專利名稱：成膜裝置及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在半導(dǎo)體晶片等被處理基板上形成膜的半導(dǎo) 體處理用的成膜裝置及該裝置的使用方法。在此，半導(dǎo)體處理是指，通過在半導(dǎo)體晶片或LCD (液晶顯示器Liquid Crystal Display)這樣 的FPD (平板顯示器，F(xiàn)lat Panel Display)用的玻璃基板等被處理基板 上以規(guī)定的圖形形成半導(dǎo)體層、絕緣層、導(dǎo)電層等、為了在該被處理 基板上制造出包含半導(dǎo)體器件、與半導(dǎo)體器件連接的配線、電極等的 結(jié)構(gòu)體而實施的各種處理。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工序中，通過CVD(化學(xué)氣相淀積，Chemical Vapor Deposition)等的處理，進(jìn)行在被處理基板、例如半導(dǎo)體晶片上 形成硅氮化膜、硅氧化膜等薄膜的處理。在這樣的成膜處理中，例如 按如下所述，在半導(dǎo)體晶片上形成薄膜。首先，利用加熱器將熱處理裝置的反應(yīng)管(反應(yīng)室)內(nèi)加熱到規(guī) 定的裝載溫度，并將收納多片半導(dǎo)體晶片的晶舟裝入其中。接著，利 用加熱器將反應(yīng)管內(nèi)加熱到規(guī)定的處理溫度，并從排氣端口排出反應(yīng) 管內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管內(nèi)減壓到規(guī)定的壓力。接著， 一面將反應(yīng)管內(nèi)維持在規(guī)定的溫度及壓力(一面繼續(xù)排氣)， 一面從處理氣體導(dǎo)入管向反應(yīng)管內(nèi)供給成膜氣體。例如，CVD中，向 反應(yīng)管內(nèi)供給成膜氣體時，引起成膜氣體熱反應(yīng)，生成反應(yīng)生成物。 反應(yīng)生成物堆積在半導(dǎo)體晶片的表面上，在半導(dǎo)體晶片的表面上形成 薄膜。由成膜處理生成的反應(yīng)生成物，不僅堆積在半導(dǎo)體晶片的表面上， 例如，還作為副生成物膜堆積(附著)在反應(yīng)管的內(nèi)面和各種器具等 上。在副生成物附著在反應(yīng)管內(nèi)的狀態(tài)下繼續(xù)進(jìn)行成膜處理時，因構(gòu)
成反應(yīng)管的石英和副生成物膜的熱膨脹系數(shù)的不同而產(chǎn)生的應(yīng)力會使 石英和副生成物膜部分地剝離。由此，就會產(chǎn)生微粒，成為使制造出 的半導(dǎo)體器件的成品率下降、或者使處理裝置的產(chǎn)品劣化的原因。為此，在多次進(jìn)行成膜處理后，進(jìn)行反應(yīng)管內(nèi)的清潔。該清潔， 向由加熱器加熱到規(guī)定溫度的反應(yīng)管內(nèi)供給清潔氣體例如氟和含鹵酸 性氣體的混合氣體。利用清潔氣體對附著在反應(yīng)管的內(nèi)面等上的副生成物膜進(jìn)行干蝕刻，將其去除。在日本特開平3-293726號公報公開了 該清潔方法。但是，如后所述，本發(fā)明者等發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的該種清潔 方法中，即使對反應(yīng)管內(nèi)進(jìn)行清潔，此后進(jìn)行成膜處理時也會在形成 的膜上產(chǎn)生金屬污染物，存在制造出的半導(dǎo)體器件的成品率下降的情 況。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠防止對清潔后形成的膜的污染 的半導(dǎo)體處理用的成膜裝置和該裝置的使用方法。本發(fā)明的第一觀點是提供一種半導(dǎo)體處理用的成膜裝置的使用方法，該成膜裝置的使用方法包括利用第一清潔氣體從所述成膜裝置 的反應(yīng)室的內(nèi)面去除副生成物膜的第一清潔處理，在此，向所述反應(yīng) 室內(nèi)供給所述第一清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓力；和利用第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì)的第二清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室 內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清 潔氣體活化的第二溫度和第二壓力，所述第二清潔氣體包括含氯氣體。 本發(fā)明的第二觀點提供一種半導(dǎo)體處理用的成膜裝置，該成膜裝置包括收納被處理基板的反應(yīng)室；對所述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于在所述被處理基板上形成膜的成膜氣 體的成膜氣體供給系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于從反應(yīng)室的所述內(nèi) 面去除源于所述成膜氣體的副生成物膜的第一清潔氣體的的第一清潔 氣體供給系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去 除污染物質(zhì)的第二清潔氣體的的第二清潔氣體供給系統(tǒng)，所述第二清 潔氣體包括含氯氣體；使所述第一清潔氣體活化的第一活化機構(gòu)；使所述第二氣體活化的第二活化機構(gòu)；和控制所述裝置的動作的控制部，所述控制部執(zhí)行以下處理利用第一清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面除去副生成物膜的第一清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述 第一清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓力；和，利用所述第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的 所述內(nèi)面除去污染物質(zhì)的第二清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給 所述第二清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清潔氣體 活化的第二溫度和第二壓力。本發(fā)明的第三觀點在于提供一種計算機可讀取的，包括用于在處 理器上執(zhí)行的程序指令的介質(zhì)，在利用處理器執(zhí)行所述程序指令時，在半導(dǎo)體處理用的成膜裝置執(zhí)行以下處理利用第一清潔氣體從所述成膜裝置的反應(yīng)室的內(nèi)面除去副生成物膜的第一清潔處理，在此，向 所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第一清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓力；和，利用第二清潔氣 體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面除去污染物質(zhì)的第二清潔處理，在此，向 所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使 所述第二清潔氣體活化的第二溫度和第二壓力，所述第二清潔氣體包 括含氯氣體。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的立式熱處理裝置的圖。 圖2是圖1所示的裝置的橫截平面圖。 圖3是表示圖1所示的裝置的控制部的結(jié)構(gòu)圖。 圖4是表示本發(fā)明的實施方式的成膜處理和清潔處理的方案圖。 圖5是表示通過實驗得到的、實施例PE1及比較例CE1的硅晶片 表面上的鐵濃度的曲線圖。
具體實施方式
本發(fā)明者在本發(fā)明的研發(fā)過程中，針對在對半導(dǎo)體處理用的成膜 裝置的反應(yīng)管內(nèi)進(jìn)行清潔的現(xiàn)有方法中存在的問題進(jìn)行了研究。其結(jié) 果，本發(fā)明者就得到了以下所述的見解。
即，在向反應(yīng)管內(nèi)供給氟化氫這樣的清潔氣體的情況下，存在氣 體供給管內(nèi)被腐蝕、金屬化合物或金屬成分附著在反應(yīng)管的內(nèi)面上和/ 或侵入內(nèi)面內(nèi)的可能性。這種污染物質(zhì)就會在反應(yīng)管內(nèi)為低壓進(jìn)行處 理的成膜時，從反應(yīng)管的內(nèi)面被排放出來。為此，在形成的膜上就會 產(chǎn)生金屬污染物等的污染，就成為制造出的半導(dǎo)體器件的成品率下降 的原因。為了解決該問題，例如可使用氟化氫(HF)溶液清潔反應(yīng)管。這 種情況下，通過濕蝕刻去除副生成物膜。但是，在濕蝕刻中，卸下反 應(yīng)管、手工進(jìn)行清潔，就必須進(jìn)行再次安裝及調(diào)整的作業(yè)。此外，由 于必須長時間停止熱處理裝置，就產(chǎn)生大量的停機時間，降低運轉(zhuǎn)率。下面，參照

根據(jù)這種理解而構(gòu)成的本發(fā)明的實施方式。 再有，在以下的說明中，對于具有大致相同的機能及結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素 賦予相同的符號，僅在需要時進(jìn)行重復(fù)的說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的立式熱處理裝置的圖。圖2是圖1 所示的裝置的橫截平面圖。如圖1所示，熱處理裝置1具有長邊方向 朝向垂直方向的近似圓筒狀的反應(yīng)管(反應(yīng)室)2。反應(yīng)管2由耐熱及 耐腐蝕性優(yōu)良的材料例如石英(或碳化硅(SiC))形成。在反應(yīng)管2的上端配設(shè)向上端側(cè)縮徑的形成為近似圓錐狀的頂部 3。在頂部3的中央，配設(shè)用于對反應(yīng)管2內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣口4。通 過氣密的排氣管5排氣部GE被連接于排氣口 4。在排氣部GE處配設(shè) 有閥、真空排氣泵(圖1中未示出，圖3中用符號127表示)等壓力 調(diào)整機構(gòu)。利用排氣部GE，在將反應(yīng)管2內(nèi)的氣氛排出的同時，能夠?qū)⑵湓O(shè)定為規(guī)定的壓力(真空度)。在反應(yīng)管2的下方配置蓋體6。蓋體6由耐熱及耐腐蝕性優(yōu)良的材 料例如石英(或碳化硅)形成。蓋體6的結(jié)構(gòu)為借助于后述的舟升降 機(圖1中未示出，圖3中用符號128表示)可上下移動。借助于舟 升降機使蓋體6上升時，封閉反應(yīng)管2的下方側(cè)(爐口部分)。借助于 舟升降機使蓋體6下降時，使反應(yīng)管2的下方側(cè)(爐口部分)敞開。在蓋體6的上部配設(shè)保溫筒7。保溫筒7具有防止因來自反應(yīng)管2 的爐口部分的散熱引起的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度下降的由電阻發(fā)熱體制成 的平面狀的加熱器8。該加熱器8被筒狀的支撐體9支撐于距蓋體6的
上面規(guī)定的高度。在保溫筒7的上方配設(shè)旋轉(zhuǎn)臺10。旋轉(zhuǎn)臺10作為可旋轉(zhuǎn)地載置收 納被處理基板例如半導(dǎo)體晶片W的晶舟11的載置臺起作用。具體地， 在旋轉(zhuǎn)臺10的下部配設(shè)旋轉(zhuǎn)支柱12。旋轉(zhuǎn)支柱12連接在貫通加熱器 8的中央部使旋轉(zhuǎn)臺IO旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13上。旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13主要由電動機(未圖示)和具備從蓋體6的下面?zhèn)认?上面?zhèn)纫詺饷軤顟B(tài)貫通導(dǎo)入的旋轉(zhuǎn)軸14的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)入部15構(gòu)成。旋轉(zhuǎn) 軸14連接到旋轉(zhuǎn)臺10的旋轉(zhuǎn)支柱12上，通過旋轉(zhuǎn)支柱12將電動機 的旋轉(zhuǎn)力傳給旋轉(zhuǎn)臺10。為此，利用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13的電動機使旋轉(zhuǎn)軸 14旋轉(zhuǎn)時，將旋轉(zhuǎn)軸14的旋轉(zhuǎn)力傳給旋轉(zhuǎn)支柱12，使旋轉(zhuǎn)臺10旋轉(zhuǎn)。晶舟11構(gòu)成為在垂直方向上隔開規(guī)定的間隔收納多片例如100 片半導(dǎo)體晶片W。晶舟ll由耐熱及耐腐蝕性優(yōu)良的材料例如石英(或 碳化硅)形成。像這樣，由于在旋轉(zhuǎn)臺lO上載置晶舟ll，所以在旋轉(zhuǎn) 臺10旋轉(zhuǎn)時，晶舟ll也旋轉(zhuǎn)，收納在晶舟ll內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W也旋 轉(zhuǎn)。在反應(yīng)管2的周圍，配設(shè)例如由電阻發(fā)熱體制成的加熱器16以便 包圍反應(yīng)管2。利用該加熱器16，使反應(yīng)管2的內(nèi)部升溫(加熱)到 規(guī)定的溫度，其結(jié)果，將半導(dǎo)體晶片W加熱到規(guī)定的溫度。使向反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入處理氣體(例如成膜氣體、清潔氣體)的處 理氣體導(dǎo)入管17插通反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面。處理氣體導(dǎo)入管17 通過質(zhì)量流量控制器(MFC)(未圖示)連接到處理氣體供給部20。為了通過CVD在半導(dǎo)體晶片W上形成硅氮化膜(產(chǎn)品膜)，例如 可使用包括硅烷類氣體的第一成膜氣體和包括氮化氣體的第二成膜氣 體，作為成膜氣體。在此，作為硅烷類氣體，可使用二氯硅垸(DCS: SiH2Cl2)氣體，作為氮化氣體可使用氨(NH3)氣。作為第一清潔氣體，為了去除附著在反應(yīng)管2的內(nèi)部的副生成物 膜，可使用鹵酸性氣體或鹵素氣體和氫氣的混合氣體。在此，作為第 一清潔氣體，可使用氟、氟化氫氣體和作為稀釋氣體的氮氣的混合氣 體。作為第二清潔氣體，用于去除存在于反應(yīng)管2的內(nèi)面上的污染物 質(zhì)，可使用包括含氯氣體的氣體。在此，作為第二清潔氣體，可使用
包括DCS的氣體。再有，在圖1中僅描述了 1個處理氣體導(dǎo)入管17，在本實施方式 中，如圖2所示，可按照氣體的種類，插通有多個處理氣體導(dǎo)入管17。 具體地，使導(dǎo)入DCS氣體的DCS導(dǎo)入管17a、導(dǎo)入氨的氨導(dǎo)入管17b、 導(dǎo)入氟的氟導(dǎo)入管17c、導(dǎo)入氟化氫的氟化氫導(dǎo)入管17d、以及導(dǎo)入氮 的氮導(dǎo)入管17e五個處理氣體導(dǎo)入管17插通反應(yīng)管2的下端附近的側(cè) 面。此外，在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面，還插通有凈化氣體供給管 18。凈化氣體供給管18通過質(zhì)量流量控制器(MFC)(未圖示)連接 到凈化氣體供給部PGS。此外，熱處理裝置1具有進(jìn)行裝置各部的控制的控制部100。圖3 是表示控制部100的結(jié)構(gòu)的圖。如圖3所示，在控制部100上連接操 作面板121、溫度傳感器(組)122、壓力計(組)123、加熱控制器 124、 MFC控制部125、閥控制部126、真空泵127、舟升降機128等。操作面板121包括顯示畫面和操作按鈕，將操作者的操作指示傳 給控制部100，此外，在顯示畫面中顯示來自控制部100的各種信息。 溫度傳感器(組)122測定反應(yīng)管2、排氣管5和處理氣體導(dǎo)入管17 內(nèi)等各部的溫度，將其測定值通知控制部100。壓力計(組)123測定 反應(yīng)管2、排氣管5和處理氣體導(dǎo)入管17內(nèi)等各部的壓力，將測定值 通知控制部100。加熱控制器124用于單獨控制加熱器8和加熱器16。加熱控制器 124根據(jù)來自控制部100的指示，對這些加熱器通電，對其進(jìn)行加熱。 加熱控制器124分別測定這些加熱器的消耗功率，并通知控制部100。MFC控制部125控制配設(shè)于處理氣體導(dǎo)入管17 (17a 17e)、凈 化氣體供給管18等各配管上的MFC (未圖示)。MFC控制部125將流 過各MFC的氣體的流量控制在控制部100所指示的量。MFC控制部 125還測定實際流過MFC的氣體的流量，并通知控制部100。閥控制部126被配置在各配管上，將配置在各配管的閥的開度控 制在由控制部100指示的值。真空泵127被連接在排氣管5上，排出 反應(yīng)管2內(nèi)的氣體。舟升降機128通過使蓋體6上升，將載置在旋轉(zhuǎn)臺10上的晶舟11
(半導(dǎo)體晶片W)裝載到反應(yīng)管2內(nèi)。舟升降機128還通過使蓋體6 下降，從反應(yīng)管2內(nèi)卸載在旋轉(zhuǎn)臺10上載置的晶舟11(半導(dǎo)體晶片W)。 控制部IOO包括方案存儲部111、 ROM 112、 RAM 113、 1/0端口 114和CPU 115。它們通過總線116彼此連接，通過總線116在各部之 間傳遞信息。在方案存儲部111中存儲設(shè)置用方案和多個處理用方案。熱處理 裝置1的制造初期僅保存設(shè)置用方案。設(shè)置用方案是生成對應(yīng)各熱處 理裝置的熱模型等時所執(zhí)行的方案。處理用方案是用戶實際執(zhí)行的每 一熱處理(處理)中所準(zhǔn)備的方案。處理用方案規(guī)定了從向反應(yīng)管2 的半導(dǎo)體晶片W的裝載到將處理完成后晶片W卸載的各部的溫度的 變化、反應(yīng)管2內(nèi)的壓力變化、處理氣體的供給的開始及停止的計時 和供給量等。ROM 112由EEPROM、快閃存儲器、硬盤等構(gòu)成，是存儲CPU 115 的工作程序等的記錄介質(zhì)。RAM 113作為CPU 115的工作區(qū)等起作用。1/0端口 114連接著操作面板121、溫度傳感器122、壓力計123、 加熱控制器124、 MFC控制部125、閥控制部126、真空泵127、舟升 降機128、等，控制數(shù)據(jù)和信號的輸入輸出。CPU (中央處理器，Central Processing Unit) 115構(gòu)成控制部100 的中樞。CPU115執(zhí)行存儲在ROM112中的控制程序，根據(jù)來自操作 面板121的指示，按照存儲在方案存儲部111中的方案(處理用方案)， 控制熱處理裝置l的工作。即，CPU115在溫度傳感器(組)122、壓 力計(組)123、 MFC控制部125等中，測定反應(yīng)管2、排氣管5及處 理氣體導(dǎo)入管17內(nèi)的各部的溫度、壓力、流量等。此外，CPU 115還 根據(jù)其測定數(shù)據(jù)，向加熱控制器124、 MFC 125、閥控制部126、真空 泵127等輸出控制信號等，根據(jù)處理用方案來控制上述各部。接著，參照圖4，說明按上述構(gòu)成的熱處理裝置1的使用方法。在 此，首先在反應(yīng)管2內(nèi)，在半導(dǎo)體晶片W上形成硅氮化膜。接著，去 除附著在反應(yīng)管2內(nèi)的、以硅氮化物為主要成分(意思為50%以上) 的副生成物膜。接下來，去除存在于反應(yīng)管2的內(nèi)面上的污染物質(zhì)(特 別是金屬污染物質(zhì))。圖4是表示本發(fā)明的實施方式的成膜處理和清潔 處理的方案圖。
其中，在以下說明中，構(gòu)成熱處理裝置1的各部的工作由控制部100 (CPU 115)進(jìn)行控制。如前所述，控制部100 (CPU 115)通過控 制加熱控制器124 (加熱器8、加熱器16)、 MFC控制部125 (處理氣 體導(dǎo)入管17、凈化氣體供給管18)、閥控制部126、真空泵127等使得 各處理中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度、壓力、氣體的流量等成為遵循圖4所 示的方案的條件。在成膜處理中，首先，利用加熱器16將反應(yīng)管2內(nèi)加熱到規(guī)定的 裝載溫度，例如如圖4 (a)所示，加熱到30(TC。此外，如圖4 (c) 所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的氮氣(N2)。 接著，將收納半導(dǎo)體晶片W的晶舟11載置在蓋體6上，利用舟升降 機128使蓋體6上升。由此，將搭載有半導(dǎo)體晶片W的晶舟11裝入 反應(yīng)管2內(nèi)，同時密封反應(yīng)管2 (裝載工序)。接著，如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給 規(guī)定量的氮。與此同時，利用加熱器16將反應(yīng)管2內(nèi)加熱到規(guī)定的成 膜溫度(處理溫度)，例如如圖4 (a)所示的760'C。此外，排出反應(yīng) 管2內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管2減壓到規(guī)定的壓力，例如如圖4 (b)所示 的26.5Pa (0.2Torr)。然后，執(zhí)行此減壓及加熱操作，直至反應(yīng)管2在 規(guī)定的壓力及溫度下達(dá)到穩(wěn)定(穩(wěn)定化工序)。此外，控制旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13的電動機，使旋轉(zhuǎn)臺10旋轉(zhuǎn)，使晶舟ll 旋轉(zhuǎn)。通過使晶舟11旋轉(zhuǎn)，使得收納在晶舟11中的半導(dǎo)體晶片W也 旋轉(zhuǎn)，能夠均勻地加熱半導(dǎo)體晶片W。在反應(yīng)管2內(nèi)在規(guī)定的壓力及溫度下穩(wěn)定時，停止源自凈化氣體 供給管18的氮的供給。然后，從處理氣體導(dǎo)入管17(導(dǎo)入管17a、 17b) 向反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入包括含硅氣體的第一成膜氣體和包含氮化氣體的第 二成膜氣體。在此，作為第一成膜氣體，供給規(guī)定量，例如如圖4 (e) 所示的0.075升/min的DCS (SiH2Cl2)。此外，作為第二成膜氣體，供 給規(guī)定量，例如如圖4 (d)所示的0.75升/min)的氨(NH3)。導(dǎo)入反應(yīng)管2內(nèi)的DCS和氨，因反應(yīng)管2內(nèi)的熱而產(chǎn)生熱分解反 應(yīng)。借助于此分解成分，生成硅氮化物(Si3N4)，在半導(dǎo)體晶片W的 表面上形成硅氮化膜(成膜工序)。在半導(dǎo)體晶片W的表面上形成規(guī)定厚度的硅氮化膜時，停止源自
處理氣體導(dǎo)入管17的DCS和氨的供給。然后，對反應(yīng)管2內(nèi)進(jìn)行排 氣，同時如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī) 定量的氮。由此，將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體通過排出到排氣管5(凈化工序)。 其中，為了可靠地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選進(jìn)行多次反復(fù)反應(yīng)管2 內(nèi)的氣體的排出和氮的供給的循環(huán)凈化。然后，利用加熱器16使反應(yīng)管2內(nèi)成為規(guī)定的溫度，例如如圖4 (a)所示的30(TC。與此同時，如圖4 (c)所示，從凈化空氣供給管 18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的氮。由此，如圖4 (b)所示，使反應(yīng)管 2內(nèi)的壓力恢復(fù)為常壓。最后，通過利用舟升降機128使蓋體6下降， 卸載晶舟ll (卸載工序)。多次進(jìn)行上述這種成膜處理時，由成膜處理生成的硅氮化物不僅 堆積(附著)在半導(dǎo)體晶片W的表面，還作為副生成物膜堆積在反應(yīng) 管2的內(nèi)面等上。為此，為了在進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的成膜處理后去除以硅 氮化物為主要成分的副生成物膜，而進(jìn)行第一清潔處理。而且，為了 去除由第一清潔處理去除副生成物膜后在反應(yīng)管2的內(nèi)面上出現(xiàn)的污 染物質(zhì)，而進(jìn)行第二清潔處理。在第一清潔處理中，使用相對于硅氮 化物的蝕刻速度高，相對于形成反應(yīng)管2的內(nèi)面的材料(石英)的蝕 刻速度低的條件。此外，在第二清潔處理中，使用促進(jìn)通過鐵、鋁、 鎳、鈷、鈉、鈣等金屬污染物質(zhì)和第二清潔氣體中氯的反應(yīng)形成金屬 氯化物的條件。在第一清潔處理中，首先，利用加熱器16將反應(yīng)管2內(nèi)維持在規(guī) 定的裝載溫度，例如圖4 (a)所示的30(TC。此外，如圖4 (c)所示， 從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的氮。接著，將沒有收 納半導(dǎo)體晶片w的晶舟11載置在蓋體6上，利用舟升降機128使蓋 體6上升。由此，將晶舟11裝載在反應(yīng)管2內(nèi)，同時密閉反應(yīng)管2(裝 載工序)。接著，如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給 規(guī)定量的氮。與此同時，利用加熱器16將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的清 潔溫度，例如圖4 (a)所示的30(TC。此外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體， 將反應(yīng)管2減壓到規(guī)定的壓力，例如如圖4 (b)所示的20000Pa (150Torr)。然后，執(zhí)行此減壓及加熱操作，直至反應(yīng)管2在規(guī)定的壓
力和溫度下達(dá)到穩(wěn)定(穩(wěn)定化工序)。在反應(yīng)管2內(nèi)在規(guī)定的壓力和溫度下穩(wěn)定時，停止源自凈化氣體 供給管18的氮的供給。然后，作為第一清潔氣體，從處理氣體導(dǎo)入管 17 (導(dǎo)入管17c、 17d及17e)分別向反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入氟(F2)、氟化氫 (HF)和氮。在此，供給規(guī)定量，例如如圖4 (f)所示的2升/min的 氟，供給規(guī)定量，例如如圖4 (g)所示的2升/min的氟化氫，供給規(guī) 定量，例如如圖4 (c)所示的8升/min的作為稀釋氣體的氮。在反應(yīng)管2內(nèi)加熱第一清潔氣體，使第一清潔氣體中的氟活化， 即變成含有多個具有反應(yīng)性的自由原子的狀態(tài)。通過使該活化的氟與 附著在反應(yīng)管2的內(nèi)面等上的主要成分為氮的副生成物膜接觸，來腐 蝕副生成物膜，并將其去除(第一清潔工序)。在第一清潔工序中，優(yōu)選將反應(yīng)管2內(nèi)的溫度設(shè)定為比40(TC低的 溫度，更優(yōu)選設(shè)定為250°C 380°C。此溫度比250'C低時，第一清潔 氣體很難活化，有可能使得第一清潔氣體對硅氮化物的蝕刻速度比所 需的值低。此外，此溫度比380'C高時，對石英、碳化硅(SiC)的蝕 刻速度變高，有可能蝕刻選擇比下降。在第一清潔工序中，優(yōu)選將反應(yīng)管2內(nèi)的壓力設(shè)定為13.3Pa (O.lTorr) 66.5kPa (500Torr)，更優(yōu)選設(shè)定為13.3kPa (100Torr) 59.85kPa (450Torr)。通過使其在相應(yīng)的范圍內(nèi)，使得相對硅氮化物的 蝕刻速度變高，提高與石英、碳化硅(SiC)的蝕刻選擇比。去除附著在反應(yīng)管2的內(nèi)部的副生成物膜時，停止源自處理氣體 導(dǎo)入管17的第一清潔氣體的導(dǎo)入。然后，開始第二清潔處理。在第二清潔處理中，首先，對反應(yīng)管2內(nèi)進(jìn)行排氣，同時如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的氮。由 此，將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出到排氣管5。此外，利用加熱器16使反 應(yīng)管2內(nèi)為規(guī)定的溫度，例如圖4 (a)所示的40(TC。此外，將反應(yīng) 管2維持在規(guī)定的壓力，例如如圖4 (b)所示的13.3Pa (0.1Torr)。然 后，執(zhí)行此操作，直至反應(yīng)管2在規(guī)定的壓力及溫度下達(dá)到穩(wěn)定(凈 化/穩(wěn)定化工序)。在反應(yīng)管2在規(guī)定的壓力及溫度下穩(wěn)定時，停止源自凈化氣體供 給管18的氮的供給。然后，從處理氣體導(dǎo)入管17 (導(dǎo)入管17a)向反
應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入作為第二清潔氣體的DCS。在此，供給規(guī)定量，例如如圖4 (e)所示的0.05升/min的DCS。在反應(yīng)管2內(nèi)加熱第二清潔氣體，使第二清潔氣體中的氯活化，即變成含有多個具有反應(yīng)性的自由原子的狀態(tài)。通過使該活化的氯與 存在于反應(yīng)管2的內(nèi)面(其石英的表面上及表面內(nèi))的金屬污染物質(zhì)反應(yīng)，生成金屬氯化物。使如此生成的金屬氯化物升華，跟隨排氣氣 體的流動被排出到反應(yīng)管2夕卜。由此，就能夠抑制源自成膜處理中的 反應(yīng)管2的金屬污染物質(zhì)的擴(kuò)散，減少形成的膜中的金屬污染物等污 染(第二清潔工序)。在第二清潔工序中，優(yōu)選將反應(yīng)管2內(nèi)的溫度設(shè)定為20(TC以上。 該溫度低于200'C時，含氯氣體(DCS)會液化，有可能因殘留水分而 產(chǎn)生腐蝕。優(yōu)選反應(yīng)管2內(nèi)的溫度為70(TC以下，更優(yōu)選為50(TC以下。 當(dāng)為比50(TC高的高溫、特別是比700。C高的高溫時，有可能因含氯氣 體會引起Si成膜。為此，作為含氯氣體使用DCS時，優(yōu)選溫度為 20(TC 70(TC，更優(yōu)選為20(TC 50(TC。在第二清潔工序中，優(yōu)選將反應(yīng)管2內(nèi)的壓力設(shè)定為13.3Pa(O.lTorr) 53332Pa (400Torr)，更優(yōu)選設(shè)定為13.3Pa (O.lTorr) 13333Pa (100Torr)。通過使其在相應(yīng)的范圍內(nèi)，能夠使第二清潔氣體 中的氯與存在于反應(yīng)管2的內(nèi)面上的金屬污染物質(zhì)反應(yīng)，生成金屬氯 化物。再有，在本實施方式中，優(yōu)選將成膜工序的處理壓力設(shè)定為13.3Pa(O.lTorr) 53332Pa (400Torr)，更優(yōu)選設(shè)定為13.3Pa (O.lTorr) 13333Pa (100Torr)，例如1333Pa (lOTorr)以下。按照上述條件，就 能夠可靠的將成膜處理時可放出的某種金屬污染物質(zhì)轉(zhuǎn)變成金屬氯化 物，并排出到反應(yīng)管2之外。去除存在于反應(yīng)管2的內(nèi)面上的金屬污染物質(zhì)后，停止源自處理 氣體導(dǎo)入管17的第二清潔氣體的導(dǎo)入。然后，對反應(yīng)管2內(nèi)進(jìn)行排氣， 同時如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量 的氮。由此，將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出到排氣管5 (凈化工序)。然后，利用加熱器16使反應(yīng)管2內(nèi)為規(guī)定的溫度，例如圖4(a) 所示的300'C。與此同時，如圖4 (c)所示，從凈化氣體供給管18向 反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的氮。由此，如圖4 (b)所示，使反應(yīng)管2內(nèi)
的壓力恢復(fù)為常壓。最后，通過利用舟升降機128使蓋體6下降，卸 載晶舟11 (卸載工序)。通過上述這樣的處理，就去除了反應(yīng)管2的內(nèi)面和晶舟11的表面 等上的副生成物膜和金屬污染物質(zhì)。接著，將收納有新的批次的半導(dǎo) 體晶片W的晶舟11載置在蓋體6上，按如上所述的方式再次進(jìn)行成 膜處理。<實驗>作為上述實施方式的實施例PE1，使用圖1和圖2所示的熱處理 裝置，如上所述執(zhí)行成膜處理和第一及第二清潔處理，準(zhǔn)備反應(yīng)管2。 此外，作為比較例CE1，在與實施例PE1相伺的條件下執(zhí)行成膜處理 及第一清潔處理，此后，替代第二清潔處理僅進(jìn)行氮凈化，準(zhǔn)備反應(yīng) 管2。將半導(dǎo)體晶片搬入如此準(zhǔn)備好的反應(yīng)管2內(nèi)，通過將反應(yīng)管2內(nèi) 升溫到80(TC，對半導(dǎo)體晶片實施加熱處理。此后，從反應(yīng)管2搬入半 導(dǎo)體晶片，測定該晶片表面上的鐵(Fe)濃度(atoms/cm2)。圖5是表示通過此實驗得到的實施例PE1和比較例CE1的硅晶片 表面上的鐵濃度的曲線圖。如圖5所示，可確認(rèn)通過執(zhí)行第二清潔處 理大幅度地減少了半導(dǎo)體晶片上的鐵濃度。此外，即使針對鋁(Al)、 鎳(Ni)而言，也能夠確認(rèn)出在進(jìn)行同樣的濃度測定時，通過執(zhí)行第 二清潔處理減少了半導(dǎo)體晶片上的金屬濃度。這是考慮到由于活化的 氯與存在于石英(反應(yīng)管2、晶舟11)上和存在于其中的金屬反應(yīng)， 變成金屬氯化物而從反應(yīng)管2排出。<總結(jié)及變化例>如以上所說明的，根據(jù)上述實施方式，在第一清潔處理后執(zhí)行第 二清潔處理，去除存在于反應(yīng)管2內(nèi)部的金屬污染物質(zhì)。由此，能夠 抑制源自成膜處理中的反應(yīng)管2的金屬污染物質(zhì)的擴(kuò)散，降低形成的 膜中的金屬污染物等的污染。在上述實施方式中，第二清潔氣體所包括的含氯氣體由DCS組成。 關(guān)于這點，含氯氣體可以包括選自氯、氯化氫、二氯硅垸(DCS)、四 氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅垸和三氯化硼中的l種以上的氣體。作為第二清潔氣體的含氯氣體，在使用氯、氯化氫或三氯化硼的 情況下，當(dāng)處理溫度成為高于70(TC的高溫，特別是高于105(TC的高
溫時，構(gòu)成反應(yīng)管2的石英有可能被蝕刻。為此，在此情況下，優(yōu)選 第二清潔工序中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度為200。C 105(TC，更優(yōu)選為 200°C 700°C。此外，作為第二清潔氣體的含氯氣體使用二氯硅烷、四氯硅烷、 六氯乙硅烷、三氯硅烷的情況下，還能夠?qū)⑺鼈冏鳛榈谝怀赡怏w中 的硅源氣體來利用。在使用二氯硅垸、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯 硅烷的情況下，在第二清潔工序中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度成為高溫時， 就有可能形成Si膜。為此，這種情況下，優(yōu)選反應(yīng)管2內(nèi)的溫度為 200。C 700。C，優(yōu)選為200。C 50(TC。在上述實施方式中，作為第一清潔氣體中所包含的鹵酸性氣體或 鹵素氣體和氫氣的混合氣體，可使用氟、氟化氫氣體和作為稀釋氣體 的氮氣體的混合氣體(不含氯)。但是，第一清潔氣體如果是可以去除 因成膜處理而附著的副生成物膜的氣體的話，也可以是其它氣體。此 外，由于含有稀釋氣體而使得處理時間的設(shè)定變得容易，所以優(yōu)選含 有稀釋氣體。但是，第一清潔氣體也可以不包含稀釋氣體。稀釋氣體 優(yōu)選為不活潑氣體，除氮氣外，例如還可以使用氦(He)、氖(Ne)、 氬(Ar)。在上述實施方式中，作為能通過第二清潔處理去除的金屬污染物 質(zhì)，例示出鐵、鋁、鎳。關(guān)于這點，通過第二清潔處理，也能夠去除 其它的金屬污染物質(zhì)，例如鈷(Co)、鈉(Na)、鈣(Ca)。在上述實施方式中，將第一和第二清潔氣體供給到加熱到規(guī)定溫 度的反應(yīng)管2內(nèi)，并使它們活化。替代此，例如，也可以在反應(yīng)管2 外在所需處理氣體導(dǎo)入管17上配設(shè)活化機構(gòu)GAM (參照圖1)， 一邊 繼續(xù)活化一邊向反應(yīng)管2內(nèi)供給第一清潔氣體和/或第二清潔氣體。此 情況下，能夠降低第一和第二清潔工序中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度。再有， 各活化機構(gòu)GAM可利用選自熱、等離子體、光、催化劑中的1種以上 的介質(zhì)。在上述實施方式中，去除在半導(dǎo)體晶片W上形成硅氮化膜時附著 在反應(yīng)管2的內(nèi)部的以硅氮化物為主要成分的副生成物膜。代替此， 本發(fā)明也可以適用于去除在半導(dǎo)體晶片W上形成其它的含硅絕緣膜時 (例如硅氧化膜或硅氮氧化膜)附著在反應(yīng)管2的內(nèi)部的副生成物膜的情況。此情況下，為了消除硅氧化膜或硅氮氧化膜，能夠供給包括 含硅氣體的第一成膜氣體和包括氧化氣體或氮氧化氣體的第二成膜氣 體。在上述實施方式中，每一氣體種類配設(shè)處理氣體導(dǎo)入管17。替代 此，也可以按每一處理工序的種類設(shè)置處理氣體導(dǎo)入管17。而且，為 了從多個處理氣體導(dǎo)入管17導(dǎo)入相同的氣體也可以在反應(yīng)管2的下端 附近的側(cè)面插通多個。此情況下，能夠從多個處理氣體導(dǎo)入管17向反 應(yīng)管2內(nèi)供給處理氣體，更均勻地向反應(yīng)管2內(nèi)導(dǎo)入處理氣體。在本實施方式中，作為熱處理裝置，可使用單管結(jié)構(gòu)的分批式熱 處理裝置。替代此，本發(fā)明，例如能夠適用于反應(yīng)管由內(nèi)管和外管構(gòu) 成的雙管結(jié)構(gòu)的分批式立式熱處理裝置。而且，本發(fā)明也能夠適用于 單片式的熱處理裝置。被處理基板不限于半導(dǎo)體晶片W，例如也可以 是LCD用的玻璃基板。成膜裝置的控制部100不限于專用的系統(tǒng)，使用常規(guī)的計算機系 統(tǒng)就能夠?qū)崿F(xiàn)。例如，通過在通用的計算機中，從保存有用于執(zhí)行上 述處理的程序的記錄介質(zhì)(軟盤、CD-ROM等)中安裝相應(yīng)的程序， 就能夠構(gòu)成執(zhí)行上述處理的控制部100。用于供給這些程序的方法是任意的。程序除了可以通過上述規(guī)定 的記錄介質(zhì)供給外，例如，也可以通過通信線路、通信網(wǎng)絡(luò)、通信系 統(tǒng)等供給。此情況下，例如，可以在通信網(wǎng)絡(luò)的公告板(BBS)上公 示該程序，將其通過網(wǎng)絡(luò)重疊在傳送波上提供。而且，由于啟動這樣 提供的程序，在OS的控制下，就能夠與其它的應(yīng)用程序一樣執(zhí)行， 能夠執(zhí)行上述的處理。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體處理用的成膜裝置的使用方法，其特征在于，包括利用第一清潔氣體從所述成膜裝置的反應(yīng)室的內(nèi)面去除副生成物膜的第一清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第一清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓力；和利用第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì)的第二清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清潔氣體活化的第二溫度和第二壓力，所述第二清潔氣體包括含氯氣體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述污染物質(zhì)為金屬污染物質(zhì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬污染物質(zhì)包括選自鐵、鋁、鎳、鈷、鈉和鈣中的1種以 上的金屬。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述含氯氣體包括選自氯、氯化氫、二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅垸、三氯硅垸和三氯化硼中l(wèi)種以上的氣體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面以選自石英、碳化硅中的材料為主要成分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 將所述第二溫度設(shè)定為200 700°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 將所述第二壓力設(shè)定為13.3 53332Pa。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述副生成物膜包含選自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物質(zhì)作為主要成分，所述第一清潔氣體包括鹵元素和氫元素。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體是不含氯的氣體，包括選自鹵酸性氣體、鹵元 素氣體和氫氣的混合氣體中的1種以上的氣體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于， 將所述第一溫度設(shè)定為250 380°C。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于， 將所述第一壓力設(shè)定為3.3kPa 59.85kPa。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 在停止所述第一和第二清潔氣體的供給的狀態(tài)下，隔著向所述反應(yīng)室內(nèi)供給不活潑氣體的期間，將所述第一清潔氣體的供給轉(zhuǎn)換成所 述第二清潔氣體的供給。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 在所述第一和第二清潔處理之前和之后，進(jìn)一步包括在所述反應(yīng)室內(nèi)，利用CVD在被處理基板上形成選自硅氮化物、硅氧化物和硅氮 氧化物中的物質(zhì)的膜的成膜處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給包括含 硅氣體的第一成膜氣體和包括選自氮化氣體、氧化氣體和氮氧化氣體 中的氣體的第二成膜氣體。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， 所述第一成膜氣體包括含有硅和氯的氣體，也能夠作為所述第二清潔氣體使用。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一成膜氣體包括選自二氯硅垸、四氯硅垸、六氯乙硅烷和 三氯硅烷中的l種以上的氣體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， 將所述成膜處理的處理壓力P0設(shè)定為13.3 1333Pa，將所述第一壓力Pl設(shè)定為3.3kPa 59,85kPa，將所述第二壓力P2設(shè)定為13.3 53332Pa。
17. —種半導(dǎo)體處理用的成膜裝置，其特征在于，包括 收納被處理基板的反應(yīng)室； 對所述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于在所述被處理基板上形成膜的成膜氣體 的成膜氣體供給系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于從反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除來自所述成膜 氣體的副生成物膜的第一清潔氣體的第一清潔氣體供給系統(tǒng)；向所述反應(yīng)室內(nèi)供給用于從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì) 的第二清潔氣體的第二清潔氣體供給系統(tǒng)，所述第二清潔氣體包括含 氯氣體；使所述第一清潔氣體活化的第一活化機構(gòu)； 使所述第二清潔氣體活化的第二活化機構(gòu)；和 控制所述裝置的動作的控制部， 所述控制部執(zhí)行以下處理利用第一清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除副生成物膜的第 一清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第一清潔氣體，并且將 所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓 力；禾口利用第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì)的第二 清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所 述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清潔氣體活化的第二溫度和第二壓力。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二活化機構(gòu)中的一個或兩個利用選自熱、等離子體、 光、催化劑中的l種以上的介質(zhì)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，在所述第一和第二清潔處理之前和之后，所述控制部還執(zhí)行在所 述反應(yīng)室內(nèi)，利用CVD在被處理基板上形成選自硅氮化物、硅氧化物 和硅氮氧化物中的物質(zhì)的膜的成膜處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給包括含硅氣體的第一成膜氣體和包括 選自氮化氣體、氧化氣體和氮氧化氣體中的氣體的第二成膜氣體。
20. —種計算機可讀取的包括用于在處理器上執(zhí)行的程序指令的 介質(zhì)，其特征在于，在利用處理器執(zhí)行所述程序指令時，在半導(dǎo)體處理用的成膜裝置 上執(zhí)行以下處理利用第一清潔氣體從所述成膜裝置的反應(yīng)室的內(nèi)面去除副生成物 膜的第一清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第一清潔氣體， 并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第 一壓力；和利用第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì)的第二 清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所 述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清潔氣體活化的第二溫度和第二壓力， 所述第二清潔氣體包括含氯氣體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體處理用的成膜裝置的使用方法，包括利用第一清潔氣體從所述成膜裝置的反應(yīng)室的內(nèi)面去除副生成物膜的第一清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第一清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第一清潔氣體活化的第一溫度和第一壓力；和利用第二清潔氣體從所述反應(yīng)室的所述內(nèi)面去除污染物質(zhì)的第二清潔處理，在此，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給所述第二清潔氣體，并且將所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為使所述第二清潔氣體活化的第二溫度和第二壓力，所述第二清潔氣體包括含氯氣體。
文檔編號C23C16/00GK101158032SQ200710192998
公開日2008年4月9日 申請日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月4日
發(fā)明者岡田充弘, 戶根川大和, 水永覺, 西村俊治 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社