專利名稱：：改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種提高半導(dǎo)體工藝穩(wěn)定性的方法，尤其是一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有金屬(如氮化鈦)物理濺射工藝中，需要高溫去除晶片表面水蒸氣，然后才能進(jìn)入物理濺射工藝腔中進(jìn)行濺射。這兩個(gè)步驟之間，如果等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，晶片的溫度將會(huì)逐漸冷卻，冷卻超過(guò)一定時(shí)間后再進(jìn)行濺射，將會(huì)導(dǎo)致電阻率升高。在同樣厚度下，如果方塊電阻偏高，就不能滿足電特性的要求。圖1是對(duì)等待時(shí)間和方塊電阻之間的關(guān)系進(jìn)行分組實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。等待時(shí)間越長(zhǎng)，方塊電阻越高，而且均勻性越差?，F(xiàn)有的物理濺射工藝中，兩個(gè)去水蒸氣化腔的后面有兩個(gè)濺射腔，所述濺射腔中如果前面晶片的濺射時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，就會(huì)導(dǎo)致后面晶片在去水蒸氣化工藝結(jié)束之后不得不等待前面的晶片濺射工藝的結(jié)束，從而導(dǎo)致后面的晶片由于等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，電阻率升高而成為廢片。這樣會(huì)造成大量的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)的成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，能夠避免前面的晶片濺射時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而造成后面晶片因?yàn)樵趥魉颓焕锏却龝r(shí)間過(guò)長(zhǎng)而導(dǎo)致報(bào)廢的情況的發(fā)生。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法的技術(shù)方案是，在去水蒸氣化腔之后通過(guò)運(yùn)送腔連接多個(gè)濺射腔，進(jìn)行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進(jìn)行去水蒸氣工藝，之后進(jìn)入所述運(yùn)送腔，所述運(yùn)送腔按照先進(jìn)先出的原則依次將所述運(yùn)送腔中的晶片運(yùn)送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對(duì)晶片進(jìn)行濺射工藝；去水蒸氣工藝時(shí)間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間為B，濺射工藝的時(shí)間為C，從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足nX(A+B)〉C+D。本發(fā)明通過(guò)在去水蒸氣化腔之后連接多個(gè)濺射腔，并且嚴(yán)格控制濺射工藝中各段時(shí)間以及濺射腔數(shù)量之間的關(guān)系，避免了晶片進(jìn)入濺射腔之前等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而造成晶片不能滿足工藝要求而導(dǎo)致報(bào)廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1為等待時(shí)間和方塊電阻之間的關(guān)系的曲線圖；圖2為本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法的某一事實(shí)例的流程圖；圖3為采用本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法生產(chǎn)晶片數(shù)量和方塊電阻的曲線圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，在去水蒸氣化腔之后通過(guò)運(yùn)送腔連接多個(gè)濺射腔，進(jìn)行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進(jìn)行去水蒸氣工藝，之后進(jìn)入所述運(yùn)送腔，所述運(yùn)送腔按照先進(jìn)先出的原則依次將所述運(yùn)送腔中的晶片運(yùn)送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對(duì)晶片進(jìn)行濺射工藝；去水蒸氣工藝時(shí)間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間為B，濺射工藝的時(shí)間為C，從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足nX(A+B)〉C+D。為了滿足nX(A+B)〉C+D的要求，可以通過(guò)調(diào)整從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B、濺射工藝的時(shí)間C，或者從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間D來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者也可以通過(guò)增加所述濺射腔的數(shù)量為n來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B介于0.5分鐘至5分鐘。如圖2所示，本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法采用一個(gè)去水蒸氣腔和兩個(gè)濺射腔，在工藝開(kāi)始之后，晶片先進(jìn)入去水蒸氣化腔進(jìn)行去水蒸氣工藝，所述去水蒸氣工藝所消耗的時(shí)間為A，之后所述晶片進(jìn)入運(yùn)送腔，運(yùn)送腔將所述晶片由去水蒸氣化腔運(yùn)送至濺射腔，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B，該時(shí)間B介于0.5分鐘至5分鐘，以免晶片在去水蒸氣工藝結(jié)束之后等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而造成電阻率升高。所述運(yùn)送腔中可以同時(shí)容納兩片晶片，所述運(yùn)送腔按照先進(jìn)先出的原則，依次將晶片運(yùn)送至空閑的濺射腔中進(jìn)行濺射工藝。所述濺射工藝的時(shí)間為C，濺射之后需要將所述晶片運(yùn)送至冷卻腔進(jìn)行冷卻，從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間為D，上述各段時(shí)間需要滿足2X(A+B)〉C+D。通過(guò)采用本發(fā)明所提供的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法生產(chǎn)的晶片，平均的電阻率性能以及晶片的均勻性都有很大的提高，如表1和圖3所示，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B為1分鐘，方塊電阻都穩(wěn)定在12.5歐姆/方塊左右，確保了工藝的穩(wěn)地性，避免了前面的晶片濺射時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而造成后面晶片因?yàn)榈却龝r(shí)間過(guò)長(zhǎng)而導(dǎo)致報(bào)廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。滿足本發(fā)明時(shí)間模型實(shí)驗(yàn)結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表l權(quán)利要求1.一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，在去水蒸氣化腔之后通過(guò)運(yùn)送腔連接多個(gè)濺射腔，進(jìn)行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進(jìn)行去水蒸氣工藝，之后進(jìn)入所述運(yùn)送腔，所述運(yùn)送腔按照先進(jìn)先出的原則依次將所述運(yùn)送腔中的晶片運(yùn)送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對(duì)晶片進(jìn)行濺射工藝；去水蒸氣工藝時(shí)間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間為B，濺射工藝的時(shí)間為C，從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足n×(A+B)＞C+D。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過(guò)調(diào)整從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B，來(lái)滿足nX(A+B)〉C+D。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過(guò)調(diào)整濺射工藝的時(shí)間C，來(lái)滿足nX(A+B)〉C+D。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過(guò)調(diào)整從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間D，來(lái)滿足nX(A+B)>C+D。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過(guò)增加所述濺射腔的數(shù)量為n，來(lái)滿足nX(A+B)〉C+D。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間B介于0.5分鐘至5分鐘，以滿足方塊電阻和電阻率的要求。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，在去水蒸氣化腔之后通過(guò)運(yùn)送腔連接多個(gè)濺射腔，進(jìn)行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進(jìn)行去水蒸氣工藝，之后進(jìn)入所述運(yùn)送腔，所述運(yùn)送腔按照先進(jìn)先出的原則依次將所述運(yùn)送腔中的晶片運(yùn)送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對(duì)晶片進(jìn)行濺射工藝；去水蒸氣工藝時(shí)間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運(yùn)送至濺射腔的時(shí)間為B，濺射工藝的時(shí)間為C，從濺射工藝結(jié)束到運(yùn)送至冷卻腔的時(shí)間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足n×(A+B)＞C+D。本發(fā)明避免了晶片進(jìn)入濺射腔之前等待時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而造成晶片不能滿足工藝要求而導(dǎo)致報(bào)廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。文檔編號(hào)C23C14/34GK101314843SQ20071009384公開(kāi)日2008年12月3日申請(qǐng)日期2007年5月30日優(yōu)先權(quán)日2007年5月30日發(fā)明者季芝慧,方精訓(xùn),王海軍,煊謝申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司