專利名稱：退錫溶液的環(huán)保再生方法
退錫溶液的環(huán)保再生方法t支術(shù)令頁域本發(fā)明涉及金屬材料的化學(xué)法蝕刻技術(shù)，特別是涉及電路板生產(chǎn)工藝中退 錫溶液的處理方法。背景手支術(shù)電路板生產(chǎn)工藝的退錫工序，是采用硝酸及硝酸鹽的混合溶液將抗蝕刻鍍 錫層溶解。這種混合溶液俗稱退錫水。當(dāng)溶解于退錫溶液中錫的濃度達(dá)到60-80克/升時，退 錫溶液已經(jīng)很難再繼續(xù)溶解電路板上的鍍錫層。溶解于退錫水中的錫以偏錫酸形態(tài)存在，呈 膠體狀，能穩(wěn)定地懸浮于退錫水中， 一般存放3-6個月都不會沉淀下來。對于回收這種退錫 水中的偏錫酸，現(xiàn)有的方法是用大量的氨水調(diào)PH值至7-8，然后加入硫酸鋁沉淀劑，使硫酸 鋁在PH值為7-8的條件下產(chǎn)生氫氧化鋁膠體，對偏錫酸起粘附架橋吸附作用，從而使偏錫酸 顆粒加大而沉淀出來。在PH《4或PH>8. 5的條件下硫酸鋁無法形成氫氧化鋁膠體，而退錫 溶液的PH<1,故采用硫酸鋁作為沉淀劑，無法直接使退錫溶液中的偏錫酸沉淀下來，必須 加入其它溶液將PH值調(diào)高后才能發(fā)生作用。因而現(xiàn)有的工藝復(fù)雜，流程長。另外，剩余溶液 往往未經(jīng)處理就排放掉。這樣既浪費(fèi)資源，又污染環(huán)境。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提出一種退 錫溶液的環(huán)保再生方法，使用該方法，退錫溶液中的偏錫酸沉淀去除后，剩余溶液能返回繼 續(xù)使用。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題可以通過采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):提出一種退錫溶液的環(huán)保 再生方法，包括以下步驟，① 在退錫溶液中加入濃度為0.2克/升至10克/升的陽離子表面活性劑，該退錫溶液包 括硝酸、碣酸鹽和偏錫酸；② 在常溫下攪拌后靜置，所述偏錫酸聚集沉淀；③ 將所述退錫溶液過濾，所述沉淀后的偏錫酸被濾出； 被過濾后的退錫溶液返回于退錫工序中使用。陽離子型表面活性劑對于偏錫酸這種負(fù)電膠體具強(qiáng)烈的吸附作用，并且能在酸性條件下 無需加入氨水就能對偏錫酸起中和脫穩(wěn)作用，因此，陽離子表面活性劑能將退錫溶液(酸性) 中的偏錫酸直接沉淀出來。同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的技術(shù)效果在于1、 無需調(diào)節(jié)PH值，處理工藝簡單，易操作，流程短；2、 所加入的溶液只有陽離子表面活性劑，而陽離子表面活性劑連同偏錫酸一起沉淀下 來，過濾后的退錫溶液中沒有雜質(zhì)，能直接返回退錫工序中使用，節(jié)約了資源；3、 整個工藝過程沒有排放廢水，有利環(huán)保。
具體實(shí)施方式
以下對最佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳述。 本發(fā)明退錫溶液的環(huán)保再生方法，包括以下步驟，① 在退錫溶液中加入濃度為0. 2克/升至10克/升的陽離子表面活性劑，該退錫溶液包 括硝酸、硝酸鹽和偏錫酸，所述陽離子表面活性劑采用十二烷基二甲基叔胺、十二烷基三甲 基氯化銨或陽離子型聚丙烯酰胺， 一般陽離子表面活性劑的濃度為0. 5克/升至5克/升為最② 在常溫下攪拌后靜置，所述偏錫酸聚集沉淀；③ 將所述退錫溶液過濾，所述沉淀后的偏錫酸被濾出；④ 被過濾后的退錫溶液返回于退錫工序中使用。在退錫工序中，有時會有少量的銅溶解，在這種情況，被過濾后的退錫溶液中含有銅離 子，為了回收銅，在所述步驟③之后還包括步驟將所述被過濾后的退錫溶液電解，陽極區(qū) 采用稀硫酸溶液，濃度為5%~15%，陽極電流密度為3 10安/平方分米；陰極區(qū)采用所述退 錫溶液，陰極電流密度為3~10安/平方分米。所述陽極區(qū)和陰極區(qū)用陽離子隔膜隔開。所述 退錫溶液被電解至其中的銅離子濃度小于或等于0.2克/升時，返回至退錫工序中使用。實(shí)施例一將15克十二烷基二甲基叔胺加入IO升退錫溶液中，攪拌大約l分鐘后，靜置3 5分 鐘至偏錫酸沉淀，過濾取出偏錫酸。清液通過隔膜電解，陽極區(qū)用10%濃度的硫酸，陽極電 流密度為4安/平方分米，陰極電流密度為10安/平方分米，陰極面積為l平方分米，電解6 小時，銅離子下降至0.2克/升，溶液返回使用。實(shí)施例二將十二烷基三甲基氯化銨100克加入到IOO升退錫溶液中，攪拌約l分鐘后，靜置3 5 分鐘至偏錫酸沉淀，過濾取出偏錫酸。清液通過隔膜電解，陽極區(qū)用10%濃度的硫酸，陽極 電流密度為5安/平方分米，陰極電流密度為8安/平方分米，陰極面積為12平方分米，電解 6小時，銅離子下降至0.2克/升，溶液返回使用。實(shí)施例三將陽離子型聚丙烯酰胺50克加入之IOO升退錫溶液中，攪拌約l分鐘后，靜置3 5分 鐘至偏錫酸沉淀，過濾取出偏錫酸。清液通過隔膜電解，陽極區(qū)用10%硫酸，陽極電流密度 為5安/平方分米，陰極電流密度為8安/平方分米，陰極面積為12平方分米，電解6小時， 銅離子下降至0.2克/升，溶液返回使用。
權(quán)利要求
1. 一種退錫溶液的環(huán)保再生方法，該退錫溶液包括硝酸、硝酸鹽和偏錫酸，其特征在于包括以下步驟，①在退錫溶液中加入濃度為0.2克/升至10克/升的陽離子表面活性劑；②在常溫下攪拌后靜置，所述偏錫酸聚集沉淀；③將所述退錫溶液過濾，所述沉淀的偏錫酸被濾出；④被過濾后的退錫溶液返回退錫工序中使用。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于所述陽離子表面活性劑的 濃度為0.5克/升至5克/升。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于如果被過濾后的退錫溶液 中含有銅離子時，在步驟③之后還包括步驟將所述被過濾后的退錫溶液電解，陽極區(qū)采 用稀硫酸溶液，濃度為5%~15%，陽極電流密度為3~10安/平方分米；陰極區(qū)注入所述退 錫溶液，陰極電流密度為3 10安/平方分米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于所述陽極區(qū)和陰極區(qū)用隔 膜隔開。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于所述隔膜采用陽離子隔膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于所述退錫溶液被電解至其 中的銅離子濃度小于或等于&2克/升時，返回至退錫工序中使用。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的退錫溶液的環(huán)保再生方法，其特征在于所述陽離子表面活性劑采 用十二烷基二甲基叔胺、十二烷基三甲基氯化銨或陽離子型聚丙烯酰胺。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種退錫溶液的環(huán)保再生方法，該退錫溶液包括硝酸、硝酸鹽和偏錫酸，包括以下步驟在退錫溶液中加入濃度為0.2克/升至10克/升的陽離子表面活性劑；在常溫下攪拌后靜置，所述偏錫酸聚集沉淀；將所述退錫溶液過濾，所述沉淀后的偏錫酸被濾出；被過濾后的退錫溶液返回于退錫工序中使用。同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的技術(shù)效果在于無需調(diào)節(jié)pH值，處理工藝簡單，易操作，流程短；所加入的溶液只有陽離子表面活性劑，而陽離子表面活性劑連同偏錫酸一起沉淀下來，過濾后的退錫溶液中沒有雜質(zhì)，能直接返回退錫工序中使用，節(jié)約了資源；整個工藝過程沒有排放廢水，有利環(huán)保。
文檔編號C23F1/46GK101220476SQ200710072820
公開日2008年7月16日 申請日期2007年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月8日
發(fā)明者劉景亮, 葉春漢 申請人:劉景亮