專利名稱：：鈀選擇性蝕刻液以及控制蝕刻的選擇性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及對金和鈀共存的材料進(jìn)行蝕刻的技術(shù)。
背景技術(shù)：
：金、鈀等金屬一般被廣泛地用作半導(dǎo)體或液晶顯示裝置的電極布線材料等。作為這些金屬電極布線的微細(xì)加工技術(shù)，有使用化學(xué)藥品的濕蝕刻(wetetching)方法。特別是近年在電極布線的接合中倒裝片方式成為主流，在凸點(diǎn)(bump)的形成工序中大多使用蝕刻液。一直以來，作為這樣的蝕刻液，已知含有有機(jī)溶劑的碘系蝕刻液(例如專利文獻(xiàn)l)。但是，盡管該蝕刻液可以以蝕刻性能的變化少且穩(wěn)定的方式進(jìn)行金的蝕刻，但在金凸點(diǎn)的形成工序中，同時對金凸點(diǎn)和基底的鈀進(jìn)行蝕刻時，不能控制各金屬的蝕刻量。另外，已知使用碘作為反應(yīng)主體的蝕刻液，對金、鈀以及它們的合金進(jìn)行蝕刻的方法(專利文獻(xiàn)2)。但是，利用該蝕刻液的方法對金和鈀同樣地進(jìn)行蝕刻，不能抑制對凸點(diǎn)的損壞，即不能抑制金的蝕刻，并選擇性地除去基底的鈀。另一方面，在近年來發(fā)展起來的微細(xì)加工技術(shù)中，強(qiáng)烈需求在蝕刻金屬時可以僅蝕刻目標(biāo)金屬，并抑制對其它金屬的損壞的蝕刻液，即強(qiáng)烈需求金屬選擇性蝕刻液。專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-211142號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開昭49-123132號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻時使用的且對鈀選擇性高的蝕刻液，以及控制對鈀蝕刻的選擇性的方法。本發(fā)明人等在為達(dá)到上述目的而進(jìn)行的銳意研究中，發(fā)現(xiàn)通過添加特定的添加劑可改變蝕刻速率之比，并進(jìn)一步進(jìn)行研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明涉及一種蝕刻液，其是對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的碘系蝕刻液，其含有選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑，且對鈀和金的蝕刻速率之比(對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率)為1以上。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液中，含有含氮五元環(huán)化合物或硫氰酸化合物作為添加劑。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液中，含氮五元環(huán)化合物為N—甲基一2—吡咯烷酮。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液中，N—甲基一2—吡咯烷酮的含量相對于蝕刻液為5080容量％(即volX)。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液中，硫氰酸化合物為硫氰酸銨或硫氰酸鉀。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液中，含有0.151.0mol/L硫氰酸銨或者含有0.31.0mol/L硫氰酸鉀。本發(fā)明進(jìn)一步涉及控制對鈀蝕刻的選擇性的方法，其通過在用碘系蝕刻液對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻時，使添加劑相對于該蝕刻液的濃度變化而進(jìn)行，所述添加劑為選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種。本發(fā)明是基于下述的見解通過往碘系蝕刻液中添加選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑，從而增大對鈀的蝕刻速率，而對金的蝕刻速率降低或者幾乎不變，結(jié)果發(fā)現(xiàn)對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率增大。產(chǎn)生這樣的效果是由于，與金相比，上述添加劑更傾向于與鈀配位。據(jù)認(rèn)為其原因是在鈀的情況下，通過利用添加劑而形成溶解性的鈀配位化合物，從而促進(jìn)去除鈀表面的碘化鈀等效果，由此增大蝕刻速率，與此相反，在金的情況下，難以與上述添加劑形成配位化合物，因此未發(fā)現(xiàn)如鈀那樣的蝕刻速率的增大變化。此外，為了促進(jìn)溶解反應(yīng)，需要快速地促進(jìn)與溶解相關(guān)的碘離子從溶液向材料表面供給和通過溶解而生成的碘化物向溶液中移動，其將作為反應(yīng)場的材料表面與溶液中之間的反應(yīng)種的濃度差所產(chǎn)生的擴(kuò)散作為其驅(qū)動力。據(jù)認(rèn)為，即使在鈀和金的任一種的蝕刻中，與溶劑僅為水的情況相比，溶劑為水一有機(jī)溶劑混合體系時，也能抑制反應(yīng)種解離為離子、整體活性量降低以及材料表面與溶液中之間的濃度差降低，即導(dǎo)致擴(kuò)散速度降低。但認(rèn)為，對于添加劑作為配體起作用的鈀，利用配體(添加劑)所產(chǎn)生的溶解促進(jìn)效果來增大蝕刻速率，與此相比，在添加劑未作為配體起作用的金的情況下，未能得到配體(添加劑)產(chǎn)生的溶解促進(jìn)效果，因此蝕刻速率降低或基本不變。因此，根據(jù)本發(fā)明的蝕刻液，可以將對鈀和金的蝕刻速率之比(對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率)控制在1以上。本發(fā)明的蝕刻液對鈀和金的蝕刻速率之比為1以上，因此可以進(jìn)行以前難以進(jìn)行的鈀選擇性蝕刻，也可以進(jìn)行微細(xì)加工。在對鈀和金的蝕刻速率之比為1以上的蝕刻液的情況下，對鈀的蝕刻力和對金的蝕刻力為同等以上，因此可以在不對金造成更大的損壞的情況下對鈀進(jìn)行蝕刻。另外，根據(jù)本發(fā)明的方法，通過適當(dāng)選擇選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑的添加量，從而可以任意控制對鈀的蝕刻速率和對金的蝕刻速率，因此可以根據(jù)制造目的而使對鈀蝕刻的選擇性任意地變化。圖1表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，N—甲基一2—吡咯烷酮(NMP)的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖2表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，2—吡咯垸酮的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖3表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，1，3—二甲基一2—咪唑啉酮(DMI)的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖4表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，碳酸亞乙酯(EC)的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖5表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，乙醇的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖6表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，l一丙醇(NPA)的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖7表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，丙酮的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖8表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，N—甲基甲酰胺的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖9表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，N，N—二甲基乙酰胺的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。圖IO表示在對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的情況下，硫氰酸銨的添加量與蝕刻速率的關(guān)系。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的蝕刻液是含有碘系即碘、碘化鉀等碘化物的蝕刻液，其是含有選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑的蝕刻液。在含有兩種以上添加劑的情況下，可以從同類化合物中選擇兩種以上，也可以從不同類化合物中選擇兩種以上。對鈀和金的蝕刻速率之比是表示對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率(以下簡稱為Pd/Au比)，本發(fā)明的蝕刻液中Pd/Au比為1以上。1以上的Pd/Au比可以通過對鈀的蝕刻力的提高效果以及對金的蝕刻力的抑制效果而得到，在金和鈀共存的材料中，可以以比對金更高的選擇性對鈀進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明的蝕刻液中，Pd/Au比優(yōu)選為1.5以上。Pd/Au比越高越優(yōu)選，并沒有特別限定上限，例如可以為50，也可以為12。本發(fā)明中所用的添加劑可以是有機(jī)化合物，也可以是無機(jī)化合物。有機(jī)化合物的添加劑中，作為含氮五元環(huán)化合物，可列舉出吡咯垸酮、咪唑啉酮、噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、四唑、三唑等，或者它們的衍生物。作為含氮五元環(huán)化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出N—甲基一2—吡咯烷酮(NMP)、2—吡咯垸酮、聚乙烯吡咯垸酮、l一乙基一2—吡咯烷酮、1，3—二甲基一2—咪唑啉酮、2—咪唑啉酮、2—亞氨基一1一甲基一4—咪唑啉酮、1—甲基—2—咪唑啉酮、2，5—雙(1—苯基)一1，1,3，4一噁唑、2，5—雙(1—苯基)一1，3，4—噻唑、2，5—雙(l一苯基)一4，3，4一噁二唑、2，5—雙(l一萘基)—1,3，4一噁二唑、1，4—雙[2—(5—苯基噁二唑基)]苯、1，4一雙[2-(5—苯基噁二唑基)一4一叔丁基苯]、2，5—雙(l一萘基)_1，3，4—噻二唑、2，5—雙(1—萘基)一1，3，4一噻二唑、1，4一雙[2—(5—苯基噻二唑基)]苯、2，5—雙(1—萘基)—4，3，4—三唑、1，4—雙[2—(5—苯基三唑基)]苯等。其中更優(yōu)選NMP、2—吡咯垸酮、或者1，3—二甲基一2—咪唑啉酮，進(jìn)一步優(yōu)選NMP。作為醇化合物，可列舉出碳原子數(shù)為1至10的醇，它們可以是飽和或不飽和，或者直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的任何結(jié)構(gòu)，還可以是具有兩個以上羥基的多元醇。作為醇化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出甲醇、乙醇、1一丙醇、己醇等直鏈醇；l一環(huán)戊醇、l一環(huán)己醇等環(huán)狀醇等。其中更優(yōu)選乙醇、1—丙醇等。酰胺化合物具有酰胺基即可，還可以具有硝基、苯基、鹵素等取4戈基。作為酰胺化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出N—甲基甲酰胺、N，N—二甲基甲酰胺、N,N—二乙基甲酰胺、N—甲基乙酰胺、N，N—二甲基乙酰胺、N—甲基丙酰胺、丙烯酰胺、己二酰二胺、乙酰胺、2—乙酰胺丙烯酸、4一乙酰胺安息香酸、2—乙酰胺安息香酸甲酯、乙酰胺乙酸乙酯、4一乙酰胺苯酚、2—乙酰胺芴、6—乙酰胺己酸、對乙酰胺苯甲醛、3—乙酰胺丙二酸二乙酯、4—乙酰胺丁酸、氨基磺酸、氨基磺酸銨、阿米酚、3—氨基苯酰胺、對氨基苯磺酰胺、鄰氨基苯甲酰胺、異煙酰胺、N—異丙基丙烯酰胺、N—異丙基一l一哌嗪乙酰胺、尿素酰胺裂解酶、2—乙氧基苯酰胺、順二十二烯酰胺、油酰胺、2—氯乙酰胺、甘氨酰胺鹽酸鹽、琥珀酰胺、琥珀二酰胺、水楊酰胺、2—氰基乙酰胺、2—氰基硫代乙酰胺、二乙酰胺、二丙酮丙烯酰胺、二異丙基甲酰胺、N，N—二異丙基異丁酰胺、N,N—二乙基乙酰乙酰胺、N,N—二乙基乙酰胺、N，N—二乙基十二碳酰胺、N,N—二乙基煙酰胺、二氰基二酰胺、N，N—二丁基甲酰胺、N，N—二丙基乙酰胺、N,N—二甲基丙酰胺、N,N—二甲基苯酰胺、硬脂酰胺、對氨基苯磺酰胺、苯酰磺胺、磺酰胺酸、丹磺酰胺、硫代乙酰胺、硫代異煙酰胺、硫代苯酰胺、3—硝基苯酰胺、2—硝基苯酰胺、2—硝基苯磺酰胺、3—硝基苯磺酰胺、4一硝基苯磺酰胺、吡咯啉酰胺、吡嗪酰胺、2—苯基丁酰胺、N—苯基苯酰胺、苯氧基乙酰胺、鄰苯二甲酰胺、鄰苯二甲酸二酰胺、富馬酰胺、N—丁基乙酰胺、n-丁酰胺、丙烷酰胺、丙酰胺、己酰胺、苯酰胺、苯磺酰胺、甲酰胺、丙二酰胺、丙二酸二酰胺、甲磺酰胺、N—甲基苯酰胺、N一甲基馬來酰胺酸、碘乙酰胺等。其中更優(yōu)選N—甲基甲酰胺、N，N—二甲基乙酰胺等。作為酮化合物，可列舉出碳原子數(shù)為3至10的酮化合物；作為酮化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出丙酮、丁酮、環(huán)己酮、二噁烷、4一羥基一2—甲基戊酮、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯等。其中更優(yōu)選丙酮、碳酸亞乙酯等。作為胺化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出尿素、甘氨酸、亞氨二乙酸、N—乙酰乙醇胺、N—乙酰二苯胺、烯丙胺、鹽酸烯丙胺、烯丙基環(huán)己胺、丙烯基胺、異丁胺、異丙醇胺、異丙胺、乙醇胺、鹽酸乙醇胺、鹽酸乙胺、N—乙基乙醇胺、N—乙基乙二胺、N—乙基二異丙胺、N—乙基二乙醇胺、N—乙基二環(huán)己胺、N—乙基一n—丁胺、2—乙基己胺、N—乙基芐胺、N—乙基甲胺、硫酸乙二胺、四乙酸乙二胺、四乙酸乙二胺三鉀三水合物、四乙酸乙二胺三鈉二水合物、乙二胺、鹽酸乙氧胺、二烯丙胺、二異丁胺、二異丙醇胺、二異丙胺、二乙醇胺、鹽酸二乙醇胺、二乙胺、鹽酸二乙胺、二亞乙基三胺、二環(huán)己胺、二苯胺、鹽酸二苯胺、鹽酸二甲胺、N，N—二甲基烯丙胺、琥珀酰胺酸、硬脂胺、鹽酸硬脂胺、氨基磺酸、鹽酸硫胺素、硫酸硫胺素、三異丙醇胺、三異戊胺、三亞乙基二胺、三苯胺、三芐胺、三亞甲基二胺、單乙醇胺、鹽酸單乙醇胺等。作為酰亞胺化合物的優(yōu)選具體例子，可列舉出琥珀酰亞胺、羥基琥珀酰亞胺、N—碘琥珀酰亞胺、N—丙烯酰氧基琥珀酰亞胺、N—乙?；彵蕉柞啺贰?—氨基鄰苯二甲酰亞胺、4一氨基鄰苯二甲酰亞胺、N—乙基馬來酰亞胺、亞氨脲、N—乙基鄰苯二甲酰亞胺、N—乙基馬來酰亞胺、N—乙氧甲酰基鄰苯二甲酰亞胺、碳化二亞胺、N—氯琥珀酰亞胺、環(huán)氧酰亞胺、2，6—二氯醌酰亞胺、3，3—二甲基戊二酰亞胺、1，8—萘二甲酰亞胺、3—硝基鄰苯二甲酰亞胺、4一硝基鄰苯二甲酰亞胺、N—羥基鄰苯二甲酰亞胺、鄰苯二甲酰亞胺鉀、馬來酰亞胺、N—甲基琥珀酰亞胺、碘琥珀酰亞胺等鏈狀或環(huán)狀的酰亞胺化合物等。這些添加劑中，從提高Pd/Au比的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選醇化合物或酮化合物，特別優(yōu)選1_丙醇、丙酮等。另夕卜，揮發(fā)性低的添加劑由于可穩(wěn)定地保持鈀的蝕刻速率，因而是優(yōu)選的。作為這樣的添加劑，可列舉出含氮五元環(huán)化合物等。特別優(yōu)選蝕刻后浸潤性良好的NMP。有機(jī)化合物的添加劑的使用量根據(jù)添加劑種類的不同而不同，因此優(yōu)選根據(jù)種類來適當(dāng)調(diào)整使用量。一般可在1100容量％的范圍內(nèi)使用，優(yōu)選為1085容量％，更優(yōu)選為2080容量％。例如，在添加劑為NMP時，使用量優(yōu)選為5080容量％，更優(yōu)選為6080容量％。作為無機(jī)化合物的添加劑中的硫氰酸化合物，可列舉出硫氰酸的銨鹽；硫氰酸與鎂、鈣等堿土類金屬的鹽；硫氰酸與鈉、鉀等堿金屬的鹽。這些鹽中，優(yōu)選Pd/Au比較高的硫氰酸銨或硫氰酸鉀。無機(jī)化合物的添加劑具有即使是少量也可以提高Pd/Au比的優(yōu)點(diǎn)。無機(jī)化合物的添加劑的使用量優(yōu)選根據(jù)添加劑的種類來適當(dāng)調(diào)整，其優(yōu)選為0.012mol/L，更優(yōu)選為0.11.5mol/L，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2mol/Llmol/L。在添加劑為硫氰酸銨時，其使用量優(yōu)選為0.151.Omol/L，更優(yōu)選為0.41.0mol/L,進(jìn)一步優(yōu)選為0.40.8mol/L。添加劑為硫氰酸鉀時，其使用量優(yōu)選為0.31.Omol/L，更優(yōu)選為0.41.0mol/L，進(jìn)一步優(yōu)選為0.60.8mol/L。只要在該范圍內(nèi)，就可以提高對鈀的蝕刻力，而且抑制對金的蝕刻力。本發(fā)明的方法中，通過調(diào)整添加劑的使用量，可以任意控制對鈀和金的蝕刻速率之比。例如，如圖1所示，在添加劑使用NMP的情況下，在NMP為0容量％時，金的蝕刻速率比鈀的蝕刻速率高。與此相比，在NMP為約50容量％以上時，產(chǎn)生鈀的蝕刻速率比金的蝕刻速率高的逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。即，在NMP為50容量％以上的情況下，Pd/Au比為1以上(例如，NMP為60容量X時Pd/Au比為約1.64)。這樣，通過調(diào)整NMP使用量，可以任意地控制Pd/Au比。同樣，關(guān)于可使金和鈀的蝕刻速率逆轉(zhuǎn)的添加劑的使用量，在使用2一吡咯烷酮的情況下，如圖2所示為約60容量％以上；在使用l，3—二甲基一2—咪唑啉酮(DMI)的情況下，如圖3所示為約80容量％以上；在使用碳酸亞乙酯(EC)的情況下，如圖4所示為約50容量％以上；在使用乙醇的情況下，如圖5所示為約60容量％以上;在使用1一丙醇(NPA)的情況下，如圖6所示為約60容量％以上；在使用丙酮的情況下，如圖7所示為約40容量％以上；在使用N—甲基甲酰胺的情況下，如圖8所示為約40容量％以上；在使用N，N—二甲基乙酰胺的情況下，如圖9所示為約60容量％以上；在使用硫氰酸銨的情況下，如圖10所示為約0.15mol/L以上；使用硫氰酸鉀的情況下，為約0.3mol/L以上。這樣，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定添加劑的使用量，可以任意地控制Pd/Au比，也可以根據(jù)期望而使其為1以上。因此，例如在金凸點(diǎn)的形成工序中，可盡量抑制對金凸點(diǎn)的損壞，同時除去基底的鈀膜。本發(fā)明的蝕刻液可以往公知的碘系蝕刻液中添加上述添加劑，或者將碘、碘化物和上述添加劑在水中混合而制得。另外，本發(fā)明的蝕刻液無需預(yù)先制備，例如，可以在蝕刻時往碘系蝕刻液中加入添加劑而制備。本發(fā)明的蝕刻方法只要是使用本發(fā)明的蝕刻液的方法就行，沒有特別的限制，也可以使用公知的方法。作為蝕刻對象物與蝕刻液的接觸方法，例如可列舉出在容器中充滿蝕刻液后浸漬蝕刻對象物的浸漬方式等。在采用浸漬方式時，優(yōu)選通過搖動該蝕刻對象物或者使槽內(nèi)的蝕刻液強(qiáng)制循環(huán)來均勻地進(jìn)行蝕刻。其它可列舉出將蝕刻液噴霧到蝕刻對象物表面的噴射方式，或者通過噴嘴使蝕刻液噴出到旋轉(zhuǎn)的蝕刻對象物上的旋轉(zhuǎn)方式等。另外，也優(yōu)選將這些處理方法與浸漬方式并用。蝕刻時間沒有特別的限定，160分鐘左右就足夠；蝕刻溫度也沒有特別的限定，例如可以在2050x:下進(jìn)行。關(guān)于適用本發(fā)明的蝕刻液的材料，只要是金和鈀共存的材料就行，沒有特別的限制。具體而言，可列舉出半導(dǎo)體基板、硅片、透明導(dǎo)電性電極等半導(dǎo)體材料等。其中優(yōu)選半導(dǎo)體基板。實(shí)施例以下用實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明，但是本發(fā)明不受這些實(shí)施例的限制。[比較例1]設(shè)想在鈀和金共存的晶片上的鈀的蝕刻來進(jìn)行試驗(yàn)。制備含碘化鉀110g/L和碘22g/L的蝕刻液200mL。然后將2X2cm的鈀試片和金試片在液體溫度為3(TC下輕微攪拌，同時在上述蝕刻液中浸漬1分鐘，進(jìn)行蝕刻。通過重量法算出對鈀和金的蝕刻速率，算出Pd/Au比。其結(jié)果示于表13。如表13所示，如果不含添加劑，則對鈀的蝕刻速率較低，Pd/Au比較低。設(shè)想在鈀和金共存的晶片上的鈀的蝕刻來進(jìn)行試驗(yàn)。往上述比較例的蝕刻液中分別配合20、40、60或80容量％的N—甲基一2—吡咯垸酮(NMP)，制備4種蝕刻液各200mL。然后將2X2cm的鈀試片和金試片在液體溫度為3(TC下輕微攪拌，同時在上述蝕刻液中浸漬l分鐘，進(jìn)行蝕刻。通過重量法算出對鈀和金的蝕刻速率，算出Pd/Au比。其結(jié)果示于表1和圖1。由此可知，通過加入NMP，使對鈀的蝕刻速率比對金的蝕刻速率相對地提高，Pd/Au比增大。還可知，Pd/Au比根據(jù)添加劑的濃度而發(fā)生變化，通過適當(dāng)?shù)剡x擇添加劑的濃度，使對鈀和金的蝕刻速率逆轉(zhuǎn)，Pd/Au比超過l。表1添加量(vol%)對Pd的蝕刻速率(nm/min)對Au的蝕刻速率(nm/min)蝕刻速率之比(Pd/Au)084820.02201833860.47401953070.6460148901.648048251.92除了用表2所示的化合物代替實(shí)施例1中的NMP以外，其它與實(shí)施例l同樣地進(jìn)行蝕刻。結(jié)果示于表2。另外，作為添加劑使用碳酸亞乙酯、乙醇、丙酮和N,N—二甲基乙酰胺的情況下的各添加劑的量與蝕刻速率的關(guān)系示于圖4、5、7和9。由此可知，通過加入添加劑，使對鈀的蝕刻速ii率比對金的蝕刻速率相對地提高，Pd/Au比增大。還可知，通過適當(dāng)?shù)剡x擇添加劑的濃度，使對鈀和金的蝕刻速率逆轉(zhuǎn)，Pd/Au比超過l。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>[實(shí)施例3]除了用表3所示的化合物代替實(shí)施例1中的NMP以外，其它與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行蝕刻。結(jié)果示于表3。另外，硫氰酸銨的量與蝕刻速率的關(guān)系示于圖6。由此可知，通過加入添加劑，使對鈀的蝕刻速率提高，Pd/Au比增大。還可知，通過適當(dāng)?shù)剡x擇添加劑的濃度，使對鈀和金的蝕刻速率逆轉(zhuǎn)，Pd/Au比超過1。還可知，表3所示的化合物與實(shí)施例1和2相比，即使極少的量也可提高蝕刻速率。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>權(quán)利要求1.一種蝕刻液，其是對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的碘系蝕刻液，其含有選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑，且對鈀和金的蝕刻速率之比即對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率為1以上。2.權(quán)利要求l所述的蝕刻液，其中，含有含氮五元環(huán)化合物或硫氰酸化合物作為添加劑。3.權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液，其中，含氮五元環(huán)化合物為N—甲基一2—吡咯垸酮。4.權(quán)利要求3所述的蝕刻液，其中，N—甲基一2—吡咯烷酮的含量相對于蝕刻液為5080容量％。5.權(quán)利要求2所述的蝕刻液，其中，硫氰酸化合物為硫氰酸銨或硫氰酸鉀。6.權(quán)利要求5所述的蝕刻液，其含有0.151.0mol/L硫氰酸銨，或者含有0.31.0mol/L硫氰酸鉀。7.—種控制對鈀蝕刻的選擇性的方法，其通過在用碘系蝕刻液對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻時，使添加劑相對于所述蝕刻液的濃度變化而進(jìn)行，所述添加劑為選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種。全文摘要本發(fā)明的蝕刻液是對鈀和金共存的材料進(jìn)行蝕刻的碘系蝕刻液，其含有選自含氮五元環(huán)化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亞胺化合物中的至少一種添加劑，對鈀和金的蝕刻速率之比(對鈀的蝕刻速率/對金的蝕刻速率)為1以上。文檔編號C23F1/10GK101297396SQ20068004022公開日2008年10月29日申請日期2006年10月27日優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日發(fā)明者高橋秀樹申請人:關(guān)東化學(xué)株式會社