專利名稱：用于等離子涂敷室的吸取裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于支持等離子體增強涂敷處理的裝置以及相應的等離子 涂敷室。
背景技術：
以PECVD (等離子體增強化學氣相沉積)方法或反應陰極射線濺射 (反應濺射)的形式出現(xiàn)的等離子體增強涂敷處理在工業(yè)中廣泛用于涂 敷。例如，沉積氮化硅、硅或氧化硅薄膜所用的PECVD方法被用來生產 薄膜晶體管、微電子器件或太陽能電池。在PECVD方法中，將氣體涂敷 材料從氣相沉積到待涂敷的襯底上，與氣相的成層預產品反應以形成最終 作為涂敷材料的東西。這可以通過提供等離子體來得到增強。在上述方法中，需要將相應的氣體涂敷材料引入等離子體點火所在的 涂敷室或等離子體室中，然后將過剩的處理氣體從室中除去。這通常是通過在涂敷室中心處設置排氣逸出開口來實現(xiàn)的。例如泵送 管線連接到該中心排氣開口，從而可以通過相應的泵來吸走過剩的氣體。對于均勻的成層，需要在待涂敷襯底的整個表面上有均勻的層沉積參 數(shù)。因此，涂敷室壁中的中心吸取點可能帶來問題，因為從中心吸取過剩 氣體可能造成涂敷室中不利的氣體流動條件。為了解決這個問題，德國專利DE 197 27 857 Cl提出了一種帶有電極 的等離子反應器，它具有氣體分配室和氣體吸取室。但是，這種同時提供 氣體饋送和氣體排除的電極非常難以設計，并且可能在沉積的有效性方面 存在問題。所謂的plasma box (Unaxis公司的商標名稱)是尋求對氣體流進行均 勻調節(jié)的另一種可能方案。在該方案中，真空室或等離子體室的特征是真 空室或等離子體室內的額外盒子，這個盒子完全包圍涂敷和等離子體區(qū)域，使得真空室和等離子體盒可以有兩級排空。這樣，例如在涂敷過程 中，可以在周圍的真空室中設定比等離子體盒中更低的壓力，使污染物不 能進入等離子體盒。另外，通過將給周圍的真空室設置相應的周邊開口，等離子體盒便于從等離子體盒均勻地除去氣體。對plasma box的說明包括 在Jerome Perrin, Jaques Schmitt, Christoph Hollenstein, alan Howling and Laurent Sansonnens的文獻The Physics of Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition for Large-Area Coating: Industrial Application to Flat Panel Displays and Solar Cells, Plasma Phys. Control. Fusion 42 (2000) B353-B363 以及Hollenstein, Howling, Courteille， Dorier, Sansonnens， Magni and Muller 白勺Dust Particle Diagnostics in RF Plasma Deposition of Silicon and Silicon Oxide Films, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 507 (1998) Materials Research Society中。這種概念的缺點同樣是等離子體盒的價格非常高。發(fā)明內容發(fā)明目的因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于等離子體室或涂敷室的裝置以及 相應的等離子體室或涂敷室，由此，可以使等離子體增強涂敷處理改善到 在甚至大面積襯底上也能獲得均勻、均一涂層的程度。另外，相應的裝置 和等離子體室或涂敷室應當具有簡單的設計、容易操作、使用靈活。技術方案該目的是通過具有權利要求1中特征的裝置以及具有權利要求3中特 征的涂敷室來實現(xiàn)的。有利的實施例是從屬權利要求的主題。本發(fā)明是從下面的情況出發(fā)的除了復雜的等離子體盒外，通過所謂 的吸取框架(下文中稱為吸取裝置)也可以充分改善真空涂敷室或等離子 體室中的氣體流動，所述吸取框架具有框架和/或帶有開口的吸取通道，所 述開口用于吸走過剩的處理氣體。這里的框架表示板狀、柵格狀或盒狀結 構，優(yōu)選地包括吸取通道。但是，框架也可以圍繞不同于溝槽狀結構的吸 取體積(空腔)，如立方體的或其他的空腔?；蛘?，通過具有足夠剛度的吸取通道也可以實現(xiàn)純粹的溝道結構，從而可以省去附加的結構元件。吸取裝置被設計為使之可以布置在等離子體區(qū)域或涂敷區(qū)域附近，使框架和/或吸取通道包圍或限制涂敷區(qū)域的至少一部分，使過剩處理氣體的吸取可以直接在等離子體區(qū)域和/或涂敷區(qū)域附近發(fā)生。這里用等離子體區(qū)域表示工作過程中等離子體室或涂敷室中存在等離子體的區(qū)域。用涂敷區(qū)域表示涂敷材料發(fā)生顯著沉積的區(qū)域，因而主要是涂敷過程中布置襯底的區(qū)域。等離子體區(qū)域和涂敷區(qū)域因此可以至少部分相同。特別是，吸取裝置可以認為至少部分地在橫向或環(huán)形方向給等離子體 區(qū)域或涂敷區(qū)域劃界。吸取裝置還可以被實現(xiàn)為涂敷過程中布置了襯底的 平面內或設置了對襯底進行承載的承載元件(載具)平面內至少部分地設 置的邊界。因此，吸取裝置可以還至少部分地包圍了電極或部分電極。優(yōu)選地使具有一個或多個吸取開口的吸取裝置處于等離子體區(qū)域和/或 涂敷區(qū)域的附近。吸取裝置可以以單獨裝置的形式實現(xiàn)，該單獨裝置可以以可互換方式 設在任何等離子體室或涂敷室中，吸取裝置也可以作為涂敷室中永久性的 一體元件。因此，本發(fā)明一方面涉及吸取裝置本身，另一方面涉及裝有其 的等離子體室或涂敷室。吸取裝置的吸取通道可以被形成為沒有周邊界限的封閉環(huán)，這通過在 較大面積上分布的多個吸取點而便于均勻吸取。類似地，框架的吸取開口 可以布置成環(huán)狀結構?？蚣芎?或吸取通道的基本形狀可以是矩形、正方形、 一般多邊形(例 如六邊形或八邊形)、圓形或橢圓形，或者其他的環(huán)形。因此，框架和/或 吸取通道可以復合不同的需求?？蚣芎?或吸取通道可以具有大體上平的結構，使該裝置只具有相對于 縱向和寬度方向而言很小的厚度，即，帶有框架和/或吸取通道的吸取裝置 大體上形成于一個平面中。這便于吸取裝置有非常簡單的結構。該結構還可以通過這樣的情況進行見哈吸取通道設在框架中，特別 是吸取裝置由中空輪廓形成，該中空輪廓同時形成吸取通道例如方形或筒形管道。過剩的處理氣體通過吸取開口進入框架和/或吸取通道，該吸取開口可 以設在框架和/或吸取通道的一側或更多側，特別是在吸取裝置的兩個相反 側或所有側。框架禾P/或吸取通道的吸取開口可以都定向為垂直于吸取裝置占據(jù)的平 面，以及平行于該平面，吸取開口能夠被定向為向裝置中心或者向外。由 此，在定向為垂直于裝置平面的情況下，吸取開口可以布置為朝向等離子 體和/或相反的電極布置或沿相反方向。在一種優(yōu)選實施例中，吸取開口可以由特別是帶有面板開口的可互換 面板覆蓋，使面板中面板開口的形狀和數(shù)目確定了氣體流動。通過使用面 板，首先，可以在吸取通道中提供較大的開口，否則該吸取通道只能造成 不佳的氣體流動。另外，在面板可互換的情況下，可以簡單地調節(jié)面板開 口的形式、形狀或數(shù)目來滿足不同涂敷處理的不同需求。吸取開口和/或面 板開口可以通過孔(特別是圓形孔)、槽或其他設計來實現(xiàn)。為了可以防止吸取裝置上發(fā)生過多涂敷材料的沉積和/或在裝置區(qū)域中 避免由熱遷移造成的污染，可以在吸取裝置上設置加熱裝置，用于加熱吸 取裝置的相應部件并防止吸取裝置上相應的冷點。所發(fā)明的吸取裝置可以特別地與PECVD涂敷室一起使用，優(yōu)選地將 吸取裝置設置在電極(特別是噴頭電極)的對面或周邊。這允許等離子體 區(qū)域和/或涂敷區(qū)域中獲得特別良好的氣體流動。根據(jù)獨立地要求保護的再一個方面，設有止動元件，通過該止動元件 可以將電極、和/或襯底、和/或布置了襯底的承載元件(載具)中至少一 者平面對準。將電極、和/或常作為襯底所用電極的載具、和/或襯底適當 強地壓靠止動元件可能使這些元件的任何彎曲或扭曲發(fā)生偏移，這可能造 成不均勻的涂敷。由于均勻涂敷特別依賴于在用于產生等離子體的電極之 間均勻地形成電場，所以電極的平面平行對準對于均勻涂敷而言特別重 要。這可以通過使用與之對準的止動元件來非常簡單地實現(xiàn)，襯底所在的 電極(載具)移動進入、經過和離開涂敷室。特別是，止動元件可以集成 到吸取裝置的框架和/或吸取通道中，或者與裝置結合來應用。由于吸取裝8置通過由例如中空形狀形成而已經具有很高的扭轉剛度，所以可以以非常 簡單的方式實現(xiàn)對應的止動元件。在吸取裝置和止動元件的一種單獨實施例中，元件可以優(yōu)選地布置為 彼此鄰近。止動元件具有止動表面，止動表面被形成為使得在襯底、載具和/或電 極被壓靠該止動表面時，相應的元件(例如襯底、載具和/或電極)具有精 確的平表面，特別是與相反電極平面平行地對準。止動表面可以在吸取裝 置上布置成例如周邊的、十字狀或網格狀桿。止動元件可以是可調的，特別是可移動或可滑動的設計，用于調節(jié)電 極間隙。為了使吸取裝置上止動元件的一體布置中電極間隙也可以改變，吸取 裝置還可以以可調方式布置，特別是可移動的方式，優(yōu)選為朝向電極的反 方向或面向電極可移動。


根據(jù)下面利用附圖對優(yōu)選實施例的詳細說明，可以了解本發(fā)明的更多 優(yōu)點、特性和特征。附圖以完全概念性的方式示出了 圖1示出了 PECVD涂敷室的示意圖；圖2示出了本發(fā)明的吸取裝置(例如圖1的PECVD涂敷室中所用 的)的側視圖；圖3示出了圖2的吸取裝置的平面圖；圖4示出圖2的吸取裝置旋轉了 90°;圖5示出了圖2的吸取裝置的一種變更實施例的上邊緣的詳細圖。
具體實施方式
圖1是用于執(zhí)行等離子體增強化學氣相沉積的PECVD (等離子體增 強化學氣相沉積)涂敷室1的完全原理性的示意圖。對此，設有兩個電極2和3，襯底4布置在一個電極3上。因此，電 極3被形成為用于襯底4的承載元件，通過該承載元件(也稱為載具)，能夠在經涂敷設備進行的整個傳輸中承載襯底4。另外，以承載元件或載 具的形式出現(xiàn)的電極3只在涂敷過程中用作電極。因此，該元件在下文中 既稱為電極，也稱為承載元件和/或載具。電極2、 3可以垂直布置，也可 以水平布置。電極2、 3之間的等離子體6可以通過電壓源5點火，所述等離子體對 以氣體形式引入的涂敷材料的化學反應進行激發(fā)，并且通常對涂敷進行增 強。在相應的化學反應之后、之中或之前，氣體的涂敷材料被涂敷在襯底 4上，在那里形成涂層。為了使氣體的涂層材料被均勻地引入等離子體區(qū)域6，所示實施例使 用了所謂的噴頭電極2，該電極是中空的，以使氣體涂層材料可以經饋送 裝置7穿過電極2的空腔傳送到設在電極表面上的電極開口 16，氣體涂層 材料可以由該開口均勻地流入等離子體區(qū)域6中。為了使氣體涂敷材料獲得圖1中由電極2、 3之間的箭頭表示的均 勻、均一的流動，設在電極或載具3后面的吸取裝置8在載具3和布置于 其上的襯底4上橫向噴射，以使過剩的處理氣體可以在那里被吸走。為此，吸取裝置8具有吸取通道13，由于吸取裝置8形成有中空形 狀，所以該通道(特別是方形或筒形管道) 一體地形成在吸取裝置8中。由圖2可以看到，帶有集成吸取通道13的吸取裝置8被形成為封閉的 矩形環(huán)或周邊環(huán)，在圖1至4的實施例中，開口 10或12設在吸取裝置8 縱向的上側和下側，過剩的處理氣體可以通過吸取裝置8被吸走。直接設 在吸取通道13中的開口 IO在圖l至4所示實施例中由面板ll覆蓋，面板 ll具有多個面板開口 12，過剩氣體可以經過面板開口 12均勻流入開口 10 中。面板設置多個面向吸取通道13的較小面板開口具有這樣的優(yōu)點可 以將面板11設置成可互換的，使得通過用具有不同形狀面板開口的其他 面板11來代替面板，可以容易地實現(xiàn)對沉積條件和流動條件的變更，所 述不同形狀面板開口是就面板開口 12的數(shù)目和形狀方面而言的。因此， 面板開口 12的數(shù)目和形狀、以及直接設置在吸取通道13中的開口 IO可以 是不同的。在圖l至4所示的實施例中，面板開口或吸取開口 12、 IO只設在吸取裝置8的縱向相反兩側?；蛘撸鄳拿姘彘_口和/或吸取開口 IO也可以 設置在吸取裝置8的所有各側、或者吸取裝置8的單側。圖5示出了吸取開口的一種可替換布置，在吸取裝置8'的可替換實施 例中，開口 10'直接設在吸取通道13'中，而沒有設置另外的面板。此外，圖5的吸取裝置8'實施例與圖1至4中吸取裝置8的不同之處 還在于，開口不是朝向相對的電極2對準(即垂直于吸取裝置占據(jù)的平 面)，而是在與吸取裝置8'占據(jù)的平面平行的裝置內側。因此，在吸取裝 置8'的這種實施例中，與設在阻擋表面14'上的電極3或布置于其上的襯底 4更加平行地調節(jié)氣流。由吸取開口 IO吸入的處理氣體穿過吸取通道而被傳送到氣體出口 9， 氣體出口 9例如連接到泵(未示出)。特別是，在涂敷室1的模塊化形式 中，吸取裝置8以可拆卸方式容納在涂敷室1中，相應的連接裝置可以永 久地設置到涂敷室壁中的吸取噴嘴。除了產生均勻、均一的處理氣體流或氣體涂敷材料流這樣的功能之 外，圖l至5的實施例所示的吸取裝置8還具有另外的功能，包括作為承 載元件或載具3的止動器并因而作為電極3和襯底4的止動器。除了使處 理氣體和/或氣體涂敷材料相對于待涂敷襯底表面有均勻、均一的分布之 外，它對于均勻涂層而言也是重要的，所述均勻涂層是與襯底表面和/或電 極有關的電磁條件也同樣均勻、均一。因此，電極2和3的電極表面必須 是盡可能的平行平面。盡管這對于靜態(tài)的電極2而言容易實現(xiàn)，但這對于 也用作承載元件和/或載具的可動電極3而言并非微不足道。通過本發(fā)明的吸取裝置或相應地裝有該裝置的涂敷室或等離子體室， 將帶有襯底4的電極3或載具3與電極2對準以使之成為平行平面將是簡 單的事情。這是通過將帶有襯底4的承載元件或載具3壓向吸取裝置8來 實現(xiàn)的，吸取裝置8具有為該目的而設置的止動表面14。由圖2可見，止動表面14可以以圓形以及環(huán)形或格子狀桿17的形式 來實現(xiàn)，使得可以承受相應的接觸壓力，并可以通過其獲得襯底4或電極 3的平面對準。為了可以對止動表面14獲得適當?shù)慕佑|力，可以設置對應的驅動裝置或保持裝置15,該裝置例如可以通過吸取裝置8的凹部18與載具或電 極3的背面接合，以將其逆著吸取裝置8的止動表面14拉動。如雙箭頭所示，吸取裝置8以可調節(jié)或可移動方式安裝在涂敷室1 中，使得電極2與3之間的電極間隙可調。為此，例如以氣缸或液壓缸、 電驅動器等形式設置相應的驅動部件21。還可以想到使缺省位置可調的簡 單機械限位器(未示出)。由此，可以為了不同的涂敷目的而改變電極2 與3之間的間隙，而不必對吸取裝置8的吸取開口 10相對于電極3或襯底 4的位置進行任何改變。在這里未示出的一種可替換實施例中，使用優(yōu)選地彼此結合的隔離部 件可以允許吸取裝置8的功能一方面與吸取過剩處理氣體分開，另一方面 與提供電極和/或載具3以及襯底4的止動表面分開。圖2至4更詳細地示出了吸取裝置8，例如圖1的涂敷室1屮所用的 吸取裝置，更具體地說，是以吸取裝置8的主表面的側視圖(圖2)、從 上方看的縱向側俯視圖(圖3)以及端面旋轉了 90。的側視圖(圖4)的形 式。圖2的細節(jié)再一次示出了吸取裝置8具有矩形吸取通道13，該裝置8 通過其方形管的基本結構構成了吸取通道13和框架基本結構。面板11設 在縱向的上側和下側，覆蓋了設在該處的吸取開口 10，并通過多個面板開 口 12而便于在等離子體區(qū)域6或直接圍繞襯底4的涂敷區(qū)域有限定的流 動。在吸取通道13處，吸取裝置8內側設有桿17，桿17為電極3或載具 3、并從而為襯底4形成止動表面14。這樣，實現(xiàn)了載具3或襯底4與相 應地平行于相反電極2的平面平面對準。圖3詳細示出了至涂敷室1的吸取噴嘴的連接裝置9，其中，所示實 施例在吸取通道13 (如圖4可見，特別是垂直區(qū)域)上具有兩個出口，所 述出口能夠經過公共管線被導向到涂敷室的吸取噴嘴。圖4再一次示出了吸取裝置8的縱向上下側的吸取開口 10以及設有相 應的面板開口的面板11的側視圖。另外，還可以看到至涂敷室1的吸取噴嘴的連接裝置9。另外，圖4還示出了例如電阻加熱器形式的加熱元件19，加熱元件19連接到電流源或電壓源20。加熱元件可以用來加熱吸取裝置8以免在 吸取裝置8上形成沉積物。盡管已經利用附圖針對優(yōu)選實施例詳細說明了本發(fā)明，但是在不脫離 權利要求保護范圍的情況下，對于本領域技術人員顯然可以有多種變更和 修改，特別是可以有上述單獨特征的不同類型組合或不含某些特征。
權利要求
1.一種用于支持等離子體增強涂敷處理的裝置，被設計為能夠布置在等離子體附近、和/或待涂敷襯底附近、和/或用于在等離子體室或涂敷室中產生等離子體的電極附近，其特征在于，設有框架，所述框架至少部分地包圍或限制了等離子體區(qū)域或平面的邊或面，所述襯底或承載所述襯底的承載元件能夠布置在所述平面中，或者包圍或限制了所述裝置被布置在所述等離子體室或涂敷室中時其電極或部件之一的邊或面，所述框架包括帶有一個或多個吸取開口(10)的空腔或吸取通道(13)，氣體媒質能夠經過所述空腔或吸取通道而被吸走。
2. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，設有用于以特別是可拆卸的方式布置在涂敷室或等離子體室中的裝置 和/或連接裝置，所述連接裝置以特別是可拆卸的方式將所述空腔或吸取通 道連接到涂敷室或等離子體室的吸取出口 。
3. —種用于對襯底進行等離子體增強涂敷的涂敷室，具有等離子體區(qū) 域和涂敷區(qū)域，所述等離子體區(qū)域中產生等離子體，所述涂敷區(qū)域中所述 襯底受到涂敷，所述涂敷室的特征在于，在所述等離子體區(qū)域和/或涂敷區(qū)域中設有至少一個框架，所述框架包 圍或限制了所述等離子體區(qū)域和/或涂敷區(qū)域的至少一部分，所述框架包括 帶有一個或多個吸取開口 (10)的空腔或吸取通道(13)，氣體媒質能夠 經過所述空腔或吸取通道而被吸走。
4. 根據(jù)權利要求1、 2所述的裝置或根據(jù)權利要求3所述的涂敷室， 其特征在于，所述框架和/或所述吸取通道(13)設置成封閉環(huán)形式。
5. 根據(jù)權利要求1、 2、 4所述的裝置或根據(jù)權利要求3或4所述的涂 敷室，其特征在于，所述框架和/或所述吸取通道(13)具有矩形、多邊形、圓形、橢圓形 或環(huán)形的基本形狀。 ，
6. 根據(jù)權利要求1、 2、 4、 5中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要求3至5中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述框架和/或所述吸取通道(13)具有大面積結構，使得所述框架和 /或所述吸取通道大體上布置在平面內，特別是縱向和寬度方向的尺度比厚 度大得多。
7. 根據(jù)權利要求l、 2、或4至6中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要求 3至6中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述吸取通道(13)設在所述框架中。
8. 根據(jù)權利要求l、 2、或4至7中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要求 3至7中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述吸取通道(13)或空腔具有吸取開口 (10)，所述吸取開口在所 述框架的一側或多側，特別是在相反側，優(yōu)選地在所述框架的兩個相反 側，特別是所述吸取開口沿所長度均勻地分布，優(yōu)選地以相等間隔分開。
9. 根據(jù)權利耍求l、 2、或4至8中任J頁所述的裝置或根據(jù)權利要求 3至8中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述吸取開口的吸取方向被對準為與所述裝置占據(jù)的平面垂直，和/或 朝向所述裝置占據(jù)的平面中所述裝置的中心。
10. 根據(jù)權利要求1、 2、或4至9中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要 求3至9中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述吸取開口 (10)特別地由帶有面板開口 (12)的可更換面板 (11)所覆蓋。
11. 根據(jù)權利要求1、 2或4至10中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要求 3至10中任一項所述的涂敷室，其特征在于，所述吸取開口或面板開口 (12)由孔和/或槽形成，特別是多個均勻分 布的孔和/或槽。
12. 根據(jù)權利要求1、 2、或4至11中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要 求3至11中任一項所述的涂敷室，其特征在于，設有加熱裝置(19)，通過所述加熱裝置，所述裝置的部件特別是所 述框架和/或所述吸取通道能夠被加熱。
13. 根據(jù)權利要求l、 2、或4至12中任一項所述的裝置或根據(jù)權利要求3至12中任一項所述的涂敷室，其特征在于，設有用于電極、所述襯底的止動表面(14)和/或用于所述襯底的承載 元件。
14. 根據(jù)權利要求3至13中任一項所述的涂敷室，其特征在于， 所述裝置設在電極(12)對面或周邊，特別是帶有氣體入口的電極的對面或周邊。
15. 根據(jù)權利要求3至14中任一項所述的涂敷室，其特征在于， 所述裝置設置成鄰近特別是用于所述襯底、電極的可調止動元件和/或用于所述襯底的承載元件。
16. 根據(jù)權利要求3至15中任一項所述的涂敷室，其特征在于， 所述涂敷室(1)為等離子體增強化學氣相沉積而設置。
17. 根據(jù)權利要求3至16中任一項所述的涂敷室，其特征在于， 所述襯底可以在涂敷過程中相對于所述裝置布置成使得氣流朝向襯底主表面并沿著其側面前進。
18. 根據(jù)權利要求3至17中任一項所述的涂敷室，其特征在于， 所述裝置是可調的，特別是可滑動的，優(yōu)選為可朝向相反的電極滑
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于支持等離子體增強涂敷處理的裝置(8)，所述裝置可布置在等離子體和/或待涂敷的襯底和/或為產生等離子體而提供的電極附近，其中設有框架，框架至少部分地圍繞或限制了等離子體區(qū)域或平面的邊或面，襯底或承載襯底的承載元件可以布置在所述平面中，或者圍繞或限制了其電極或部件之一的邊或面，框架包括帶有一個或多個吸取開口(10)的空腔或吸取通道(13)，氣體媒介可以經過所述空腔或吸取通道而被吸出。
文檔編號C23C16/455GK101260519SQ200810007450
公開日2008年9月10日 申請日期2008年3月7日 優(yōu)先權日2007年3月8日
發(fā)明者烏爾夫·斯蒂芬, 奧拉夫·斯坦克, 斯蒂芬·威爾德, 杜比亞斯·瑞浦曼恩, 麥特瑟斯·比巴斯 申請人:應用材料公司