專(zhuān)利名稱(chēng)::電觸點(diǎn)材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及電觸點(diǎn)材料及其制造方法。技術(shù)背景電觸點(diǎn)部件中,以前一直使用導(dǎo)電性?xún)?yōu)異的銅或銅合金,而近年來(lái)接觸特性不斷提高,使用棵銅或銅合金的情況減少了,開(kāi)始制造和使用在銅或銅合金上進(jìn)行了各種表面處理的材料。尤其是經(jīng)常被作為電觸點(diǎn)材料使用的材料包括在電觸點(diǎn)部位鍍敷貴金屬的電觸點(diǎn)材料。其中,金、銀、釔、鉑、銥、銠、釕等貴金屬由于材料具有穩(wěn)定性、優(yōu)異的導(dǎo)電率等而被用于各種電觸點(diǎn)材料,特別是銀,它的導(dǎo)電性在金屬中最為優(yōu)異,雖然是貴金屬類(lèi),但相對(duì)來(lái)說(shuō)比較便宜,因此被廣泛使用于許多方面。此外,還有各種將這些貴金屬包覆在電觸點(diǎn)部位上而形成的材料。最近,在汽車(chē)電氣配線用的連接器端子、移動(dòng)電話搭載的接觸開(kāi)關(guān)、或存儲(chǔ)卡、PC卡的端子等會(huì)伴隨有反復(fù)抽插或滑動(dòng)的電觸點(diǎn)材料中,使用耐磨損性?xún)?yōu)異的電觸點(diǎn)材料。關(guān)于耐磨損性的提高,廣泛使用的電觸點(diǎn)材料中,使用硬質(zhì)銀、硬質(zhì)金的接觸材料等比較普遍。而且還在研究開(kāi)發(fā)分散有微粒子的鍍敷材料和包覆材料等,在電觸點(diǎn)材料的滑動(dòng)特性方面,正在開(kāi)發(fā)各種表面處理材料。例如,特開(kāi)平03-191084號(hào)公報(bào)記載了如下材料,通過(guò)對(duì)具有特定的硬度和表面粗糙度的銅原材料進(jìn)行底層鍍敷鎳、中間鍍敷鈀、表層鍍敷金,以提高耐磨損性和耐腐蝕性,將基料的維氏硬度調(diào)整至230以下,表面粗糙度(Rz)調(diào)整至45)am以下,且鍍敷結(jié)構(gòu)為3.0pm下半光澤或無(wú)光澤鎳底層鍍層,1.5pm以下光澤鈀或光澤鈀-鎳合金中間鍍層,0.1-0.5pm金或金合金鍍層。
發(fā)明內(nèi)容然而,以往那些經(jīng)過(guò)了硬質(zhì)銀或硬質(zhì)金處理的電觸點(diǎn)材料,被用于需要滑動(dòng)的地方時(shí),這些貴金屬很容易被磨損掉,基材表面露出來(lái),常常會(huì)導(dǎo)致滑動(dòng)接觸材料的導(dǎo)電不良。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,采取了加大貴金屬厚度、提高耐滑動(dòng)性等方法,但因?yàn)橐褂么罅康陌嘿F的貴金屬,會(huì)產(chǎn)生制造成本過(guò)高的缺點(diǎn)。另外,特開(kāi)平03-191084號(hào)公報(bào)中記載的鍍敷材料,對(duì)基料有規(guī)定,而且對(duì)被處理的鍍敷金屬也有規(guī)定,對(duì)一最表層的十點(diǎn)的平均粗糙度Rz進(jìn)行了描述,但由于滑動(dòng)接觸材料的最表面會(huì)很快消失掉,因此靠規(guī)定最表面的粗糙度還不足以提高滑動(dòng)接觸材料的特性。此外,還有具有以包覆方法形成的貴金屬層的滑動(dòng)接觸材料,但由于用包覆方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)如現(xiàn)有技術(shù)所能達(dá)到的nm-nm單位的薄膜化,因此存在貴金屬使用量大且制造成本高的問(wèn)題。本發(fā)明的目的在于提供一種可解決上述問(wèn)題,滑動(dòng)特性、耐磨損性?xún)?yōu)異,壽命長(zhǎng),可低成本制造的電觸點(diǎn)材料以及它的制造方法。本發(fā)明人在對(duì)上述問(wèn)題進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)后發(fā)現(xiàn),通過(guò)在導(dǎo)電性基體上設(shè)置算術(shù)平均粗糙度Ra=(A)iim的由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成的第一層,以及在所述第一層的表面上設(shè)置的第二層,其中第二層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其膜厚為0.001x(A)^im(A)(im,所述貴金屬或其合金不同于形成第一層的貴金屬或其合金,這樣可以使電觸點(diǎn)材料成為耐磨損性、滑動(dòng)特性?xún)?yōu)異的接觸材料。成為最表面的第二層的貴金屬用作接觸材料時(shí),初期的接觸、滑動(dòng)多多少少會(huì)引起磨損,磨損粉優(yōu)先填埋至形成第一層的由算術(shù)平均粗糙度Ra-(A)pm的貴金屬或以這些成分為主要成分的合金形成的膜的凹凸部位。其結(jié)果發(fā)現(xiàn),第二層為貴金屬,特別是沒(méi)有發(fā)生氧化或變質(zhì)而埋入槽中,接觸狀態(tài)從外觀上來(lái)看是兩種以上的不同種類(lèi)的貴金屬的接觸,延展性、潤(rùn)滑效果使其作為滑動(dòng)接觸材料的壽命延長(zhǎng),并且可以獲得穩(wěn)定的接觸電阻,最終作出了本發(fā)明。本發(fā)明提供下述方案(1)一種電觸點(diǎn)材料,所述電觸點(diǎn)材料包括導(dǎo)電性基體、設(shè)置在導(dǎo)電性基體上的第一層、以及設(shè)置在所述第一層的表面的第二層,所述第一層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其算術(shù)平均粗糙度Ra=(A)fxm,所述第二層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其膜厚為0.001x(A)^xm(A)pm,其中,形成所述第二層的貴金屬或形成所述第二層的合金中作為主要成分的貴金屬是不同于形成所述第一層的貴金屬或形成所述第一層的合金中作為主要成分的貴金屬的元素。(2)第(l)項(xiàng)所述的電觸點(diǎn)材料,其中,所述(A)為0.05-0.5。(3)第(1)項(xiàng)或第(2)項(xiàng)所述的電觸點(diǎn)材料,其中,所述第一層和第二層中至少一層為通過(guò)鍍敷而設(shè)置。(4)第(1)項(xiàng)或第(2)項(xiàng)所述的電觸點(diǎn)材料的制造方法,其中,通過(guò)鍍敷而設(shè)置所述第一層和第二層中至少一層。本發(fā)明的上述以及其他特征和優(yōu)點(diǎn),可適當(dāng)參照附圖,從下述記載中得到明確。圖l是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。圖2是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。圖3是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第一層和第二層的界面的部分?jǐn)U大剖面示意圖。圖5是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的界面的部分?jǐn)U大剖面示意圖。具體實(shí)施方式關(guān)于本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料,其是在導(dǎo)電性基體上設(shè)置第一層、在所述第一層的表面設(shè)置第二層而形成,所述第一層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其算術(shù)平均粗糙度Ra=(AVm,所述第二層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其膜厚為0.001x(A)iim(AVm,其中,形成所述第二層的貴金屬或形成所述第二層的合金中作為主要成分的貴金屬是不同于形成所述第一層的貴金屬或形成所述第一層的合金中作為主要成分的貴金屬的元素。以貴金屬為主要成分的合金通常是指,貴金屬成分占該合金的50質(zhì)量%以上、優(yōu)選80質(zhì)量%以上的合金。當(dāng)?shù)谝粚雍偷诙雍邢嗤馁F金屬元素時(shí),對(duì)于第一層的貴金屬元素和其他元素的質(zhì)量比均為50質(zhì)量%、且第二層的貴金屬元素和其他元素的質(zhì)量比也都為50質(zhì)量%的情況,進(jìn)行下述定義。(l)第一層的其他元素或第二層的其他元素中至少一種元素是貴金屬時(shí),由于其他貴金屬元素占到50質(zhì)量%,作為第一層的主要成分的貴金屬元素和作為第二層的主要成分的貴金屬元素被視為不同元素。(2)第一層的其他元素以及第二層的其他元素均不是貴金屬元素時(shí),只要第一層的其他元素與第二層的其他元素是不同的元素,本發(fā)明中作為第一層的主要成分的貴金屬元素和作為第二層的主要成分的貴金屬元素被視為不同元素。(3)第一層的其他元素與第二層的其他元素相同時(shí),第一層和第二層的組成相同,本發(fā)明中作為第一層的主要成分的貴金屬元素和作為第二層的主要成分的貴金屬元素被視為相同元素。此外,當(dāng)?shù)谝粚拥钠渌匾约暗诙拥钠渌貫橄嗤馁F金屬元素時(shí),作為其他元素的貴金屬元素在第一層或第二層的任意一層中的質(zhì)量比不到50%、另一層中的質(zhì)量比為50質(zhì)量%時(shí),使用不同的貴金屬元素以作為第一層的主要成分和第二層的主要成分。圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。在該實(shí)施方式中,導(dǎo)電性基體1的表面設(shè)置有第一層2,然后在第一層2上又設(shè)置有第二層3。圖2是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。在這里,導(dǎo)電性基體l的表面設(shè)置有由第一層2和第二層3構(gòu)成的覆蓋層的底層4。圖3是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的剖面示意圖。其中,導(dǎo)電性基體1的表面設(shè)置有底層4,底層4的表面部分設(shè)置有由第一層2以及第二層3構(gòu)成的涂覆層,以實(shí)現(xiàn)節(jié)省貴金屬而降低成本。關(guān)于圖3,也可以在導(dǎo)電性基體1的部分表面設(shè)置底層4,例如可以?xún)H在設(shè)置有由第一層2以及第二層3構(gòu)成的覆蓋層的地方設(shè)置底層4(與覆蓋層的形狀吻合)。在圖1圖3中,第一層2和第二層3之間的界面是采用直線的筒化方式進(jìn)行表示的,但事實(shí)上,如圖4所示的部分?jǐn)U大剖面示意圖,設(shè)置在導(dǎo)電性基體1上的第一層2,其表面具有算術(shù)平均粗糙度Ra=(A)pm的凹凸,第二層3的膜厚為0.001x(AVm(A)jim。如圖5的部分?jǐn)U大剖面示意圖所示,例如將光澤鍍敷使用于第二層3等情況下,也有可能在凹部鍍敷厚的第二層3、在凸部鍍敷薄的第二層3。另外,例如,也可以在鍍敷后對(duì)表面進(jìn)行輕微研磨而磨去表面,僅在凹部覆蓋第二層3。這里,當(dāng)凹部形成厚的第二層3、在凸部形成薄的第二層3時(shí),第二層3的膜厚由它們的算術(shù)平均來(lái)定義。本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料所使用的導(dǎo)電性基體,優(yōu)選使用銅、鎳、鐵、或它們的合金、或在鋼材、鋁材等上覆蓋銅或銅合金所形成的復(fù)合原材料等。在本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料中,既可設(shè)置第一層的底層,也可不設(shè)置第一層的底層,例如,也可以設(shè)置由鎳及鎳合金、或鈷及鈷合金、或銅及銅合金構(gòu)成的底層,由此阻擋基材成分的擴(kuò)散、提高了附著力。尤其是當(dāng)在鍍敷處理中形成比導(dǎo)電性基體貴的金屬時(shí),為提高附著力、防止置換,進(jìn)行薄鍍或觸擊電鍍等底層處理也是有效的。另外,底層也可以有多層,優(yōu)選根據(jù)覆蓋方法用途等設(shè)置各種底層結(jié)構(gòu)。底層的總厚度優(yōu)選為0.1~1.0|um。由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成的第一層,其算術(shù)平均粗糙度Ra-(A)nm,所述第一層是導(dǎo)電特性良好的貴金屬層。(A)優(yōu)選0.05~0.5,更優(yōu)選0.1-0.2。當(dāng)(A)為超過(guò)0.5的值時(shí),會(huì)因表面粗糙度太大而使滑動(dòng)接觸材料的耐磨損性降低,滑動(dòng)特性變差。對(duì)第一層的厚度并無(wú)特別限定,但因?yàn)橘F金屬越厚成本越高,所以第一層的涂覆厚度最優(yōu)選是0.2-5)im。本發(fā)明中形成第一層以及第二層的貴金屬是指標(biāo)準(zhǔn)電極電位為正的金屬,例如金、銀、銅、釔、鈾、銥、銠、釕等,優(yōu)選金、銀、釔、鈾。其中,形成第一層的貴金屬或作為形成第一層的合金的主要成分的貴金屬是不同于形成第二層的貴金屬或作為形成所述第二層的合金的主要成分的貴金屬的元素。第二層是由不同于形成第一層的元素或其合金的貴金屬所形成的膜層,其膜厚在(A)nm以下,所述第二層是保護(hù)第一層、且設(shè)置了與導(dǎo)電特性良好的第一層不同的貴金屬層。該第二層成為初期的滑動(dòng)面,但通過(guò)將第二層填埋至第一層的Ra-(A)pm的凹凸部,可以形成兼顧作為接觸材料所需要的低接觸電阻特性、作為滑動(dòng)接觸所需要的表面潤(rùn)滑性、耐磨損性功能的層。第二層只要是能夠填埋第一層的凹凸即可,所述第二層厚度為0.001x(A)pm~(A)nm,優(yōu)選0.001(A)~0.5(A)nm。當(dāng)?shù)诙拥暮穸仍?A^im以上時(shí),其會(huì)覆蓋至第一層所規(guī)定的Ra-(A)nm的凹凸部以上,效果減弱同時(shí),貴金屬的使用量還會(huì)增加,使成本上升。為制造本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料,可使用鍍敷、包層(clad)、蒸鍍、濺射等各種膜形成法,但優(yōu)選第一層以及第二層中至少一層是以鍍敷方式設(shè)置而成,更優(yōu)選第一層和第二層這兩層都以鍍敷方法形成。鍍敷可以適當(dāng)選擇通常使用的鍍敷,作為較容易形成薄膜的方法,優(yōu)選使用電解鍍敷法。電解鍍敷液的組成及鍍敷條件可以按照常用方法進(jìn)行。另外,為了控制必須的貴金屬量,將第一層或第二層、或者是這二者的貴金屬涂覆層以條狀、點(diǎn)狀等進(jìn)行部分施加也是有用的。本發(fā)明的覆蓋層,對(duì)于外觀種類(lèi)是否為全光澤、半光澤、無(wú)光澤,沒(méi)有特別的限定,都可適用。還有,雖然僅靠上述發(fā)明,技術(shù)效果就已經(jīng)足夠了,但為了鞏固,也優(yōu)選在一層以上的層中復(fù)合通常使用的各種添加劑、分散劑、分散粒子等。通過(guò)本發(fā)明,可以以低成本制造出滑動(dòng)特性、耐磨損性?xún)?yōu)異、壽命長(zhǎng)的電觸點(diǎn)材料。實(shí)施例下面,基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明,但本發(fā)明不僅限于此。對(duì)厚0.3mm、寬18mm的C14410條(銅基體)進(jìn)行電解脫脂、酸洗的預(yù)處理后,制成表1所示的鍍敷結(jié)構(gòu)材料,得到本發(fā)明以及比較例的電觸點(diǎn)材料。對(duì)各鍍層厚的測(cè)定,使用熒光X射線膜厚測(cè)定裝置(SFT9400:SII制),以平行光管(〕U^—夕一)徑巾0.5mm、測(cè)定時(shí)間60秒的條件對(duì)任意的表面IO個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)定,算出其平均值。表1:具體發(fā)明實(shí)施例以及比較例<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實(shí)施例13Cu/0.5Pd/1皿2Ag/0.1實(shí)施例14雨0.5以及Ag觸擊電鍍/0.2光澤Ag/4.0/0.15Au/0.01實(shí)施例15蘭.5以及Ag觸擊電鍍/0.2光澤Ag/4.0/0.15Au/0扁實(shí)施例16無(wú)Ag/4.0/0.05Au/0.01實(shí)施例17無(wú)Ag/4皿1Au/0,01實(shí)施例18無(wú)Ag/4.0/0.5Au/0.01實(shí)施例19無(wú)Ag/0.5/0.3Au/0.01比4交例1蘭.5以及Ag觸擊電鍍/0.2Ag/4.0/0.3---比爭(zhēng)i例2無(wú)Ag/4.0/0.3Au/0.5比爭(zhēng)支例3無(wú)Ag/4.0/0.6---比專(zhuān)交例4廳.5以及Ag觸擊電鍍/0.2Ag/4.0/0.3Ag/0.01比車(chē)交例5無(wú)Ag/4.0/0.03Au/0.01比爭(zhēng)支例6無(wú)Ag/4.0/0.8Au/0.01上述各鍍敷的鍍敷液成分以及鍍敷條件如下所示。Ni鍍敷鍍敷液Ni(NH2S03H)500g/l、NiCl230g/l、H3B0330g/l鍍敷條件電流密度15A/dm2、溫度50°CCo鍍敷鍍敷液CoS04400g/l、NaCl20g/l、H3B0440g/l鍍敷條件電流密度5A/dm2、溫度30°CCu鍍敷鍍敷液CuS045H20250g/l、H2S0450g/l、NaClO.lg/1鍍敷條件電流密度6A/dm2、溫度40°CAg觸擊電鍍鍍敷液AgCN5g/l、KCN60g/l、K2C0330g/l鍍敷條件電流密度2A/dm2、溫度30°CAg鍍敷鍍敷液AgCN50g/l、KCN100g/l、K2C0330g/l鍍敷條件電流密度0.5~3A/dm2、溫度30°C光澤Ag鍍敷鍍敷液AgCN5g/l、KCN100g/l、K2C0330g/l、NaS2031.58g/l鍍敷條件電流密度1A/dm2、溫度30°CPd-Ni合金鍍敷Pd/Ni(%)80/20鍍敷液Pd(NH3)2Cl240g/l、NiS0445g/l、NH4OH90ml/l、(NH4)2S0450g/l鍍敷條件電流密度1A/dm2、溫度30°CPd鍍敷鍍敷液Pd(NH3)2Cl245g/l、NH4OH90ml/l、(NH4)2S0450g/l鍍敷條件電流密度1A/dm2、溫度30°CAu鍍敷鍍敷液KAu(CN)214.6g/l、C6H807150g/l、K2C6H407180g/l、EDTA-Co(II)3g/l、哌溱2g/l鍍敷條件電流密度1A/dm2、溫度40°CRu鍍敷鍍敷液RuNOCl35H2010g/l、NH2S03H15g/l鍍敷條件電流密度1A/dm2、溫度50°C為求出關(guān)于上述電觸點(diǎn)材料的滑動(dòng)特性,在被用為滑動(dòng)接觸的部分進(jìn)行了下述條件下的動(dòng)摩擦系數(shù)測(cè)定以及接觸電阻測(cè)定,測(cè)定結(jié)果以及制造成本如表2所示。動(dòng)摩擦系數(shù)測(cè)定使用Bowden滑動(dòng)實(shí)驗(yàn)裝置測(cè)定動(dòng)摩擦系數(shù)。測(cè)定條件如下。R=2.Omm鋼球探測(cè)器、滑動(dòng)距離1Omm、滑動(dòng)速度1OOmm/min.、滑動(dòng)次數(shù)往返100次、負(fù)荷10g、65%Rh、25°C接觸電阻測(cè)定采用四端子法,對(duì)涂覆初期以及動(dòng)摩擦系數(shù)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的接觸電阻進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件為,讀取Ag探測(cè)器R=2mm、負(fù)荷10g、lOmA通電時(shí)的電阻值。表2:評(píng)價(jià)結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>對(duì)表2中各實(shí)施例以及比較例的電觸點(diǎn)材料的制造所需的成本從低到高分為OOAx四個(gè)等級(jí)。另外,按從優(yōu)到劣分為◎〇△x四個(gè)等級(jí)進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。綜合評(píng)價(jià)的◎〇為實(shí)用性水準(zhǔn)。由上述結(jié)果看出,在實(shí)施例中均獲得了穩(wěn)定的動(dòng)摩擦系數(shù)以及接觸電阻。而比較例1、3、4、5以及6中,滑動(dòng)次lt接近100次時(shí),接觸電阻增大,另外,比較例2的成本太高,這些都未到實(shí)用性水準(zhǔn)。工業(yè)實(shí)用性端子、便攜電話搭載的接觸開(kāi)關(guān)、或存儲(chǔ)卡、PC卡的端子等需要反復(fù)抽插、滑動(dòng)的電觸點(diǎn)材。以上對(duì)本發(fā)明及其實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明,只要沒(méi)有特別的指定下,不應(yīng)用說(shuō)明中的任何一個(gè)細(xì)節(jié)來(lái)限定本發(fā)明,在不違反所附的權(quán)利要求書(shū)所示的發(fā)明的精神和范圍下,應(yīng)在較寬范圍內(nèi)解釋本發(fā)明。本申請(qǐng)主張基于2006年3月17日在日本國(guó)申請(qǐng)的專(zhuān)利申請(qǐng)2006-075231、以及2007年3月14日在日本國(guó)申請(qǐng)的專(zhuān)利申請(qǐng)2007-065855的優(yōu)先權(quán),本申請(qǐng)參考了上述專(zhuān)利申請(qǐng)并將其內(nèi)容作為本說(shuō)明書(shū)記載的一部權(quán)利要求1.一種電觸點(diǎn)材料,所述電觸點(diǎn)材料包括導(dǎo)電性基體、設(shè)置在導(dǎo)電性基體的第一層、以及設(shè)置在所述第一層的表面的第二層,所述第一層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其算術(shù)平均粗糙度Ra=(A)μm,所述第二層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其膜厚為0.001×(A)μm~(A)μm,其中,形成所述第二層的貴金屬或形成所述第二層的合金中作為主要成分的貴金屬是不同于形成所述第一層的貴金屬或形成所述第一層的合金中作為主要成分的貴金屬的元素。2.權(quán)利要求1所述的電觸點(diǎn)材料,其中,所述(A)為0.05-0.5。3.權(quán)利要求1或2所述的電觸點(diǎn)材料,其中,所述第一層和第二層中至少一層是通過(guò)鍍敷而設(shè)置。4.一種制造權(quán)利要求1或2所述的電觸點(diǎn)材料的方法,其中,通過(guò)鍍敷而設(shè)置所述第一層和第二層中至少一層。全文摘要本發(fā)明提供一種電觸點(diǎn)材料,所述電觸點(diǎn)材料包括導(dǎo)電性基體、設(shè)置在導(dǎo)電性基體的第一層、以及設(shè)置在所述第一層的表面的第二層,所述第一層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其算術(shù)平均粗糙度Ra=(A)μm,所述第二層由貴金屬或以貴金屬為主要成分的合金形成,其膜厚為0.001×(A)μm~(A)μm,形成所述第二層的貴金屬或形成所述第二層的合金的主要成分的貴金屬是不同于形成所述第一層的貴金屬或形成所述第一層的合金的主要成分的貴金屬的元素。文檔編號(hào)C22C5/04GK101401178SQ200780008629公開(kāi)日2009年4月1日申請(qǐng)日期2007年3月15日優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日發(fā)明者小林良聰申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社