專利名稱：在形成外延膜期間使用的氣體歧管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明廣泛地說是關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造，而更明確地是關(guān)于在形成 外延膜期間使用的氣體歧管。
背景技術(shù)：
一種公知的選擇性外延工藝，其包含一沉積反應(yīng)與一蝕刻反應(yīng)。沉積
積步驟中，外延層形成于單晶表面然而多晶層至少沉積在第二層，諸如現(xiàn) 存的多晶層與/或非晶質(zhì)層上。然而，沉積的多晶層通常被以快于外延層的 速度蝕刻。因此，通過改變蝕刻劑氣體的濃度，選擇性工藝最終會導(dǎo)致外 延材質(zhì)沉積，與有限或根本沒有多晶材質(zhì)沉積。例如，選擇性外延工藝會 導(dǎo)致含硅材質(zhì)的外延膜形成在單晶硅表面上，同時沒有沉積殘留在間隔件 上。
選擇性外延工藝通常有一些缺點。為了在這樣的外延工藝中維持選擇 性，必須在整個沉積步驟中控制與調(diào)節(jié)前體的化學(xué)濃度和反應(yīng)溫度。如果 沒有提供足夠的硅前體，那么蝕刻反應(yīng)會取得優(yōu)勢而減緩整體工藝。并且，也可能對基板特征造成過度蝕刻(over etching)傷害。如果沒有提供足夠的 蝕刻前體，那么沉積反應(yīng)會取得優(yōu)勢并因而降低在基板表面各處形成單晶 與多晶材質(zhì)的選擇性。并且，公知的選擇性外延工藝通常需要一較高的反 應(yīng)溫度，諸如大約800。C、 1,00Crc或更高。因為熱預(yù)算的考慮與可能不受 控制的氮化反應(yīng)(基板表面上)，在工藝中并不樂見這么高的溫度。
先前倂入的2004年12月1曰提申的美國專利申請案第11/001,774 號(案號9618條)，描述一種交替氣體供應(yīng)(alternating gas supply,AGS)工 藝，其包括重復(fù)沉積步驟與蝕刻步驟的循環(huán)直到形成所欲厚度的外延層， 此工藝可作為公知選擇性外延工藝的一種替代工藝。由于AGS工藝采用獨 立的沉積與蝕刻步驟，在蝕刻步驟中不需維持沉積前體濃度且在沉積步驟 中不需維持蝕刻前體濃度。某些實例中，可能使用較低的反應(yīng)溫度。
無論對選擇性外延或AGS工藝兩者而言，仍需要可有效實行這類工藝 的系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
某些方面中，本發(fā)明提供一外延膜形成系統(tǒng)，其包含一適于形成外延 層在基板上的外延腔； 一適于提供至少一沉積氣體與一載氣給外延腔的沉 積氣體歧管；以及一與該沉積氣體歧管分離且適于提供至少 一種蝕刻劑氣 體與 一 載氣給該外延腔的蝕刻劑氣體歧管。
另一方面中，本發(fā)明提供一形成外延膜方法，其包括從沉積氣體歧管 提供至少一沉積氣體與一栽氣給一外延腔；以及從與該沉積氣體歧管分離 的 一 蝕刻劑氣體歧管提供至少 一 蝕刻劑氣體與 一 載氣給該外延腔。
又另一方面中，本發(fā)明提供一使用于形成外延膜的設(shè)備，其包括一耦 接于一外延腔(其適合用來形成一外延層在一基板上)的混合區(qū)(mixing junction); —適合提供至少一沉積氣體與 一 載氣給該外延腔的沉積氣體歧 管；以及一蝕刻劑氣體歧管，其與該沉積氣體歧管分離，且適于提供至少 一蝕刻劑氣體與 一 載氣給該外延腔。
又另一方面中，本發(fā)明提供一用于形成一外延膜的設(shè)備，其包括一耦 接于一外延腔(其適合在一基板上形成該外延層)的混合腔； 一適合提供至少一沉積氣體與一栽氣給該外延腔的沉積氣體歧管；以及一蝕刻劑氣體歧 管，其與該沉積氣體歧管分離，且適于提供至少一蝕刻劑氣體與一栽氣給 該外延腔。
本發(fā)明其它特征與方面由下述的實施方式、所附的權(quán)利要求與附圖變 得更完全地顯而易見。


圖1是符合本發(fā)明實施例的第一示范外延膜形成系統(tǒng)的概要圖。
圖2是符合本發(fā)明實施例的第二示范外延膜形成系統(tǒng)的概要圖。 圖3是符合本發(fā)明實施例的第三示范外延膜形成系統(tǒng)的概要圖。 圖4是符合本發(fā)明實施例的第四示范外延膜形成系統(tǒng)的概要圖。
主要組件符號說明
100第一示范外延膜形成系統(tǒng) 101外延腔 103沉積歧管 105腔閥系統(tǒng)
107沉積氣體管線 109蝕刻歧管
111蝕刻劑氣體管線 113混合區(qū)
115a-d、 123a-b流量控制器 117a-d、 125a-b氣體源 119a-d、 127a-b第一組氣體管線 121a-d、 129a-b第二組氣體管線 131、 305、 309外腔流量控制器 133、 307、 311內(nèi)腔流量控制器 135a-b外腔氣體管線 137內(nèi)腔氣體管線
200第二示范外延膜形成系統(tǒng) 300第三示范外延膜形成系統(tǒng) 303蝕刻劑閥系統(tǒng) 315內(nèi)腔混合區(qū) 400第四示范外延膜形成系統(tǒng)
201混合腔 301沉積閥系統(tǒng) 313外腔混合區(qū)401外部混合腔 I內(nèi)部區(qū)i或
403內(nèi)部混合腔 0外部區(qū)域
具體實施例方式
公知的外延膜形成系統(tǒng)由于蝕刻與沉積步驟同時執(zhí)行，因此通常采用 一單 一 的沉積與蝕刻劑氣體歧管。在交替氣體供應(yīng)(alternating gas supply,AGS)外延膜形成系統(tǒng)中，則接連地執(zhí)行蝕刻與沉積步驟。示范的 AGS系統(tǒng)描述于2004年12月1日提申的美國專利申請案第11/001,774 號(案號9618條)與2005年9月14日提申的美國專利申請案第11/227,974 號(案號9618/P01條)中，其全文特此以參考資料并入本文中。
在AGS系統(tǒng)中較佳是擁有獨立的蝕刻與沉積歧管，以便從沉積轉(zhuǎn)換至 蝕刻與從蝕刻轉(zhuǎn)換至沉積時，沉積氣體與蝕刻劑氣體可被立即用于外延腔。 本發(fā)明提供采用獨立的蝕刻歧管與獨立的沉積歧管的方法與設(shè)備。
圖1是符合本發(fā)明具體實施例的第一示范外延膜形成系統(tǒng)100的概要 圖(以下稱r第一外延系統(tǒng)100」)。第一外延系統(tǒng)100包括一外延腔101, 耦接至(1)一沉積歧管103，其是經(jīng)由一腔閥系統(tǒng)105與一沉積氣體管線 107而與該外延腔101耦接；以及(2)—蝕刻歧管109,其是經(jīng)由該腔閥系 統(tǒng)105與一蝕刻劑氣體管線111而與該外延腔101耦接。如圖1所示，腔 閥系統(tǒng)105、沉積氣體管線107與蝕刻劑氣體管線111是在混合區(qū)113 (例 如，T型接合區(qū)或是類似的耦接方式)處耦接。
依據(jù)本發(fā)明實施例，外延腔101會包括任何公知適于在一個或是多個 基板上形成外延膜的外延腔。雖然可以使用其它的外延腔與/或系統(tǒng)，但可 于Epj Centura⑧系統(tǒng)與Poly Gen⑥系統(tǒng)(位于加州圣克拉拉的Applied Materials, lnc.提供)發(fā)現(xiàn)一示范的外延腔。
參照圖1 ，沉積歧管103可包括流量控制器115a-d (諸如質(zhì)量流量控 制器(mass flow controller, MFC)、體積;危量4空制器(volume flow controller, VFC)、活門等等)。流量控制器115a-d會經(jīng)由第一組氣體管線119a-d耦 接至氣體源117a-d(諸如氣瓶與/或工藝管線等等)。流量控制器115a-d也 會經(jīng)由第二組氣體管線121a-d耦接至沉積氣體管線107。氣體管線119a-d、 121a-d以及沉積氣體管線107由不銹鋼管道或其它合適的管道/ 管路(例如AISI 316L等等)組成。
圖1的實施例中，沉積歧管103可包括耦接至四個氣體源117a-d的 四個流量控制器115a-d。然而，有可能多于或是少于四個流量控制器 115a-d。另外，有可能多于或是少于四個耦接至流量控制器115a-d的氣 體源117a-d。例如， 一氣體(諸如氮、硅烷、氯化氫等等)來源會耦接至超 過一個流量控制器與/或超過一個氣體的來源會耦接至一個流量控制器。
雖然可應(yīng)用任何合適的耦接設(shè)施，但流量控制器115a-d會通過應(yīng)用例 如可壓縮墊片與氣體管線119a-d和121a-d來耦接。流量控制器115a-d 彼此之間可能是一樣或是不同的。此外，流量控制器115a-d會以質(zhì)量、體 積、時間(例如根據(jù)時間打開與關(guān)掉氣體閥)等等控制流量。
圖1描述氣體源117a-d配置在沉積歧管103外部。然而，氣體源 117a-d也可能會包含于沉積歧管103中。氣體源117a-d(例如氣瓶等等) 會配置在次潔凈室(sub-fab)或是其它這類位于半導(dǎo)體組件制造潔凈室外或 是暗管的位置處。可選擇將氣體源117a-d配置在半導(dǎo)體組件制造潔凈室與 /或暗管中靠近一群集工具處或位于該群集工具之中。進一步地，氣體源 117a-d可由半導(dǎo)體組件制造廠房的設(shè)備來提供。被容納在氣體源117a-d 中或是以氣體源117a-d來運送的化學(xué)化合物可以是氣體、液體與/或固體 形式，且可于后續(xù)被蒸發(fā)成氣體形式，好應(yīng)用于外延腔101內(nèi)去形成一外 延膜。
參照圖1，蝕刻歧管109會包括流量控制器123a-b(諸如MFC (質(zhì)量 流量控制器)、VFC (體積流量控制器)、活門等等)。流量控制器123a-b會 經(jīng)由第一組氣體管線127a-b耦接至氣體源125a-b(諸如氣瓶、工藝管線等 等)。流量控制器123a-b也會經(jīng)由第二組氣體管線129a-b耦接至蝕刻劑 氣體管線111。氣體管線127a-b、 129a-b以及蝕刻劑氣體管線由不銹鋼 管道或其它合適的管道/管路(例如AISI 316L等等)組成。
圖1的實施例中，蝕刻歧管109會包括耦接至兩個氣體源127a-b的 兩個流量控制器123a-b。然而，有可能多于或是少于兩個流量控制器 123a-b。另外，有可能多于或是少于兩個耦接至流量控制器123a-b的氣體源125a-b。例如， 一氣體(諸如氮、氯化氫、氯等等)的來源會耦接至超 過一個流量控制器與/或超過一個氣體的來源會耦接至一個流量控制器。
雖然可應(yīng)用任何合適的耦接設(shè)施，但流量控制器123a-b會通過應(yīng)用例 如可壓縮墊片與氣體管線127a-b和129a-b耦接。此外，流量控制器123a-b 彼此之間可能是一樣或是不同的。流量控制器123a-b會以質(zhì)量、體積、時 間(例如根據(jù)時間打開與關(guān)掉氣體閥)等等控制流量。
圖1描述氣體源125a-b配置在蝕刻歧管109外部。然而，氣體源 125a-b可能會包含于蝕刻歧管1Q9中。氣體源125a-b (例如氣瓶等等)會 配置在次潔凈室(sub-fab)或是其它這類位于半導(dǎo)體組件制造潔凈室外或是 暗管的位置處?？蛇x擇將氣體源125a-b配置在半導(dǎo)體組件制造潔凈室與/ 或暗管中靠近一群集工具處或位于該群集工具之中。進一步地，氣體源 125a-b可由半導(dǎo)體組件制造廠房的設(shè)備提供。被容納在氣體源125a-b中 或是以氣體源125a-b運送的化學(xué)化合物會是氣體、液體與/或固體形式， 且可于后續(xù)被蒸發(fā)成氣體形式而應(yīng)用于一外延腔101內(nèi)去形成一外延膜。
腔閥系統(tǒng)105會包含一外腔流量控制器131與一內(nèi)腔流量控制器 133。外腔流量控制器131會經(jīng)由外腔氣體管線135a-b(諸如不銹鋼或相似 管道/管路)耦接至外延腔101外部區(qū)域O。內(nèi)腔流量控制器133會經(jīng)由內(nèi) 腔氣體管線137(諸如不銹鋼或相似管道/管路)耦接至外延腔101內(nèi)部區(qū)域 I。注意圖1描述的外延腔101的內(nèi)部區(qū)域I與外部區(qū)域0不是按比例繪制 而僅是示意而已。內(nèi)部區(qū)域I與外部區(qū)域0的相對大小與位置會根據(jù)外延 腔101的應(yīng)用而改變。
外腔流量控制器131與內(nèi)腔流量控制器133可應(yīng)用焊接或是任何其它 合適的方法耦接至混合區(qū)113。外腔流量控制器131與內(nèi)腔流量控制器133 可能是MFC、體積流量控制器、活門(例如氣體式)等等。外腔流量控制器 131也會應(yīng)用焊接或是其它合適的方法耦接至氣體管線135a-b。
混合區(qū)113可以是一氣體管線107與111耦接的公知T型接合區(qū)。混 合區(qū)113也可以包含其它幾何圖案。例如，可應(yīng)用丫型接合區(qū)而不是T型 接合區(qū)，就如接合區(qū)(混合氣體)的部分有許多相異與/或多變的規(guī)格?；蛘?， 接合區(qū)也可以是X型接合區(qū)，其中不同的分支會各自地耦接至外腔流量控制器131、內(nèi)腔流量控制器133、沉積氣體管線107以及蝕刻劑氣體管線 111。根據(jù)應(yīng)用的氣體源，特定幾何學(xué)的選擇與/或體積排列會改善混合區(qū) 113內(nèi)氣體混合的一致性。
在AGS工藝中，通過獨立的沉積歧管103與獨立的蝕刻歧管109的 應(yīng)用，蝕刻時所用的氣體可在沉積后立即被應(yīng)用于外延腔101。同樣地， 沉積時所用的氣體也可在蝕刻之后，立即被用于外延腔101。注意，在沉 積與蝕刻時會持續(xù)從沉積歧管103與蝕刻歧管109兩者流出載氣(諸如氮 氣、氫氣等等)，好避免由于打開/關(guān)掉栽氣所造成的流動突波(flowspikes)。 舉例來說，載氣流速會遠大于蝕刻/整體流速(例如在至少一個實施例中，栽 氣大約是10-20 slm相對于蝕刻/沉積氣體大約是1 slm或更少)。雖然可以 應(yīng)用其它流速，在一示范實施例中，栽氣流持續(xù)以大約10 slm的速度從沉 積歧管103與蝕刻歧管109流出。
圖2是符合本發(fā)明實施例的第二示范外延膜形成系統(tǒng)200的概要圖(之 后'第二外延系統(tǒng)200)。圖2的第二外延系統(tǒng)200相似于圖1的第一外延 系統(tǒng)100，但應(yīng)用一混合腔201代替圖1第一外延系統(tǒng)的混合區(qū)113。如 圖2所示，腔閥系統(tǒng)105、沉積氣體管線107與蝕刻劑氣體管線111均耦 接至混合腔201。
混合腔201可以是任何能在氣體進入外延腔101之前改善其混合度的 腔室形狀/尺寸。例如，混合腔201可以是圓柱形的、立方體的、圓形的等 等。
第二外延系統(tǒng)200運作相似于圖1的第一外延系統(tǒng)100。然而，由于 混合腔201，改善的氣體混合現(xiàn)象發(fā)生在氣體進入外延腔101之前。在某 些實施例中，這樣改善的氣體混合會改善外延膜表面型態(tài)(例如，通過在進 入外延腔101之前更均勻地混合載氣與蝕刻與/或沉積氣體)。
圖3是符合本發(fā)明實施例的第三示范外延膜形成系統(tǒng)300的概要圖(之 后'第三外延系統(tǒng)300)。圖3的第三外延系統(tǒng)300相似于圖1的第一外延 系統(tǒng)100，但以 一 沉積閥系統(tǒng)301與蝕刻劑閥系統(tǒng)303來代替腔閥系統(tǒng) 105。
沉積閥系統(tǒng)301有一外腔流量控制器305,以及一內(nèi)腔流量控制器307。同樣地，蝕刻劑閥系統(tǒng)303包含一外腔流量控制器309，以及一內(nèi) 腔流量控制器311。
第三外延系統(tǒng)300也可以一外腔混合區(qū)313與 一 內(nèi)腔混合區(qū)315來代 替圖1的混合區(qū)113 。沉積閥系統(tǒng)301的外腔流量控制器305與蝕刻劑閥 系統(tǒng)303的外腔流量控制器309兩者均耦接至外腔混合區(qū)313 。沉積閥系 統(tǒng)301的內(nèi)腔流量控制器307與蝕刻劑閥系統(tǒng)303的外腔流量控制器311 兩者均耦接至內(nèi)腔混合區(qū)315。
如圖3所示，沉積氣體管線107耦接至沉積閥系統(tǒng)301的外腔流量控 制器305與內(nèi)腔流量控制器307。蝕刻劑氣體管線111耦接至蝕刻劑閥系 統(tǒng)303的外腔流量控制器309與內(nèi)腔流量控制器311 。流量控制器305、 307、 309以及311可以是MFCs、體積流量控制器、活門(例如氣體式)或 是任何其它合適的流量控制器。
第三外延系統(tǒng)300運作相似于圖1的第一外延系統(tǒng)100。然而，在某 些具體實施例中將混合區(qū)313、 315配置成靠近外延腔101 (相對圖1的混 合區(qū)113)，會改善氣體混合。本發(fā)明至少一個實施例中，流量控制器305、 307、 309以及311各自設(shè)定在一所欲的位置/流速且在膜形成時保持打開 狀態(tài)(例如，好避免延誤與/或突波)。舉例來說，僅有流量控制器115a-d與 /或123a-b需要被打開與關(guān)上。
圖4是符合本發(fā)明實施例的第四示范外延膜形成系統(tǒng)400的概要圖(以 下稱r第四外延系統(tǒng)400」)。圖4的第四外延系統(tǒng)400相似于圖3的第三 外延系統(tǒng)300,但以 一 外部混合腔401來代替外腔混合區(qū)313并以 一 內(nèi)部 混合腔403來代替內(nèi)腔混合區(qū)315。因此，沉積閥系統(tǒng)301的外腔流量控 制器305與蝕刻劑閥系統(tǒng)303的外腔流量控制器309均耦接至外部混合腔 401 。同樣地，沉積閥系統(tǒng)301的內(nèi)腔流量控制器307與蝕刻劑閥系統(tǒng)303 的內(nèi)腔流量控制器311均耦接至內(nèi)部混合腔403。
混合腔401、 403可以是任何可以在氣體進入外延腔101之前改善其 混合度的腔室形狀/尺寸。例如，混合腔401、 403可以是圓柱形的、立方 體的、圓形的等等。
第四外延系統(tǒng)400的運作與圖3的第三外延系統(tǒng)300類似。然而，由于混合腔401、 403,改善的氣體混合現(xiàn)象發(fā)生在氣體進入外延腔101之 前。某些實施例中，這樣改善的氣體混合會改善外延膜表面型態(tài)(例如通過 在進入外延腔101之前更均勻地混合栽氣與蝕刻與/或沉積氣體)。
前面的敘述只揭示本發(fā)明的示范實施例。熟悉技術(shù)人士可以明顯得知， 其可在不悖離發(fā)明的范圍與精神下變形上文揭示設(shè)備與方法。例如，雖然 沉積歧管103與蝕刻歧管109顯示在外延腔101相對的兩邊，可以理解 沉積歧管103與蝕刻歧管109可能會在外延腔101的相同一邊或任何其它 合適的位置(例如殘留獨立的歧管時)。再者，如上述于圖1-4中，沉積歧管 103與蝕刻歧管109會是應(yīng)用獨立蝕刻管線好傳送蝕刻劑給反應(yīng)腔(獨立 于應(yīng)用來傳送沉積形式的管線)的整體氣體歧管一部分。
本發(fā)明至少 一個實施例中，蝕刻劑(例如氯氣)的引入是通過一獨立液 體供應(yīng)管線而發(fā)生，不需與氣體面板中其它氣體混合(例如反應(yīng)氣體、沉積 氣體等等)。例如，通過一具有流量控制裝置的獨立管線發(fā)生蝕刻劑的引入。
一特定的實施例中，蝕刻劑的引入是通過一獨立管線而發(fā)生，該獨立 管線具有流量控制裝置，且為了達到蝕刻的一致性而在接近反應(yīng)腔(例如一 外延膜形成腔)時分裂，好分散腔室引入?yún)^(qū)之間的蝕刻劑。某些實施例中， 會應(yīng)用流量分配器或活門在各個分裂處。
某些實施例中，蝕刻劑的引入是通過一具有一接近反應(yīng)腔(例如一外延 膜形成腔)的混合器的獨立管線而發(fā)生，不需與氣體面板中其它氣體混合。
至少 一 實施例中，蝕刻劑的引入是以 一 針對各個腔室引入?yún)^(qū)的獨立管 線(從氣體面板至反應(yīng)腔)而發(fā)生。例如，蝕刻劑的引入以一具有一接近反 應(yīng)腔的混合器，且針對各個腔室引入?yún)^(qū)的獨立管線(從氣體面板至反應(yīng)腔) 而發(fā)生。某些實施例中，蝕刻劑的引入是以一獨立管線(從氣體面板至反應(yīng) 腔)，且僅有諸如氮氣、氦、氬等等的栽氣耦接至氣體面板的蝕刻管線而發(fā) 生。
某些實施例中，可能發(fā)生蝕刻劑的引入，其中蝕刻劑與其它活躍化學(xué) 物(例如液體)的混合，需要步驟發(fā)生在當管線內(nèi)的壓力不超過腔內(nèi)壓力約 20托爾以上時。
至少一實施例中，氯氣會應(yīng)用在外延膜形成、清潔與/或蝕刻含硅材質(zhì)(最好在約1托爾或更高的腔內(nèi)壓力下)。
某些實施例中，可能有蝕刻劑的引入，其中蝕刻劑與其它在氣體面板 中的氣體/液體(諸如硅前體、摻質(zhì)氣體等等)混合，好沉積、清潔與/或蝕刻 含硅材質(zhì)(最好在約1托爾(tOIT)或更高的腔內(nèi)壓力下)。例如，可以提供熱 的反應(yīng)腔好應(yīng)用蝕刻劑(例如氯氣)于沉積、清潔與/或蝕刻含硅材質(zhì)(最好在 約1托爾或更高的腔內(nèi)壓力下)。包含一氣體面板、 一反應(yīng)腔以及一從氣體 面板耦接至反應(yīng)腔的傳送管線的 一 器械，其會應(yīng)用蝕刻劑(例如氯氣)于沉 積、清潔與/或蝕刻含硅材質(zhì)(最好在約1托爾或更高的腔內(nèi)壓力下)。
某些實施例中，可能發(fā)生蝕刻劑的引入，其中蝕刻劑與氣體面板中剩 下的液體(諸如硅前體、摻質(zhì)氣體等等)混合。至少一實施例中，蝕刻劑的 引入是通過一在計量閥上游且具有流量控制裝置的獨立管線而發(fā)生，且該 獨立管線在接近反應(yīng)腔時分裂，好分散腔室引入?yún)^(qū)之間的蝕刻劑。相同的 計量閥會應(yīng)用在腔室引入?yún)^(qū)之間去改變蝕刻劑與其余反應(yīng)氣體的散布。某 些實施例中，蝕刻劑的引入以一具有一接近反應(yīng)腔的混合器，且針對各個 腔室引入?yún)^(qū)的獨立管線(從氣體面板至反應(yīng)腔)而發(fā)生。
因此，雖然本發(fā)明是以其示范實施例來揭示，應(yīng)當理解的是，下述權(quán) 利要求所界定的其它實施例也會落入本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種外延膜形成系統(tǒng)，其至少包括適于在基板上形成外延層的外延腔；適于提供至少一沉積氣體與一載氣給該外延腔的沉積氣體歧管；以及與該沉積氣體歧管分離且適于提供至少一蝕刻劑氣體與一載氣給該外延腔的蝕刻劑氣體歧管。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括一耦接至 該外延腔的腔閥系統(tǒng)，其位于該沉積氣體歧管與該蝕刻氣體劑歧管之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中該腔閥系統(tǒng)經(jīng)由一混合區(qū)而耦接至 該沉積氣體歧管與該蝕刻劑氣體歧管。
4. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中該腔閥系統(tǒng)經(jīng)由一混合腔而耦接至 該沉積氣體歧管與該蝕刻劑氣體歧管。
5. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括沉積閥系 統(tǒng)，耦接至該外延腔與該沉積氣體歧管。
6. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括蝕刻劑閥 系統(tǒng)，耦接至該外延腔與該蝕刻劑氣體歧管。
7. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括 沉積閥系統(tǒng)，耦接至該外延腔與該沉積氣體歧管；以及蝕刻劑閥系統(tǒng)，耦接至該外延腔與該蝕刻劑氣體歧管。
8. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括沉積閥系統(tǒng)，耦接至該沉積氣體歧管與一通到該外延腔的混合區(qū)；以及蝕刻劑閥系統(tǒng)，耦接至該蝕刻劑氣體歧管與 一通到該外延腔的混合區(qū)。
9. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該外延膜形成系統(tǒng)更包括沉積閥系統(tǒng)，耦接至該沉積氣體歧管與 一通到該外延腔的混合腔；以及蝕刻劑閥系統(tǒng)，耦接至該蝕刻劑氣體歧管與 一通到該外延腔的混合腔。
10. —種形成一外延膜的方法，其至少包括從沉積氣體歧管提供至少一沉積氣體與 一栽氣給一外延腔；以及 從與該沉積氣體歧管分離的蝕刻劑氣體歧管提供至少一蝕刻劑氣體與 栽氣給該外延腔。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該外延腔的腔閥 系統(tǒng)，其位于該沉積氣體歧管與該蝕刻劑氣體歧管之間，去運送該氣體給 該外延腔。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該腔閥系統(tǒng)、該 沉積氣體歧管以及該蝕刻劑氣體歧管的混合區(qū)。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該腔閥系統(tǒng)、該 沉積氣體歧管以及該蝕刻劑氣體歧管的混合腔。
14. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該外延腔與該沉 積氣體歧管的沉積閥系統(tǒng)。
15. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該外延腔與該蝕 刻劑氣體歧管的蝕刻劑閥系統(tǒng)。
16. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該外延腔與該沉 積氣體歧管的沉積閥系統(tǒng)，與 一耦接至該外延腔與該蝕刻劑氣體歧管的蝕 刻劑閥系統(tǒng)。
17. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該沉積氣體歧管 與 一 通到該外延腔的混合區(qū)的沉積閥系統(tǒng)；以及應(yīng)用 一 耦接至該蝕刻劑氣 體歧管與 一 通到該外延腔的混合區(qū)的蝕刻劑閥系統(tǒng)。
18. 如權(quán)利要求10所述的方法，更包括應(yīng)用一耦接至該沉積氣體歧管 與一通到該外延腔的混合腔的沉積閥系統(tǒng)；以及應(yīng)用 一耦接至該蝕刻劑氣 體歧管與 一通到該外延腔的混合腔的蝕刻劑閥系統(tǒng)。
19. 一種用于形成一外延膜的設(shè)備，其至少包括 混合區(qū)，耦接至適于在基板上形成外延層的外延腔； 沉積氣體歧管，其適于提供至少一沉積氣體與一栽氣給該外延腔；以及蝕刻劑氣體歧管，其與該沉積氣體歧管分離且適于提供至少 一 蝕刻劑 氣體與一載氣給該外延腔。
20. —種用以形成外延膜的設(shè)備，其至少包括 混合腔，耦接至適于在基板上形成外延層的外延腔； 沉積氣體歧管，其適于提供至少一沉積氣體與一載氣給該外延腔；以及蝕刻劑氣體歧管，其與該沉積氣體歧管分離且適于提供至少 一 蝕刻劑 氣體與一載氣給該外延腔。
全文摘要
本發(fā)明提供關(guān)于形成外延膜的方法、系統(tǒng)與設(shè)備，其包括適于形成外延層在基板上的外延腔；適于提供至少一沉積氣體與一載氣給該外延腔的沉積氣體歧管；以及蝕刻劑氣體歧管，其與該沉積氣體歧管分離，且適于提供至少一蝕刻劑氣體與載氣給該外延腔。此外還揭示許多其它方面。
文檔編號C23C16/00GK101415859SQ200780012516
公開日2009年4月22日 申請日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月7日
發(fā)明者A·V·薩蒙羅弗, A·佐嘉吉, C·R·梅茨納, D·伊西卡瓦, Y·金 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司