專利名稱：：研磨用組合物和研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及主要在研磨含有鎢的晶片的用途、更具體地說(shuō)是在研磨要形成鴒栓(夕^7'X亍!x75^)的、具有鵠圖案的晶片的用途中使用的研磨用組合物，以及使用該研磨用組合物的研磨方法。
背景技術(shù)：
：在專利文獻(xiàn)l中，作為在研磨含有鎢的晶片用途中使用的研磨用組合物，公開(kāi)了含有過(guò)氧化氫等氧化劑、硝酸鐵等鐵催化劑、以及二氧化硅等磨粒的研磨用組合物。但是，使用該專利文獻(xiàn)1的研磨用組合物進(jìn)行研磨時(shí)，無(wú)法避免研磨用組合物中鐵離子導(dǎo)致的晶片的鐵污染問(wèn)題。日本特開(kāi)平10-265766號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明針對(duì)上述情況而設(shè)，其目的在于提供適合研磨含有鎢的晶片的用途的研磨用組合物，以及使用該研磨用組合物的研磨方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)第l發(fā)明提供一種研磨用組合物，該研磨用組合物含有膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫，pH為1~4，研磨用組合物中鐵離子濃度為0.02ppm以下。本申請(qǐng)第2發(fā)明提供上述第l發(fā)明的研磨用組合物，該研磨用組合物中進(jìn)一步含有磷酸或磷酸鹽。本申請(qǐng)第3發(fā)明提供上述第1或第2發(fā)明的研磨用組合物，其中，對(duì)鎢膜的研磨速度與對(duì)硅氧化膜的研磨速度之比為0.5-2。本申請(qǐng)第4發(fā)明提供上述第1~3發(fā)明中任一項(xiàng)的研磨用組合物，其中，使用研磨用組合物進(jìn)行研磨后，對(duì)在晶片上以0.2jxm間隔設(shè)置0.2nm寬的鎢栓的區(qū)域測(cè)定的腐蝕量(工口一"3^量)為40nm以下。本申請(qǐng)第5發(fā)明提供研磨含有鎢的晶片的方法，該方法包括以下步驟使用對(duì)鎢膜的研磨速度與對(duì)硅氧化膜的研磨速度之比為10以上的研磨用組合物對(duì)上述晶片進(jìn)行預(yù)備研磨的步驟；使用上迷第1~4發(fā)明中任一項(xiàng)的研磨用組合物對(duì)預(yù)備研磨后的晶片進(jìn)行研磨的步驟。根據(jù)本發(fā)明，可以提供適合研磨含有鴒的晶片的用途的研磨用組合物，以及使用該研磨用組合物的研磨方法。具體實(shí)施例方式以下說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案。本實(shí)施方案的研磨用組合物如下制備將膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫優(yōu)選與pH調(diào)節(jié)劑一起與水混合，使pH為l4，且使研磨用組合物中鐵離子濃度為0.02ppm以下。因此，研磨用組合物含有膠體二氧化硅、過(guò)氧化氫和水，優(yōu)選進(jìn)一步含有pH調(diào)節(jié)劑。該研磨用組合物在研磨含有鵠的晶片的用途中使用。更具體地說(shuō)，是在研磨要形成鵠栓的、帶有鵠圖案的晶片的用途，特別是對(duì)在使用研磨用組合物進(jìn)行預(yù)備研磨后的具有硅圖案的晶片的鴒膜和硅氧化膜進(jìn)行研磨的用途中使用，其中，所述預(yù)備研磨的研磨用組合物相對(duì)于硅氧化膜選擇性地研磨鎢膜。上述膠體二氧化硅至少在pH為1~4的區(qū)域內(nèi)具有機(jī)械研磨鴒膜和硅氧化膜的作用，發(fā)揮使研磨用組合物對(duì)鴿膜和硅氧化膜的研磨速度提高的作用。使用熱解法二氧化硅或a-氧化鋁等其它磨粒代替膠體二氧化硅時(shí)，研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度無(wú)法提高至足以實(shí)際應(yīng)用的水平，并且無(wú)法使得用研磨用組合物研磨后的晶片所測(cè)定的腐蝕量降低至足以實(shí)際應(yīng)用的水平。作為研磨用組合物中含有的膠體二氧化硅，比起通過(guò)硅酸鈉法合成的膠體二氧化硅，優(yōu)選為通過(guò)溶膠凝膠法合成的膠體二氧化硅。通過(guò)溶膠凝膠法合成的膠體二氧化硅與通過(guò)硅酸鈉法合成的膠體二氧化硅相比，純度高、特別是鐵離子或鈉離子等雜質(zhì)金屬離子的含量少，這一點(diǎn)有利。通過(guò)溶膠凝膠法合成膠體二氧化硅可通過(guò)將硅酸甲酯溶解于含有甲醇、氨和水的溶劑中使其水解進(jìn)行。通過(guò)硅酸鈉法進(jìn)行的膠體二氧化硅的合成可通過(guò)使用硅酸鈉作為起始原料，經(jīng)由離子交換進(jìn)行。研磨用組合物中含有的膠體二氧化硅的平均一次粒徑優(yōu)選為10nm以上，更優(yōu)選15nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選20mn以上。隨著平均一次粒徑的增大，膠體二氧化硅機(jī)械研磨鴿膜和硅氧化膜的作用增強(qiáng)，因此研磨用組合物對(duì)鎢膜和硅氧化膜的研磨速度提高。從該點(diǎn)來(lái)講，如果膠體二氧化硅的平均一次粒徑為10nm以上、進(jìn)一步i兌為15nm以上、更進(jìn)一步說(shuō)為20nm以上，則可以使研磨用組合物對(duì)鵠膜和硅氧化膜的研磨速度提高至實(shí)際應(yīng)用中特別合適的水平。研磨用組合物中含有的膠體二氧化硅的平均一次粒徑還優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選85nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選70nm以下。隨著平均一次粒徑的減小，膠體二氧化硅的分散性提高，研磨用組合物中難以產(chǎn)生膠體二氧化硅的沉淀。從該點(diǎn)考慮，如果膠體二氧化硅的平均一次粒徑為100nm以下、進(jìn)一步說(shuō)為85nm以下，更進(jìn)一步說(shuō)為70nm以下，則可以使研磨用組合物中膠體二氧化硅的分散性提高至實(shí)際應(yīng)用中特別合適的水平。如果"交體二氧化珪的平均一次粒徑為70nm以下，則可以抑制由于膠體二氧化硅平均一次粒徑過(guò)大而可能引起的研磨用組合物對(duì)鎢膜的研磨速度的降低。以上說(shuō)明的平均一次粒徑的值是根椐BET法測(cè)定的膠體二氧化硅的比表面積計(jì)算得出。研磨用組合物中膠體二氧化硅的含量?jī)?yōu)選為20g/L以上，更優(yōu)選30g/L以上，進(jìn)一步優(yōu)選40g/L以上。隨著膠體二氧化硅含量的增加，研磨用組合物對(duì)鵠膜和硅氧化膜的研磨速度提高。從該點(diǎn)考慮，如果研磨用組合物中膠體二氧化硅的含量為20g/L以上、進(jìn)一步說(shuō)為30g/L以上、更進(jìn)一步說(shuō)為40g/L以上，則可以使研磨用組合物對(duì)鎢膜和硅氧化膜的研磨速度提高至實(shí)際應(yīng)用中特別優(yōu)選的水平。研磨用組合物中膠體二氧化硅的含量還優(yōu)選為200g/L以下，更優(yōu)選150g/L以下，進(jìn)一步優(yōu)選120g/L以下。膠體二氧化硅的含量過(guò)多則研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度比對(duì)鎢膜的研磨速度高很多。從該點(diǎn)考慮，如果研磨用組合物中膠體二氧化硅的含量為200g/L以下、進(jìn)一步說(shuō)為150g/L以下、更進(jìn)一步說(shuō)為120g/L以下，則可以抑制研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度比對(duì)鴒膜的研磨速度高很多的問(wèn)題。上述過(guò)氧化氫具有氧化鵠膜的作用，發(fā)揮使研磨用組合物對(duì)鵠膜的研磨速度提高的作用。研磨用組合物中含有的過(guò)氧化氫優(yōu)選為EL級(jí)，即，為電子工業(yè)用高純度品。研磨用組合物中過(guò)氧化氫的含量?jī)?yōu)選為5g/L以上，更優(yōu)選IOg/L以上，進(jìn)一步優(yōu)選15g/L以上。隨著過(guò)氧化氫含量的增加，研磨用組合物對(duì)鵠膜的研磨速度提高。從該點(diǎn)考慮，如果研磨用組合物中過(guò)氧化氫的含量為5g/L以上、進(jìn)一步說(shuō)為10g/L以上、更進(jìn)一步說(shuō)為15g/L以上，則可以使研磨用組合物對(duì)鴒膜的研磨速度提高至實(shí)際應(yīng)用中特別合適的水平。研磨用組合物中過(guò)氧化氬的含量還優(yōu)選為150g/L以下，更優(yōu)選100g/L以下，進(jìn)一步優(yōu)選70g/L以下。隨著過(guò)氧化氫含量的減少，研磨用組合物的材料成本可以降低。從該點(diǎn)考慮，如果研磨用組合物中過(guò)氧化氫的含量為150g/L以下、進(jìn)一步說(shuō)為100g/L以下、更進(jìn)一步說(shuō)為70g/L以下，則在成本與效果的平衡方面有利。上述pH調(diào)節(jié)劑可根據(jù)需要適當(dāng)添加，以使研磨用組合物的pH為1-4,優(yōu)選1.2~3，更優(yōu)選1.5~2.5。作為pH調(diào)節(jié)劑使用的酸可以是選自硝酸、鹽酸、硼酸、硫酸和磷酸的無(wú)機(jī)酸，也可以是選自琥珀酸、檸檬酸、蘋果酸、甘油酸、扁桃酸、抗壞血酸、谷氨酸、乙醛酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、酒石酸、馬來(lái)酸和衣康酸的有機(jī)酸。其中，硝酸在提高研磨用組合物穩(wěn)定性方面優(yōu)選，磷酸在提高研磨用組合物對(duì)鵠膜的研磨速度方面優(yōu)選，檸檬酸在使研磨用組合物中的過(guò)氧化氫穩(wěn)定方面優(yōu)選。作為pH調(diào)節(jié)劑使用的堿優(yōu)選為氨、除季銨鹽之外的銨鹽、或堿金屬氫氧化物，更優(yōu)選除氫氧化鈉以外的堿金屬氫氧化物或氨，最優(yōu)選氨。使用氨、除季銨鹽以外的銨鹽、或堿金屬氫氧化物時(shí)，與使用其它堿、特別是使用季銨鹽的情形相比，可以獲得具有良好的漿料穩(wěn)定性的研磨用組合物。使用氬氧化鈉以外的堿金屬氫氧化物或氨時(shí)，可以避免鈉離子向硅氧化膜中擴(kuò)散導(dǎo)致的問(wèn)題，使用氨時(shí)，可以避免堿金屬離子向硅氧化膜中擴(kuò)散導(dǎo)致的問(wèn)題。從容易獲得的角度考慮，氫氧化鈉以外的堿金屬氫氧化物優(yōu)選氫氧化鉀。研磨用組合物的pH必須為4以下。這是由于如果研磨用組合物的pH為中性或堿性，則無(wú)法使研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度提高至足以實(shí)際應(yīng)用的水平；如果研磨用組合物的pH為弱酸性，則研磨用組合物中膠體二氧化硅的穩(wěn)定性差。為了使研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度提高至實(shí)際應(yīng)用中特別合適的水平，研磨用組合物的pH優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選2.5以下。研磨用組合物的pH還必須為1以上。這是由于，如果研磨用組合物的pH低于1，則無(wú)法使研磨用組合物對(duì)鴿膜的研磨速度提高至足以實(shí)際應(yīng)用的水平。為了使研磨用組合物對(duì)鎢膜的研磨速度提高至特別適合實(shí)際應(yīng)用的水平，優(yōu)選研磨用組合物的pH為1.2以上，更優(yōu)選1.5以上。如上所述，本實(shí)施方案的研磨用組合物也在對(duì)進(jìn)行了預(yù)備研磨后的具有鎢圖案的晶片進(jìn)行研磨的用途中使用，其中所述預(yù)備研磨是使用相對(duì)于硅氧化膜可選擇性地研磨鴒膜的研磨用組合物進(jìn)行的。相對(duì)于硅氧化膜選擇性地研磨鵠膜的研磨用組合物例如可以使用含有膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫、pH為5~8.5的研磨用組合物。在預(yù)備研磨時(shí)使用的研磨用組合物優(yōu)選對(duì)鴒膜的研磨速度與對(duì)硅氧化膜的研磨速度之比為10以上。本實(shí)施方案可得到以下優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)施方案的研磨用組合物含有膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫，pH設(shè)定為1~4，因此可以以高研磨速度對(duì)鴒膜和硅氧化膜進(jìn)行研磨，并且可以以同等程度的研磨速度對(duì)鎢膜和硅氧化膜進(jìn)行研磨。研磨用組合物中的鐵離子濃度為0.02ppm以下，因此可以極力抑制晶片的鐵污染。因此，適合研磨含有鵠的晶片的用途，更具體地說(shuō)，適合研磨要形成鎢栓的、具有鴒圖案的晶片的用途，特別適合用相對(duì)于硅氧化膜選擇性地研磨鵠膜的研磨用組合物進(jìn)行預(yù)備研磨后得到的具有鎢圖案的晶片進(jìn)行研磨的用途。本實(shí)施方案的研磨用組合物中不含有碘酸鹽或高碘酸鹽等碘化合物，因此不用擔(dān)心在研磨中會(huì)從研磨用組合物中產(chǎn)生可能腐蝕研磨裝置或研磨墊的碘氣。上述實(shí)施方案可進(jìn)行如下變更。.上述實(shí)施方案的研磨用組合物中可以含有兩種以上的膠體二氧化硅，例如含有平均一次粒徑不同的兩種以上的膠體二氧化硅。'上述實(shí)施方案的研磨用組合物中可以含有兩種以上的pH調(diào)節(jié)劑。-上迷實(shí)施方案的研磨用組合物中可以添加磷酸鹽。添加了磷酸鹽時(shí)，與使用磷酸作為pH調(diào)節(jié)劑的情況相同，可以使研磨用組合物對(duì)鎢膜的研磨速度提高。研磨用組合物中添加的磷酸鹽可以是堿金屬的磷酸鹽，也可以是磷酸二氫銨等磷酸銨?？梢愿鶕?jù)需要在上述實(shí)施方案的研磨用組合物中添加表面活性劑、水溶性高分子、金屬螯合劑。表面活性劑可以是陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑的任意一種。水溶性高分子例如可以是聚丙烯酸、羥乙基纖維素或支鏈淀粉。金屬螯合劑例如可以是乙二胺四乙酸或二亞乙基三胺五乙酸。.上述實(shí)施方案的研磨用組合物可以是單劑型，也可以是以雙劑型為代表的多劑型。制成多劑型時(shí)，含有膠體二氧化硅的制劑的pH優(yōu)選為6~12,更優(yōu)選6.5-11。該pH過(guò)低，則膠體二氧化硅的分散穩(wěn)定性不好，容易發(fā)生凝膠化。相反pH過(guò)高時(shí)，可能引起膠體二氧化硅的溶解。上述實(shí)施方案的研磨用組合物可通過(guò)用水稀釋研磨用組合物的原液來(lái)制備。上述實(shí)施方案的研磨用組合物也可以在研磨要形成鵠布線的、具有鉤圖案的晶片的用途中使用。下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例和比較例。通過(guò)將膠體二氧化硅、過(guò)氧化氫、酸、堿和磷酸鹽與水適當(dāng)混合來(lái)制備實(shí)施例1-16的研磨用組合物。通過(guò)將膠體二氧化硅或其替代磨粒、過(guò)氧化氫或其替代的氧化劑、酸、堿、和磷酸鹽或其替代鹽與水適當(dāng)混合，制備比較例1~12的研磨用組合物。各例子的研磨用組合物中的膠體二氧化硅或其替代磨粒、過(guò)氧化氫或其替代的氧化劑、酸、堿、和磷酸鹽或其替代鹽的詳細(xì)內(nèi)容，以及測(cè)定研磨用組合物的pH和研磨用組合物中鐵離子濃度的結(jié)果如表1所示。研磨用組合物中的鐵離子濃度的測(cè)定使用林式會(huì)社島津制作所制造的等離子體發(fā)光分析裝置"ICPS-8100"。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表1的"膠體二氧化硅或其替代磨粒"欄中，"膠體二氧化硅"，表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為28nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'2，，表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為23nm的膠體二氧化硅，"膠體二氣化硅""表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為36nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'4，，^^示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為44nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅""表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為67nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'6，，表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為36nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'7，，表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為11nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'8，，表示通過(guò)溶膠凝膠法得到的平均一次粒徑為90nm的膠體二氧化硅，"膠體二氧化硅'9，，表示通過(guò)硅酸鈉法得到的平均一次粒徑為30nm的膠體二氧化硅，"熱解法二氧化硅"表示平均粒徑為30nm的熱解法二氧化硅，"a-氧化鋁"表示平均粒徑為190nm的a-氧化鋁。表1的"氧化劑"欄中，"H202"表示過(guò)氧化氫，"H5I06"表示原高碘酸。表l的"堿，，欄中，"KOH"表示氫氧化鉀，"NH3，，表示氨。表1的"鹽類"欄中，"NH4H2P04"表示磷酸二氫銨，"NH4N03"表示硝酸銨，"NH4C1"表示氯化銨。下述表2的"鎢膜的研磨速度，，欄和"硅氧化膜的研磨速度"欄表示使用各例子的研磨用組合物，在表3所示的研磨條件下對(duì)覆蓋鎢的晶片(夕〉^x亍:/7，/^、乂卜々工八)和覆蓋teos的晶片(teos75>，、;/卜々工八)進(jìn)行研磨時(shí)測(cè)定鎢膜的研磨速度和硅氧化膜(teos膜)的研磨速度的結(jié)果。研磨速度是用研磨前后各晶片厚度的差除以研磨時(shí)間求出覆蓋鎢的晶片的厚度測(cè)定是使用國(guó)際電氣、〉義亍厶廿一tf;M朱式會(huì)社的片電阻測(cè)定儀"VR-120"，覆蓋TEOS的晶片的厚度測(cè)定是使用亇一工A工一.亍:/]一A公司膜厚測(cè)定裝置"ASETF5x"。表2的"選擇比"欄表示由上述求出的鵠膜和硅氧化膜的研磨速度計(jì)算鴿膜的研磨速度與硅氧化膜的研磨速度的比例的結(jié)果。表2的"腐蝕"欄表示對(duì)使用各例子的研磨用組合物、在表3所示的研磨條件下進(jìn)行研磨的具有鎢圖案的晶片(株式會(huì)社7卜VO于7々制造)測(cè)定腐蝕量的結(jié)果。所使用的具有鎢圖案的晶片由下至上依次設(shè)置有400nm厚的TEOS膜、20nm厚的鈦膜、50nm的氮化鈦膜和400nm厚的鵠膜。將具有鎢圖案的晶片研磨至TEOS膜的研磨量達(dá)到厚度80nm，在晶片上形成以0.2pm間隔設(shè)置的0.2nm寬的鎢栓。腐蝕量的測(cè)定使用亇一工^工一'亍>]一^公司的接觸式表面測(cè)定裝置-口:77<，"HRP340"進(jìn)行。表2的"鐵污染"欄表示對(duì)使用各例子的研磨用組合物、在表3所示的研磨條件下進(jìn)行研磨后得到的具有鎢圖案的晶片的鐵污染程度進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，使用林式會(huì)社亍々乂X制造的全反射熒光X射線分析裝置"TREX620",計(jì)測(cè)研磨后具有鎢圖案的晶片表面的鐵原子個(gè)數(shù)，低于lxlO,個(gè)原子/cm"時(shí)，評(píng)價(jià)為O(良)，為"101()[個(gè)原子/cm"以上時(shí)評(píng)價(jià)為x(不良)。表2的"漿料穩(wěn)定性"欄表示對(duì)各例子的研磨用組合物的漿料穩(wěn)定性進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)杲，具體地說(shuō)，將1L各例子的研磨用組合物加入到容量為1L的聚乙烯瓶中，保持在8(TC的恒溫槽中，在經(jīng)過(guò)了l天時(shí)，如果研磨用組合物中產(chǎn)生沉淀或研磨用組合物發(fā)生凝膠化，則判定為x(不良)；l天后沒(méi)有變化，但經(jīng)過(guò)一周時(shí)有沉淀或凝膠化時(shí)則判定為厶(尚可)；即使經(jīng)過(guò)一周也沒(méi)有沉淀或凝膠化時(shí)則評(píng)價(jià)為O(良)。表2的"碘氣"欄表示對(duì)各例子的研磨用組合物的碘氣濃度進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，使用理研計(jì)器林式會(huì)社的碘氣濃度檢測(cè)器"EC-777"測(cè)定各例子的研磨用組合物的碘氣濃度，在碘氣濃度為0.1卯m以下時(shí)評(píng)價(jià)為O(良)，高于0.1ppm時(shí)評(píng)價(jià)為x(不良)。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表2所示，在實(shí)施例1~16的研磨用組合物中，鵠膜的研磨速度和硅氧化膜的研磨速度均為100nm/分鐘以上，得到了足以實(shí)際應(yīng)用的值。并且在實(shí)施例1~16的研磨用組合物中，鎢膜的研磨速度與硅氧化膜的研磨速度程度相同，鎢膜和硅氧化膜之間的選擇比得到了0.5~2.0的值。在實(shí)施例1~16的研磨用組合物中，對(duì)于腐蝕量得到了40nm以下的足以實(shí)際應(yīng)用的水平的值。并且在實(shí)施例1~16的研磨用組合物中，對(duì)于鐵污染的評(píng)價(jià)為良。與此相對(duì)，比較例1、2的研磨用組合物對(duì)硅氧化膜的研磨速度過(guò)低，至少該點(diǎn)即無(wú)法實(shí)際應(yīng)用。比較例3、4、7~9的研磨用組合物中關(guān)于鐵污染的評(píng)價(jià)為不良，至少該點(diǎn)不能實(shí)際應(yīng)用。比較例5的研磨用組合物中關(guān)于碘氣評(píng)價(jià)為不良，至少該點(diǎn)無(wú)法實(shí)際應(yīng)用。比較例6、11、12的研磨用組合物對(duì)鵠膜的研磨速度過(guò)低，至少該點(diǎn)無(wú)法實(shí)際應(yīng)用。比較例10的研磨用組合物的漿料穩(wěn)定性評(píng)價(jià)不良，至少該點(diǎn)無(wú)法實(shí)際應(yīng)用。權(quán)利要求1.研磨用組合物，其特征在于，該研磨用組合物含有膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫，pH為1～4，研磨用組合物中的鐵離子濃度為0.02ppm以下。2.權(quán)利要求1的研磨用組合物，其特征在于，該研磨用組合物中進(jìn)一步含有磷酸或磷酸鹽。3.權(quán)利要求1或2的研磨用組合物，其特征在于，對(duì)鎢膜的研磨速度與對(duì)硅氧化膜的研磨速度之比為0.5~2。4.權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)的研磨用組合物，其中，使用研磨用組合物進(jìn)行研磨后，對(duì)在晶片上以0.2pm間隔設(shè)置0.2pm寬的鎢栓的區(qū)域測(cè)定的腐蝕量為40nm以下。5.研磨含有鎢的晶片的方法，該方法包括以下步驟使用對(duì)鎢膜的研磨速度與對(duì)硅氧化膜的研磨速度之比為10以上的研磨用組合物對(duì)上述晶片進(jìn)行預(yù)備研磨的步驟；使用權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)的研磨用組合物對(duì)預(yù)備研磨后的晶片進(jìn)行研磨的步驟。全文摘要本發(fā)明提供更適合研磨含有鎢的晶片的用途的研磨用組合物，以及使用該研磨用組合物的研磨方法。本發(fā)明的研磨用組合物含有膠體二氧化硅和過(guò)氧化氫。研磨用組合物的pH為1～4，研磨用組合物中鐵離子濃度為0.02ppm以下。研磨用組合物進(jìn)一步優(yōu)選含有磷酸或磷酸鹽。文檔編號(hào)B24B37/00GK101200628SQ200710193448公開(kāi)日2008年6月18日申請(qǐng)日期2007年11月27日優(yōu)先權(quán)日2006年11月27日發(fā)明者佐藤英行,服部雅幸,河村篤紀(jì)申請(qǐng)人:福吉米股份有限公司