物質(zhì)也可以用作研磨速度調(diào)整劑(B)。另外，有機(jī)膦酸是指有機(jī)基團(tuán)的碳原子上結(jié)合了-P(0=)(0H)2的有機(jī)化合物，較好是以Rs-(-P(0=)(OH)丄表示的化合物。在這里，Rs為n價(jià)有機(jī)基團(tuán)，n為l8(較好是16)的整數(shù)。在這里，更好是R5為碳原子數(shù)120(較好是210)的有機(jī)基團(tuán)，n為l4的整數(shù)。R5中可以包含鹵素原子、氧原子、氮原子以及其他除氫原子以外的原子。其中，R5較好是包含選自叔氨基、羧基和羥基的至少l種。具體來說，可以例舉2-膦?；≯?l，2,4-三羧酸(以下稱為PHl)、l-羥基亞乙基-l，l-二膦酸(以下稱為PH2)、次氮基三(甲基膦酸)(以下稱為ra3)、N，N，N，，N，-四(膦?；谆?乙二胺(以下稱為PH4)等。它們可以單獨(dú)使用，也可以2種以上混合使用。從充分促進(jìn)SiC的研磨的角度來看，將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量^時(shí)，研磨速度調(diào)整劑(B)在本發(fā)明的研磨劑中的濃度較好是在0.0150質(zhì)量^的范圍內(nèi)考慮研磨速度等適當(dāng)設(shè)定，更好是本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量的0.210質(zhì)量％的范圍內(nèi)。如果本發(fā)明的研磨劑中的研磨速度調(diào)整劑(B)的濃度過低，則研磨速度的提高效果通常無法達(dá)到充分發(fā)揮。因?yàn)樵谝欢舛纫陨蠒r(shí)研磨速度的提高效果達(dá)到飽和，所以過高的濃度是不經(jīng)濟(jì)的。除磨粒(A)、研磨速度調(diào)整劑(B)之外，本發(fā)明的研磨劑包含介電常數(shù)為1580、沸點(diǎn)為60250。C、25。C時(shí)的粘度為0.560mPa's的有機(jī)溶劑(C)。有機(jī)溶劑(C)是為了調(diào)節(jié)研磨劑的流動(dòng)性和分散穩(wěn)定性、研磨速度而添加的。作為有機(jī)溶劑(C)，較好是介電常數(shù)為1580、沸點(diǎn)為60250'C、25'C時(shí)的粘度為O.55mPas的有機(jī)溶劑。作為該有機(jī)溶劑(C)，較好是使用選自碳原子數(shù)14的伯醇、碳原子數(shù)24的二醇、以CH3CH(0H)CH20-CJk+表示的醚(其中，m為l4的整數(shù))、N-甲基-2-卩比咯垸酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、Y-丁內(nèi)酯和碳酸丙烯酯的l種以上的有機(jī)溶劑。具體來說，作為伯醇，較好是甲醇、乙醇、異丙醇(以下稱為IPA)。作為二醇，較好是乙二醇(以下稱為EG)、丙二醇。作為醚，較好是丙二醇單甲醚(以下稱為PGM)、丙二醇單乙醚(以下稱為PGE)。此外，N-甲基-2-吡咯垸酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、Y-丁內(nèi)酯、碳酸丙烯酯是25。C時(shí)的介電常數(shù)在3065的范圍內(nèi)的極性溶劑，通過溶劑合可以高濃度地溶解電解質(zhì)，因此是理想的。從調(diào)節(jié)研磨劑的流動(dòng)性和分散穩(wěn)定性、研磨速度的角度來看，將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，有機(jī)溶劑(C)在本發(fā)明的研磨劑中的濃度較好是在O.120質(zhì)量％的范圍內(nèi)，特別好是0.510質(zhì)量％的范圍內(nèi)。如果本發(fā)明的研磨劑中的有機(jī)溶劑(C)的濃度過低，則上述效果通常無法達(dá)到充分發(fā)揮。因?yàn)樵谝欢舛纫陨蠒r(shí)研磨速度的提高效果達(dá)到飽和，所以過高的濃度是不經(jīng)濟(jì)的。為了使磨粒穩(wěn)定地分散，本發(fā)明的研磨劑中使用水(D)。只要符合本發(fā)明的主旨，使用的水可以是任意的，較好是使用純水、離子交換水。將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量X時(shí)，水(D)的含量較好是在4098質(zhì)量％的范圍內(nèi)，特別好是5090質(zhì)量％的范圍內(nèi)。由于本發(fā)明的研磨劑中包含表面張力高的水(D)，因此上述的有機(jī)溶劑(C)的添加對(duì)于其流動(dòng)性的調(diào)節(jié)是有效的。為了將本發(fā)明的研磨劑調(diào)整至規(guī)定的pH，本研磨劑中較好是添加堿性化合物(E)。作為堿性化合物(E)，可以使用氨、氫氧化鉀、如氫氧化四甲銨和氫氧化四乙銨等氫氧化季銨、單乙醇胺等。其中，較好是可以容易地獲得高純度制品的價(jià)格低廉的氫氧化鉀。將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，本發(fā)明的研磨劑中的堿性化合物(E)的濃度較好是在0.0150質(zhì)量X的范圍內(nèi)，更好是0.0120質(zhì)量％的范圍內(nèi)。這時(shí)，本發(fā)明的研磨劑的pH可以考慮到分散穩(wěn)定性和所需的研磨速度適當(dāng)設(shè)定，如果pH在912、特別是1012的范圍內(nèi)，則可以提高SiC的研磨速度，是理想的。如果本發(fā)明的研磨劑的pH過低，則二氧化硅的研磨速度升高；如果過高，則研磨劑中的堿濃度升高，因此分散穩(wěn)定性受損。另外，為了將本發(fā)明的研磨劑調(diào)整至規(guī)定的pH，本研磨劑中較好是添加無機(jī)酸(F)。作為這樣的無機(jī)酸(F)，可以例舉選自硝酸、硫酸和鹽酸的至少l種以上的無機(jī)酸。其中，較好是作為具有氧化能力的含氧酸的不含鹵素的硝酸。此外，將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，無機(jī)酸(F)的濃度較好是在0.0055質(zhì)量％的范圍內(nèi)，更好是0.011質(zhì)量％的范圍內(nèi)。通過無機(jī)酸(F)添加，可以提高由SiC形成的絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等的研磨速度。另外，研磨速度調(diào)整劑(B)所含的成分不視作上述堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)。堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)可以在本發(fā)明的研磨劑的任意階段添加。例如，將對(duì)應(yīng)于(A)(C)的成分用酸或堿性化合物處理而得的混合物用作研磨劑的成分的情況也屬于上述中說明的酸或堿性化合物的添加。此外，還可以使使用的堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)全部或部分反應(yīng)而形成鹽后添加。但是，從容易將研磨劑的pH調(diào)至所需的范圍和處理性等角度來看，本發(fā)明中較好是分別添14加堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)。另外，形成鹽時(shí)的研磨劑中的堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)的濃度是指該鹽假定為分別作為酸和堿性化合物獨(dú)立存在時(shí)的濃度。磨粒(A)為氧化鋁或氧化鈽的情況下，考慮它們的等電點(diǎn)和凝膠化范圍，調(diào)至最適pH值。因此，可以使用pH緩沖劑(G)。作為pH緩沖劑(G)，只要是通常的具有pH緩沖能力的物質(zhì)，可以任意使用。例如，較好是選自作為多元羧酸的琥珀酸、檸檬酸、乙二酸、苯二甲酸、酒石酸和己二酸的l種以上。將本發(fā)明的研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，本發(fā)明的研磨劑中的pH緩沖劑(G)的濃度較好是研磨劑的0.0110質(zhì)量％，特別好是0.052質(zhì)量％。另外，pH緩沖劑(G)、即具有pH緩沖能力的物質(zhì)不視作上述堿性化合物(E)和無機(jī)酸(F)。本發(fā)明的研磨劑中可以作為添加劑(H)加入選自聚丙烯酸(以下稱為PA)、支鏈淀粉、甘氨酰甘氨酸(以下稱為GG)和N-苯甲酰甘氨酸(以下稱為BG)的1種以上，通常是理想的。其原因并不明確，但認(rèn)為上述中例舉的物質(zhì)在分子內(nèi)具有多個(gè)親水基團(tuán)(羥基、氨基和羧基)，所以作為研磨劑的組成成分時(shí)不僅在研磨劑中穩(wěn)定地存在，而且賦予適合于SiC研磨的潤(rùn)滑性和粘度。在這里，將研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，添加劑00的添加量較好是在0.0150質(zhì)量％的范圍內(nèi)，特別好是在0.052質(zhì)量％的范圍內(nèi).另外，GG具有pH緩沖能力，但本發(fā)明不視作上述pH緩沖劑(G)。只要符合本發(fā)明的主旨，本發(fā)明的研磨劑中可以根據(jù)需要適當(dāng)包含氧化劑、表面活性劑、螯合劑、粘性賦予劑或粘度調(diào)節(jié)劑、防凝集劑或分散劑、防銹劑等。包含氧化劑的情況下，較好是使用選自過氧化氫、碘酸鹽、高碘酸鹽、次氯酸鹽、高氯酸鹽、過硫酸鹽、過碳酸鹽、過硼酸鹽和過磷酸鹽的l種以上。其中，較好是不含堿金屬成分且不產(chǎn)生有害的副產(chǎn)物的過氧化氫。另外，本發(fā)明的研磨劑不需要預(yù)先將構(gòu)成它的所有研磨材料混合而得的混合物供給于研磨的現(xiàn)場(chǎng)?？梢栽谝┙o研磨的現(xiàn)場(chǎng)時(shí)混合研磨材料，形成本發(fā)明的研磨劑的組成。構(gòu)成作為本發(fā)明的研磨劑的研磨對(duì)象的絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等的材料-SiC可以使用公知的任意材料。SiC通常如后所述與其他成分共存。對(duì)于本發(fā)明的研磨劑，只要其效果得到發(fā)揮，其他成分以何種程度共存都沒有問題。特別是美國(guó)加利福尼亞州圣塔克拉拉的應(yīng)用材料公司(AppliedMaterialsInc.)開發(fā)的SiC膜(商品名BL0k)的介電常數(shù)k為4.2，露光波長(zhǎng)為633nm時(shí)的折射率n為1.9，是理想的材料。gp，以往作為絕緣性阻擋層的構(gòu)成材料已知的Si隊(duì)的介電常數(shù)k為7.0，所以與之相比，不僅有利于集成電路整體的低介電常數(shù)化，而且作為防反射層也具有充分的光學(xué)特性。該SiC膜(商品名BLOk)的具體情況揭示于專利文獻(xiàn)l中。根據(jù)傅里葉變換紅外線分析(FTIR)，使用甲基硅烷或三甲基硅烷等有機(jī)硅烷類化合物作為硅源和碳源并在以氦或氬等稀有氣體運(yùn)送的反應(yīng)室內(nèi)通過RF等離子體使其反應(yīng)而形成的SiC膜(商品名BL0k)是包含由CH2/CH3、SiH、Si-CH3、Si-(CH丄和SiC形成的鍵結(jié)構(gòu)的膜。另外，本發(fā)明中，SiC和絕緣層的研磨速度的選擇比、具體為SiC層/二氧化硅層的研磨速度選擇比較好是在3以上，更好是在5以上。該研磨速度選擇比不足3時(shí)，整體部的絕緣層(二氧化硅制)露出的情況下，難以消除高度差。通過提高研磨速度，可以在抑制整體部的絕緣層的過度研磨的同時(shí)，除去多余的絕緣性阻擋層，因而可以使被研磨面高度平坦化。本發(fā)明的研磨劑可以用于將研磨劑供于研磨墊，使研磨墊與被研磨面接觸，使被研磨面和研磨墊相對(duì)運(yùn)動(dòng)，研磨包含SiC的被研磨面的研磨方法。根據(jù)需要，可以使墊調(diào)節(jié)器接觸于研磨墊的表面，在調(diào)節(jié)研磨墊表面的同時(shí)進(jìn)行研磨。通過本發(fā)明的研磨劑，可以高速地進(jìn)行例如由SiC形成的絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等包含SiC的研磨面的表面的研磨。此外，通過它，可以容易地獲得高度平坦化了的具有多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置。例如，可以將本發(fā)明良好地用于以下的方法在基板上的絕緣層形成配線用的溝圖案或?qū)椎劝疾?，再形成?dǎo)電性阻擋層后，為了在溝部埋入例如銅等金屬，通過濺射法或電鍍法等成膜，通過CMP除去金屬和導(dǎo)電性阻擋層至露出除凹部以外的絕緣層表面，再在形成了由SiC形成的絕緣性阻擋層的被研磨面形成平坦的被研磨面。此外，使用二氧化硅作為SiC層的下層的絕緣層的構(gòu)成材料的情況下，可以大幅抑制其研磨速度，使其對(duì)于研磨速度具有選擇性，所以本發(fā)明具有可以使埋線層的上層的絕緣層表面高度地平坦化的特征。這樣的特征被認(rèn)為是在CMP技術(shù)中研磨劑的試劑組成產(chǎn)生的化學(xué)研磨和磨粒帶來的機(jī)械研磨融合而獲得的，是通過以往的研磨劑未曾實(shí)現(xiàn)的效果。實(shí)施例l以下，通過實(shí)施例(例116)和比較例(例1719)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明。16(l)研磨劑的調(diào)制(1)如下調(diào)制例l、2的各研磨劑。在水中加入無機(jī)酸(F)和pH緩沖劑(G)，再加入表1中所示的量的一半的堿性化合物(E)，攪拌10分鐘，獲得a液。接著，使研磨速度調(diào)整劑(B)溶解于有機(jī)溶劑(C)，獲得(B)的固體成分濃度為40質(zhì)量％的b液。接著，向a液中緩緩添加b液和磨粒(A)的水分散液后，緩緩添加剩下的堿性化合物(E)，調(diào)整至目標(biāo)的pH。然后，加入仏02攪拌30分鐘，獲得研磨劑。各例中使用的成分(A)(G)和仏02的相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量％)與其它的特性值一起示于表l。水采用純水。水(0)相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量％)通過100-{成分(A)(G)和HA的濃度的總和)算出。(ii)如下調(diào)制例3、4的各研磨劑。在水中加入無機(jī)酸(F)、以式(3)表示的研磨速度調(diào)整劑(B)(PTS)和pH緩沖劑(G)，再加入表l中所示的量的一半的堿性化合物(E)，攪拌10分鐘，獲得c液。接著，使式(1)表示的研磨速度調(diào)整劑(B)(BTA)溶解于有機(jī)溶劑(C)，獲得d液。接著，向c液中緩緩添加d液和磨粒(A)的水分散液后，緩緩添加剩下的堿性化合物(E)，調(diào)整至目標(biāo)的pH。然后，加入HA攪拌30分鐘，獲得研磨劑。另外，例4中，在臨添加磨粒(A)的水分散液前添加添加劑(H)。各例中使用的成分(A)(H)和&02的相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量％)與其它的特性值一起示于表l。水采用純水。水(D)相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量％)通過IOO-{成分(A)(H)和HA的濃度的總和}算出。(iii)如下調(diào)制例519的各研磨劑。在水中加入無機(jī)酸(F)、研磨速度調(diào)整劑(B)和pH緩沖劑(G)，再加入有機(jī)溶劑(C)和表l中所示的量的一半的堿性化合物(E)，攪拌10分鐘，獲得e液。接著，向e液中緩緩添加磨粒(A)的水分散液后，緩緩添加剩下的堿性化合物(E)，調(diào)整至目標(biāo)的pH后，攪拌30分鐘，獲得研磨劑。這時(shí)，例16中，在臨攪拌前添加11202。此夕卜，例516中，在臨添加磨粒(A)的水分散液前添加添加劑(H)。各例中使用的成分(A)(H)和}1202的相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量％)與其它的特性值一起示于表l。水采用純水。水(D)相對(duì)于研磨劑總質(zhì)量的濃度(質(zhì)量。/0通過100-{成分(A)(H)和貼2的濃度的總和}算出。(2)磨粒的平均一次粒徑和研磨劑中的磨粒的平均二次粒徑的測(cè)定磨粒的平均一次粒徑根據(jù)使水分散液干燥而得的粒子的比表面積作為等價(jià)球換算粒徑算出。粒子的比表面積使用FlowSorbII2300型(株式會(huì)社島津制作所(島津製作所社)制)通過作為氮吸附法的BET—點(diǎn)法測(cè)定。其結(jié)果是，例119中一次粒徑都為17nm。此外，研磨劑中的磨粒的平均二次粒徑通過MicrotracUPA(日機(jī)裝株式會(huì)社(日機(jī)裝社)制)測(cè)定。其結(jié)果是，例l的研磨劑中的磨粒的平均二次粒徑為27nm，例5的研磨劑中的磨粒的平均二次粒徑為24nm，例6和例9的研磨劑中的磨粒的平均二次粒徑為26nm。(3)研磨條件研磨通過以下的裝置和條件進(jìn)行。研磨機(jī)全自動(dòng)CMP裝置MIRRA(應(yīng)用材料公司(AppliedMaterialsInc.)制)研磨壓14kPa轉(zhuǎn)速研磨盤(固定盤)103轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)、研磨頭(基板保持部)97rpm研磨劑供給速度200毫升/分鐘研磨墊IC-1400(羅德爾公司(Rodel)制)(4)被研磨物使用以下的(a)(d)的空白晶片。(a)SiC層研磨速度評(píng)價(jià)用晶片在8英寸Si晶片上通過等離子體CVD形成厚500nm的SiC層。該SiC層用于模擬對(duì)于止蝕層、絕緣性阻擋層、防反射層等的研磨。(b)二氧化硅層研磨速度評(píng)價(jià)用晶片在8英寸Si晶片上使用TE0S(四乙基原硅酸酯)通過等離子體CVD形成厚800mn的二氧化硅層。該二氧化硅層用于模擬對(duì)于由二氧化硅形成的絕緣層的研磨。(5)研磨速度評(píng)價(jià)方法研磨速度根據(jù)研磨前后的膜厚算出。膜厚的測(cè)定使用光干涉式全自動(dòng)膜厚測(cè)定裝置UV-1280SE(KLA坦科公司(KLA亍乂〕一汝社)帝ij)。(6)空白晶片研磨特性評(píng)價(jià)使用上述各例的組成的研磨劑，使用上述各空白晶片進(jìn)行評(píng)價(jià)。表2中表示使用空白晶片得到的由SiC和二氧化硅形成的各膜的研磨速度(單位為nm/分鐘)。由該結(jié)果可知，如果使用本發(fā)明的研磨劑，則可以高速研磨SiC層，抑制二氧化硅層的研磨，實(shí)現(xiàn)SiC層/二氧化硅層的大研磨速度選擇比。此外，如果實(shí)施例的SiC的研磨速度與比較例的情況相比，則可以知道其絕對(duì)值也大幅提高。對(duì)于研磨劑的分散穩(wěn)定性，通過剛調(diào)制后和l周后的平均二次粒徑的變化進(jìn)行評(píng)價(jià)。將磨粒的平均二次粒徑的增加在50%以內(nèi)的評(píng)價(jià)為良好，將超過該值或發(fā)生凝膠化的評(píng)價(jià)為不良，結(jié)果例119的研磨劑都未發(fā)生凝集或沉淀，分散穩(wěn)定性良好。另外，顯微鏡觀察的結(jié)果是，實(shí)施例和比較例中使用的SiC層和二氧化硅層的表面都沒有發(fā)生擦傷。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表2實(shí)施例研磨速度(nm/分鐘)SiC二氧化硅SiC層/二氧化硅層159491.2261144.4364173.8462183.5576174.5680223.6797224.4889233.89100254.01088204.51195214.51296234.213100224.61491214.41588233.71692214.317(比較例)22570.418(比較例)2082.519(比較例)37182.1產(chǎn)業(yè)上利用的可能性通過本發(fā)明，可提供適合于作為絕緣性阻擋層、止蝕層、防反射層等的構(gòu)成材料的SiC的研磨的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑、被研磨面的研磨方法及使用其的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法。這可以有效地運(yùn)用于針對(duì)伴隨半導(dǎo)體集成電路的高集成化高功能化的精細(xì)化高密度化的精細(xì)加工技術(shù)。另外，在這里引用2005年9月9日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-261747號(hào)的說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容作為本發(fā)明說明書的揭示。20權(quán)利要求1.研磨劑，它是半導(dǎo)體集成電路裝置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨劑，其特征在于，包含磨粒(A)，選自苯并三唑類、1H-四唑類、苯磺酸類、磷酸和有機(jī)膦酸的1種以上的研磨速度調(diào)整劑(B)，介電常數(shù)為15～80、沸點(diǎn)為60～250℃、25℃時(shí)的粘度為0.5～60mPa·s的有機(jī)溶劑(C)以及水(D)。2.如權(quán)利要求l所述的研磨劑，其特征在于，還包含堿性化合物(E)，pH在912的范圍內(nèi)。3.如權(quán)利要求1或2所述的研磨劑，其特征在于，還包含無機(jī)酸(F)和pH緩沖劑(G)。4.如權(quán)利要求13中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，用于研磨還包含二氧化硅的被研磨面。5.如權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，SiC層/二氧化硅層的研磨速度選擇比在3以上。6.如權(quán)利要求15中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，前述磨粒(A)為膠態(tài)二氧化硅。7.如權(quán)利要求16中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，將前述研磨劑的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，磨粒(A)的含量在O.120質(zhì)量％的范圍內(nèi)，研磨速度調(diào)整劑(B)的含量在O.00150質(zhì)量％的范圍內(nèi)，有機(jī)溶劑(C)的含量在0.120質(zhì)量％的范圍內(nèi)，水(D)的含量在4098質(zhì)量X的范圍內(nèi)。8.如權(quán)利要求17中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，前述磨粒(A)的平均一次粒徑在5300nm的范圍內(nèi)。9.如權(quán)利要求18中的任一項(xiàng)所述的研磨劑，其特征在于，還包含選自聚丙烯酸、支鏈淀粉、甘氨酰甘氨酸和N-苯甲酰甘氨酸的1種以上的添加劑(H)。10.研磨方法，它是將研磨劑供于研磨墊，使半導(dǎo)體集成電路裝置的被研磨面與研磨墊接觸，通過兩者間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)進(jìn)行研磨的被研磨面的研磨方法，其特征在于，所述被研磨面為包含SiC的被研磨面，所述研磨劑使用權(quán)利要求19中的任一項(xiàng)所述的研磨劑。11.半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其特征在于，具有通過權(quán)利要求IO所述的研磨方法研磨被研磨面的工序。全文摘要本發(fā)明提供在半導(dǎo)體集成電路裝置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同時(shí)抑制絕緣層的二氧化硅的研磨，因而能夠獲得被高度平坦化了的具有多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置的研磨劑。本研磨劑包含磨粒(A)，選自苯并三唑類、1H-四唑類、苯磺酸類、磷酸和有機(jī)膦酸的1種以上的研磨速度調(diào)整劑(B)，介電常數(shù)為15～80、沸點(diǎn)為60～250℃、25℃時(shí)的粘度為0.5～60MPa·s的有機(jī)溶劑(C)以及水(D)。文檔編號(hào)B24B37/04GK101263583SQ200680033059公開日2008年9月10日申請(qǐng)日期2006年8月17日優(yōu)先權(quán)日2005年9月9日發(fā)明者竹宮聰申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社