專利名稱：晶片的磨削加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是對(duì)半導(dǎo)體晶片等晶片進(jìn)行背面磨削來(lái)使其薄型化的方法， 特別涉及只對(duì)與在表面形成器件的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域進(jìn)行磨削來(lái)使晶片形 成凹形截面的技術(shù)。
背景技術(shù)：
各種電子設(shè)備等中所使用的半導(dǎo)體芯片， 一般按如下方法進(jìn)行制造 在圓盤狀的半導(dǎo)體晶片的表面上沿分割預(yù)定線劃分格子狀的矩形區(qū)域， 在這些區(qū)域的表面上形成IC或LSI等電子電路，然后磨削其背面使整體 薄型化后，沿分割預(yù)定線進(jìn)行分割。由背面磨削進(jìn)行的薄型化，通常按 如下方法進(jìn)行在真空吸盤式的吸盤工作臺(tái)上，使進(jìn)行磨削的背面露出 來(lái)吸附并保持半導(dǎo)體晶片，使磨削用的磨石旋轉(zhuǎn)的同時(shí)壓緊在半導(dǎo)體晶 片的背面。但是，近年的電子設(shè)備的小型化和薄型化日趨顯著，與此伴隨要求 半導(dǎo)體芯片變得更薄，這就產(chǎn)生將半導(dǎo)體芯片變得比以往更薄的要求。 但是，由于當(dāng)減薄半導(dǎo)體晶片時(shí)剛性降低，因此在該薄型化后的工序中 產(chǎn)生既處理變困難又容易破裂的問(wèn)題。因此，只從背面?zhèn)饶ハ饔糜谛纬砂雽?dǎo)體芯片的圓形器件區(qū)域使其薄 型化，其周圍的環(huán)狀外周剩余區(qū)域仍保留原有的厚度而形成突出到背面 側(cè)的環(huán)狀凸部，將整個(gè)晶片加工成截面為背面?zhèn)劝既氲陌紶?參考專利 文獻(xiàn)1、 2等)。這樣的半導(dǎo)體晶片，由于環(huán)狀凸部成為加強(qiáng)部而確保了 剛性，因此，處理變得容易，此外不容易破裂。專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-281551號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本特開2005-123425號(hào)公報(bào)在晶片背面形成凹部的磨削加工，當(dāng)例如利用包含作為精磨削用的
2000號(hào)以上磨粒的高目數(shù)磨石來(lái)進(jìn)行時(shí)，在作為凹部?jī)?nèi)表面的被磨削面 上可以將抗折強(qiáng)度降低的機(jī)械破損層抑制到較低程度，此外由于與凹部 底面同時(shí)也磨削環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面，因此，具有在一道磨削工序中就可完成的這一優(yōu)點(diǎn)。圖10 (a)表示利用該方法在背面的與器件形成區(qū)域 相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成凹部的方法。在該情況下，用固定在高速旋轉(zhuǎn)的磨 削輪100上的精磨削用磨石101進(jìn)行磨削，從而晶片1的背面(在圖中 上表面)形成凹部1A，在器件形成區(qū)域的周圍形成突出到背面?zhèn)鹊沫h(huán)狀 凸部5A。但是，在該方法中，由于從一開始就用精磨削用磨石101進(jìn)行 磨削，因此對(duì)可形成凹部1A的磨削量，其磨削能力差，因此加工時(shí)間變 長(zhǎng)而沒(méi)有效率。此外，如圖所示，由于磨削負(fù)載很大，因此磨石101的外周側(cè)的角 部被磨去而變圓，由凹部底面4a和環(huán)狀凸部5A的內(nèi)周側(cè)面5B形成的內(nèi) 拐角部被磨削為R狀。因此，在器件形成區(qū)域的用"NG"表示的最外周部 分并不成為目標(biāo)厚度，實(shí)質(zhì)的器件形成區(qū)域的面積減小，就會(huì)產(chǎn)生可取 得的半導(dǎo)體芯片的個(gè)數(shù)減少的問(wèn)題。如圖10 (b)所示，該問(wèn)題可通過(guò)對(duì)角部變圓的磨石101進(jìn)行打磨而將角部修整為直角來(lái)加以解決，但由于 需要進(jìn)行打磨，因此結(jié)果是導(dǎo)致生產(chǎn)率的劣化或磨石壽命的降低。因此，用包含例如320號(hào) 600號(hào)左右的磨粒的粗磨削用磨石磨削 背面，從而形成凹部，接著用精磨削用磨石施行精磨削，這種二段磨削 法雖然增加了工序，但卻使加工時(shí)間縮短，因此是高效的。但是，在該 方法中，難以對(duì)照由粗磨削形成的凹部的形狀和尺寸來(lái)將精磨削用磨石 定位在環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面，此外，由于在對(duì)磨石向該內(nèi)周側(cè)面橫向移 動(dòng)進(jìn)行微調(diào)整的同時(shí)進(jìn)行磨削的技術(shù)也還未確立，因此，如圖10(c)所 示，精磨削只對(duì)凹部1A的底面4a施行。該圖中的虛線，表示由粗磨削 形成的凹部1A的底面。這樣，只對(duì)凹部1A的底面4a進(jìn)行精磨削，這 種加工并不對(duì)底面4a的最外周部分進(jìn)行精磨削，從而存在該未磨削部分 "NG"使器件形成區(qū)域變窄，在這樣的情況下也會(huì)造成可取得的半導(dǎo)體芯 片的個(gè)數(shù)減少的這一情況
發(fā)明內(nèi)容
從而，本發(fā)明的目的在于提供一種晶片磨削加工方法，以此當(dāng)利用 在粗磨削后施行精磨削的二段式磨削來(lái)進(jìn)行形成凹部的背面磨削時(shí)，在 精磨削后也可以確保器件形成區(qū)域的最初面積，不會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的 取得個(gè)數(shù)的減少，可以高效地實(shí)施磨削加工。本發(fā)明是一種晶片磨削加工方法，該晶片具有在其表面形成多個(gè)器 件的器件形成區(qū)域，該晶片磨削加工方法具有第1磨削工序，其將該 晶片在背面露出的狀態(tài)下保持在可旋轉(zhuǎn)的吸盤工作臺(tái)上，利用環(huán)狀或排 列為環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)式的第1磨石對(duì)該背面的與所述器件形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的 區(qū)域進(jìn)行磨削，在晶片的背面?zhèn)刃纬砂疾浚瑥亩谄骷纬蓞^(qū)域的周圍 形成了突出到背面?zhèn)鹊沫h(huán)狀凸部；和第2磨削工序，其利用第2磨石對(duì) 作為凹部?jī)?nèi)表面的該凹部的底面以及所述環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面進(jìn)行磨削，該第2磨石是環(huán)狀或排列為環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)式的磨石，其磨粒粒徑比第l磨石的小，并且具有與該第1磨石同等或同等以上的磨削外徑。 在本發(fā)明的磨削加工方法中，當(dāng)對(duì)晶片進(jìn)行背面磨削時(shí)，在第1磨削工序中磨削掉總磨削量中的幾乎所有量，在第2磨削工序中磨削剩余的極少量而精加工成使其平坦。從而，在第1磨削工序中所用的第1磨石的粒度較粗，在第2磨削工序中所用的第2磨石使用粒度細(xì)的精磨削 用磨石。進(jìn)而，在開始的第1磨削工序中，只對(duì)晶片背面的與器件形成 區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行磨削，器件形成區(qū)域的周圍部分并不被磨削而作 為環(huán)狀凸部留下，在接下來(lái)的第2磨削工序中，對(duì)凹部的整個(gè)內(nèi)表面、 即對(duì)凹部的底面和環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面進(jìn)行磨削。在第2磨削工序中對(duì)凹部?jī)?nèi)表面進(jìn)行的磨削具有這樣的方法以先磨削環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面、然后磨削凹部的底面的方式，對(duì)底面和內(nèi)周 側(cè)面分別進(jìn)行磨削。并且，磨削順序也可以顛倒，即可以采用這樣的方法先磨削凹部的底面，然后磨削環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面。根據(jù)本發(fā)明，在第1磨削工序中由粗磨削形成凹部后，在第2磨削工序中精磨削凹部?jī)?nèi)表面，利用這種二段式磨削，可以高效地將凹部的 整個(gè)內(nèi)表面以機(jī)械破損層程度低的方式加工為平坦的面。進(jìn)而，將環(huán)狀
凸部的內(nèi)周側(cè)面與凹部的底面一起恰當(dāng)?shù)鼐ハ?，從而可以確保器件形 成區(qū)域的最外周部分也具有均勻的厚度，可以防止器件形成區(qū)域的減小 以及伴隨于此的器件取得個(gè)數(shù)的減少。 發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，既可以確保用于形成凹部的背面磨削的高效化，又可 以確保器件形成區(qū)域，其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)謀求生產(chǎn)率提高的這一效果。


圖1是通過(guò)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的晶片磨削加工方法進(jìn)行背面磨削而形成凹部的晶片的圖，(a)是立體圖，(b)是側(cè)視圖。圖2是可適于實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的晶片磨削加工方法的磨削加工裝置的立體圖。圖3表示該裝置所具有的粗磨削單元，(a)是立體圖，(b)是側(cè)視圖。圖4表示該裝置所具有的精磨削單元，(a)是立體圖，(b)是側(cè)視圖。圖5是表示在粗磨削工序中在晶片背面上形成的凹部區(qū)域的晶片背 面圖。圖6是表示在粗磨削工序中在背面上形成凹部的晶片的圖，(a)是 立體圖，(b)是剖面圖。圖7是表示利用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的方法進(jìn)行晶片的背面磨削并精磨削凹部?jī)?nèi)表面的工序的剖面圖。圖8是表示精磨削用磨石的配置并不理想的例子的剖面圖。圖9是表示利用本發(fā)明的其它實(shí)施方式的方法進(jìn)行晶片的背面磨削并精磨削凹部?jī)?nèi)表面的工序的剖面圖。圖10是表示利用現(xiàn)有的晶片背面磨削形成凹部的方法的剖面圖。符號(hào)說(shuō)明1:半導(dǎo)體晶片1A:凹部3:半導(dǎo)體芯片(器件)4:器件形成區(qū)域4a:凹部的底面5A:環(huán)狀凸部5B:環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面10:晶片磨削加工裝置30:吸盤工作臺(tái)40A:粗磨削單元40B:精磨削單元45:粗磨削砂輪45b:磨石(第1磨石)46:精磨削砂輪46b:磨石(第2磨石)具體實(shí)施方式
以下，參考附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 [l]半導(dǎo)體晶片圖1的符號(hào)1，表示圓盤狀的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱晶片)，其通過(guò) 本實(shí)施方式的晶片磨削加工方法來(lái)磨削背面并使其薄型化。該晶片1是硅晶片等，加工前的厚度例如是600 700(im左右。在晶片1的表面由格 子狀的分割預(yù)定線2劃分了多個(gè)矩形的半導(dǎo)體芯片(器件)3，在這些半 導(dǎo)體芯片3的表面上形成了IC或LSI等未圖示的電子電路。.多個(gè)半導(dǎo)體芯片3形成在與晶片1同心的基本為圓形的器件形成區(qū) 域4中。器件形成區(qū)域4占有晶片1的大部分，該器件形成區(qū)域4周圍 的晶片外周部，成為并不形成半導(dǎo)體芯片3的環(huán)狀外周剩余區(qū)域5。此外， 在晶片1周面的預(yù)定部位上，形成有表示半導(dǎo)體結(jié)晶方位的V字狀的切 口 (缺口)6。該切口 6形成在外周剩余區(qū)域5內(nèi)。晶片l最終沿分割預(yù) 定線2被切斷和分割，使其單片化為多個(gè)半導(dǎo)體芯片3。本實(shí)施方式所述 的晶片磨削加工方法就是，在單片化為半導(dǎo)體芯片3之前的階段中磨削晶片1背面中的與器件形成區(qū)域4相對(duì)應(yīng)的區(qū)域而使其薄型化的方法。在對(duì)晶片1進(jìn)行背面磨削時(shí)，出于保護(hù)電子電路等的目的，如圖1 所示，在形成電子電路側(cè)的表面上粘貼保護(hù)帶7。保護(hù)帶7可使用例如在厚度70 200pm左右的聚烯烴等柔軟樹脂制基片的單面上涂敷5 20pm 左右的粘接劑而構(gòu)成的材料，將粘接劑對(duì)準(zhǔn)晶片1的背面粘貼。 [2]晶片磨削加工裝置的結(jié)構(gòu)接下來(lái)，對(duì)可適于實(shí)施本實(shí)施方式的方法的晶片磨削加工裝置進(jìn)行 說(shuō)明。圖2表示晶片磨削加工裝置10的整體，該晶片磨削加工裝置10具 有底座11，該底座11為上表面水平的長(zhǎng)方體狀。在圖2中，將底座11 的縱向表示為Y方向，將與縱向垂直的水平寬度方向和鉛直方向表示為 X方向和Z方向。在底座11的Y方向的一端部，沿X方向(此處為左 右方向)并列立設(shè)有一對(duì)立柱12、 13。在底座11上，在Y方向的立柱 12、 13側(cè)設(shè)置有磨削加工晶片1的加工區(qū)IIA，在與立柱12、 13相反一 側(cè)設(shè)置有裝拆區(qū)IIB，該裝拆區(qū)11B用于將加工前的晶片1供給到加工 區(qū)11A，并且回收加工后的晶片l。在加工區(qū)11A中，旋轉(zhuǎn)自如地設(shè)置有圓盤狀的轉(zhuǎn)臺(tái)20，該轉(zhuǎn)臺(tái)20 的旋轉(zhuǎn)軸與Z方向平行，且其上表面水平。該轉(zhuǎn)臺(tái)20借助于未圖示的旋 轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而沿箭頭R方向旋轉(zhuǎn)。在轉(zhuǎn)臺(tái)20上的外周部，沿周向以等間 隔旋轉(zhuǎn)自如地配置有多個(gè)圓盤狀的吸盤工作臺(tái)30，該吸盤工作臺(tái)30的旋 轉(zhuǎn)軸與Z方向平行，其上表面水平。這些吸盤工作臺(tái)30是一般公知的真空吸盤式，用于對(duì)放置在其上表 面的晶片l進(jìn)行吸附保持，如圖3和圖4所示，各吸盤工作臺(tái)30具有這 樣的結(jié)構(gòu)在圓盤狀的框體31的上表面中央部，設(shè)置有由多孔質(zhì)的陶瓷 材料構(gòu)成的圓形的吸附區(qū)32。在吸附區(qū)32的周圍形成有框體31的環(huán)狀 的上表面31a。該上表面31a和吸附區(qū)32的上表面32a都水平，并且彼 此為平坦的同一平面(吸盤工作臺(tái)上表面30A)。各吸盤工作臺(tái)30借助 于分別設(shè)置在轉(zhuǎn)臺(tái)20內(nèi)的未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，就可沿單向或雙向獨(dú) 自旋轉(zhuǎn)即自轉(zhuǎn)，當(dāng)轉(zhuǎn)臺(tái)20旋轉(zhuǎn)時(shí)就成為公轉(zhuǎn)狀態(tài)。
如圖2所示，當(dāng)2個(gè)吸盤工作臺(tái)30在立柱12、 13側(cè)沿X方向并列 的狀態(tài)下，在這些吸盤工作臺(tái)30的正上方，從轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)方向的上 游側(cè)起依次分別配置有粗磨削單元40A、精磨削單元40B。各吸盤工作 臺(tái)30由轉(zhuǎn)臺(tái)20的間歇旋轉(zhuǎn)而分別被定位在作為粗磨削單元40A下方的 粗磨削位置、作為精磨削單元40B下方的精磨削位置以及最接近裝拆區(qū) 11B的裝拆位置這3個(gè)位置上。粗磨削單元40A和精磨削單元40B分別安裝在立柱(粗磨削側(cè)立柱 12、精磨削側(cè)立柱13)上。粗磨削單元40A和精磨削單元40B安裝在這 些立柱12、 13上的安裝結(jié)構(gòu)相同，并且在X方向成為左右對(duì)稱。因此， 參考圖2，以精磨削側(cè)為代表，說(shuō)明其安裝結(jié)構(gòu)。與精磨削側(cè)立柱13的加工區(qū)IIA面對(duì)的前表面13a，是垂直于底座 ll上表面的垂直面，并形成為在里側(cè)(與裝拆區(qū)IIB相反一側(cè))隨著從 X方向的中央朝向端部而以預(yù)定角度傾斜地后退的錐面。該錐面13a (在 粗磨削側(cè)的立柱12上為錐面12a)的水平方向、即錐形方向設(shè)定為，平 行于將定位在精磨削位置的吸盤工作臺(tái)30的旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn) 中心之間相連的線。進(jìn)而，在該錐面13a上，借助于X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50而 安裝有X軸滑塊55，進(jìn)而，在X軸滑塊55上借助于Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60 而安裝有Z軸滑塊65。X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50由如下部分構(gòu)成上下一對(duì)導(dǎo)軌51，它們被固定在 錐面13a (12a)上；未圖示的絲杠，其被配置在這些導(dǎo)軌51之間，旋合 并貫通X軸滑塊55;和電動(dòng)機(jī)53，其使該絲杠正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。導(dǎo)軌51和 絲杠都與錐面13a (12a)的錐形方向平行地延伸，X軸滑塊55被滑動(dòng)自 由地安裝在導(dǎo)軌51上。X軸滑塊55傳遞借助于由電動(dòng)機(jī)53驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn) 的絲杠的動(dòng)力而沿導(dǎo)軌51往復(fù)移動(dòng)。X軸滑塊55的往復(fù)方向，與導(dǎo)軌 51的延伸方向、即與錐面13a (12a)的錐面方向平行。X軸滑塊55的前表面是沿X-Z方向的面，在該前表面上設(shè)置有Z 軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60。 Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60是將X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50的進(jìn)給方向變更 為Z方向的結(jié)構(gòu)，其由如下部分構(gòu)成左右一對(duì)(在圖2中只能看見右 側(cè)的一個(gè))導(dǎo)軌61，其固定在X軸滑塊55的前表面，并沿Z方向延伸；
絲杠62,其配置在這些導(dǎo)軌61之間，旋合并貫通Z軸滑塊65，并沿Z 方向延伸；和電動(dòng)機(jī)63，其使該絲杠62正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。Z軸滑塊65滑動(dòng) 自由地安裝在導(dǎo)軌61上，其借助于由電動(dòng)機(jī)63驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的絲杠62的 動(dòng)力而沿導(dǎo)軌61進(jìn)行升降。與粗磨削側(cè)立柱12的加工區(qū)11A面對(duì)的前表面12a是，與精磨削側(cè) 立柱13左右對(duì)稱，并隨著從X方向的中央朝向端部而以預(yù)定角度傾斜地 后退的錐面。在該錐面12a上借助于X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50而安裝有X軸滑 塊55，進(jìn)而在X軸滑塊55上借助于Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60而安裝有Z軸滑塊 65。粗磨削側(cè)立柱12的錐面12a的錐形方向設(shè)定為，平行于將定位在粗 磨削位置的吸盤工作臺(tái)30的旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)中心之間相連的 線。在安裝于粗磨削側(cè)立柱12和精磨削側(cè)立柱13上的各Z軸滑塊65 上，分別固定有上述粗磨削單元40A和精磨削單元40B。如圖3所示，粗磨削單元40A具有圓筒狀的主軸箱41，其軸向沿 Z方向延伸；主軸42，其同軸地且旋轉(zhuǎn)自由地支承在該主軸箱41內(nèi)；電 動(dòng)機(jī)43，其固定在主軸箱41的上端部，對(duì)主軸42進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)；以及 圓盤狀的法蘭44，其同軸地固定在主軸42的下端。進(jìn)而，在法蘭44上 由螺紋緊固件等裝置裝拆自由地安裝有粗磨削砂輪45。粗磨削砂輪45，在圓環(huán)狀且下表面形成圓錐狀的框體45a的下端面 上，遍及該下端面的外周部的整周呈環(huán)狀地排列粘接有多個(gè)粗磨削用磨 石(第1磨石)45b。對(duì)磨石45b可使用例如將金剛石磨?；旌系奖环Q為 陶瓷化的玻璃質(zhì)的燒結(jié)材料中并經(jīng)過(guò)燒結(jié)而成的磨石等，例如適于使用 含有320號(hào) 400號(hào)磨粒的磨石。粗磨削砂輪45的磨削外徑、即排列為環(huán)狀的多個(gè)磨石45b的外周緣 直徑，設(shè)定為小于等于晶片1的半徑。這是用于實(shí)現(xiàn)如下目的而進(jìn)行的 尺寸設(shè)定使磨石45b的下端面即磨石刃，通過(guò)呈同心狀地保持在旋轉(zhuǎn) 的吸盤工作臺(tái)30上的晶片1的旋轉(zhuǎn)中心，并且使該磨石刃的外周緣吻合 器件形成區(qū)域4的外周緣(器件形成區(qū)域4與外周剩余區(qū)域5的分界) 而通過(guò)，只磨削與器件形成區(qū)域4相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，可形成圖6所示的凹
部1A。另一方面，精磨削單元40B與粗磨削單元40A具有同樣的結(jié)構(gòu)，如 圖4所示，該精磨削單元40B具有主軸箱41、主軸42、電動(dòng)機(jī)43以及 法蘭44，在法蘭44上裝拆自由地安裝有精磨削砂輪46。精磨削砂輪46 在與粗磨削砂輪45的框體45a相同的框體46a的下表面上，遍及該下表 面的外周部的整周呈環(huán)狀地排列粘接有多個(gè)精磨削用磨石(第2磨石) 46b。精磨削用磨石46b可使用含有比粗磨削用磨石45b的粒度細(xì)的磨粒， 例如適于使用含有2000號(hào) 8000號(hào)磨粒的磨石。精磨削砂輪46的磨削外徑與晶片1的半徑大致同等，必須大于等于 粗磨削砂輪45的磨削外徑。這是用于實(shí)現(xiàn)如下目的而進(jìn)行的尺寸設(shè)定-使磨石46b的磨石刃，通過(guò)呈同心狀地保持在旋轉(zhuǎn)的吸盤工作臺(tái)30上的 晶片1的旋轉(zhuǎn)中心，并且使磨石46b可以磨削圖6所示的環(huán)狀凸部5A的 內(nèi)周側(cè)面5B。優(yōu)選如圖7 (a)所示，精磨削砂輪46的磨削外徑可以是 這樣的尺寸使磨石46b的寬度(徑向的長(zhǎng)度)比內(nèi)周惻面5B位于外周 側(cè)，使磨石46b的整個(gè)磨石刃接觸環(huán)狀凸部5A的上表面。粗磨削單元40A被設(shè)定在這樣的位置使粗磨削砂輪45的旋轉(zhuǎn)中心 (主軸42的軸心)存在于，將定位在粗磨削位置的吸盤工作臺(tái)30的旋 轉(zhuǎn)中心與轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)中心之間相連的線的正上方。粗磨削單元40A伴 隨Z軸滑塊65的往復(fù)移動(dòng)而沿立柱12的錐面12a的錐形方向往復(fù)移動(dòng)。 從而，在該往復(fù)移動(dòng)的時(shí)候，粗磨削砂輪45的旋轉(zhuǎn)中心，在將定位在粗 磨削位置的吸盤工作臺(tái)30的旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)中心之間相連的 線的正上方往復(fù)移動(dòng)。以下，由于該往復(fù)移動(dòng)的方向是吸盤工作臺(tái)30與 轉(zhuǎn)臺(tái)20的軸線之間的方向，故將該往復(fù)移動(dòng)的方向稱為"軸間方向"。上述位置設(shè)定在精磨削單元40B側(cè)也相同，精磨削單元40B的精磨 削砂輪46的旋轉(zhuǎn)中心存在于，將定位在精磨削位置的吸盤工作臺(tái)30的 旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)中心之間相連的線的正上方。當(dāng)精磨削單元 40B與Z軸滑塊65和X軸滑塊55 —起，沿立柱13的錐面13a的錐形方 向往復(fù)移動(dòng)時(shí)，精磨削砂輪46的旋轉(zhuǎn)中心，在將定位在精磨削位置的吸 盤工作臺(tái)30的旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)臺(tái)20的旋轉(zhuǎn)中心之間相連的線的正上方， 沿該線方向即沿軸間方向往復(fù)移動(dòng)。如圖2所示，在底座11上配設(shè)有厚度測(cè)定儀25，該厚度測(cè)定儀25 對(duì)定位于粗磨削位置和精磨削位置的吸盤工作臺(tái)30上的各晶片厚度進(jìn)行 測(cè)定。如圖3 (a)和圖4 (a)所示，這些厚度測(cè)定儀25由基準(zhǔn)側(cè)卡尺 26和晶片側(cè)卡尺27組合起來(lái)構(gòu)成?；鶞?zhǔn)側(cè)卡尺26是這樣的量具擺動(dòng) 的基準(zhǔn)探頭26a的前端，接觸未被晶片1覆蓋的吸盤工作臺(tái)30的框體31 的上表面31a，來(lái)檢測(cè)吸盤工作臺(tái)上表面30A的高度位置。晶片側(cè)卡尺27，通過(guò)擺動(dòng)的變動(dòng)探頭27a的前端接觸被保持在吸盤 工作臺(tái)30上的晶片1的上表面、即被磨削面，來(lái)檢測(cè)晶片1上表面的高 度位置。根據(jù)厚度測(cè)定儀25，從晶片側(cè)卡尺27的測(cè)定值減去基準(zhǔn)側(cè)卡尺 26的測(cè)定值，根據(jù)該差值來(lái)測(cè)定晶片1的厚度。若要將晶片l磨削到目 標(biāo)厚度tl，首先測(cè)定磨削前的原始厚度t2，將(t2—tl)作為磨削量。并 且，晶片側(cè)卡尺27的變動(dòng)探頭27a接觸的晶片1的厚度測(cè)定點(diǎn)，如圖3 (a)和圖4 (a)的虛線所示，在接近晶片l的外周緣(器件形成區(qū)域4 的外周緣)的外周部分是合適的。以上就是有關(guān)底座11上的加工區(qū)11A的結(jié)構(gòu)，接下來(lái)，參考圖2 對(duì)裝拆區(qū)11B進(jìn)行說(shuō)明。在裝拆區(qū)11B的中央，設(shè)置有上下移動(dòng)的2節(jié)連接式拾取機(jī)械手70。 進(jìn)而，在該拾取機(jī)械手70的周圍，從上觀察時(shí)沿逆時(shí)針?lè)较蚍謩e配置有: 供給盒71、定位臺(tái)72、供給臂73、回收臂74、旋轉(zhuǎn)式清洗裝置75和回 收盒76。供給盒71、定位臺(tái)72以及供給臂73，是將晶片1供給到吸盤工作 臺(tái)30的裝置，回收臂74、清洗裝置75以及回收盒76，是用于將完成背 面磨削后的晶片1從吸盤工作臺(tái)30回收并轉(zhuǎn)移到下一工序的裝置。盒71、 76容納有以水平姿態(tài)且沿上下方向按一定間隔層疊狀態(tài)下的多塊晶片1， 盒71、 76設(shè)置在底座11上的預(yù)定位置上。當(dāng)由拾取機(jī)械手70從供給盒71內(nèi)取出一塊晶片1時(shí)，該晶片1在 使沒(méi)有粘貼保護(hù)帶7的背面?zhèn)瘸系臓顟B(tài)下被放置在定位臺(tái)72上，此時(shí)， 其被定位在一定的位置。接著，晶片1被供給臂73從定位臺(tái)72上提取
出來(lái)，放置到在裝拆位置待機(jī)的吸盤工作臺(tái)30上。另一方面，利用各磨削單元40A、 40B來(lái)磨削背面，定位在裝拆位 置的吸盤工作臺(tái)30上的晶片1被回收臂74提取出來(lái)，移送到清洗裝置 75上，進(jìn)行水洗和干燥。進(jìn)而，由清洗裝置75清洗處理后的晶片1，被 拾取機(jī)械手70移送并容納于回收盒76內(nèi)。[3]晶片磨削加工裝置的動(dòng)作以上就是晶片磨削加工裝置10的結(jié)構(gòu)，接下來(lái)，說(shuō)明利用該晶片磨 削加工裝置IO對(duì)晶片1的背面進(jìn)行磨削的動(dòng)作。該動(dòng)作包含本發(fā)明的晶 片磨削加工方法。首先，利用拾取機(jī)械手70將容納在供給盒71內(nèi)的一塊晶片1移送 到定位臺(tái)72上并進(jìn)行定位，接著由供給臂73將晶片1背面?zhèn)瘸戏胖?到吸盤工作臺(tái)30上，該吸盤工作臺(tái)30在裝拆位置待機(jī)并且真空運(yùn)轉(zhuǎn)。 通過(guò)在定位臺(tái)72上進(jìn)行定位，晶片1與吸盤工作臺(tái)30呈同心狀配置。 晶片1在表面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)帶7粘貼吸盤工作臺(tái)30上表面而背面露出的狀態(tài) 下被吸附并保持在其上表面上。接下來(lái)，轉(zhuǎn)臺(tái)20沿圖2的箭頭R方向旋轉(zhuǎn)。保持著晶片1的吸盤工 作臺(tái)30停止在粗磨削單元40A下方的粗磨削位置。此時(shí)，在裝拆位置， 下一吸盤工作臺(tái)30被定位，如上所述在該吸盤工作臺(tái)30上設(shè)置下次要 磨削的晶片1。相對(duì)于被定位在粗磨削位置的晶片1，厚度測(cè)定儀25和粗磨削單元 40A按如下所述進(jìn)行設(shè)定。厚度測(cè)定儀25使基準(zhǔn)側(cè)卡尺26的基準(zhǔn)探頭 26a的前端，接觸吸盤工作臺(tái)30的框體31的上表面31a，使晶片側(cè)卡尺 27的變動(dòng)探頭27a的前端，接觸被保持在吸盤工作臺(tái)30上的晶片1的上 表面，即接觸被粗磨削的與器件形成區(qū)域4相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。粗磨削單元40A借助于X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50沿軸間方向適當(dāng)移動(dòng)，如 圖3所示，對(duì)晶片1的背面，粗磨削砂輪45被定位在磨石45b的磨石刃 通過(guò)晶片1的旋轉(zhuǎn)中心附近和器件形成區(qū)域4的外周緣的凹部形成位置 上。在此情況下，凹部形成位置為比晶片1的旋轉(zhuǎn)中心位于轉(zhuǎn)臺(tái)20的外 周側(cè)。
形成在晶片背面的凹部1A(參考圖6)，是與器件形成區(qū)域4相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，如圖5的圓弧線la描繪的部分那樣，調(diào)整為避開切口6的圓形 區(qū)域。凹部1A相對(duì)于晶片1偏心，凹部1A的中心處于與切口 6的180° 相反側(cè)稍偏離的位置。從而，由于形成了凹部1A，形成在凹部1A周圍 的原有厚度殘留下來(lái)的外周部分(以圖6中的5A所表示的環(huán)狀凸部)的 寬度，在切口6附近最寬，在離開切口6最遠(yuǎn)的位置最窄。這樣，通過(guò)避開切口6形成凹部1A，從而可以預(yù)防在粗磨削中以切 口 6作為起點(diǎn)的缺陷的發(fā)生。環(huán)狀凸部5A的寬度，例如為2 3mm左右， 如圖5所示，在凹部1A (與圓弧線la相對(duì)應(yīng))偏心的情況下，在切口6 附近成為最大的寬度為3 4mm?？傊h(huán)狀凸部5A的寬度，是在以切 口 6作為起點(diǎn)的缺陷很難發(fā)生的程度，在精磨削時(shí)的負(fù)荷沒(méi)有變大的范 圍內(nèi)優(yōu)選為盡可能地窄。對(duì)于定位在粗磨削位置的晶片1，將粗磨削砂輪45定位在凹部形成 位置后，接下來(lái)通過(guò)使吸盤工作臺(tái)30旋轉(zhuǎn)而使晶片1沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)， 并且在使粗磨削砂輪45高速旋轉(zhuǎn)的同時(shí)利用Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60使粗磨削 單元40A下降，使磨石45b壓緊晶片1的背面。從而，晶片1的背面被磨削出以圖5中的圓弧線la所描繪出的圓形 區(qū)域，如圖6所示，磨削區(qū)域形成為凹部1A，在凹部1A周圍的外周部 形成了原有厚度殘留下來(lái)的環(huán)狀凸部5A。通過(guò)粗磨削而被磨削的器件形 成區(qū)域4，被磨薄直到剩余例如最終精加工厚度為+20 40,左右這樣的 厚度為止(第l磨削工序)。磨削量利用厚度測(cè)定儀25進(jìn)行測(cè)定，達(dá)到粗磨削下的目標(biāo)磨削量之 后，由Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60驅(qū)動(dòng)的粗磨削砂輪45的下降被停止，使粗磨削 砂輪45在一定時(shí)間內(nèi)就這樣旋轉(zhuǎn)，然后使粗磨削單元40A上升，結(jié)束粗 磨削。粗磨削后的晶片1如圖6 (a)所示，在凹部lA的底面4a上，殘 留有呈現(xiàn)為多條弧以放射狀描繪出來(lái)的紋路的磨削條痕9a。該磨削條痕 9a就是由磨石45b中的磨粒造成的破碎加工的軌跡，是包含微裂紋等機(jī) 械破損層。完成粗磨削后的晶片1，通過(guò)使轉(zhuǎn)臺(tái)20沿R方向旋轉(zhuǎn)而被移動(dòng)到精 磨削單元40B下方的精磨削位置。進(jìn)而，預(yù)先被保持在裝拆位置的吸盤 工作臺(tái)30上的晶片1，被移送到粗磨削位置，該晶片1與之后的精磨削并行被施加上述粗磨削。進(jìn)而，在被移送到裝拆位置后的吸盤工作臺(tái)30上，設(shè)置待處理的晶片l。若晶片1被定位在精磨削位置之后，配置在精磨削側(cè)的厚度測(cè)定儀25以及上方的精磨削單元40B,對(duì)晶片1進(jìn)行如下的設(shè)置。厚度測(cè)定儀 25使基準(zhǔn)側(cè)卡尺26的基準(zhǔn)探頭26a的前端接觸吸盤工作臺(tái)30的框體31 的上表面31a，接觸吸盤工作臺(tái)30上，晶片側(cè)卡尺27的變動(dòng)探頭27a的 前端接觸已形成的凹部1A的底面4a。使精磨削單元40B借助于X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50沿軸間方向適當(dāng)移動(dòng)， 精磨削砂輪46的磨石46b的磨石刃通過(guò)晶片1的旋轉(zhuǎn)中心，并且，如圖 7 (a)所示，磨石46b比凹部1A的內(nèi)周側(cè)面5B位于外周側(cè)，磨石46b 的整個(gè)磨石刃接觸環(huán)狀凸部5A的上表面，使內(nèi)周側(cè)面5B定位在可磨削 的位置。該內(nèi)周側(cè)面可磨削的位置，也比晶片1的旋轉(zhuǎn)中心靠近轉(zhuǎn)臺(tái)20 的外周側(cè)。接下來(lái)，使吸盤工作臺(tái)30旋轉(zhuǎn)，從而使晶片l沿一個(gè)方向旋 轉(zhuǎn)，并且在使精磨削單元40B的精磨削砂輪46高速旋轉(zhuǎn)的同時(shí)借助于Z 軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60使精磨削單元40B下降。當(dāng)精磨削單元40B下降時(shí)，精磨削砂輪46的磨石46b按壓在環(huán)狀凸 部5A的內(nèi)周側(cè)的上表面，以磨碎該部分的環(huán)狀凸部5A的方式磨削內(nèi)周 側(cè)面5B。在精磨削中，首先，如上所述那樣磨削內(nèi)周側(cè)面5B，當(dāng)內(nèi)周側(cè) 面5B的整個(gè)面被磨削后，繼續(xù)使精磨削單元40B下降，磨削凹部1A的 底面4a。作為目標(biāo)的精磨削量、即從凹部1A的底面4a起的磨削量，如 上所述是例如20 40pim (第2磨削工序)。凹部1A的底面4a的磨削量利用厚度測(cè)定儀25進(jìn)行測(cè)定，當(dāng)確認(rèn)已 達(dá)到目標(biāo)磨削量之后，由Z軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)60驅(qū)動(dòng)的精磨削砂輪46的下降 被停止，使精磨削砂輪46在一定時(shí)間內(nèi)就這樣旋轉(zhuǎn)，然后使精磨削單元 40B上升，結(jié)束精磨削。圖7 (b)表示使精磨削單元40B上升之前的狀 態(tài)，在該圖中，虛線表示利用粗磨削形成的凹部1A、即精磨削前的凹部 1A。通過(guò)精磨削，除去如圖6 (a)所示的由粗磨削形成的磨削條痕9a，
但在凹部1A的內(nèi)表面，如圖4 (a)所示，由精磨削而殘留有新的磨削 條痕9b。此處，列舉出粗磨削和精磨削的適宜的運(yùn)轉(zhuǎn)條件示例。粗磨削單元 40A和精磨削單元40B都取磨削砂輪45、 46的轉(zhuǎn)速為3000 5000rpm左 右，吸盤工作臺(tái)30的轉(zhuǎn)速為100 300rpm左右。此外，作為粗磨削單元 40A的加工進(jìn)給速度的下降速度，取4 6pm/秒。另一方面，精磨削單 元40B的下降速度，在磨削環(huán)狀凸部5A的工序中取4 6pm/秒，在磨 削凹部1A的底面4a的最終階段中取0.5pm /秒左右，若并行進(jìn)行的精磨削和粗磨削都完成后，使轉(zhuǎn)臺(tái)20沿R方向旋轉(zhuǎn)， 將精磨削完成后的晶片1移送到裝拆位置。從而，后續(xù)的晶片1分別被 移送到粗磨削位置和精磨削位置。被定位在裝拆位置的吸盤工作臺(tái)30上 的晶片l，被回收臂74移送到清洗裝置75，進(jìn)行水洗和干燥。進(jìn)而，由 清洗裝置75清洗處理后的晶片1被拾取機(jī)械手70移送并容納到回收盒 76內(nèi)。以上所述，就是在一塊晶片1的背面上由粗磨削形成凹部1A，接下 來(lái)對(duì)凹部1A的內(nèi)表面進(jìn)行精磨削，使器件形成區(qū)域4薄型化到預(yù)定厚度 的循環(huán)。根據(jù)本實(shí)施方式的晶片磨削加工裝置10，如上所述，在使轉(zhuǎn)臺(tái) 20間歇地旋轉(zhuǎn)的同時(shí)對(duì)晶片1并行地在粗磨削位置進(jìn)行粗磨削和在精磨 削位置進(jìn)行精磨削，可以高效地進(jìn)行多塊晶片1的磨削處理。根據(jù)本實(shí)施方式，由粗磨削形成凹部1A后，對(duì)凹部1A的內(nèi)表面進(jìn) 行精磨削，通過(guò)這種二段式磨削，能夠高效地將凹部1A的整個(gè)內(nèi)表面以 機(jī)械破損層程度低的方式加工為平坦的面。在精磨削時(shí)，由于只磨削環(huán) 狀凸部5A的內(nèi)周側(cè)的極其微小的壁厚部分，因此即使使用精磨削用磨石 46b也沒(méi)有大的磨削負(fù)載，從而，如上所述，進(jìn)給速度能以4 6(im/秒 的與粗磨削同等的速度進(jìn)行磨削。在磨削內(nèi)周側(cè)面5B之后在磨削底面 4a時(shí)，由于負(fù)載增大，因此，如上所述，進(jìn)給速度可調(diào)整到適合精磨削 的低速(0.5lam/秒左右)。在本實(shí)施方式中，如圖7所示，使用精磨削磨石46b比凹部1A的內(nèi) 周側(cè)面5B位于外周側(cè)的精磨削砂輪46，使磨石46b的整個(gè)磨石刃按壓 在環(huán)狀凸部5A上，來(lái)磨削內(nèi)周側(cè)面5B，因此在磨石46b的磨石刃上不 會(huì)產(chǎn)生偏磨耗，此外，如上所述磨削負(fù)載不大。因此，可以將凹部1A的 底面4a與環(huán)狀凸部5A的內(nèi)周側(cè)面5B之間的內(nèi)拐角部，形成為直角。因 此，可以將器件形成區(qū)域4的整個(gè)區(qū)域，加工為均勻的厚度，其結(jié)果是， 可以防止半導(dǎo)體芯片3的取得個(gè)數(shù)減少的這一不良狀況。并且，如圖8所示，在精磨削用磨石46b的寬度內(nèi)，只要靠到內(nèi)周 側(cè)面5B的狀態(tài)下就可以磨削內(nèi)周側(cè)面5B，但在此情況下，由于產(chǎn)生了 只有磨石46b的外周側(cè)被磨耗這樣的偏磨耗(在圖8 (b)中，磨石46b 的空白部分被磨耗)，就會(huì)縮短磨石46b的實(shí)質(zhì)壽命，因此不是優(yōu)選的。接下來(lái)，參考圖9來(lái)對(duì)精磨削的其它實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在此情況下的精磨削，首先，如圖9 (a)所示，使磨石46b從內(nèi)周 側(cè)面5B稍稍分離開來(lái)，首先磨削凹部1A的底面4a。先被精磨削的底面 4a幾乎所有的部分都被磨削，但最外周部分并不被磨削，殘留為粗磨削 狀態(tài)下的階梯差狀。在底面4a的精磨削完成之后，保持精磨削砂輪46 和吸盤工作臺(tái)30的旋轉(zhuǎn)，并保持磨削單元40沿Z方向的位置，如圖9 (b)所示，借助于X軸進(jìn)給機(jī)構(gòu)50使吸盤工作臺(tái)30沿內(nèi)周側(cè)面5B方 向水平移動(dòng)，使磨石46b的外周面按壓在內(nèi)周側(cè)面5B上。從而，通過(guò)吸 盤工作臺(tái)30的移動(dòng)，從而殘留為階梯差狀的底面4a的最外周部分被磨 削，底面4a的整個(gè)面被精磨削成很平坦。此外，被磨石46b的外周面壓 緊的內(nèi)周側(cè)面5B也被精磨削。本實(shí)施方式的精磨削是這樣的方法通過(guò)吸盤工作臺(tái)30的下降和水 平移動(dòng)的組合，先磨削了凹部1A的底面4a之后再對(duì)內(nèi)周側(cè)面5B磨削例 如lmm左右，然后磨削凹部1A的整個(gè)內(nèi)表面。根據(jù)本實(shí)施方式，也與 上述實(shí)施方式相同，可以將凹部1A的底面4a與環(huán)狀凸部5A的內(nèi)周側(cè) 面5B之間的內(nèi)拐角部形成為直角，從而可以防止半導(dǎo)體芯片3的取得個(gè) 數(shù)的減少。并且，在上述實(shí)施方式所述的晶片1上，形成了作為表示結(jié)晶方位 的標(biāo)記的切口6，但作為結(jié)晶方位的標(biāo)記，有時(shí)也存在可以采用圖5所示 的取向平面(orientation flat) 8的情況。取向平面8是沿切線方向?qū)⒕? 1的外周緣的一部分直線地切除后的平面。在形成有這樣的取向平面8的晶片1上，在避開取向平面8以從圓弧線la后退的圓弧線lb描繪出的 部分上，形成有凹部1A。在形成取向平面8的晶片上，與形成切口6的 情況相比，形成的凹部1A變小，環(huán)狀凸部5A的寬度在取向平面8的附 近被擴(kuò)大到例如2倍左右(例如4 8mm左右)。這樣地，在環(huán)狀凸部5A的寬度不得不變得較寬的情況下，在精磨削 時(shí)通過(guò)分別測(cè)定環(huán)狀凸部5A的厚度，就可以更正確地控制精磨削的磨削 量。但是，由于寬度較大，因此精磨削時(shí)的負(fù)載增大，此外由于粗磨削 用磨石45b的磨削外徑變小而存在消耗管理也會(huì)變得復(fù)雜的可能性，因 此就要求避開取向平面8的后退量必須適當(dāng)才行。
權(quán)利要求
1.一種晶片磨削加工方法，該晶片具有在其表面形成多個(gè)器件的器件形成區(qū)域，該晶片磨削加工方法具有第1磨削工序，其將該晶片在背面露出的狀態(tài)下保持在可旋轉(zhuǎn)的吸盤工作臺(tái)上，利用環(huán)狀或排列為環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)式的第1磨石對(duì)該背面的與所述器件形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行磨削，在晶片的背面?zhèn)刃纬砂疾浚瑥亩谄骷纬蓞^(qū)域的周圍形成了突出到背面?zhèn)鹊沫h(huán)狀凸部；和第2磨削工序，其利用第2磨石對(duì)作為所述凹部?jī)?nèi)表面的該凹部的底面以及所述環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面進(jìn)行磨削，該第2磨石是環(huán)狀或排列為環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)式的磨石，其磨粒粒徑比所述第1磨石的小，并且具有與該第1磨石同等或同等以上的磨削外徑。
2. 如權(quán)利要求1中所述的晶片磨削加工方法，在所述第2磨削工序中，首先對(duì)所述環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面進(jìn)行磨削， 然后對(duì)所述凹部的底面進(jìn)行磨削。
3. 如權(quán)利要求1中所述的晶片磨削加工方法，其特征在于， 在所述第2磨削工序中，首先對(duì)所述凹部的底面進(jìn)行磨削，然后對(duì)所述環(huán)狀凸部的內(nèi)周側(cè)面進(jìn)行磨削。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片磨削加工方法，當(dāng)利用在粗磨削后施行精磨削這種二段式磨削來(lái)進(jìn)行形成凹部的背面磨削時(shí)，在精磨削后也可以確保器件形成區(qū)域的最初面積，不會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的取得個(gè)數(shù)的減少，可以高效地實(shí)施磨削加工。利用粗磨削單元(40A)的粗磨削砂輪(45)，在晶片(1)背面的與器件形成區(qū)域(4)相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成凹部(1A)，同時(shí)形成其周圍的環(huán)狀凸部(5A)。接下來(lái)，利用精磨削單元(40B)的精磨削砂輪(46)，先磨削凹部(1A)的內(nèi)周側(cè)面(5B)，之后繼續(xù)磨削底面(4a)。
文檔編號(hào)B24B19/22GK101161411SQ20071015243
公開日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2007年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月11日
發(fā)明者吉田真司, 長(zhǎng)井修 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科