專利名稱：：用于電子器件或其它制品上的涂層的雜化層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于電子器件的阻擋涂層。
背景技術(shù)：
：有機電子器件例如有機發(fā)光器件(OLED)在暴露于水蒸氣或氧時易于劣化。OLED上減少其對水蒸氣或氧的暴露的保護性阻擋涂層可有助于改善器件的壽命和性能。已考慮將成功用于食品包裝的氧化硅膜、氮化硅膜或氧化鋁膜用作OLED的阻擋涂層。然而，這些無機膜傾向于含有微觀缺陷，這些微觀缺陷允許水蒸氣和氧擴散通過該膜。在一些情形中，所述缺陷在脆性膜中顯現(xiàn)為裂紋。雖然這種水和氧擴散水平對于食用產(chǎn)品也許是可接受的，但其對于OLED是不可接受的。為解決這些問題，在OLED上對使用交替的無機層和聚合物層的多層阻擋涂層進行了測試，發(fā)現(xiàn)對水蒸氣和氧的滲透具有改善的抵抗性。但這些多層涂層具有關(guān)于復(fù)雜性和費用的缺點。因此，存在對形成適用于保護0LED的阻擋涂層的其它方法的需要。概述在一方面，本發(fā)明提供了在表面上形成涂層的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料和非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。在另一方面，本發(fā)明提供了在表面上形成多層涂層的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積多個雜化層，其中各個雜化層獨立地包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料和非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。在另一方面，本發(fā)明提供了形成如下涂層的方法，所述涂層與其上沉積該涂層的表面具有改善的界面結(jié)合，該方法包括提供具有表面的襯底；預(yù)處理待涂覆的表面；提供前體材料源；將前體材料輸送到與預(yù)處理表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料和非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。在另一方面，本發(fā)明提供了保護電子器件的方法，所述電子器件設(shè)置在充當(dāng)該電子器件的基底的表面上，包括在電子器件上形成涂層，包括以下步驟(a)提供前體材料源；(b)將前體材料輸送到與待涂覆電子器件鄰接的反應(yīng)位置；和(c)使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該電子器件上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料和非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。在又一方面，本發(fā)明提供了控制表面上形成的涂層性能的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料和非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源；和控制沉積該雜化層所處的條件。附圖簡述圖1顯示了可用于實施本發(fā)明某些實施方案的PE-CVD設(shè)備的示意圖。圖2顯示了根據(jù)一個實施方案的雜化層的光學(xué)透射鐠。圖3顯示了如何測量膜上水滴的接觸角。圖4顯示了在各種02/HMDSO氣體流量比率下形成的若干雜化層的接觸角的坐標圖。圖5顯示了在PE-CVD處理期間于所施加的各種功率水平下形成的若干雜化層的接觸角的坐標圖。圖6顯示了使用相對高的02流量和相對低的02流量形成的雜化層相對于純Si02(熱氧化物)膜和純聚合物膜的紅外吸收光i昝。圖7顯示了在各種02/HMDSO氣體流量比率下形成的各種雜化層的納米壓痕硬度相對于純Si02膜的硬度的坐標圖。圖8顯示了在各種02/HMDSO氣體流量比率下形成的若干雜化層的表面粗糙度的坐標圖。圖9顯示了在各種功率水平下形成的若干雜化層的表面粗糙度的坐標圖。圖10A和10B顯示了在50nm厚Kapton聚酰亞胺箔上沉積的4^m雜化層的表面的光學(xué)顯微照片。圖11顯示了根據(jù)一個實施方案的封裝OLED的一部分的橫截面視圖。圖12顯示具有阻擋涂層的完整0LED的加速環(huán)境測試的結(jié)果。圖13顯示了根據(jù)另一個實施方案的封裝0LED。圖14顯示了根據(jù)另一個實施方案的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片。圖15顯示了根據(jù)另一個實施方案的封裝OLED。圖16A和16B顯示了根據(jù)另一個實施方案的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片。圖17A顯示在一種設(shè)定條件下沉積的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片。圖17B顯示在另一種設(shè)定條件下沉積的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片。圖18A-C顯示了聚酰亞胺襯底和在其上沉積的各種雜化層之間的應(yīng)變失配的坐標圖。圖19顯示了根據(jù)另一個實施方案的封裝OLED。圖20顯示了根據(jù)另一個實施方案的封裝0LED。詳述在一方面，本發(fā)明提供了在表面上形成涂層的方法。該方法包括在表面上沉積包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的雜化層。該雜化層可以具有單一相或多個相。如在本文中所使用的，術(shù)語"非聚合物"是指由具有明確限定化學(xué)式的分子所構(gòu)成的材料，所述分子具有單一的、明確限定的分子量。"非聚合物"分子可以具有非常大的分子量。在一些情形中，非聚合物分子可以包括重復(fù)單元。如在本文中所使用的，術(shù)語"聚合物"是指由具有共價聯(lián)接的重復(fù)亞單元(subunit)的分子所構(gòu)成的材料，并且所述分子的分子量在分子與分子之間可以不等，這是因為聚合反應(yīng)可以對于各個分子產(chǎn)生不同數(shù)目的重復(fù)單元。聚合物包括但不限于均聚物和共聚物例如嵌段、接枝、無規(guī)或交替的共聚物，以及他們的共混物及變體。聚合物包括但不限于碳或硅的聚合物。如本文中所使用的，"聚合物材料和非聚合物材料的混合物，，是指本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解為既不是純聚合物又不是純非聚合物的組合物。術(shù)語"混合物，，意欲排除含有偶存量的非聚合物材料(例如，其可必然存在于聚合物材料的間隙中)但本領(lǐng)域技術(shù)人員卻認為是純聚合物的任何聚合物材料。同樣，這意欲排除含有偶存量的聚合材料但本領(lǐng)域技術(shù)人員卻認為是純的非聚合物的任何非聚合物材料。在一些情形中，雜化層中聚合物與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，優(yōu)選在90:10至10:90范圍內(nèi)且更優(yōu)選在25:75至10:90范圍內(nèi)。可以使用包括水滴的潤濕接觸角、紅外吸收、硬度和柔韌性的各種技術(shù)來確定層的聚合物/非聚合物組成。在某些情形中，雜化層具有在30。-85。范圍內(nèi)，優(yōu)選在30°-60。范圍內(nèi)且更優(yōu)選在36°-60。范圍內(nèi)的潤濕接觸角。應(yīng)注意，如果在沉積狀態(tài)的膜表面上測定，則潤濕接觸角是組成的量度。因為潤濕接觸角可因沉積后的處理而極大變化，在這樣的處理后進4亍的測量可能并不精確地反映出層的組成。據(jù)認為，這些潤濕角適用于由有機硅前體形成的許多層。在某些情形中，雜化層具有在3-20GPa范圍內(nèi)，優(yōu)選在10-18GPa范圍內(nèi)的納米壓痕硬度。在某些情形中，雜化層具有在0.1iini-l()nm范圍內(nèi)，優(yōu)選在O.2nm-O.35nm范圍內(nèi)的表面粗糙度(均方根)。在某些情形中，當(dāng)雜化層沉積為在50pm厚的聚酰亞胺箔襯底上的4fim厚的層時，其具有足夠的柔韌性，使得在0.2。/。的拉應(yīng)變(s)下于l英寸直徑軋輥上至少5500Q次輥軋循環(huán)后沒有觀測到顯微組織改變。在某些情形中，雜化層是足夠柔韌的，使得在至少G.35W的拉應(yīng)變(s)(本領(lǐng)域技術(shù)人員認為，通常可使4nm純氧化硅層開裂的拉應(yīng)變水平)下沒有出現(xiàn)裂紋。術(shù)語"混合物"意欲包括具有單一相的組合物以及具有多個相的組合物。因此，"混合物"排除后續(xù)沉積的交替的聚合物層和非聚合物層。換言之，要被認為是"混合物"，則層應(yīng)在相同沉積條件下和/或在相同時間進行沉積。使用單一前體材料源通過化學(xué)氣相沉積形成雜化層。如本文中所使用的，"單一前體材料源"是指在通過CVD(用或不用反應(yīng)物氣體)沉積前體材料時提供形成聚合物材料和非聚合物材料兩者所必需的所有前體材料的源。這意欲排除其中使用一種前體材料形成聚合物材料和使用不同前體材料形成非聚合物材料的方法。通過使用單一前體材料源，該沉積方法得以簡化。例如，單一前體材料源可消除對獨立的前體材料流的需要和提供并控制該獨立流的伴隨需要。前體材料可以是單一化合物或多種化合物的混合物。在一些情形中，當(dāng)前體材料是多種化合物的混合物時，混合物中的每種不同化合物自身能夠獨立地充當(dāng)前體材料。例如，前體材料可以是六甲基二硅氧烷(HMDSO)和二甲基硅氧烷(DMSO)的混合物。在一些情形中，等離子體增強CVD(PE-CVD)可以用于雜化層的沉積。出于包括低溫沉積、均勻涂層形成和可控工藝參數(shù)在內(nèi)的各種原因，PE-CVD可為理想的。適用于本發(fā)明的各種PE-CVD方法在本領(lǐng)域中是已知的，包括使用RF能量產(chǎn)生等離子體的那些方法。前體材料是在通過化學(xué)氣相沉積進行沉積時能夠形成聚合物材料和非聚合物材料兩者的材料。各種這樣的前體材料均適用于本發(fā)明并且就它們的各種特性對其進行選擇。例如，前體材料可就其化學(xué)元素含量、其化學(xué)元素的化學(xué)計量比、和/或在CVD下形成的聚合物材料及非聚合物材料來進行選擇。例如，有機硅化合物如硅氧烷是適合用作前體材料的一類化合物。硅氧烷化合物的代表性例子包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)和二甲基硅氧烷(DMSO)。當(dāng)通過CVD進行沉積時，這些硅氧烷化合物能夠形成聚合物材料例如硅酮聚合物和非聚合物材料例如氧化硅。還可就各種其它特性例如費用、無毒性、操縱特性、在室溫下維持液相的能力、揮發(fā)性、分子量等對前體材料進行選擇。適合用作前體材料的其它有機硅化合物包括甲基硅烷；二甲基硅烷；乙烯基三甲基硅烷；三曱基硅烷；四甲基硅烷；乙基硅烷；二硅烷基曱烷(disila應(yīng)ethane);雙(曱基硅烷基)甲烷(bis(methyl-silano)methane);1，2-二珪烷基乙烷(1，2-disilanoethane);1,2-雙(甲基娃烷基)乙烷(1，2-bis(methylsilano)ethane);2，2-二珪烷基丙烷(2，2-disilanopropane);1，3，5-三硅烷基-2，4，6-三亞甲基(1，3，5-trisilano-2，4，6-trimethylene)，和這些化合物的氟化衍生物。適合用作前體材料的含苯基的有機硅化合物包括二曱基苯基硅烷和二苯基甲基硅烷。適合用作前體材料的含氧有機硅化合物包括二甲基二曱氧基硅烷；1，3,5，7-四曱基環(huán)四硅氧烷；1，3-二甲基二硅氧烷；1，1，3,3-四甲基二硅氧烷；1，3-雙(硅烷基亞甲基)二硅氧烷(1，3-bis(silanomethylene)disiloxane);雙(l-甲基甲硅醚基)甲烷；2，2-雙(1-甲基甲硅醚基)丙烷；2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷；八甲基環(huán)四硅氧烷；2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷；1，3，5，卜四硅烷基一2，6-二氧—4，8-二亞曱基(1，3，5，7-tetrasilano-2，6-dioxy-4，8-dimethylene);六甲基環(huán)三硅氧烷；1，3，5，7，9-五甲基環(huán)五硅氧烷；六甲氧基二硅氧烷，和這些化合物的氟化衍生物。適合用作前體材料的含氮有機硅化合物包括六甲基二硅氮烷；二乙烯基四甲基二硅氮烷；六甲基環(huán)三硅氮烷；二曱基雙(N-甲基乙酰氨基)硅烷；二甲基雙-(N-乙基乙酰氨基)硅烷；曱基乙烯基雙(N-甲基乙酰氨基)硅烷；曱基乙烯基雙(N-丁基乙酰氨基)硅烷；甲基三(N-苯基乙酰氨基)硅烷；乙烯基三(N-乙基乙酰氨基)硅烷；四(N-曱基乙酰氨基)硅烷；二苯基雙(二乙基氨氧基)硅烷；曱基三(二乙基氨氧基)硅烷；和雙(三曱基硅基)碳二亞胺。當(dāng)通過CVD進行沉積時，根據(jù)前體材料的類型、任何反應(yīng)物氣體的存在和其它反應(yīng)條件，前體材料可以按各種量形成各種類型聚合物材料。聚合物材料可以是無機或有機的。例如，在有機硅化合物用作前體材料時，沉積的雜化層可以包括Si-0鍵、Si-C鍵或Si-O-C鍵的聚合物鏈以形成聚硅氧烷、聚碳硅烷和聚硅烷以及有機聚合物。當(dāng)通過CVD進行沉積時，根據(jù)前體材料的類型、任何反應(yīng)物氣體的存在和其它反應(yīng)條件，前體材料可以按各種量形成各種類型非聚合物材料。非聚合物材料可以是無機或有機的。例如，在有機硅化合物用作前體材料且與含氧反應(yīng)物氣體組合時，非聚合物材料可包括硅氧化物例如Si0、Si02和混合價態(tài)氧化物SiOx。當(dāng)用含氮反應(yīng)物氣體進行沉積時，非聚合物材料可以包括硅氮化物(SilU?？尚纬傻钠渌蔷酆衔锊牧习ü璧奶佳趸锖凸璧牡趸?。當(dāng)使用PE-CVD時，前體材料可以和在PE-CVD工藝沖與該前體材料反應(yīng)的反應(yīng)物氣體結(jié)合使用。PE-CVD中反應(yīng)物氣體的使用在本領(lǐng)域中是已知的，并且各種反應(yīng)物氣體均適用于本發(fā)明，包括含氧氣體(例如02、臭氧、水)和含氮氣體(例如氨)。反應(yīng)物氣體可用于改變反應(yīng)混合物中存在的化學(xué)元素的化學(xué)計量比。例如，當(dāng)硅氧烷前體材料與含氧或含氮反應(yīng)物氣體一起使用時，反應(yīng)物氣體將改變反應(yīng)混合物中氧或氮相對于硅和碳的化學(xué)計量比。反應(yīng)混合物中各種化學(xué)元素(例如硅、碳、氧、氮)之間的這種化學(xué)計量關(guān)系可以按若干方式而改變。一種方式是改變反應(yīng)中前體材料或反應(yīng)物氣體的濃度。另一種方式是改變前體材料或反應(yīng)物氣體進入反應(yīng)的流速。又一種方式是改變用于反應(yīng)的前體材料或反應(yīng)物氣體的類型。改變反應(yīng)混合物中元素的化學(xué)計量比可以影響沉積的雜化層中聚合物材料和非聚合物材料的性能和相對量。例如，硅氧烷氣體可以與變化量的氧組合來調(diào)節(jié)雜化層中非聚合物材料相對于聚合物材料的量。通過提高氧相對于硅或碳的化學(xué)計量比，可提高非聚合物材料例如硅氧化物的量。類似地，通過降低氧的化學(xué)計量比，可提高含硅和碳的聚合物材料的量。還可以通過調(diào)節(jié)其它反應(yīng)條件改變雜化層的組成。例如，對于PE-CVD,可改變工藝參數(shù)例如RF功率和頻率、沉積壓力、沉積時間和氣體流速。因此，通過使用本發(fā)明的方法，能夠形成具有雜化聚合物/非聚合物特性且具備適用于各種用途的特性的雜化層。這樣的特性包括透光性(例如在一些情形中，該雜化層是光學(xué)透明的)、不可滲透性、柔韌性、厚度、附著性和其它力學(xué)性能。例如，可通過改變雜化層中聚合物材料的重量％(余量為非聚合物材料)來調(diào)節(jié)這些特性中的一種或多種。例如，為獲得所需水平的柔韌性和不可滲透性，聚合物材料的重量％優(yōu)選在5-95%范圍內(nèi)且更優(yōu)選在10-25%范圍內(nèi)。然而，取決于用途其它范圍也是可行的。由純的非聚合物材料例如氧化硅制成的阻擋層可以具有涉及透光性、良好附著性和良好膜應(yīng)力的各種優(yōu)點。然而，這些非聚合物層傾向于含有微觀缺陷，所述缺陷允許水蒸氣和氧擴散通過該層。向非聚合物層提供一些聚合物特性可以降低該層的可滲透性而不顯著改變純的非聚合物層的有利性能。不意欲受理論束縛，本發(fā)明人認為，具有雜化聚合/非聚合特性的層通過減少缺陷(特別是微裂紋)的大小和/或數(shù)目來降低該層的可滲透性。在一些情形中，本發(fā)明的涂層可以具有多個雜化層，其中各個雜化層的組成可以獨立地發(fā)生改變。在一些情形中，涂層中的一個雜化層的重量％與另一個雜化層相差至少10重量％。各個雜化層的厚度也可以獨立地發(fā)生改變。通過相繼調(diào)節(jié)用于沉積雜化層的反應(yīng)條件可以產(chǎn)生不同的雜化層。例如，在PE-CVD工藝中，可相繼調(diào)節(jié)提供到反應(yīng)混合物中的反應(yīng)物氣體的量來產(chǎn)生多個雜化層，各個雜化層是不連續(xù)的并且具有不同的組成。當(dāng)涂層具有如下區(qū)域時該區(qū)域中其組成從一個高度到另一個高度連續(xù)地發(fā)生顯著改變，該區(qū)域內(nèi)的雜化層可以非常薄，甚至在涂層內(nèi)薄至最小分子單元。例如，涂層可以具有聚合物材料與非聚合物材料的重量。/。比率連續(xù)改變的區(qū)域。該連續(xù)改變可以是線性的(例如，聚合物材料與非聚合物材料的重量。/。比率可以隨較高的高度而穩(wěn)定地增加)或非線性的(例如，周期性提高和降低)?？梢栽诟鞣N類型制品上沉積雜化層。在一些情形中，該制品可以是有機電子器件例如OLED。對于OLED，雜化層可充當(dāng)?shù)挚顾魵夂脱鯘B透的阻擋涂層。例如，具有小于10"g/mV天的水蒸氣透過速率和/或小于10_3g/mV天的氧透過速率的雜化層可適合于保護OLED。在一些情形中，雜化層的厚度可以為0.1-10fim,但取決于用途還可使用其它厚度。此外，具有賦予透光性的厚度和材料組成的雜化層可以適于與OLED—起使用。為了與柔性O(shè)LED—起使用，可將雜化層設(shè)計成具有所需量的柔韌性。在一些情形中，可在暴露于環(huán)境時對劣化敏感的其它制品上使用該雜化層，所述制品例如醫(yī)藥品、醫(yī)療器械、生物試劑、生物樣品、生物傳感器或敏感的測量設(shè)備。在一些情形中，可以將雜化層與同樣可通過使用相同的單一前體材料源形成的未混合層組合使用，所述未混合層例如未混合的聚合物層或未混合的非聚合物層。可以在沉積雜化層之前或之后沉積該未混合層?？梢允褂枚喾N類型CVD反應(yīng)器中的任何反應(yīng)器來實施本發(fā)明的方法。作為一個實施例，圖1顯示了可用于實施本發(fā)明某些實施方案的PE-CVD設(shè)備10。PE-CVD設(shè)備10包含反應(yīng)室20，在該反應(yīng)室中電子器件30裝載于夾具24上。對反應(yīng)室20進行設(shè)計以含有真空并且將真空泵70連接到反應(yīng)室20以產(chǎn)生和/或維持適當(dāng)?shù)膲毫?。N,氣罐50提供&氣以凈化設(shè)備10。反應(yīng)室20還可以包括冷卻系統(tǒng)以減少反應(yīng)產(chǎn)生的熱。為了操控氣體流量，設(shè)備IO還包括可處于手動或自動控制的各種流量控制機構(gòu)(例如質(zhì)量流量控制器80、關(guān)閉閥S2和止回閥84)。前體材料源40提供前體材料(例如液體形式的HMDSO),該前體材料被蒸發(fā)并充入到反應(yīng)室20內(nèi)。在一些情形中，可以使用栽氣例如氬將前體材料輸送到反應(yīng)室20。反應(yīng)物氣體罐60提供反應(yīng)物氣體(例如氧)，也將該反應(yīng)物氣體充入反應(yīng)室20內(nèi)。前體材料和反應(yīng)物氣體流入到反應(yīng)室20內(nèi)以產(chǎn)生反應(yīng)混合物42。可另外調(diào)節(jié)反應(yīng)室20內(nèi)部的壓力以獲得沉積壓力。反應(yīng)室20包括安裝在電極支座(standoff)26上的一組電極22,所述電極支座可以是導(dǎo)體或絕緣體。器件30和電極22的各種配置均是可行的?？梢允褂枚O管或三極管電極、或者遠電極(remoteelectrode)。器件30可以按圖1中所示遠距離放置，或者可以安裝在二極管結(jié)構(gòu)的一個或兩個電極上。為電極22提供RF功率以在反應(yīng)混合物"中產(chǎn)生等離子體條件。將等離子體產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物沉積到電子器件30上。使反應(yīng)進行足以在電子器件30上沉積雜化層的時間段。反應(yīng)時間將取決于各種因素，例如器件30相對于電極22的位置、待沉積的雜化層的類型、反應(yīng)條件、所需雜化層厚度、前體材料和反應(yīng)物氣體。反應(yīng)時間可以持續(xù)5秒鐘至5小時，但根據(jù)用途還可以使用更長或更短的時間。下表1顯示了用于制備三個實施例的雜化層的反應(yīng)條件。由水滴的潤濕接觸角測定，實施例1的雜化層含有約7%聚合物材料和93%非聚合物材料。由水滴的潤濕接觸角測定，實施例2的雜化層含有約94%聚合物材料和6%非聚合物材料。由水滴的潤濕接觸角測定，實施例3的雜化層含有約25%聚合物材料和75%非聚合物材料。表1.<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>圖2顯示了實施例3的雜化層的光學(xué)透射譜。該雜化層在從近紫外至近紅外光譜具有大于90°/;的透光率。圖3顯示了如何測量膜上水滴的接觸角。圖4是在各種02/HMDSO氣體流量比率下形成的若干雜化層的接觸角相比于純Si02膜和純聚合物的接觸角的坐標圖。在沉積處理中的氧流速增加時，所述雜化層的接觸角接近純Si02膜的接圖5是PE-CVD處理期間于所施加的各種功率水平下形成的若干雜化層的接觸角的坐標圖。在功率水平增加時，所述雜化層的接觸角接近純Si02膜的接觸角，這可能是由于較高功率水平使02成為更強的氧化劑。圖6顯示了使用相對高的02流量和相對低的02流量形成的雜化層相比于純Si02(熱氧化物)的膜或純聚合物的膜的紅外吸收謙圖。高02雜化層在Si-O-Si帶顯示出強峰。認為熱氧化物(純Si02)膜的Si-CH3帶中的標稱峰與Si-0振動有關(guān)。圖7是在各種02/HMDSO氣體流量比率下形成的各種雜化層的納米壓痕硬度相比于純Si02膜的硬度的坐標圖。該雜化層的硬度隨沉積處理中氧流速的增加而增加，并且這些雜化層可幾乎硬如純的Si02膜，但卻是堅韌且非常柔軟的。圖8是在各種02/HMDS0氣體流量比率下形成的若干雜化層的通過原子力顯微術(shù)測得的表面粗糙度(均方根)的坐標圖，并且顯示該表面粗糙度隨用于沉積處理的02流速增加而降低。圖9是在各種功率水平下形成的若干雜化層的通過原子力顯微術(shù)測得的表面粗糙度(均方根)的坐標圖，并且顯示了該表面粗糙度隨用于沉積處理的功率水平增加而降低。圖10A和10B顯示了在50nm厚Kapton聚酰亞胺箔上沉積的4nm雜化層(在與上文實施例3相同的源溫度、氣體流速、壓力和RF功率下進行沉積)的表面的光學(xué)顯微照片。在圖10A中，在使涂覆箔于1英寸直徑軋輥上經(jīng)受循環(huán)輥軋(拉應(yīng)變s-0.2%)之前和之后獲得圖像。在58600次輥軋循環(huán)后沒有觀測到顯微組織改變。在圖10B中，使涂覆箔經(jīng)受逐漸增加的拉應(yīng)變，并且在出現(xiàn)首次開裂(Mmm的軋輥直徑)之后和在大量開裂(2mm的軋輥直徑)之后獲得圖像。這些柔韌性結(jié)果證明本發(fā)明的方法可提供高度柔韌的涂層。圖ll顯示了封裝OLED100的一部分的牙黃截面視圖，該封裝OLED包含襯底150上的OLED固有體(proper)140和作為阻擋涂層110的上述實施例3的雜化層。圖12顯示了具有阻擋涂層的整個OLED的加速環(huán)境測試的結(jié)果。底發(fā)射OLED和透明OLED均涂覆有6-厚的實施例3的雜化層。然后使器件在65。C和85%相對濕度的環(huán)境室中工作。該圖像顯示了在初始時刻和所示時間間隔后的0LED狀態(tài)。在超過1000小時后所述OLED繼續(xù)起作用，從而證明本發(fā)明的方法可提供對環(huán)境暴露劣化影響具有有效防護作用的涂層。在雜化層用作電子器件的環(huán)境阻擋層的情形中，該雜化層可以充當(dāng)在其上放置電子器件的表面、電子器件的覆蓋物或這兩者。例如，可以在電子器件上沉積一個雜化層來對其進行覆蓋，并且可以在電子器件下方的襯底上沉積另一個雜化層來提供放置電子器件的表面。以這種方式，將電子器件封閉于兩個雜化層之間。例如，參考圖13中所示的實施方案，封裝OLED160包含襯底150，該襯底150上沉積有雜化層162。OLED的本體140(包括電極)置于雜化層162的表面上。將另一個雜化層164作為保形涂層沉積在OLED本體14G上，該雜化層164可以具有與雜化層162相同或不同的組成。照此，除了覆蓋OLED本體140的頂部外，雜化層164還朝OLED本體140的側(cè)部向下延伸并且接觸雜化層162的表面。以這種方式，將OLED本體140夾在雜化層162和雜化層164之間。在某些實施方案中，可以在沉積雜化層之前對其上沉積雜化層的表面進行預(yù)處理以提高該表面和雜化層之間的界面結(jié)合。表面預(yù)處理可以調(diào)節(jié)各種表面性能，包括增強表面的附著性、調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)(例如活化表面)、改變表面粗糙度、提高表面能、使表面平坦化(planarize)和/或清潔表面。通過提高表面和雜化層之間的界面結(jié)合，這種特征在減少環(huán)境污染物(例如水分或氧)從雜化層的邊緣的側(cè)向擴散是有用的。能夠提高表面和雜化層之間的界面結(jié)合的各種類型的表面處理均適用于本發(fā)明，包括機械磨蝕、化學(xué)處理(例如，暴露于氧化劑，通過官能團的引入進行活化)或物理-化學(xué)處理(例如，暴露于等離子體、電暈放電或紫外輻照)。在使用等離子體處理時，可以在用于沉積雜化層的相同腔室內(nèi)進行處理，或者可以在獨立的設(shè)備中進行等離子體處理，在該情形中，可以使用本領(lǐng)域中已知的多種類型等離子體處理設(shè)備中的任何設(shè)備，包括筒型等離子體系統(tǒng)和平行板型等離子體系統(tǒng)。等離子體處理中常規(guī)使用的多種氣體中的任何氣體均可適合于預(yù)處理表面，包括氣體例如氧、氫、氮、氬、氨或其混合物。特別優(yōu)選的氣體包括氧和氬?？墒褂貌煌瑲怏w以不同方式來調(diào)節(jié)表面。例如，采用氬氣的等離子體處理用氬離子轟擊表面，這可以清潔表面或使其在原子尺度上更粗糙，從而改善其對雜化層的附著能力。采用氧的等離子體處理可以用含氧官能團來化學(xué)地活化表面，所述含氧官能團能夠與雜化層形成鍵合。為獲得所需的表面性能，可以調(diào)節(jié)等離子體處理過程的各種其它參數(shù)，包括功率、頻率、持續(xù)時間、壓力或溫度。在一些情形中，可通過在表面和雜化層之間沉積中介層來預(yù)處理表面。中介層包含可用于改善表面和雜化層之間的界面結(jié)合的多種材料中的任何材料。例如，用于中介層的合適材料包括氮化硅、鉻、鈦、鎳-鈦合金或介電材料?？梢允褂贸Ｒ?guī)用于沉積薄膜的多種技術(shù)中的任何技術(shù)來沉積這種層，包括化學(xué)氣相沉積、等離子體氣相沉積或濺射。中介層的厚度將根據(jù)具體用途而改變。在一些情形中，中介層可以是單原子層或單分子層，或者具有至多50nm的厚度，但在其它情形中其它厚度也是可行的。中介層中的材料還可以與在該中介層上方或下方的層或結(jié)構(gòu)內(nèi)的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。圖14顯示了沉積到刻蝕硅晶片上的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片(SEM)。硅晶片的未刻蝕部分(在圖14的左側(cè)顯示為具有5inm臺階高度的提升邊緣)覆蓋有80nm厚的鉻膜，該膜在硅晶片的刻蝕期間還充當(dāng)刻蝕掩模。硅晶片的刻蝕部分(在圖14的右側(cè)顯示)未用鉻膜進行預(yù)處理。在以下條件下通過PE-CVD在硅晶片的兩個部分上沉積雜化層<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>*在2個分別25分鐘的間歇時期中，于各時期之間進行冷卻。在間歇沉積處理的整個加熱和冷卻循環(huán)中，硅晶片襯底的平均溫度大于8(TC(起始溫度為約22°C，終了溫度為約160°C)。在鉻處理的表面上，雜化層具有致密的顯微組織。然而，在未處理的表面上，阻擋層具有不規(guī)則的柱狀顯微組織?；谠撔蚊膊町?，鉻處理的表面上的雜化層(具有致密的顯微組織)可預(yù)期具有比未處理表面上沉積的雜化層對水分和氧更小的可滲透性。在一些情形中，中介層可以是包含一個或多個平坦化亞層和一個或多個附著促進亞層的多層結(jié)構(gòu)。例如，美國專利No.6,597，111(Siivernail等)和No.7，187，119(Weaver)描述了由交替的系列聚合物平坦化亞層和高密度亞層形成的阻擋層。聚合物平坦化亞層包含形成平滑表面的聚合物平坦化材料。高密度亞層包含具有足夠接近原子間距的高密度材料(例如無機、陶瓷或介電材料)使得環(huán)境污染物的擴散受到阻止。在另一個實施例中，中介層可以包含旋涂聚合物層和雜化層(以上述方式進行沉積)的多個交替層；或者SiNx層和雜化層的多個交替層；或者旋涂聚合物層和SiNx層的多個交替層。例如，參考圖15中所示的實施方案，用聚合物材料的平坦化亞層170涂覆襯底150。將附著促進亞層172置于平坦化亞層170上。將OLED本體140(包括電極)置于附著促進亞層172的表面上。然后將雜化層174作為保形涂層沉積在0LED本體14G上。照此，除覆蓋OLED本體140的頂部外，雜化層174還朝OLED本體140的側(cè)部向下延伸并且接觸附著促進亞層172的表面。以這種方式，雜化層和附著促進亞層172之間的附著性可以減少環(huán)境污染物側(cè)向擴散通過界面區(qū)域。如上文所說明，可改變沉積條件來提供具有不同結(jié)構(gòu)、組成和/或性能的雜化層，所迷性能包括其對于環(huán)境污染物的可滲透性和對其上沉積雜化層的表面的附著性。在一些情形中，可以控制沉積溫度(例如在襯底的整個加熱和冷卻中)來降低雜化層的可滲透性。圖16A和16B顯示了沉積到刻蝕硅晶片上的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片(SEM)。用薄鉻膜覆蓋硅晶片的未刻蝕部分(在圖16A和16B的右側(cè)顯示為提升的邊緣)，該膜在硅晶片的刻蝕期間還充當(dāng)刻蝕掩模。硅晶片的刻蝕部分(在16A和16B的左側(cè)顯示)未用薄鉻膜進行預(yù)處理。在以下條件下通過PE-CVD在硅晶片的兩個部分上沉積雜化層..<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>*在16個分別5分鐘的間歇時期中，于各時期之間進行冷卻。在間歇沉積處理的整個加熱和冷卻循環(huán)中，硅晶片襯底的平均溫度為約35°C。在間歇沉積處理中，控制沉積溫度的一種方法是調(diào)節(jié)加熱和/或循環(huán)(cycle)的數(shù)目或持續(xù)時間。照此，因為該雜化層以較短持續(xù)時間的加熱循環(huán)和較多數(shù)目的冷卻循環(huán)進行沉積，因此平均沉積溫度比用于沉積圖14中所示雜化層的溫度低。結(jié)果，硅晶片的鉻處理表面和棵表面二者上的雜化層具有不規(guī)則的柱狀結(jié)構(gòu)。此外，該步驟的側(cè)面上具有差的覆蓋。因此，使用在一定范圍內(nèi)的較高沉積溫度形成的雜化層可預(yù)期比使用較低沉積溫度形成的雜化層具有更小的可滲透性。在一些情形中，在40。C-90。C范圍內(nèi)的沉積溫度下沉積雜化層。在一些情形中，可控制沉積功率來減少雜化層的可滲透性。圖17A顯示了沉積在底發(fā)射OLED疊層上的雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片(SEM)。在以下條件下通過PE-CVD沉積雜化層<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>*以如下間歇時段在100毫托下9分鐘，接著8次在100毫托下6分鐘，接著在130毫托下8分鐘，接著在150毫托下10分鐘，接著在125毫托下9分鐘，接著在150毫托下7分鐘，接著在125毫托下8分鐘，接著在150毫托下10分鐘，接著在125毫托下8分鐘，和接著在125毫托下9分鐘。認為較高的沉積功率增加單體斷鏈(fragmentation)。因此，通過逐漸將功率從24W提高至50W，觀測到雜化層中各個后續(xù)子層(stratum)具有較大的類氧化物特性和較小的類聚合物特性。在圖17A中，最接近表面的雜化層的子層(在較低的功率下沉積)具有多孔的類聚合物的顯微組織，而最遠離表面的子層(在較高的功率下沉積)具有較致密的類氧化物的顯微組織。圖17B顯示另一個雜化層的橫截面的掃描電子顯微照片(SEM)，該雜化層在以下條件下通過PE-CVD沉積在頂發(fā)射OLED疊層上<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>*在12個分別IO分鐘的間歇時期中，于各時期之間進行冷卻。相對于圖17A所示的雜化層，在沉積圖UB中所示的雜化層中使用較高的沉積功率。結(jié)果，該雜化層具有比圖17A中所示的雜化層更致密的顯微組織。因此，使用較高沉積功率形成的雜化層可預(yù)期具有比使用較低沉積功率形成的雜化層更小的可滲透性。當(dāng)將兩種相異材料互相緊密接觸放置時，這樣的接觸可特別在該兩種材料的界面處引起應(yīng)力。因此，在某些實施方案中，可控制雜化層的殘余內(nèi)應(yīng)力來減少雜化層中應(yīng)力誘導(dǎo)缺陷例如裂紋、空隙、翹曲或分層的發(fā)生。控制雜化層中內(nèi)應(yīng)力的一種方法是調(diào)節(jié)沉積條件。圖18A-C顯示了25nm厚Kapton-E聚酰亞胺襯底和于不同條件下沉積于其上的各種雜化層(320-600nm厚)之間的應(yīng)變失配。正失配對應(yīng)于雜化層中的拉應(yīng)力，負失配對應(yīng)于雜化層中的壓應(yīng)力。參考圖ISA,將沉積壓力從100毫托提高至150毫托，而沉積功率和氣體流速保持恒定，結(jié)果在雜化層中產(chǎn)生較大的拉應(yīng)力。參考圖18B,將沉積功率從50W提高至80W，而沉積壓力和氣體流速保持恒定，結(jié)果在雜化層中產(chǎn)生較大的壓應(yīng)力。參考圖18C，將HMDS0/02氣體流速從1.0/34提高至2.0/67，而沉積壓力和功率保持恒定，結(jié)果在雜化層中產(chǎn)生較大的拉應(yīng)力。這些結(jié)果表明，可通過改變沉積參數(shù)來調(diào)節(jié)雜化層中的內(nèi)應(yīng)力。這些結(jié)果還表明存在最佳的沉積參數(shù)設(shè)置，在該設(shè)置下雜化層中的應(yīng)力可被最小化。例如，可以調(diào)節(jié)一個沉積參數(shù)以在雜化層中產(chǎn)生壓應(yīng)力，同時可以調(diào)節(jié)另一個參數(shù)以在雜化層中產(chǎn)生匹配的拉應(yīng)力，從而產(chǎn)生為零或接近零的殘余凈應(yīng)力。在多層涂層包含多個雜化層的情形中，還能夠獨立地調(diào)節(jié)各個雜化層中的應(yīng)力來控制涂層中的總應(yīng)力。例如，可調(diào)節(jié)各個雜化層來平衡涂層中的總應(yīng)力，或者隨著距表面的距離增加而逐漸提高雜化層中的應(yīng)力量。在某些實施方案中，當(dāng)電子器件置于充當(dāng)基底的表面(即基底表面)上時，雜化層和/或表面還可以包含邊緣阻擋體以減少環(huán)境污染物(例如水分或氧)通過側(cè)向擴散的滲透，要么經(jīng)由基底材料本身要么經(jīng)由基底表面和雜化層之間的界面?；卓梢杂杀疚乃龅娜魏尾牧匣蛞阎糜谠谄渖显O(shè)置電子器件的任何其它材料(例如，用于平坦化的材料和/或金屬箔襯底或涂覆阻擋體的塑性襯底上的絕緣層)可適用于本i明。在一些情形中，'通過在與電子器件;緣鄰接的區(qū)域處將雜化層結(jié)合至基底表面構(gòu)成邊緣阻擋體?？赏ㄟ^向這些區(qū)域施加熱封或粘合劑(例如環(huán)氧基粘合劑)實現(xiàn)該結(jié)合。在一些情形中，邊緣阻擋體可以是從電子器件的頂面沿著電子器件的側(cè)邊向下延伸并且與基底表面接觸的封頭(endcap)。美國專利No.7，002，294(Forrest等)中描述了可適用于本發(fā)明的一種封頭。該封頭可以由能夠保護電子器件免受環(huán)境污染物的側(cè)向進入的任何材料制成，包括高密度陶瓷材料(例如二氧化硅)或金屬材料。例如，參考圖19中所示的實施方案，封裝的OLED180包含襯底150，該襯底具有置于其上的OLEU本體140(包括電極)。雜化層182沉積在OLED本體140上。封頭184置于雜化層182和OLED本體140周圍以便從雜化層182的頂面向下朝OLED本體140的側(cè)面延伸，并且與襯底150的表面接觸。封頭184起到減少環(huán)境污染物經(jīng)由OLED180的側(cè)部表面或邊緣側(cè)向進入的作用。在一些情形中，可以通過在與電子器件周緣鄰接的區(qū)域中產(chǎn)生到基底表面的一個或多個不連續(xù)體來形成邊緣阻擋體。這些不連續(xù)體可以充當(dāng)?shù)挚褂啥喾N機制中的任何機制產(chǎn)生的環(huán)境污染物滲透的阻擋體，這些機制包括提高用于環(huán)境污染物側(cè)向進入的路徑長度，或者在基底材料充當(dāng)環(huán)境污染物進入的管道(conduit)時，在該管道中形成中斷。如本文中所使用的，術(shù)語"不連續(xù)體"是指通過使用控制空隙的大小、形狀和位置的技術(shù)移除或沉積材料而在基底表面中產(chǎn)生的不連續(xù)空隙(例如溝、槽、縫、裂紋、斷口、間隙、孑L洞、穿孔)。例如，這樣的技術(shù)包括使用能量束(例如激光、離子或電子)的直寫刻蝕、顯微機械加工、微細鉆削、光刻工藝或在待產(chǎn)生空隙的區(qū)域上利用選擇性掩蔽而掩模沉積基底材料。例如，參考圖20中所示的實施方案，用聚酰亞胺膜194涂覆襯底150。聚酰亞胺膜194充當(dāng)基底表面，OLED本體140(包括電極)位于該表面上。圍繞OLED本體140的周緣在聚酰亞胺膜194內(nèi)刻蝕出溝196。作為替代方式，可以在聚酰亞胺膜194的沉積期間通過選擇性掩蔽該區(qū)域形成溝196。溝196延伸穿過聚酰亞胺膜194的整個厚度。OLED本體140覆蓋有雜化層192，該雜化層覆蓋OLED本體194的頂部，以及向下朝OLED本體140的側(cè)部延伸至基底表面。在該基底表面上，雜化層192還填充溝196以防止聚酰亞胺膜充當(dāng)用于環(huán)境污染物側(cè)向進入的管道。給出上述描述和實施例僅僅是為了說明本發(fā)明，而非意欲對其進行限制。本發(fā)明的各個公開方面和實施方案可以單獨地或與本發(fā)明的其它方面、實施方案和變體組合來加以考慮。本領(lǐng)域技術(shù)人員可想到綜合本發(fā)明精神和實質(zhì)的公開實施方案的變體且這些變體在本發(fā)明范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.在表面上形成涂層的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95∶5至5∶95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料與非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。2.權(quán)利要求1的方法，其中前體材料是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷。3.權(quán)利要求l的方法，其中前體材料包含單一有機硅化合物。4.權(quán)利要求1的方法，其中前體材料包含有機硅化合物的混合物。5.權(quán)利要求l的方法，其中化學(xué)氣相沉積是等離子體增強的。6.權(quán)利要求5的方法，還包括提供反應(yīng)物氣體，且其中在該反應(yīng)物氣體存在下發(fā)生化學(xué)氣相沉積。7.權(quán)利要求6的方法，其中反應(yīng)物氣體是氧。8.權(quán)利要求1的方法，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在90:10至10:90范圍內(nèi)。9.權(quán)利要求1的方法，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在25:75至10:90范圍內(nèi)。10.權(quán)利要求l的方法，其中聚合物材料是含硅聚合物。11.權(quán)利要求l的方法，其中非聚合物材料包含含硅化合物。12.權(quán)利要求ll的方法，其中含硅化合物的無機的。13.權(quán)利要求l的方法，還包括在沉積雜化層之前使用前體材料源在表面上沉積未混合的聚合物層。14.權(quán)利要求l的方法，還包括在沉積雜化層之前使用前體材料源在表面上沉積未混合的非聚合物層。15.權(quán)利要求l的方法，還包括在沉積雜化層之后使用前體材料源在表面上沉積未混合的聚合物層。16.權(quán)利要求l的方法，還包括在沉積雜化層之后使用前體材料源在表面上沉積未混合的非聚合物層。17.權(quán)利要求1的方法，其中沉積狀態(tài)的雜化層具有在36°-60°范圍內(nèi)的水滴潤濕接觸角。18.權(quán)利要求l的方法，其中雜化層是光學(xué)透明的。19.權(quán)利要求18的方法，其中雜化層從近紫外至近紅外光譜具有大于90%的透光率。20.權(quán)利要求l的方法，其中在沉積雜化層之前預(yù)處理表面以改善該表面和雜化層之間的界面結(jié)合。21.權(quán)利要求W的方法，其中預(yù)處理表面的步驟包括化學(xué)處理。22.權(quán)利要求20的方法，其中預(yù)處理表面的步驟包括物理-化學(xué)處理。23.權(quán)利要求"的方法，其中物理-化學(xué)處理是等離子體處理。24.權(quán)利要求20的方法，其中預(yù)處理的步驟包括在沉積雜化層之前在表面上設(shè)置中介層。25.權(quán)利要求24的方法，其中中介層包含用于提高表面和雜化層之間的界面結(jié)合的材料。26.在表面上形成多層涂層的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積多個雜化層，其中各個雜化層獨立地包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料與非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。27.權(quán)利要求26的方法，其中通過相繼改變化學(xué)氣相沉積處理中一個或多個反應(yīng)條件來產(chǎn)生多個雜化層。28.權(quán)利要求27的方法，還包括提供反應(yīng)物氣體，其中在該反應(yīng)物氣體存在下發(fā)生化學(xué)氣相沉積，且其中通過相繼改變化學(xué)氣相沉積處理中反應(yīng)物氣體的量來產(chǎn)生多個雜化層。29.權(quán)利要求26的方法，其中通過連續(xù)改變化學(xué)氣相沉積處理中一個或多個反應(yīng)條件來產(chǎn)生多個雜化層。30.權(quán)利要求29的方法，還包括提供反應(yīng)物氣體，其中在該反應(yīng)物氣體存在下發(fā)生化學(xué)氣相沉積，且其中通過連續(xù)改變化學(xué)氣相沉積處理中反應(yīng)物氣體的量來產(chǎn)生多個雜化層。31.權(quán)利要求26的方法，其中一個雜化層中聚合物材料的量與另一個雜化層中聚合物材料的量相差至少10重量％。32.權(quán)利要求26的方法，其中聚合物材料的量從一個雜化層到另一個雜化層連續(xù)地發(fā)生改變。33.權(quán)利要求27的方法，其中化學(xué)氣相沉積是等離子體增強的，且其中通過相繼改變等離子體增強化學(xué)氣相沉積處理中等離子體功率水平來產(chǎn)生多個雜化層。34.權(quán)利要求29的方法，其中化學(xué)氣相沉積是等離子體增強的，且其中通過連續(xù)改變等離子體增強化學(xué)氣相沉積處理中等離子體功率水平來產(chǎn)生多個雜化層。35.權(quán)利要求26的方法，其中通過調(diào)節(jié)各個雜化層中的內(nèi)應(yīng)力來控制多層涂層中的總內(nèi)應(yīng)力。36.權(quán)利要求35的方法，其中通過控制用于沉積各個雜化層的沉積條件來調(diào)節(jié)各個雜化層中的內(nèi)應(yīng)力。37.權(quán)利要求36的方法，其中通過控制至少兩個對內(nèi)應(yīng)力具有相反作用的沉積條件來調(diào)節(jié)各個雜化層中的內(nèi)應(yīng)力。38.權(quán)利要求36的方法，其中通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)沉積各個雜化層，且其中受控的沉積條件選自沉積壓力、沉積功率、氣體流速和電極間距。39.權(quán)利要求35的方法，其中調(diào)節(jié)各個雜化層中的內(nèi)應(yīng)力使得多層涂層中的總內(nèi)應(yīng)力得以平衡。40.權(quán)利要求39的方法，其中多層涂層中的總內(nèi)應(yīng)力為零或接近零。41，權(quán)利要求35的方法，其中較接近表面的至少一個雜化層相對于較遠離表面的至少一個雜化層具有更低的內(nèi)應(yīng)力。42.形成如下涂層的方法，所述涂層與在其上沉積該涂層的表面具有改善的界面結(jié)合，該方法包括提供具有表面的襯底；預(yù)處理待涂覆的表面；提供前體材料源；將前體材料輸送到與該預(yù)處理的表面鄰接的反應(yīng)位置；和使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料與非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。43.權(quán)利要求42的方法，其中預(yù)處理表面的步驟包括提高表面和雜化層之間的界面結(jié)合。44.權(quán)利要求"的方法，其中預(yù)處理表面的步驟包括化學(xué)處理。45.權(quán)利要求42的方法，其中預(yù)處理表面的步驟包括物理-化學(xué)處理。46.權(quán)利要求45的方法，其中物理-化學(xué)處理是等離子體處理。47.權(quán)利要求"的方法，其中預(yù)處理的步驟包括在沉積雜化層之前在表面上設(shè)置中介層。48.權(quán)利要求47的方法，其中中介層包含用于提高表面和雜化層之間的界面結(jié)合的材料。49.權(quán)利要求48的方法，其中中介層是光學(xué)透明的。50.權(quán)利要求48的方法，其中中介層包含無機材料。51.權(quán)利要求50的方法，其中無機材料是鉻。52.權(quán)利要求42的方法，其中前體材料是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷。53.權(quán)利要求42的方法，其中前體材料包含單一有機硅化合物。54.權(quán)利要求42的方法，其中前體材料包含有機硅化合物的混合物。55.權(quán)利要求42的方法，其中化學(xué)氣相沉積是等離子體增強的。56.權(quán)利要求55的方法，還包括提供反應(yīng)物氣體，其中在該反應(yīng)物氣體存在下發(fā)生化學(xué)氣相沉積，和將該反應(yīng)物氣體輸送到反應(yīng)位置。57.權(quán)利要求56的方法，其中反應(yīng)物氣體是氧。58.權(quán)利要求42的方法，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在90:10至10:90范圍內(nèi)。59.權(quán)利要求42的方法，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在25:75至10:90范圍內(nèi)。60.權(quán)利要求42的方法，其中聚合物材料是含硅聚合物。61.權(quán)利要求42的方法，其中非聚合物材料包含含硅化合物。62.權(quán)利要求61的方法，其中含硅化合物是無機的。63.保護電子器件的方法，所述電子器件設(shè)置在充當(dāng)該電子器件的基底的表面上，該方法包括在電子器件上形成涂層，包括步驟(a)提供前體材料源；(b)將前體材料輸送到與待涂覆電子器件鄰接的反應(yīng)位置；和(c)使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該電子器件上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料與非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。64.權(quán)利要求63的方法，其中至少部分雜化層延伸越過電子器件的邊緣。65.權(quán)利要求64的方法，其中雜化層完全覆蓋電子器件且延伸越過電子器件的邊緣。66.權(quán)利要求63的方法，還包括在與電子器件周緣鄰接的一個或多個區(qū)域處產(chǎn)生邊緣阻擋體。67.權(quán)利要求66的方法，其中在與電子器件周緣鄰接的一個或多個區(qū)域處的基底表面中，邊緣阻擋體包含一個或多個不連續(xù)體。68.權(quán)利要求67的方法，其中通過刻蝕基底表面形成不連續(xù)體。69.權(quán)利要求67的方法，其中不連續(xù)體延伸穿過基底表面的整個厚度。70.權(quán)利要求66的方法，其中邊緣阻擋體是圍繞電子器件邊緣的封頭。71.權(quán)利要求66的方法，其中至少部分雜化層延伸越過電子器件的邊緣，且其中邊緣阻擋體是雜化層和基底表面之間的粘接結(jié)合部。72.權(quán)利要求63的方法，其中電子器件是有機發(fā)光器件。73.權(quán)利要求63的方法，其中電子器件是太陽能電池。74.控制在表面上形成的涂層性能的方法，包括提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應(yīng)位置；使用該前體材料源通過化學(xué)氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內(nèi)，且其中聚合物材料與非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源；和控制沉積該雜化層所處的條件。75.權(quán)利要求74的方法，其中所述性能選自對于水分和氧的可滲透性、潤濕接觸角、硬度、表面粗糙度、柔韌性或內(nèi)應(yīng)力。76.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是雜化層的潤濕接觸角，且其中控制沉積條件使得沉積狀態(tài)的雜化層具有在30°-85°范圍內(nèi)的水滴潤濕接觸角。77.權(quán)利要求76的方法，其中水滴潤濕接觸角在30°-60°范圍內(nèi)。78.權(quán)利要求77的方法，其中水滴潤濕接觸角在36°-60°范圍內(nèi)。79.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是雜化層的硬度，且其中控制沉積條件4吏得雜化層具有在3-20GPa范圍內(nèi)的納米壓痕石更度。80.權(quán)利要求79的方法，其中納米壓痕硬度在10-18GPa范圍內(nèi)。81.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是表面硬度，且其中雜化層具有在0.1-10nm范圍內(nèi)的表面粗糙度(均方根)。82.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是柔韌性，且其中雜化層在作為4jim厚的層沉積在50nm厚的聚酰亞胺箔襯底上時具有足夠的柔韌性，使得在0.2。/。的拉應(yīng)變(s)下于1英寸直徑軋輥上至少55，000次輥軋循環(huán)后沒有觀測到顯樣t組織改變。83.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是柔韌性，且其中雜化層在作為4pra厚的層沉積在50pm厚的聚酰亞胺箔襯底上時具有足夠的柔韌性，使得在至少0.35。/。的拉應(yīng)變U)下不出現(xiàn)裂紋。84.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是雜化層中的內(nèi)應(yīng)力。85.權(quán)利要求84的方法，其中通過控制對內(nèi)應(yīng)力具有相反作用的至少兩個沉積條件來調(diào)節(jié)雜化層中的內(nèi)應(yīng)力。86.權(quán)利要求84的方法，其中雜化層和表面之間的失配應(yīng)變(s)為-O.005至0.005。87.權(quán)利要求86的方法，其中雜化層和表面之間的失配應(yīng)變(s)為-O.001至0.001。88.權(quán)利要求75的方法，其中所述性能是對于水分和氧的可滲透性。89.權(quán)利要求74的方法，其中通過等離子體增強的化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)來沉積雜化層，且其中沉積條件選自沉積壓力、沉積功率、沉積溫度、氣體流速和電極間距。90.權(quán)利要求89的方法，其中沉積條件是沉積功率。91.權(quán)利要求89的方法，其中沉積條件是沉積溫度。全文摘要公開了在表面上形成涂層的方法。該方法包括在表面上沉積包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的雜化層。該雜化層可以具有單一相或包含多個相。使用單一前體材料源通過化學(xué)氣相沉積形成該雜化層。化學(xué)氣相沉積處理可以是等離子體增強的并且可以使用反應(yīng)物氣體來進行。前體材料可以是有機硅化合物例如硅氧烷。雜化層可以包含各種類型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各種類型的非聚合物材料例如氧化硅。通過改變反應(yīng)條件，可以調(diào)節(jié)聚合物材料與非聚合材料的重量％比率。該雜化層可以具有各種適于與有機發(fā)光器件一起使用的性能，例如透光性、不可滲透性和/或柔韌性。文檔編號C23C30/00GK101553600SQ200780045610公開日2009年10月7日申請日期2007年10月31日優(yōu)先權(quán)日2006年11月1日發(fā)明者P·曼德克里克,S·瓦格納申請人:普林斯頓大學(xué)理事會