專利名稱：：用于銅互連層的無電鍍NiP附著和/或覆蓋層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在基底(例如玻璃基底)上沉積層銅互連層以用于例如TFT-LCD平面面板互連系統(tǒng)的方法。更具體地，本發(fā)明涉及制造TFT-LCD平面顯示面板的方法，該面板包括銅互連總線，其用于通過薄膜晶體管(TFT)將像素矩陣中的各像素與液晶顯示面板(LCD)或者等離子體或類似顯示面板的信號(hào)電極總線和掃描電極總線電連接。
背景技術(shù)：
：可用作計(jì)算機(jī)屏幕或電視顯示器的TFT-LCD的基本原理是公知的。這些例如詳細(xì)描述于KTKScientificpublishersTokyo,chap.7，1987中由E.Kaneko所著的"液晶電視顯示器液晶的原理及應(yīng)用"。在典型的平面顯示面板中，例如在LCD或等離子體面板中，顯示材料，例如液晶或放電氣體(分別地)，本身夾在兩個(gè)電絕緣的玻璃基底之間。電互連線或總線布置在至少一玻璃基底的一個(gè)表面上，以對(duì)電極施加電壓，在電極之間具有液晶或放電氣體。例如，在活性矩陣LCD系統(tǒng)中，在一個(gè)玻璃基底的一個(gè)表面上具有的矩陣式排列中，有復(fù)數(shù)個(gè)信號(hào)或數(shù)據(jù)電極線或總線和復(fù)數(shù)個(gè)柵極或掃描電極總線。當(dāng)數(shù)據(jù)電極和柵極相互交叉時(shí)，有至少一個(gè)作為開關(guān)(開-關(guān))和像素電極的薄膜晶體管，矩陣的各線依序地被啟動(dòng)以將TFT開關(guān)關(guān)閉，并將該線中各像素電極其相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，以針對(duì)相關(guān)像素電極的適當(dāng)?shù)念伾醊H言號(hào)信息，這與傳統(tǒng)CRT系統(tǒng)類似。當(dāng)顯示面板的尺寸增加時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率需要增加，因而使這些線的寄生電容增加，這又意味著驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳遞產(chǎn)生延遲。為了減少這些延遲現(xiàn)象，例如在JapanDisplay'89的第498-501頁，題為"用于TFT-LCD的低阻抗銅地址線"的文章中提出，由于銅的電阻率較鋁的電阻率小得多，因而使用銅以替代鋁作為薄膜晶體管的柵極材料和相關(guān)的矩陣互連線或總線。此銅層通過賊射法沉積，但由于其附著至玻璃表面的能力不佳，因而需要中間鉭層。由US-B6413845獲知一種在TFT-LCD顯示面板的玻璃表面上制造這種金屬互連層的方法，其使用通過無電鍍而沉積于玻璃表面的Ni膜，然后覆蓋光致蝕刻劑膜以將該金屬沉積形成圖案。然后，在M膜上沉積金膜，最后通過無電鍍(濕沉積法)法在該金層上沉積銅膜，以最終獲得適當(dāng)?shù)你~互連系統(tǒng)。然而，光致蝕刻劑的^f吏用增加了此方法的成本。本領(lǐng)域技術(shù)人員還已知，銅傾向于在其所沉積的材料層內(nèi)擴(kuò)散，因此，必須在將銅層沉積于基底上之前，在該基底上提供一阻障層。上述方法由例如Osaka等人在Journaloftheelectronicsociety,149-11-2002中，題為"應(yīng)用于銅互連技術(shù)中擴(kuò)散阻障層的無電三元鎳沿著Si02而沉積"的文章中描述。然而，這些>5^開于此文獻(xiàn)中的膜無法附著于玻璃基底上，且在此文章中公開的條件下具有不良的厚度均勻性。因此，現(xiàn)在仍有需要"i殳計(jì)一種方法，該方法不會(huì)增加在擴(kuò)散阻障層上沉積的成本，提供了與玻璃基底的良好附著性，并優(yōu)選還可應(yīng)用于銅層的覆蓋層沉積過程。根據(jù)本發(fā)明，已發(fā)現(xiàn)在某些條件下沉積的無電NiP層可用于使附著和覆蓋層都具有良好的Cu阻障能力。還發(fā)現(xiàn)這些層的粗糙度和厚度的均勻性令人滿意。由Cu/NiP/玻璃構(gòu)成的互連和/或柵極結(jié)構(gòu)由無電NiP和Cu鍍敷制得。NiP層鍍敷在玻璃基底上，以提供Cu的附著和阻障，而Cu層鍍敷于NiP上，作為例如閘極材料。發(fā)現(xiàn)MP層在玻璃基底上具有良好的附著性能，以及可避免銅擴(kuò)散的良好阻障性能。還發(fā)現(xiàn)，NiP層的粗糙度和厚度均勻性令人滿意。X射線分析顯示NiP為非晶的，且具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性。此MP附著層為單層，因此，其較US-B6413845所述的疊層容易實(shí)現(xiàn)，因而與其它濕式/干式的方法相比降低了生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，在例如玻璃基底的基底上沉積用于例如TFT-LCD平面面板互連系統(tǒng)的銅互連層的方法包括以下步驟a)任選地，將基底清潔，b)任選地，將基底微蝕刻，c)在基底(100)上沉積催化層(101)，以獲得催化基底(100，101)，d)以調(diào)理溶液調(diào)理該催化基底，以獲得經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102)，e)通過使該基底或其至少一部分與包含M的前體和P的前體的濕浴混合物接觸，在該催化基底上鍍敷無電MP層(103)，從而獲得鍍NiP的經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102,103)，f)在該鍍NiP層上沉積銅催化劑層(104)，以及g)在所述銅催化劑層(104)上沉積銅層(105)。優(yōu)選地，此方法的步驟(f)是通過使用銀或鈀鹽在所述NiP層上沉積薄銀層(104)而進(jìn)行的，而銅層(105)則通過使用銅鹽如CuS04進(jìn)行鍍敷而沉積。本發(fā)明還涉;s^底材料，在其上至少某部分依序地覆蓋催化層、調(diào)理層、MP層、銅催化劑層;^銅層。附圖簡(jiǎn)述下面參照附圖詳細(xì)"^兌明本發(fā)明，作為實(shí)例，這些附圖表示圖1代表TFT-LCD顯示面板的俯視示意圖。圖2為開關(guān)矩陣配置的示意圖。圖3為介于TFT和電極間互連線的詳圖。圖4例示根據(jù)本發(fā)明中在一玻璃基底上沉積銅層的剖面圖。具體實(shí)施例方式液晶顯示面板系由復(fù)數(shù)個(gè)在基底上布置成矩陣的像素構(gòu)成，且由薄層玻璃基底覆蓋，其將所有像素一M蓋。每個(gè)像素可視為方形電極系統(tǒng)，其具有底部和頂部透明電極，而在其間為液晶層。在透明電極上方為覆蓋有極化層的玻璃基底。為了具有與傳統(tǒng)crt系統(tǒng)類似的結(jié)構(gòu)，其中蔽蔭屏蔽系統(tǒng)系與色點(diǎn)和電子束結(jié)合，布置成具有由屏幕頂部至底部的連續(xù)水平掃描線的矩陣，該4象素系統(tǒng)系以類似方式布置，而像素的各線依序地被啟動(dòng)(被掃描)，電子信號(hào)。'因此:每個(gè)像素需要一個(gè)由掃描信;(線)、驅(qū)動(dòng)的開關(guān)，其在被啟動(dòng)時(shí)會(huì)將每個(gè)像素的頂部電極連接至適當(dāng)?shù)碾妷?信號(hào)源，通常經(jīng)由電容器)。目前，合適的開關(guān)為薄膜晶體管(TFT)，其通常根據(jù)MOS技術(shù)而制得。為了制造該類TFT-FDP屏幕，因而需要以固定的間隔制作，薄膜晶體管(MOS型)具有漏極、源極和柵極。每個(gè)TFT的漏極通常連接至透明像素電極，源極連結(jié)至在目前由銅制成的信號(hào)電極總線，而柵極連接至掃描電極總線。圖l代表該分別排列成線10,U，…12;20，21，…22;30，31，."32;40,41，...42的復(fù)數(shù)個(gè)像素的示意圖。開關(guān)S1()，Sn，.，.S12以及各自的S40，841，...841經(jīng)由其各自的閘極連接至掃描線1^，1^2，1^，..丄4，同時(shí)，開關(guān)的各自源極連接至信號(hào)行d，C2，...C4，而每個(gè)TFT的漏極連接至其各自的像素電極。圖2示意地說明開關(guān)矩陣電路的基本原則(相同號(hào)碼標(biāo)明相同關(guān)聯(lián)性)。圖2a代表一基本TFT開關(guān)矩陣，其中每條線La，L2，L3連接至MOS晶體管的閘極，且每個(gè)信號(hào)電極線ChC2，C3連接至晶體管的源極，該晶體管的漏極則連接至液晶像素電極，而其它電極則接地。圖2b說明相同的矩陣布置，不同的是平行連接于像素10，11，12的電極的電容器F^F2，F(xiàn)3。此系統(tǒng)可一直在像素的電極間施加電壓，且可在每一線掃描時(shí)改變此電壓(亦即色點(diǎn)的顏色)。圖3為一互連系統(tǒng)的示意圖，用以實(shí)現(xiàn)在鄰近線L和行C的交叉位置上的矩陣式互連系統(tǒng)。"掃描"互連線L具有連結(jié)至TFT66的閘極63的小型延伸物62，線L和TFT都沉積于透明玻璃基底上。互連線L經(jīng)由絕緣層60而與信號(hào)(行)線C(線C與互連線L交叉)產(chǎn)生電絕緣。然而，信號(hào)線C與TFT的源極65電連接，同時(shí)漏極64則與像素電極61電連接。本發(fā)明基本上涉及制造TFT開關(guān)和掃描互連線L(以及信號(hào)互連線C)的銅柵極的方式(當(dāng)它們由銅制得且沉積在玻璃基底上時(shí))。圖4例示了根據(jù)本發(fā)明的沉積在玻璃基底的銅層的剖面圖。玻璃基底100覆蓋有催化層101、調(diào)理層102、MP層103、銅催化劑層104以及銅層105。下文以舉例方式說明獲得這種夾層的方法。下面根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方案描述上述各個(gè)步驟。步驟(a):玻璃表面的清潔使用紫外線、臭氧溶液和/或脫脂溶液，例如NaOH、Na2C03、Na3P04的混合物，將表面上的有機(jī)雜質(zhì)移除。當(dāng)表面足夠干凈時(shí)，或如果這種處理方式可能損害基底或造成非預(yù)期性的化學(xué)>!1應(yīng)時(shí)，可省略此步驟。對(duì)于UV和/或臭氧處理而言，此步驟優(yōu)選進(jìn)行10秒至IO分鐘的時(shí)間，更優(yōu)選30秒至3分鐘。當(dāng)使用脫脂溶液時(shí)，此清潔步驟在3ox:至ioox:的溫度進(jìn)行優(yōu)選30秒和10分鐘的時(shí)間，更優(yōu)選在50。C至90'C進(jìn)行1分鐘至5分鐘。然后，用去離子純水清洗該基底。步驟(b):玻璃表面的微蝕刻此步驟的目的是在玻璃表面上制造出微扭脧性，以強(qiáng)化NiP層附著于基底上的效果。如果該玻璃表面已足夠粗糙能夠提供附著性，或如果這種處理方式可能在玻璃表面上造成有害的反應(yīng)時(shí)，可省略此步驟。通常，此步驟通過浸入包含0.1體積％至5體積％的HF(還可包含10g/L至100g/L的NH4F)的水溶液中10秒至5分鐘而進(jìn)行，或通常浸入包含0.3體積％至3體積％的HF以及30g/L至60g/L的NH4F的7J0溶液中30秒至3分鐘。步驟(c):NiP的催化層可用SnCh和PdCl2溶液進(jìn)行此步驟，以在玻璃基底表面上制造出極薄的鈀層。為此，將基底浸入SnCl2溶液中，然后以D丄水沖洗，之后將其浸入PdCl2溶液中。優(yōu)選的SnCl2溶液為包含0.1體積％至10體積％HC1以及0.1g/L至50g/LSnCl2的7JC溶液。pdCl2溶液由含0.01體積％至5體積Q/Q的HCl和0.01g/L至5g/L的PdCl2的水溶液制成。更優(yōu)選地，SnCl2溶液包含溶于0.5%至5%HC1溶液中的1g/L至20g/L的SnCl2，而PdCl2溶液則包含溶于0.05%至1%HC1溶液中的0.1g/L至2g/L的PdCl2。預(yù)計(jì)在玻璃表面上可能發(fā)生下述化學(xué)反應(yīng)Sn2++Pd2+=>Sn4++Pd。步驟(d):調(diào)理通常使用包含還原劑的水溶液進(jìn)行此步驟。已發(fā)現(xiàn)此步驟為獲得均勻MP鍍敷層的必要步驟。此步驟可還原表面上的氧化性Sn4+，并促進(jìn)還原性NiP電鍍化學(xué)。此步驟通過浸入組成類似于下述步驟(e)中所用溶液但不包含Ni鹽類的溶液中而進(jìn)行。使用包含5g/L至50g/LNaH2P02的溶液。此程序通常進(jìn)行10秒至3分鐘。步驟(e):MPHIt:使用NiS04和NaH2P02作為Ni和P的源。NaH2P02還用作還原劑。絡(luò)合劑選自具有羧基(-COOX:X為H、金屬、烷基)的有機(jī)化合物及其混合物。更典型地，其選自乙酸、酒石酸、乙醇酸、乳酸及其混合物。如果必要，用pH緩沖液調(diào)整溶液的pH值。在一個(gè)具體實(shí)例中，使用包含10g/L至45g/L的MS04.7H20、3g/L至50g/L的NaH2P02H20、5mL/L至50mL/L乙醇酸(70%)以及3g/L酒石酸的溶液，并將基底浸入其中?？商砑?.5ppm至10ppm的鉛化合物作為穩(wěn)定劑。鍍敷浴的溫度和pH值分別在50。C至90。C和2至9的范圍內(nèi)，更典型地，在70。C至90。C和2至6的范圍內(nèi)。鍍敷的時(shí)間可依照鍍敷的速率和所需厚度而決定，通常，在是MP層的情況下為30秒至1分鐘。最后，以D丄水洗涂基底。步驟(f):Cu的催化將玻璃基底浸于AgN03在NH4OH中、PdCl2在HC1中、或Pd(NH3)4Cl2在NH4OH中的溶液，以在NiP表面上制作極薄的銀或鈀層。更通常使用0.1g/L至10g/LAgN03在0.01%至1%NH4OH中的溶液。此步驟通常進(jìn)行10秒鐘至5分鐘，更優(yōu)選30秒至1分鐘。至于釔層，使用在0.01%至5%HC1中含0.01g/L至5g/LPdCl2的溶液。更優(yōu)選地，0.1g/L至2g/L的PdCl2溶于0.05%至1%HC1溶液中。在其它具體實(shí)例中，使用0.1g/L至10g/LPd(NH3)4Cl在0.1%至5%NH4OH中的溶液。然后，如果鍍Cu的質(zhì)量不符^^要求時(shí)，還可進(jìn)行還原步驟。通常使用0.1。/。至5。/。的HCHO溶液10秒至5分鐘，更通常使用0.5%至3%的HCHO溶液。通?？墒褂?.1g/L至5g/L的DMAB(二甲基胺硼烷)溶液30秒至5分鐘代替HCHO溶液，更通常j吏用0.5g/L至3g/L的DMAB溶液1分鐘至3分鐘。步驟(g):鍍Cu:銅鍍敷溶液包含銅源、絡(luò)合劑、還原劑和pH緩沖液。通常使用2g/L至15g/L的CuS04作為Cu源。#劑選自EDTAS、酒石酸鹽、檸檬酸鹽、二胺、糖醇及其混合物。在一具體實(shí)例中，使用20g/L至60g/L酒石酸鉀鈉。還原劑選自醛、胺、聯(lián)胺、胺基硼烷、乙醛酸、抗壞血酸、次磷酸鹽及其混合物。在具體實(shí)例中，使用0.05。/。至l。/。的HCHO。必要時(shí)可添加Ni化合物(即0.1g/L至10g/L的NiCl2)以促進(jìn)Cu鍍敷?？商砑?.1ppm至2ppm的硫化合物作為穩(wěn)定劑。溶液的pH值可用例如NaOH調(diào)整在9至13的范圍。鍍敷的時(shí)間依照鍍敷的速率和所需厚度而決定；對(duì)于數(shù)百納米的Cu層而言，通常為1分鐘至60分鐘，更通常為5分鐘至40分鐘。根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)例，可通過優(yōu)選地重復(fù)步驟(c)至(e)(在步驟(c)前可以進(jìn)行銅的清潔)在Cu層上沉積NiP層作為覆蓋或保護(hù)層。通過下述實(shí)施例及對(duì)比例更好地理解本發(fā)明。實(shí)施例1將玻璃基底在80。C浸入包含NaH、Na2C03、Na3P04的脫脂溶液中3分鐘，以將其上的有機(jī)雜質(zhì)移除。以去離子水沖洗后，將其浸入稀HF/NH4HF溶液中l(wèi)分鐘，以在該表面上制造孩沐糙性。以D.I.水沖洗后，將其浸入在1%HC1溶液中包含10g/LSnCl2的SnCl2溶液中，然后浸入在0.1%HC1溶液中包含0.3g/LPdCl2的PdCl2(溶液)中，在這兩種溶液中各浸入2分鐘。以D丄水沖洗該基底后，將其浸入含有還原劑的調(diào)理溶液中30秒。然后，將其浸入NiP鍍敷溶液中。表1顯示了鍍敷浴的組成及鍍敷糾。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>通過進(jìn)行"膠帶"測(cè)試(無剝離)證實(shí),鍍敷的Cu/NiP層對(duì)于玻璃基底具有優(yōu)異的附著性。兩層的粗糙度和厚度均勻性符合要求(分別為低于5nm和在5。/。內(nèi))。NiP膜由91重量％的Ni和9重量％的P構(gòu)成。X射線分析顯示NiP是非晶的。鍍敷于MP層上的銅層具有低的電阻率(2.6fiQcm)。X射線分析還顯示這兩個(gè)NiP和Cu層具有良好的熱阻，為400。C下1小時(shí)，且在薄加熱步驟后擴(kuò)散至NiP層的銅可忽略。對(duì)比例1在相同玻璃基底上以實(shí)施例1中所使用的所有步驟鍍敷銅層，但不包括沉積NiP層的步驟。所獲得的銅層顯示出在玻璃基底上不良的附著性，且其易被剝離。對(duì)比例2如實(shí)施例1所述以類似于實(shí)施例1的方式進(jìn)4亍NiP和Cu層的沉積，不同的是不進(jìn)行步驟(a)，或步驟(a)的溶液溫度低于30。C。鍍層顯示出均勻性不佳且缺乏再現(xiàn)性，因?yàn)楸砻娌粔蚯鍧?。?duì)比例3進(jìn)行實(shí)施例1中除了步驟(b)以外的所有步驟。許多NiP層顯示對(duì)基底的附著性不良。對(duì)比例4在玻璃基底上進(jìn)行實(shí)施例1所述的步驟(a)和(b)。省略步驟(c)，然后如實(shí)施例1所述試驗(yàn)性地進(jìn)行步驟(d)和(e)。然而，無MP沉積在該玻璃基底上。對(duì)比例5根據(jù)實(shí)施例1進(jìn)行各種對(duì)比例，不同的是在步驟(c)中的SnCl2濃度或者低于0.1g/L或者高于50g/L，或者PdCl2的濃度或者低于0.01g/L或者高于5g/L。在所有這些實(shí)例中，無NiP層鍍敷在該基底上，或者，當(dāng)鍍敷時(shí)，NiP層顯示出不佳的均勻性、不良的附著性和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例6在玻璃基底上進(jìn)行步驟l中所有步驟，不同的是不進(jìn)行步驟(d)，或者NaH2P02溶液所使用的濃度或低于5g/L或高于50g/L。在所有這些不同情形中，無NiP層鍍敷在該基底上，或者即使鍍敷上，此MP層也顯示出不佳的厚度均勻性、不良的附著性和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例7根據(jù)實(shí)施例l進(jìn)行各個(gè)實(shí)例，不同的是NiS(V7H20、NaH2P02*H20、乳酸、乙醇酸、酒石酸及鉛化合物的濃度不在上述步驟(e)所界定的各個(gè)范圍內(nèi)。無NiP層鍍敷在該基底上，或者即是即使鍍敷上，此NiP層也顯示出不佳的均勻性、不良的附著性和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例8以類似于實(shí)施例1所述方式進(jìn)行各種實(shí)例，不同的是NiP鍍敷浴的溫度^f氐于50'C或高于90C。在某些情況下，無NiP層鍍敷在該基底上，或者當(dāng)鍍敷上時(shí)，此MP層顯示出不佳的厚度均勻性和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例9根據(jù)實(shí)施例1進(jìn)行各種實(shí)例，不同的是MP鍍敷浴的pH值調(diào)整在低于2或高于9。在所有這些不同實(shí)例中，無MP層鍍敷在該基底上，或者當(dāng)鍍敷上時(shí)，此MP層顯示出不佳的均勻性、不良的附著性和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例10進(jìn)行實(shí)施例1的各個(gè)步驟，但不進(jìn)行步驟(f),在此情況下，無Cu層鍍敷在NiP層上。對(duì)比例11進(jìn)行與實(shí)施例1類似的各種實(shí)例，不同的是在步驟(f)中AgNOs濃度低于0.1g/L或高于10g/L以外。沒^JLhCu層，或者即使已鍍敷，銅層也顯示出不佳的厚度均勻性、不良的附著性、電阻率和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例12根據(jù)實(shí)施例1進(jìn)行各種實(shí)例，不同的是在步驟(f)中使用PdCl2在HC1中的溶液或Pd(NH3)4Cl2在NH4OH中的溶液代替AgNCb在NH4OH中的溶液。此步驟使用0.3g/LPdCl2在0.1%HC1中或0.25g/LPd(NH3)4Cl2在2%NH4OH中的溶液浸漬3分鐘而完成。4UL的Cu層顯示出與實(shí)施例l相當(dāng)?shù)暮穸染鶆蛐?、附著性、電阻率和再現(xiàn)性。對(duì)比例13進(jìn)行與實(shí)施例1類似的各種實(shí)例，不同的是CuS04*5H20、C4H4KNNa06.5H20、M化合物、HCHO和/或硫化合物的濃度分別不在上述步驟(g)中所界定的各自范圍內(nèi)。無Cu層鍍敷在該基底上，或者，當(dāng)鍍敷上時(shí)顯示出不佳的均勻性、不良的附著性、高電阻率和/或缺乏再現(xiàn)性。對(duì)比例14進(jìn)行與實(shí)施例1類似的各種實(shí)例，不同的是將Cu4!lt浴的pH值調(diào)整在低于9或高于13。無Cu層鍍敷在基底上，或者即使鍍上也顯示出不佳的均勻性、不良的附著性、高電阻率和/或缺乏再現(xiàn)性。權(quán)利要求1、一種在基底上，例如在玻璃基底上，沉積用于例如TFT-LCD平面面板互連系統(tǒng)的銅互連層的方法，其包括以下步驟a)任選地，將基底清潔，b)任選地，將基底微蝕刻，c)在基底(100)上沉積催化層(101)，以獲得催化基底(100，101)，d)以調(diào)理溶液調(diào)理該催化基底，以獲得經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102)，e)通過使該基底或其至少一部分與包含Ni的前體和P的前體的濕浴混合物接觸，在該催化基底上鍍敷無電NiP層(103)，從而獲得鍍NiP的經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102，103)，f)在該鍍NiP層上沉積銅催化劑層(104)，以及g)在所述銅催化劑層(104)上沉積銅層(105)。2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述步驟f)是通過使用銀鹽在所述NiP層上沉積薄銀層(104)而進(jìn)行的。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述Cu層(105)是使用銅鹽，例如CuS04，通it!M:而沉積的。4、一種基底材料(100)，在其上至少某部分依序覆蓋催化層(101)、調(diào)理層(102)、NiP層(103)、銅催化劑層(104)及銅層(105)。全文摘要一種在基底上，例如在玻璃基底上，沉積用于例如TFT-LCD平面面板互連系統(tǒng)的銅互連層的方法。該方法包括以下步驟a)任選地，將基底清潔，b)任選地，將基底微蝕刻，c)在基底(100)上沉積催化層(101)，以獲得催化基底(100，101)，d)以調(diào)理溶液調(diào)理該催化基底，以獲得經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102)，e)通過使該基底或其至少一部分與包含Ni的前體和P的前體的濕浴混合物接觸，在該催化基底上鍍敷無電NiP層(103)，從而獲得鍍NiP的經(jīng)調(diào)理的催化基底(100，101，102，103)，f)在該鍍NiP層上沉積銅催化劑層(104)，以及g)在所述銅催化劑層(104)上沉積銅層(105)。文檔編號(hào)C23C18/16GK101466869SQ200680055001公開日2009年6月24日申請(qǐng)日期2006年6月16日優(yōu)先權(quán)日2006年6月16日發(fā)明者林則安,熊炯聲,那須昭宣,陳易聰,陳玄芳申請(qǐng)人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司;財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院