專利名稱：具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機光電薄膜應(yīng)用領(lǐng)域，具體為真空蒸鍍條件下制備有機光電薄膜 時，真空蒸鍍系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計。
背景技術(shù)：
近年來，有機光電化合物由于其種類多樣、性能易于通過結(jié)構(gòu)設(shè)計來調(diào)制、制 備合成工藝簡單和可用于柔性電子器件等特點，而受到廣泛的關(guān)注。在應(yīng)用方面， 有機光電材料是有機薄膜器件的基礎(chǔ)，有機薄膜場效應(yīng)晶體管(OFET)、有機電致發(fā) 光器件(0LED)、有機薄膜太陽能電池(OPV)、有機薄膜傳感器、有機激光器等的器 件構(gòu)造都離不開有機薄膜的制備。
在真空室內(nèi)，通電加熱被蒸鍍材料，當溫度達到一定時，被蒸鍍材料便蒸發(fā)成 蒸汽分子或原子，由于蒸汽分子的平均自由程大于從蒸發(fā)源到工件的直線距離，因 此蒸汽分子或原子從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來后，向各個方向直線射出，而很少受到其它分 子的沖擊和阻礙，這樣被蒸發(fā)的分子或原子碰到待鍍膜的基片或工件時，便凝結(jié)在 上面形成膜層。這一工藝過程稱為真空蒸發(fā)鍍膜。在高真空環(huán)境中成膜，可以防止 膜的污染和氧化，便于得到潔凈、致密、符合預(yù)定要求的薄膜。因此，這種制膜方 法目前得到了廣泛的應(yīng)用。
真空條件下，蒸鍍有機光電薄膜，是制備小分子有機電致發(fā)光器件、有機小分 子光伏器件、有機光電探測器、有機薄膜晶體管和有機存儲器等有機光電器件的主 要手段。該技術(shù)具有薄膜厚度控制方便、易實現(xiàn)多層器件結(jié)構(gòu)的諸多優(yōu)點。真空蒸 鍍系統(tǒng)的設(shè)計，工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)和試驗研究系統(tǒng)是有所不同的工業(yè)應(yīng)用強調(diào)的是大 規(guī)模的批量生產(chǎn)、高的成品率，杜絕交叉污染，在設(shè)計上通常采用一個真空室放置 一個蒸鍍源的設(shè)計模式；實驗研究體系一般比較簡單，真空設(shè)計的目的強調(diào)簡易、 快捷、省材料、小規(guī)模，因此， 一個真空室中通常放置多個蒸鍍源。但在一個真空腔室內(nèi)存在多個蒸發(fā)源時，此技術(shù)制備薄膜有如下的缺點1)大面積薄膜的均勻 性問題；2)在同一個真空腔室內(nèi)，多個源的存在造成的腔室過大問題；3)由于源 相對于襯底方位的大幅度傾斜，在使用掩膜板形成圖案時，會導(dǎo)致影子效應(yīng)；4)若 存在金屬電極源，金屬的高溫蒸鍍會對同一個腔室內(nèi)較低溫度的有機源產(chǎn)生影響。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題為了克服同一個真空腔室內(nèi)多源分布時現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提 供一種具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置，在盡可能小的真空腔
室內(nèi)，依靠輻射分布排列的方式，有效地排布更多的蒸發(fā)源，以滿足多層器件結(jié)構(gòu)，
所需要的真空腔體空間可以大大縮小，從而降低真空泵的規(guī)格，以及縮短真空腔室 達到本底真空指標所需要的時間，降低成本、提高工作效率。
技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍 裝置，具有如下的結(jié)構(gòu)特征
沿真空腔室內(nèi)的縱向中心軸自上而下，有三個水平面結(jié)構(gòu)，分別為樣品基架水 平面、蒸發(fā)源位置水平面和真空室底盤水平面；真空腔室前方為一個全開的門，在 門上設(shè)有能夠觀查樣品和蒸發(fā)源的觀察窗；真空腔室的后下方設(shè)有高真空獲得通道 與真空泵相連；在真空腔室的正上方是控制樣品基架的旋轉(zhuǎn)動力裝置，樣品基架水 平面連接在旋轉(zhuǎn)動力裝置的下方；真空室底盤水平面位于真空腔室內(nèi)的底部，用來 提供控制真空腔室的各種操作的接口，接口以法蘭密封，通向外部。
樣品基架水平面包含樣品基架旋轉(zhuǎn)盤、中心膜厚探頭、多個分布于樣品基架旋 轉(zhuǎn)盤上的第一待蒸鍍樣品位置、第二待蒸鍍樣品位置、第三待蒸鍍樣品位置、第四 待蒸鍍樣品位置、第一樣品獨立小擋板、第二樣品獨立小擋板、第三樣品獨立小擋 板、第四樣品獨立小擋板、第一掩膜板、第二掩膜板；中心膜厚探頭置于樣品基架 旋轉(zhuǎn)盤的中心，與其上方的旋轉(zhuǎn)動力裝置同軸心；多個待蒸鍍樣品位置均勻分布在 樣品基架旋轉(zhuǎn)盤上，用以放置待蒸鍍樣品；樣品獨立小擋板分別置于每個樣品的下 方，為扇形，其中心位置提供擋板功能，而在其左右分別放置第一掩膜板和第二掩 膜板；樣品的大擋板置于樣品基架旋轉(zhuǎn)盤的下方，提供所有樣品的共同開始蒸鍍和 共同結(jié)束蒸鍍控制；樣品基架旋轉(zhuǎn)盤通過其上方的旋轉(zhuǎn)動力裝置與外部相聯(lián)系，提 供待蒸鍍樣品的轉(zhuǎn)動。
在蒸發(fā)源位置水平面的位置是蒸發(fā)源的分布區(qū)域，以中心位置為圓心，在不同半徑的外環(huán)和內(nèi)環(huán)范圍內(nèi)排列多個電極即外環(huán)第一電極、外環(huán)第二電極、外環(huán)第 三電極、……、外環(huán)第m電極、內(nèi)環(huán)第一電極、內(nèi)環(huán)第二電極、內(nèi)環(huán)第三電極、……、
內(nèi)環(huán)第i電極，其中m為不大于20的正整數(shù)，i為不大于10的整數(shù)；在外環(huán)和內(nèi)環(huán) 之間，是公共接地的圓環(huán)，其上設(shè)有第一夾具位、第二夾具位、第三夾具位、……、 第k夾具位，其中k等于m和n中的較大的一個數(shù)值；在公共接地圓環(huán)的附近設(shè)有 防止蒸發(fā)污染的縱向擋板；將蒸發(fā)舟連接在外環(huán)第m電極和第k夾具位之間，形成 外層第m個蒸發(fā)源；將蒸發(fā)舟連接在內(nèi)環(huán)第i電極和第k夾具位之間，形成內(nèi)層第i 蒸發(fā)源；通常地，金屬蒸發(fā)源置于內(nèi)層第i蒸發(fā)源上，使其與上方的樣品基架基本 保持垂直，以此杜絕影子效應(yīng)的產(chǎn)生。
在真空室底盤水平面上設(shè)有第一電極位、第二電極位、第三電極位、第四電極 位、……、第n電極位，其中n為不大于40的正整數(shù)；電極位的分布與蒸發(fā)源水平 面內(nèi)的蒸發(fā)源分布相匹配，電極的高度與蒸發(fā)源位水平面的高度相匹配。
在本發(fā)明中，蒸發(fā)源內(nèi)的材料一般為在真空的條件下，高溫穩(wěn)定、可蒸鍍的材
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料。包括有機小分子、寡聚物、金屬配合物、可真空蒸發(fā)的高分子與無機物(如LiF 等)、金屬及它們的合金(如金、銀、鎳、鋁、鈣、銫、鎂、銦等)等。部分有機
材料的結(jié)構(gòu)式如下
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真空室的底盤用來提供控制真空腔室的各種操作的接口，例如，加熱電極和接 地電極的控制、各種擋板開與關(guān)的控制、膜厚探頭數(shù)據(jù)的引出、以及溫度耦合計數(shù) 據(jù)的引出等。其中的各個接口都是以法蘭密封和連接的。
有益效果為了克服同一個真空腔室內(nèi)多源分布時現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提 供一種具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置，在盡可能小的真空腔 室內(nèi)，依靠輻射分布排列的方式，有效地排布更多的蒸發(fā)源，以滿足多層器件結(jié)構(gòu)， 例如有機電致發(fā)光器件中的白光結(jié)構(gòu)、串聯(lián)式器件等結(jié)構(gòu)中的多源的要求；同時， 蒸發(fā)源的多層輻射分布配合蒸發(fā)過程中的襯底的轉(zhuǎn)動、樣品基架中每個樣品獨立小 擋板和掩膜板的使用，不但可實現(xiàn)大面積襯底均勻制膜，防止影子效應(yīng)的產(chǎn)生；而 且可實現(xiàn)多樣品、多結(jié)構(gòu)在同一次真空過程中的制備，提高效率和結(jié)果的可比性； 更進一步，采用多層輻射分布模式的蒸發(fā)源，所需要的真空腔體空間可以大大縮小， 從而降低真空泵的規(guī)格，以及縮短真空腔室達到本底真空指標所需要的時間，降低
成本、提高工作效率。


圖1真空腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖， 圖2樣品基片架水平面的平面圖，圖3真空腔室內(nèi)蒸發(fā)源分布俯視圖一， 圖4真空腔室內(nèi)蒸發(fā)源分布俯視圖二， 圖5真空腔室內(nèi)蒸發(fā)源分布俯視圖三， 圖6真空腔室內(nèi)蒸發(fā)源分布俯視圖四。
具體實施例方式
為了更好地理解本發(fā)明專利的內(nèi)容，下面通過具體的實例和圖例來進一步說明本 發(fā)明的技術(shù)方案，但這些實施實例并不限制本發(fā)明，在發(fā)明本質(zhì)范圍內(nèi)的其它應(yīng)用 以及變化和修飾也同樣包括在本發(fā)明中。
所述的真空蒸鍍系統(tǒng)100中，包含有1)真空室前方為一個全開的門110,在 門上設(shè)有觀察窗111，能夠觀査樣品和蒸發(fā)源，觀察窗要內(nèi)嵌可拆卸的保護玻璃，
以便于清洗；2)真空室的后下方，設(shè)有高真空系統(tǒng)通道120，與真空泵相連。高真 空的獲得可通過分子泵或者擴散泵連接機械泵解決，并且在不停分子泵或者擴散 泵的情況下，可以打開真空室，然后再抽真空；3)在真空室的正上方，是控制樣品 基架旋轉(zhuǎn)的動力系統(tǒng)130; 4)在真空腔室內(nèi)，沿縱向中心軸，自上而下，有三個主 要的水平面結(jié)構(gòu)，分別為樣品基架水平面140、蒸發(fā)源位置水平面160和真空室底 盤170。
在樣品基架水平面位置140，設(shè)有可以旋轉(zhuǎn)的樣品基架，用來放置多塊待蒸鍍 的樣品和它們的掩膜板。在基片架的下面還安裝了一個基片共用大擋板150，以方 便控制鍍膜的起始和終止。在樣品基架的中心，即多塊待蒸鍍樣品的中心，設(shè)有膜 厚監(jiān)測探頭146。每一個待蒸鍍的樣品，有自己獨立的基片小擋板和兩種掩膜板(通 常為有機和金屬兩種圖案)；每一個基片小擋板可以獨立地控制所屬待蒸鍍樣品； 兩塊掩膜板分別置于所屬待蒸鍍樣品的左右，例如，有機掩膜板在左側(cè)，金屬掩膜 板在右側(cè)，通過機械設(shè)計，可實現(xiàn)全部左側(cè)或全部右側(cè)的掩膜板位于待蒸鍍樣品的 正下方，提供蒸鍍圖案?；芘c小擋板都安裝在上法蘭上，用磁力傳動軸控制。
在蒸發(fā)源位的水平面的位置160，是蒸發(fā)源的分布區(qū)域，本部分的設(shè)計是本發(fā) 明的關(guān)鍵之一。 一般地，同樣規(guī)格和品質(zhì)的真空泵對不同體積的真空腔室進行工作 時，腔室的體積越大，達到本底真空所需要的時間就越長。但是，在另一方面，小 的真空腔所能容納的蒸發(fā)源位置就少，限制了薄膜結(jié)構(gòu)的多樣性。例如有機電致發(fā) 光的白光結(jié)構(gòu)和串聯(lián)式發(fā)光器件就需要相對多的蒸發(fā)源位，傳統(tǒng)的解決辦法是增大真空腔室的跨度，但是這會增大獲得本底真空的難度。本發(fā)明采用多層輻射式的蒸 發(fā)源位排列方式，有效地解決了這一矛盾。即，在蒸發(fā)源位的水平面的位置，以中 心位置為圓心，在不同半徑的圓周范圍內(nèi)排列電極，而在圓周外環(huán)161和內(nèi)環(huán)163 之間的圓周上設(shè)置有公共公共接地圓環(huán)162。將蒸發(fā)舟連接在外環(huán)161上的電極與 公共接地152之間，或者內(nèi)環(huán)163上的電極和公共接地162之間，便形成了蒸發(fā)源。 同一半徑的蒸發(fā)源為一組，可擺放相互之間無交叉污染或交叉污染較小的蒸發(fā)源 組。在不同半徑的電極之間，可設(shè)置易清潔隔板，來防止交叉污染。特別地，在有 機電致發(fā)光器件中，如果金屬蒸發(fā)源的位置與待蒸鍍樣品位置之間存在很大的傾 角，金屬會從掩膜板的縫隙沉積在圖案的周邊，在器件工作時，就會在預(yù)定的發(fā)光 范圍之外有附加的發(fā)光，這就是影子效應(yīng)。影子效應(yīng)使器件的表征數(shù)據(jù)相對真實值 產(chǎn)生偏離。本發(fā)明將金屬源放置在半徑最小的圓周上，使其與上方的樣品基架基本 保持垂直，杜絕了影子效應(yīng)的產(chǎn)生。
實施例1、是簡單描述本專利的多蒸發(fā)源系統(tǒng)的一個例子。在圖1所示的真空 腔室100內(nèi)部是圓柱結(jié)構(gòu)，內(nèi)徑為360 mm、高度為560咖、前開門110的規(guī)格為200 mm x 350 mm。在垂直于縱向真空室中心軸的水平面上，由上至下，分布有樣品基架 水平面140和蒸發(fā)源位置水平面160，樣品基架水平面140和蒸發(fā)源位置水平面160 的垂直距離為300ram。蒸發(fā)源的位置是以真空室的中心軸為中心，在蒸發(fā)源位置水 平面160內(nèi)，分內(nèi)環(huán)163外環(huán)161兩層輻射式分布。外環(huán)161蒸發(fā)源位置分布在直 徑為270 mm的圓形范圍內(nèi)；內(nèi)環(huán)163蒸發(fā)源位置分布在直徑為110 mm的圓形范圍 內(nèi)；公共接地圓環(huán)162的直徑為130 mm。設(shè)計時，保證樣品基架旋轉(zhuǎn)盤145的直徑 不大于內(nèi)環(huán)163金屬蒸發(fā)源位置的水平面直徑，使金屬蒸發(fā)源的位置基本保持在樣 品基架旋轉(zhuǎn)盤145的正下方，防止金屬蒸發(fā)時，影子效應(yīng)的產(chǎn)生。本實例實現(xiàn)了在 內(nèi)徑為360咖的真空腔室內(nèi)，分布14個蒸發(fā)源位置的布局。本實例所指僅僅是闡 明本發(fā)明的體現(xiàn)而沒有限制在本發(fā)明專利權(quán)請求所列舉的范圍。在圖中可以包括尺 寸、相對位置等的變化、改變和演化。
實施例2、是實際系統(tǒng)中樣品基片架水平面的平面圖。如圖2所示,真空腔室100 的內(nèi)徑360ram;第一樣品獨立小擋板141、第二樣品獨立小擋板142、第三樣品獨立 小擋板143、第四樣品獨立小擋板144的形狀為扇形，半徑為75mm，它們的軸心分布位置在直徑為220 mm的圓上；在它們上面，按照順時針方向，依次分布有第一掩 膜板147和第二掩膜板148，尺寸為28 mm x 28 mm，其中心與扇形的中心線成±45° 角。當樣品小擋板順時針轉(zhuǎn)動時，在三個固定的位置，分別提供金屬掩膜板、樣品 擋板和有機掩膜板的功能。第一待蒸鍍樣品位置l、第二待蒸鍍樣品位置2、第三待 蒸鍍樣品位置3、第四待蒸鍍樣品位置4的中心分布在直徑為110 mm的樣品基架旋 轉(zhuǎn)盤上145;待蒸鍍樣品共有四塊，尺寸為28隱x 28 mm;中心膜厚探頭146的位 置在直徑為40 mm的圓上；本實例的樣品基片架可以通過其上端的動力系統(tǒng)來控制 樣品基片架的轉(zhuǎn)動；在樣品基片架的下方，還安裝了一個共用的樣品大擋板150，以 方便控制鍍膜的起始和終止。
實施例3、真空腔室底蒸發(fā)源水平面的描述。如圖3、 4、 5、 6所示，為蒸發(fā)源 的多層輻射式分布，蒸發(fā)源的總數(shù)量和內(nèi)層蒸發(fā)源的數(shù)量分別為16、 15、 14、 13， 和4、 3、 2、 1。外環(huán)161上的電極分布在直徑為270mm的圓上，通過與直徑為130 mm的公共接地圓環(huán)162相連，可形成12個中心在直徑為200 mm的外層第一蒸發(fā)源 S-l、外層第二蒸發(fā)源S-2、……、外層第十二蒸發(fā)源S-12;內(nèi)環(huán)163上的電極分布 在直徑為IIO ram的圓上，通過與公共接地圓環(huán)162相連,可形成4個(圖3)、 3個 (圖4)、 2個(圖5)、 l個(圖6)內(nèi)層蒸發(fā)源，即內(nèi)層第一蒸發(fā)源SS-1、內(nèi)層 第二蒸發(fā)源SS-2、……、內(nèi)層第四蒸發(fā)源SS-4;內(nèi)層蒸發(fā)源的排列，依據(jù)均勻分布 的原則，根據(jù)不同的數(shù)量，可采用圖3、 4、 5、 6的分布模式，也可以采取其他的模 式。
權(quán)利要求
1. 一種具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置，其特征在于沿真空腔室(100)內(nèi)的縱向中心軸自上而下，有三個水平面結(jié)構(gòu)，分別為樣品基架水平面(140)、蒸發(fā)源位置水平面(160)和真空室底盤水平面(170)；真空腔室(100)前方為一個全開的門(110)，在門上設(shè)有能夠觀查樣品和蒸發(fā)源的觀察窗(111)；真空腔室(100)的后下方設(shè)有高真空獲得通道(120)與真空泵相連；在真空腔室(100)的正上方是控制樣品基架的旋轉(zhuǎn)動力裝置(130)，樣品基架水平面(140)連接在旋轉(zhuǎn)動力裝置(130)的下方；真空室底盤水平面(170)位于真空腔室(100)內(nèi)的底部，用來提供控制真空腔室(100)的各種操作的接口，接口以法蘭密封，通向外部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置， 其特征在于樣品基架水平面(140)包含樣品基架旋轉(zhuǎn)盤(145)、中心膜厚探頭(146)、 多個分布于樣品基架旋轉(zhuǎn)盤上的第一待蒸鍍樣品位置(1)、第二待蒸鍍樣品位置(2)、 第三待蒸鍍樣品位置(3)、第四待蒸鍍樣品位置(4)、第一樣品獨立小擋板(141)、 第二樣品獨立小擋板G42)、第三樣品獨立小擋板(143)、第四樣品獨立小擋板(144)、 第一掩膜板(147)、第二掩膜板(148);中心膜厚探頭(146)置于樣品基架旋轉(zhuǎn)盤(145)的中心，與其上方的旋轉(zhuǎn)動力裝置(130)同軸心；多個待蒸鍍樣品位置均勻 分布在樣品基架旋轉(zhuǎn)盤(145)上，用以放置待蒸鍍樣品；樣品獨立小擋板分別置于 每個樣品的下方，為扇形，其中心位置提供擋板功能，而在其左右分別放置第一掩 膜板(147)和第二掩膜板(148);樣品的大擋板(150)置于樣品基架旋轉(zhuǎn)盤(145) 的下方，提供所有樣品的共同開始蒸鍍和共同結(jié)束蒸鍍控制；樣品基架旋轉(zhuǎn)盤(145) 通過其上方的旋轉(zhuǎn)動力裝置(130)與外部相聯(lián)系，提供待蒸鍍樣品的轉(zhuǎn)動。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置， 其特征在于，在蒸發(fā)源位置水平面(160)的位置是蒸發(fā)源的分布區(qū)域，以中心位置 為圓心，在不同半徑的外環(huán)(161)和內(nèi)環(huán)(163)范圍內(nèi)排列多個電極即外環(huán)第 一電極(161-1)、外環(huán)第二電極(161-2)、外環(huán)第三電極(161-3)、……、外環(huán)第ra 電極(161-m)、內(nèi)環(huán)第一電極(163-1)、內(nèi)環(huán)第二電極(163-2)、內(nèi)環(huán)第三電極(163-3)、……、內(nèi)環(huán)第i電極(163-i)，其中m為不大于20的正整數(shù)，i為不大 于10的整數(shù)；在外環(huán)(161)和內(nèi)環(huán)(163)之間，是公共接地圓環(huán)(162)，其上設(shè) 有第一夾具位(162-1)、第二夾具位(162-2)、第三夾具位(162-3)、……、第k夾具位(162-k)，其中k等于m和n中的較大的一個數(shù)值；在公共接地圓環(huán)(162) 的附近設(shè)有防止蒸發(fā)污染的縱向擋板；將蒸發(fā)舟連接在外環(huán)第m電極(161-m)和第 k夾具位(162-k)之間，形成外層第m個蒸發(fā)源(S-m);將蒸發(fā)舟連接在內(nèi)環(huán)第i 電極(163-i)和第k夾具位(162-k)之間，形成內(nèi)層第i蒸發(fā)源(SS-i);通常地， 金屬蒸發(fā)源置于內(nèi)層第i蒸發(fā)源(SS-i)上，使其與上方的樣品基架基本保持垂直， 以此杜絕影子效應(yīng)的產(chǎn)生。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置， 其特征在于，在真空室底盤水平面(170)上設(shè)有第一電極位(17-1)、第二電極位 (17-2)、第三電極位(17-3)、第四電極位(17-4)、……、第n電極位(17-n)，其 中n為不大于40的正整數(shù)；電極位的分布與蒸發(fā)源水平面(160)內(nèi)的蒸發(fā)源分布 相匹配，電極的高度與蒸發(fā)源位水平面(160)的高度相匹配。
全文摘要
具有多層輻射式蒸發(fā)源分布結(jié)構(gòu)的多源真空蒸鍍裝置，以及鍍膜時襯底的操作模式。系統(tǒng)采用以鍍膜真空室的中軸線為中心，在同一個水平面內(nèi)，分兩層或多層向外輻射的蒸發(fā)源分布方式，有效地排布更多的蒸發(fā)源，以滿足多層器件結(jié)構(gòu)中多源的要求；同時，將金屬蒸發(fā)源位，置于近似垂直于蒸鍍樣品臺的位置，以去除在金屬蒸鍍過程中產(chǎn)生的影子效應(yīng)；配合蒸發(fā)過程中的襯底轉(zhuǎn)動、樣品基架中每個樣品獨立小擋板和掩膜板的使用，不但可實現(xiàn)大面積襯底均勻制膜，而且可實現(xiàn)多樣品、多結(jié)構(gòu)在同一次真空過程中的制備，提高效率和結(jié)果的可比性；更進一步，多層分布的源結(jié)構(gòu)，可以更有效地利用空間，在相同數(shù)量蒸發(fā)位的情況下，大大縮小真空腔體積。
文檔編號C23C14/24GK101280418SQ20081002555
公開日2008年10月8日 申請日期2008年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月29日
發(fā)明者密保秀, 高志強, 昂 魏, 維 黃 申請人:南京郵電大學(xué)