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Cvd金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法

文檔序號(hào):3406052閱讀:696來源:國(guó)知局
專利名稱:Cvd金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及CVD金剛石涂層刀具的退涂和重涂方法,屬于涂層刀具技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
CVD金剛石是用化學(xué)氣相沉積法(簡(jiǎn)稱CVD)在異質(zhì)基體(如高速鋼、硬質(zhì)合金、陶瓷等)上合成金剛石膜,這一技術(shù)已應(yīng)用到切削刀具上,稱為CVD金剛石涂層刀具,其性能與天然金剛石接近,主要應(yīng)用于有色金屬及其合金如鋁硅合金、銅合金、纖維增強(qiáng)聚合物、陶瓷、石墨等的切削加工。加工時(shí),切削速度高,加工效率高,且刀具壽命長(zhǎng)。CVD金剛石涂層刀具的主要缺點(diǎn)是相對(duì)于高速鋼、硬質(zhì)合金、陶瓷等刀具材料,其成本很高;另外,CVD金剛石涂層磨損或涂層剝落后,需要立即更換刀具。通過退涂、重涂翻新后刀具可繼續(xù)使用,而無必要再購(gòu)買新的昂貴的金剛石涂層刀具,因此金剛石涂層刀具的退涂與重涂是解決其加工經(jīng)濟(jì)性的核心技術(shù)。
CVD金剛石刀具的涂層工藝之一是采用微波等離子法,在微波等離子真空室內(nèi)進(jìn)行,微波等離子真空室的結(jié)構(gòu)是外圍安裝有電磁線圈,頂部設(shè)有微波等離子束入口。電磁線圈的作用是形成磁控濺射,濺射粒子在刀具異質(zhì)基體上沉積出金剛石涂層。
目前有兩種方法可去除刀具涂層化學(xué)退涂和物理退涂。用化學(xué)退涂去除硬質(zhì)合金刀具上的金剛石涂層是一種精細(xì)工藝,要求操作者有相當(dāng)?shù)氖炀毘潭?。過度的化學(xué)退涂不僅將涂層去掉,而且還可能將鈷結(jié)合劑溶洗掉,損壞硬質(zhì)合金材料的微觀結(jié)構(gòu),造成切削刃的微觀損壞,產(chǎn)生鋸齒狀表面。而物理去涂,一般由原刀具制造廠來進(jìn)行,應(yīng)用研磨方法,用旋轉(zhuǎn)磨石將金剛石涂層從刀具基體上去除掉。由于金剛石非常硬且脆,其研磨去除較困難,效率低,且去除量不均勻,使得重涂后的刀具質(zhì)量較差,難以滿足生產(chǎn)需求,還有可能造成磨石的劇烈磨損。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有CVD金剛石涂層刀具去除涂層方法的不足,提供一種簡(jiǎn)單方便、效率高的CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,使重涂翻新后刀具的使用壽命達(dá)到甚至超過新購(gòu)買CVD金剛石涂層刀具的使用壽命。
本發(fā)明的CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法包括以下步驟(1)將現(xiàn)有微波等離子真空室改造,在其下部另外加工出一個(gè)氧氣入口;(2)將磨損后的CVD金剛石涂層刀具固定于改造后的微波等離子真空室內(nèi),使電磁線圈斷電,將微波等離子真空室抽真空后,通過其氧氣入口輸入氧氣,同時(shí)通過其頂部的微波等離子束入口輸入2.45GHz微波等離子束,使刀具的金剛石涂層在微波等離子真空室內(nèi)加熱、氧化至完全燃燒,在刀具基體上形成微粒;然后取出刀具,冷卻后清除微粒,露出刀具基體,退涂過程完成;(3)將退涂后的刀具清潔處理后,再次置入微波等離子真空室,關(guān)閉其氧氣入口,使電磁線圈通電,采用現(xiàn)有微波等離子CVD工藝,在退涂后的刀具基體表面上生長(zhǎng)一層金剛石涂層,完成重涂翻新過程。
第(2)步中微波等離子真空室抽真空后壓力低于900Pa,氧氣的輸入速度為0.1升/分鐘,金剛石涂層在真空室內(nèi)的燃燒溫度超過800℃。
本發(fā)明利用微波等離子真空室,輸入氧氣進(jìn)行CVD金剛石刀具的退涂;不輸入氧氣時(shí)進(jìn)行CVD金剛石刀具的重涂,簡(jiǎn)單方便、退涂重涂效率高,重涂翻新后刀具的使用壽命達(dá)到甚至超過新購(gòu)買CVD金剛石涂層刀具的使用壽命。


附圖是本發(fā)明CVD金剛石涂層刀具微波等離子退涂、重涂方法的原理結(jié)構(gòu)圖。
圖中1、CVD金剛石涂層刀具,2、夾具,3、微波等離子真空室,4、托盤,5、電磁線圈,6、氧氣入口,7、微波等離子束入口。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例本實(shí)施例以磨損后的CVD金剛石涂層整體立銑刀(直徑16mm,螺旋角30°,齒數(shù)2齒,總長(zhǎng)度80mm,刃長(zhǎng)20mm,CVD金剛石涂層厚度40μm)為例。退涂、重涂采用微波等離子真空室3進(jìn)行。如附圖所示,該微波等離子真空室3的外圍安裝有電磁線圈5,其內(nèi)安裝有托盤4,其下部設(shè)有氧氣入口6,頂部設(shè)有微波等離子束入口7。
具體的退涂、重涂包括以下步驟(參見附圖)(1)將磨損后的CVD金剛石涂層刀具1用夾具2固定于微波等離子真空室3的托盤4上。
(2)使電磁線圈5斷電,將微波等離子真空室3抽真空后,使其內(nèi)的壓力低于900Pa,打開氧氣入口6輸入氧氣,氧氣輸入速度0.1升/分鐘,同時(shí)打開微波等離子束入口7,輸入2.45GHz微波等離子束,使金剛石涂層在真空室3內(nèi)加熱、氧化至完全燃燒,燃燒溫度超過800℃,在刀具基體上形成微粒,經(jīng)25分鐘后退涂過程結(jié)束。可用物理方法或用化學(xué)清洗劑將形成的微粒去除,去除金剛石涂層后的刀具即是刀具基體。
(3)將退涂后的刀具經(jīng)清潔處理后,再置入真空室3,關(guān)閉氧氣入口開關(guān)6,使電磁線圈5通電,采用微波等離子CVD法,在退涂后的刀具基體表面上生長(zhǎng)一層金剛石涂層,厚度達(dá)到40μm。重涂翻新過程結(jié)束。
用退涂、重涂翻新后的CVD金剛石涂層整體立銑刀和新購(gòu)買的同樣牌號(hào)和幾何尺寸的CVD金剛石涂層整體立銑刀在同一立式加工中心上進(jìn)行鑄造鋁合金ZL109的對(duì)比切削試驗(yàn)。鑄造鋁合金ZL109的化學(xué)成分及含量如下表

其抗拉強(qiáng)度為196Mpa,硬度為HB115~130。切削用量切削速度為780m/min,每齒進(jìn)給量為0.08mm/Z,軸向切削深度為1mm,徑向切削深度為5mm,干式銑削,逆銑。
以刀具后刀面磨損帶寬度達(dá)到0.16mm為刀具壽命評(píng)判標(biāo)準(zhǔn),重涂翻新后的刀具壽命為84分鐘,新購(gòu)買刀具的壽命為80分鐘。
通過改變夾具4的結(jié)構(gòu)形式,可用于可轉(zhuǎn)位刀片、整體立銑刀、鉆頭等的CVD金剛石涂層刀具的退涂、重涂翻新。本發(fā)明在這些形式刀具上的應(yīng)用也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,其特征是包括以下步驟(1)將現(xiàn)有微波等離子真空室改造,在其下部另外加工出一個(gè)氧氣入口;(2)將磨損后的CVD金剛石涂層刀具固定于改造后的微波等離子真空室內(nèi),使電磁線圈斷電,將微波等離子真空室抽真空后,通過其氧氣入口輸入氧氣,同時(shí)通過其頂部的微波等離子束入口輸入2.45GHz微波等離子束,使刀具的金剛石涂層在微波等離子真空室內(nèi)加熱、氧化至完全燃燒,在刀具基體上形成微粒;然后取出刀具,冷卻后清除微粒,露出刀具基體,退涂過程完成;(3)將退涂后的刀具清潔處理后,再次置入微波等離子真空室,關(guān)閉其氧氣入口,使電磁線圈通電,采用現(xiàn)有微波等離子CVD工藝,在退涂后的刀具基體表面上生長(zhǎng)一層金剛石涂層,完成重涂翻新過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,其特征是所述第(2)步中微波等離子真空室抽真空后的壓力低于900Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,其特征是所述第(2)步中氧氣的輸入速度為0.1升/分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,其特征是所述第(2)步中金剛石涂層在真空室內(nèi)的燃燒溫度超過800℃。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種CVD金剛石涂層刀具的微波等離子退涂、重涂方法,包括以下步驟(1)將現(xiàn)有微波等離子真空室下部另外加工出一個(gè)氧氣入口;(2)將磨損后的CVD金剛石涂層刀具固定于微波等離子真空室內(nèi),使電磁線圈斷電,將微波等離子真空室抽真空后輸入氧氣和2.45GHz微波等離子束,使刀具的金剛石涂層燃燒形成微粒;冷卻后清除微粒,退涂過程完成;(3)將退涂后的刀具清潔處理后,置入微波等離子真空室采用現(xiàn)有微波等離子CVD工藝生長(zhǎng)出金剛石涂層,完成重涂翻新過程。本發(fā)明利用微波等離子真空室,輸入氧氣進(jìn)行CVD金剛石刀具的退涂;不輸入氧氣時(shí)進(jìn)行CVD金剛石刀具的重涂,簡(jiǎn)單方便、退涂重涂效率高,重涂翻新后刀具的使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)C23C16/52GK101029385SQ20071001386
公開日2007年9月5日 申請(qǐng)日期2007年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月28日
發(fā)明者劉戰(zhàn)強(qiáng), 劉繼剛, 艾興 申請(qǐng)人:山東大學(xué)
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