專利名稱：用于大基片上沉積的磁控管源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及用于在基片上沉積材料的設(shè)備。
背景技術(shù)：
在由大的支座支承的大基片或多基片上的材料沉積被廣泛用于窗玻璃涂覆、平板顯示器制造、柔性薄膜涂覆、硬盤涂覆、工業(yè)表面涂覆、半導(dǎo)體晶片加工和其他應(yīng)用中。在這樣的沉積系統(tǒng)中，不茲控管源、靶和基片可以相對于彼此傳送。靶的至少一個(gè)尺寸需要大于基片的一個(gè)尺寸，以至于該基片可以完全被靶濺射出來的材料覆。
在常規(guī)的用于大基片的沉積系統(tǒng)中存在著不同的設(shè)計(jì)。但是這些
設(shè)計(jì)都具有不同的缺點(diǎn)。在如圖1A-圖1D所示的第一個(gè)例子中，沉積系統(tǒng)100包括在真空室120中的大基片115上的細(xì)長的矩形靶110。磁控管130保持在耙110之后?；?15可以在方向150上相對于靶110和磁控管130傳送來在基片115的上表面上接收均勻的沉積。^磁控管130相對于草巴110是固定的。沉積系統(tǒng)IOO還可以包括電源140,其可以在耙和真空室120的壁之間產(chǎn)生電偏壓。
磁控管130包括第 一極性的磁極132以及與第 一極性相反極性的磁極135。磁控管120可以在如圖1B所示的靶110下側(cè)的濺射表面112外部產(chǎn)生磁通量?？梢栽跒R射表面112外部形成閉合環(huán)路/磁場軌跡來捕捉電子并因此增強(qiáng)靠近濺射表面112的等離子體。更多的電子在靠近由平行于濺射表面112的磁控管130所產(chǎn)生的最大磁場處被捕捉。具有最大磁場強(qiáng)度的位置形成閉合環(huán)路，其可以引導(dǎo)自由電子的遷移路徑。該閉合環(huán)路磁場提高了濺射氣體的電離效率并降低了在賊射沉積過程中的操作壓力。由于磁場產(chǎn)生的增強(qiáng)的、減射可
6以在反復(fù)濺射操作后在濺射表面112上產(chǎn)生腐蝕圖案，如圖1D所示。
沉積系統(tǒng)100的缺點(diǎn)是磁控管130在沉積過程中相對于輩巴110是固定的，這在靶110的濺射表面112上產(chǎn)生不均勻的腐蝕。該不均勻的腐蝕會導(dǎo)致低的靶利用率以及在濺射表面112的具有低的磁場強(qiáng)度的區(qū)域上產(chǎn)生濺射靶材料的再沉積。 一 些累積的材料可能脫離靶110并將不期望的粒子沉積在基片115上。
另外一種常規(guī)的沉積系統(tǒng)200表示在圖2A和圖2B中。該沉積系統(tǒng)200包括大草巴210、真空室220以及在大耙210背面(與濺射表面212相對)上的^f茲控管230。 /磁控管230可以沿著方向250來回掃描?；?15保持在基片托217上。對于具有比基片大的尺寸的靶，基片215在沉積過程中保持靜止，而對于較小靶，基片215可以對于靶210進(jìn)行相對移動(dòng)。
雖然磁控管230相對于靶210的掃描可以提高靶的利用率以及防止靶材料再沉積，但是沉積系統(tǒng)200具有使用大的靶并因而是昂貴的耙的缺點(diǎn)。此外，僅磁控管230的單個(gè)軌跡能達(dá)到在掃描方向端點(diǎn)處的耙210的區(qū)域，而在靶210的中間部分磁電管230的兩個(gè)軌跡都能掃描到。這個(gè)局限降低了靠近靶210邊緣的濺射率，導(dǎo)致了在基片115上產(chǎn)生不均勻的沉積。
又一個(gè)常規(guī)沉積系統(tǒng)300表示在圖3中。該沉積系統(tǒng)300包括圓形耙310、固定的磁控管330、可以沿著一個(gè)方向傳送的基片315以及真空室320。圓形靶310可以通過轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)圍繞著磁控管330轉(zhuǎn)動(dòng)來將圓形耙310的不同區(qū)域曝露到磁控管310的磁場，使得靶材料可以在濺射表面312處進(jìn)行賊射。由于靶310循環(huán)移動(dòng)，所以腐蝕圖案可以更均勻。單件圓形靶312的高成本是沉積系統(tǒng)300的主要缺點(diǎn)。此外，耙材料經(jīng)常噴射到墊板313上，這降低了沉積材料的質(zhì)量。轉(zhuǎn)動(dòng)傳送機(jī)構(gòu)的真空密封同樣是一個(gè)工程上的挑戰(zhàn)。由于轉(zhuǎn)動(dòng)傳送機(jī)構(gòu)的不可靠的真空密封，會降低系統(tǒng)的可靠性。
常規(guī)沉積系統(tǒng)的另外 一 種缺點(diǎn)是它們不適于厚靶，特別是包含磁體或鐵磁體材料的靶。磁控管而產(chǎn)生的磁場不能穿透所述厚靶。靶厚度的局限減少了對于每個(gè)靶轉(zhuǎn)換能夠沉積的材料的量。
常規(guī)沉積系統(tǒng)的又 一 缺點(diǎn)是靶寬度必須足夠大到容納至少 一 個(gè)
磁場環(huán)路。實(shí)際上，靶寬度典型的為大于3英寸寬。這將增加靶的
成本以及增大系統(tǒng)的尺寸。
常規(guī)沉積系統(tǒng)的又一缺點(diǎn)是沉積僅僅在基片的 一 面進(jìn)行。雙面常
規(guī)沉積系統(tǒng)400需要真空室420中的兩個(gè)相對的磁控管430a和430b以及兩個(gè)相關(guān)聯(lián)的草巴410a和410b,如圖4所示。可以有兩個(gè)間隔的基片415a和415b,或一個(gè)基片的兩個(gè)沉積表面。

發(fā)明內(nèi)容
系統(tǒng)的實(shí)施可以包括下面的一個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)方面，本發(fā)明涉及 一 種用來在沉積系統(tǒng)中靠近靶表面產(chǎn)生磁場的磁控管源，其包含第一f茲體；
沿著第一方向與第一磁體通過間隙隔開的第二磁體；以及
覃巴托，該耙托被配置來保持處于第一^茲體和第二磁體之間的間隙中的靶，其中靶包括濺射表面，由此靶材料可以被濺射和沉積到基片上，并且其中將靶托如此配置以使得濺射表面基本上平行于所述第一方向并且第一磁體和第二磁體能夠靠近靶表面產(chǎn)生磁場。
在另外 一 個(gè)方面，本發(fā)明涉及 一 種用來在沉積系統(tǒng)中靠近耙表面產(chǎn)生磁場的磁控管源，其包含
形成第 一 閉合環(huán)路的第 一磁體；
形成第二閉合環(huán)路的第二磁體，其中第二磁體沿著第一方向與第一》茲體通過間隙隔開，且其中第一^茲體和第二磁體包含相反的磁極性；以及
乾托，其被配置來保持在第一磁體和第二磁體之間的間隙中的一個(gè)或多個(gè)靶，其中每個(gè)靶包含濺射表面，由此靶材料可以被濺射和沉積到基片上，以及其中將靶托如此配置以使得濺射表面基本上平行于第一方向并且第一磁體和第二磁體能夠靠近一個(gè)或多個(gè)靶的表面產(chǎn)生i茲場。
8在另外一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種沉積系統(tǒng)，其包含 磁控管源，其包含 第一磁體；以及
沿著第 一 方向與第 一 磁體通過間隙隔開的第二磁體；
耙托，其被配置來保持處于第一磁體和第二磁體之間的間隙中的 耙，其中耙包括賊射表面，由此耙材料可以被濺射和沉積到基片上， 以及其中將革巴托如此配置以使得濺射表面基本上平行于第 一 方向并 且第 一磁體和第二磁體能夠靠近靶的濺射表面產(chǎn)生磁場；以及
基片托，其被配置來保持基片，所述基片適于接收靶的濺射表面 所濺射的材料。
在另外一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種沉積系統(tǒng)，其包含
多個(gè)磁控管源，每個(gè)磁控管源包含 第一》茲體；以及
沿著第 一 方向與第 一 磁體通過間隙隔開的第二磁體；
一個(gè)或多個(gè)靶托，其被配置來保持處于每個(gè)磁控管源的第 一磁體 和第二磁體之間的間隙中的耙，其中靶包括'減射表面，由此靶材料 可以被濺射和沉積到基片上，以及其中將靶托如此配置以使得濺射 表面基本上平行于所述第一方向并且磁控管源中的第一磁體和第二 磁體能夠靠近靶的濺射表面產(chǎn)生磁場；以及
傳送機(jī)構(gòu)，其被配置為使基片相對于一個(gè)或多個(gè)靶托移動(dòng)，從而 使基片的不同區(qū)域接收靶的濺射表面所濺射的材料。
實(shí)施方案可以包括 一 種或多種下面的優(yōu)點(diǎn)。所公開的沉積系統(tǒng)可 以提供在大基片上的均勻的沉積。所公開的磁控管源可以通過降低 靶中的不均勻的腐蝕圖案來提高靶利用率和降低靶成本。
所公開的沉積系統(tǒng)可以提高在靶表面的濺射表面上的磁場均勻 性和沿著基片產(chǎn)生高的并且可控制的沉積速率。此外，所公開的沉 積系統(tǒng)可以明顯降j氐在常M^沉積系統(tǒng)中由于耙材料的再沉積而引起 的污染。
對于磁體和4失磁體靶材料，所公開的沉積系統(tǒng)可以產(chǎn)生高的濺射
9速率。此外，所公開的系統(tǒng)可以使用厚的靶材料。
所7>開的》茲控管源可以減少沉積系統(tǒng)的占地面積。所述沉積系統(tǒng) 適于雙面沉積。
一種或多種實(shí)施方案的細(xì)節(jié)在附圖和下面的說明中進(jìn)行闡明。本 發(fā)明的其他特征、目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)從說明書和附圖以及從權(quán)利要求中可 以變得顯而易見。


圖1A表示一種常規(guī)的沉積系統(tǒng)的截面。 圖1B是圖1A的常規(guī)的沉積系統(tǒng)的截面視圖。 圖1C是圖1A的常規(guī)的沉積系統(tǒng)中的磁控管源的底視圖。 圖1D是圖1A的常規(guī)的沉積系統(tǒng)中的靶和該靶上的腐蝕圖案的 底視圖。
圖2A表示另外一種常規(guī)的沉積系統(tǒng)的截面。 圖2B是圖2A的常規(guī)的沉積系統(tǒng)的截面視圖。 圖3表示又一種常規(guī)的沉積系統(tǒng)的透視圖。 圖4是一種用于雙面沉積的常規(guī)的沉積系統(tǒng)的截面視圖。 圖5A表示依照本發(fā)明的一種沉積系統(tǒng)。 圖5B表示圖5A的沉積系統(tǒng)中的》茲控管源以及相關(guān)聯(lián)的靶。 圖6表示一種具有磁控管源的沉積系統(tǒng)，所述磁控管源包括一個(gè) 或多個(gè)電導(dǎo)體線圏。
圖7表示一種能夠在基片上面或下面提供多個(gè)靶的沉積系統(tǒng)。 圖8表示磁控管源和包含用于磁控管的多種材料的靶。
具體實(shí)施例方式
圖5A表示根據(jù)本發(fā)明的一種沉積系統(tǒng)500。圖5B表示磁控管 源和靶530以及一個(gè)或多個(gè)靶510a-510c。該沉積系統(tǒng)500包括一個(gè) 或多個(gè)耙510a、 510b、 510c、 510d,磁控管源530,可以沿著方向 550傳送的基片515,以及真空室520。磁控管源530可以包含在基片515上面的一對磁體530a和531a?！菲濗w530a可以是"北"極性， 磁體531a是"南"極性，這產(chǎn)生了從如圖5A所示的從》茲體530a到 /磁體531a的》茲通線。同樣地， 一對/磁體530b和531b位于基片515 下面。兩對磁體530a/531a和530b/531b可以產(chǎn)生具有基本上平行于 濺射表面512a和512b的分量的磁場線。磁控管源530還包括兩對 垂直的磁體530c/531c和530d/531d (為了清楚未示出)，每一對為 相反極性。"北，，才及性》茲體530a、 530b、 530c和530d可以形成閉 合環(huán)路。類似地，》茲體531a、 531b、 531c和531d中的"南，，才及性 的磁體也可以形成閉合環(huán)路。每對磁體530a/531a、 530b/531b、 530c/531c或530d/531d還可以在外緣通過鐵磁性材料而連接，這可 以提高靠近濺射表面512a-d的磁場強(qiáng)度。
磁體530a-d和磁體531a-d可以包含永磁體，例如稀土磁體或陶 瓷磁體。它們可以用鐵磁性材料例如400系列不銹鋼和Mu金屬而 相連接。在本i兌明書中，如下所述，》茲體530a-d還可以包括電導(dǎo)體 線圈或電》茲體，其可以產(chǎn)生類似于永》茲材料的磁通量。
靶510a-510c和靶510d (為了清楚在圖5B中未示出)夾在兩個(gè) 相反極性的閉合環(huán)路的磁體之間。耙510a-510d的橫截面還可以采用 其他的形狀，例如彎曲表面、非正交側(cè)壁和非平坦濺射表面。真空 室520處于接地電位或正偏置的?；?15可以處于獨(dú)立偏置的接 地電位。磁體530a-530d可以作為陽極的一部分而保持在接地電位或 正偏置的。靶510a-510d是與真空室520絕緣的并且在沉積過程中是 負(fù)偏置的，在所述環(huán)路周圍形成連續(xù)的電場。靶510a-510d可以彼此 分離，每個(gè)獨(dú)立偏置，或通過同一電源而偏置。四個(gè)輩巴的每個(gè)的濺 射速率因此可以單獨(dú)變化。靶510a-510d還可以通過單個(gè)靶件材料連 接或形成，其是單電源偏置的。負(fù)偏置的靶510a-510d吸引和加速陽 離子，以使材料濺射出靶510a-510d的濺射表面512a-512d，其可以 隨后沉積到基片515上。
大基片的典型尺寸是一側(cè)為1-2米。例如，第八代平板基片是大 約2.2 x 2.4米。長耙510a和510b的長度典型地比基片的較小尺寸長至少0.1米。短靶510c和510d的長度典型地比所述基片和基片托 的厚度長至少0.1米。
電偏壓可以通過電源540a和540b來提供。除了 DC電源之外， 電源540a和540b還可以提供交流電(AC)或射頻(RF )。
基片515水平傳送通過由磁體530a-530d和靶510a-510d形成的 閉合環(huán)路，使得基片515的頂部表面和底部表面可以分別暴露于濺 射表面512a和512b。
沉積系統(tǒng)500的 一個(gè)有利的特征是耙51 Oa-51 Od保持在相反的磁 極的幾對磁體530a-530d之間。北磁極磁體和南磁極磁體沿著水平方 向移動(dòng)。濺射表面521a和512b基本上平行于水平方向。如圖5A所 示的磁場通量因此具有大的平行于濺射表面512a和512b的分量。 該,茲場大的切線分量可以施加強(qiáng)的洛倫茲力來彎曲電子的路徑，所 述電子通過濺射表面512a-512d的負(fù)偏壓而被高速排斥。電子可以在 再次從耙反彈離開之前彎曲返回草巴530a-530d。這樣的反彈-牽引循 環(huán)可以反復(fù)多次直到電子失去動(dòng)能并且洛倫茲力變得可以忽略。
耙512a和512b的賊射取決于其表面上的磁場強(qiáng)度的均勻性。通 過使用相同類型的永磁體或電導(dǎo)體線圈來產(chǎn)生一致的磁場是相對容 易的。靶512c和512d的濺射可以沿著基片515邊緣來沉積材料或 用來精細(xì)調(diào)整基片515的較高表面和較低表面上的沉積均勻性。
捕捉在濺射表面上快速移動(dòng)的電子可以提高等離子體電離效率。 耙閉合環(huán)路的排布可以保證快速移動(dòng)的電子被包含到閉合環(huán)路中。 因?yàn)榇蟛糠蛛娮涌拷鼮R射表面512a-512d被捕捉到，因此大部分濺射 發(fā)生在表面濺射表面512a-d,即，面對著基片515的靶表面。因 為石茲場與乾510a-510d的側(cè)表面是垂直的，因此電子在這些表面附近 不會被有效地捕捉到。靶側(cè)壁上的等離子體密度和濺射腐蝕是低的。
通過排布"北"》茲極和"南"/磁極的磁體，可以在相對于濺射表 面512a-d切線方向上形成基本上均勻的磁場。該均勻的磁場可以保 證整個(gè)耙表面腐蝕和在靶表面上的均勻腐蝕，這進(jìn)而產(chǎn)生了高的靶 材料利用率。在另外一種實(shí)施方案中，基片515可以被用于單面沉積的兩個(gè)基 片所取代。較高的基片在它的較高表面上接收沉積材料。較低的基 片在它的較低表面上接收沉積材料。這種構(gòu)造因此允許在兩個(gè)基片 件上平行沉積，相對于單基片加工其使得生產(chǎn)量加倍。
在另外 一種實(shí)施方案中，沉積系統(tǒng)500中的磁體530a-d和531 a-d 可以用在沉積系統(tǒng)600中的一對電導(dǎo)體線圈630a和630b(或電》茲體) 來代替，如圖6所示。電導(dǎo)體線圈630a和630b沿著閉合環(huán)路靶的 兩側(cè)布置。電導(dǎo)體線圈630a和630b可以通過施加電流來在閉合環(huán) 路中和靠近靶610a-610d的濺射表面612a和612b處產(chǎn)生"北"磁極 性和"南"磁極性和基本上均勻的磁通量660。單個(gè)電導(dǎo)體線圈630a 或630b還可以產(chǎn)生基本上平行于靶表面的磁通量，并產(chǎn)生與兩個(gè)或 多個(gè)電線圈類似的結(jié)果。
在另外一種實(shí)施方案中，沉積系統(tǒng)700可以在真空室720中包括 位于基片上面的多個(gè)耙710a、 711a、 712a和713a和位于基片下面的 多個(gè)耙710b、 711b、 712b和713b (為了清楚未示出)。多個(gè)電導(dǎo)體 線圈或永,茲體730-734可以作為選擇布置在靶710a/713a到 713a/713b之間來在真空室720中和靠近濺射表面處產(chǎn)生均勻^茲場。 可以在鄰近的耙710a-713b之間加入護(hù)罩來將基片715上的交叉污染 降到最低。
基片715可以在水平方向上傳送。在一種實(shí)施方案中，靶 710a-713b可以包含基本上相同的靶材料?；?15僅僅傳送一個(gè)短 的距離，其近似于相鄰的靶之間的間隔，以在基片715上產(chǎn)生均勻 的沉積。通過縮短基片715的行進(jìn)距離來降低沉積系統(tǒng)700的占地 面積。在另外一種實(shí)施方案中，靶710a-713b中可以包含不同的靶材 料來使得在由真空室720向下的一個(gè)抽真空中能夠獲得不同涂覆成 分的沉積。
在另外一種實(shí)施方案中，靶810和811每個(gè)可以位于電導(dǎo)體線圏 830a和830b之間。輩巴810包括兩個(gè)不同的部分810a和811a，其 可以由不同的材料制成。靶811包括三個(gè)不同的部分810b、 811b和812b,其可以由不同的材料制成。靶中的不同材料能夠使得在基 片的較高表面或較低表面上沉積不同成分的材料。
應(yīng)當(dāng)理解所公開的系統(tǒng)和方法不限于說明書中的具體描述。例 如，所公開的系統(tǒng)適于在大的或小的基片上的材料沉積。此外，基 片可以^皮加熱和/或施加電偏壓。沉積系統(tǒng)還可以包4舌真空負(fù)載鎖和 用于清潔基片的清潔室。基片傳送才幾構(gòu)還可以采用不同的形狀而不 脫離說明書的主旨。
1權(quán)利要求
1.一種用來在沉積系統(tǒng)中靠近靶表面產(chǎn)生磁場的磁控管源，其包含第一磁體；沿著第一方向與所述第一磁體通過間隙隔開的第二磁體；以及靶托，該靶托被配置來保持處于所述第一磁體和所述第二磁體之間的間隙中的靶，其中所述靶包括濺射表面，由此靶材料可以被濺射和沉積到基片上，并且其中將靶托如此配置以使得所述濺射表面基本上平行于所述第一方向并且所述第一磁體和所述第二磁體能夠靠近所述靶的表面產(chǎn)生磁場。
2. 權(quán)利要求1的磁控管源，其中所述第一磁體和所述第二磁體包 含相反的》茲極性。
3. 權(quán)利要求1的磁控管源，其中所述第一磁體和所述第二磁體中 的至少之一包括電導(dǎo)體線圈或電磁體。
4. 權(quán)利要求1的磁控管源，其中所述第一》茲體和所述第二磁體被 配置來產(chǎn)生基本上平行于所述濺射表面的磁通線。
5. 權(quán)利要求1的磁控管源，其中所述靶包含兩個(gè)或多個(gè)部分，每 個(gè)部分含有能夠被賊射和沉積到所述基片上的相同或不同的材料。
6. 權(quán)利要求1的磁控管源，其中所述第一磁體形成第一閉合環(huán)路 以及所述第二磁體形成第二閉合環(huán)路。
7. 權(quán)利要求6的磁控管源，其中所述環(huán)路包含基本上矩形形狀， 并且其中靶可以沿著該矩形的每個(gè)邊放置在所述第一磁體和所述第 二磁體之間。
8. 權(quán)利要求6的磁控管源，其中耙托被配置來保持靶，其在所述 第 一 磁體和所述第二磁體之間的間隙中形成基本閉合的環(huán)路。
9. 一種用來在沉積系統(tǒng)中靠近靶表面產(chǎn)生磁場的磁控管源，其包含形成 一 閉合環(huán)路的第 一磁體；形成第二閉合環(huán)路的第二磁體，其中所述第二磁體沿著第一方向 與所述第一磁體通過間隙隔開，以及其中所述第一磁體和所述第二磁體包含相反的磁極性；以及耙托，其被配置來保持在所述第一磁體和所述第二磁體之間的間 隙中的一個(gè)或多個(gè)輩巴，其中每個(gè)耙包含、減射表面，由此耙材料可以 被濺射和沉積到基片上，并且其中將靶托如此配置以使得所述濺射 表面基本上平行于所述第一方向并且所述第一磁體和所述第二磁體 能夠靠近一個(gè)或多個(gè)靶的表面產(chǎn)生磁場。
10. 權(quán)利要求9的磁控管源，其中所述第一閉合環(huán)路和所述第二 閉合環(huán)路基本上形成矩形形狀。
11. 權(quán)利要求IO的磁控管源，其中所述第一環(huán)路的矩形基本上平 行于所述第二環(huán)路的矩形。
12. 權(quán)利要求9的磁控管源，其中靶托被配置來保持靶，其在所 述第 一磁體和所述第二磁體之間的間隙中形成基本閉合的環(huán)路。
13. 權(quán)利要求9的磁控管源，其中靶托被配置來沿著所述第一閉 合環(huán)路或所述第二閉合環(huán)路中的矩形的每個(gè)邊保持在所述第 一磁體 和所述第二》茲體之間的 一 個(gè)或多個(gè)耙。
14. 權(quán)利要求9的磁控管源，其中所述第一磁體和所述第二磁體 中的至少之一包括電導(dǎo)體線圈或電石茲體。
15 ^又利要求9的f茲控管源，其中所述耙包含兩個(gè)或多個(gè)部分， 每個(gè)部分含有能夠被賊射和沉積到所述基片上的不同材料。
16.—種沉積系統(tǒng)，包含 磁控管源，包含 第一磁體；以及沿著第 一方向與所述第 一磁體通過間隙隔開的第二磁體； 耙托，其被配置來保持處于所述第 一 磁體和所述第二磁體之間的 間隙中的靶，其中所述靶包括濺射表面，由此靶材料可以被濺射和 沉積到基片上，并且其中將所述耙托如此配置以使得所述濺射表面 基本上平行于所述第一方向并且所述第一磁體和所述第二磁體能夠靠近所述把的所述濺射表面產(chǎn)生^F茲場；以及基片托，其被配置來保持基片，所述基片適于接收靶的所述濺射 表面濺射的材料。
17. 權(quán)利要求16的沉積系統(tǒng)，其進(jìn)一步包含傳送機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)被配置為使所述基片相對于所述靶移動(dòng)，從而
18. 權(quán)利要求16的沉積系統(tǒng)，其進(jìn)一步包含真空室，其被配置為封住包圍所述靶和所述基片的真空環(huán)境。
19. 權(quán)利要求16的沉積系統(tǒng)，其進(jìn)一步包含電源，其被配置為提供所述靶和所述基片之間的電偏壓。
20. 權(quán)利要求16的沉積系統(tǒng)，其中所述靶包含兩個(gè)或多個(gè)部分， 每個(gè)部分含有相同或不同的能夠被濺射和沉積到所述基片上的材 料。
21.又利要求16的沉積系統(tǒng)，其中所述第一》茲體和所述第二》茲體 以基本上與所述基片等距的方式來放置。
22. —種沉積系統(tǒng)，其包含 多個(gè)磁控管源，每個(gè)磁控管源包含第一磁體；以及沿著第 一 方向與所述第 一 磁體通過間隙隔開的第二磁體；一個(gè)或多個(gè)靶托，其被配置為保持處于每個(gè)所述磁控管源的第一 磁體和第二磁體之間的間隙中的靶，其中所述靶包括濺射表面，由 此耙材料可以被濺射和沉積到基片上，并且其中將所述靶托如此配 置以使得所述濺射表面基本上平行于所述第一方向并且在磁控管源 中的所述第 一磁體和所述第二磁體能夠靠近所述靶的濺射表面產(chǎn)生f茲場；以及傳送機(jī)構(gòu)，其被配置為使所述基片相對于一個(gè)或多個(gè)靶托移動(dòng)， 從而使所述基片的不同區(qū)域接收所述靶的濺射表面所濺射的材料。
23. 權(quán)利要求22的沉積系統(tǒng)，其進(jìn)一步包含兩個(gè)靶托，其被配置 來保持兩個(gè)靶，所述耙被配置來提供待沉積到所述基片的兩個(gè)表面上的濺射材料。
24.權(quán)利要求23的沉積系統(tǒng)，其中所述基片的兩個(gè)表面是彼此相 對的。
全文摘要
一種用來在沉積系統(tǒng)中靠近靶表面產(chǎn)生磁場的磁控管源，其包括第一磁體，沿著第一方向與第一磁體通過間隙隔開的第二磁體，以及靶托，該靶托被配置來保持處于第一磁體和第二磁體之間的間隙中的靶。所述靶包括濺射表面，由此靶材料可以被濺射和沉積到基片上。將靶托如此配置以使得濺射表面基本上平行于所述第一方向并且第一磁體和第二磁體能夠靠近靶表面產(chǎn)生磁場。
文檔編號C23C14/32GK101646799SQ200780004008
公開日2010年2月10日 申請日期2007年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月27日
發(fā)明者郭信生 申請人:亞升技術(shù)公司