專利名稱：：磨削裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種裝備計測器的磨削裝置，該計測器對卡盤工作臺(chucktable)上所保持的半導(dǎo)體晶片等被加工物的厚度進行計測。
背景技術(shù)：
：例如，在半導(dǎo)體器件制造過程中，通過在按下述界道(分割預(yù)定線)所劃分的多個區(qū)域上形成IC(集成電路)、LSI(大規(guī)模集成電路)等器件，沿著分割預(yù)定線來分割形成了該器件的各區(qū)域，從而制造出各個器件，上述分割道(street)在作為大致圓板形狀的晶片表面上形成為格子狀。還有，晶片一般在分割為各個芯片之前通過磨削裝置磨削其背面，形成為規(guī)定的厚度。作為檢測晶片厚度的方法，使檢測表面高度的計測用接觸針與保持晶片的卡盤工作臺的保持面進行接觸，求取卡盤工作臺的保持面的高度位置HI，接著使接觸針與卡盤工作臺的保持面上所保持的晶片的磨削面(上表面)進行接觸，檢測晶片的上表面的高度位置H2，并且運算H2-HI來求取晶片的厚度T。(例如，參見專利文獻l)。專利文獻1日本特許第2993821號公報這樣，在上述檢測晶片厚度的方法中，因為使計測用的接觸針與晶片的被磨削面進行接觸，所以存在在被磨削面上留下環(huán)狀的損傷使晶片的品質(zhì)下降這樣的問題。特別是，在對從形成晶片的晶錠(ingot)所切下的基晶片表面及里面進行磨削，來磨削在表面上形成器件的基晶片時，成為妨礙此后實施的鏡面加工的原因。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述實際情況而做出的，其主要的技術(shù)課題在于，提供一種不在被加工物的被磨削面上留下?lián)p傷就能夠計測卡盤工作臺上所保持的被加工物厚度的磨削裝置。為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明提供一種磨削裝置，包括:卡盤工作臺，具備吸附臺，該吸附臺具有保持被加工物的保持面；以及磨削機構(gòu)，磨削該卡盤工作臺上所保持的被加工物上表面，其特征在于，具備非接觸式的厚度計測器，埋設(shè)于該卡盤工作臺的該吸附臺進行配設(shè)，計測該吸附臺的保持面上所吸引保持的被加工物厚度。上述非接觸式的厚度計測器具備發(fā)光機構(gòu)，對卡盤工作臺的吸附臺上所保持的被加工物照射具有透射性的波長的激光光線；以及受光機構(gòu)，接受從該發(fā)光機構(gòu)所照射的激光光線由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。另外，上述非接觸式的厚度計測器具備發(fā)光機構(gòu)，對卡盤工作臺的吸附臺上所保持的被加工物照射具有透射性的波長的激光光線；以及干涉計數(shù)器，接受從該發(fā)光機構(gòu)所照射的激光光線由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。進而，上述非接觸式的厚度計測器具備超聲波激發(fā)機構(gòu)，對卡盤工作臺的吸附臺上所保持的被加工物激發(fā)超聲波；以及反射波接收機構(gòu)，接收從該超聲波激發(fā)機構(gòu)激發(fā)并且由被加工物的下表面及上表面所反射的超聲波。另外，優(yōu)選的是，上述非接觸式的厚度計測器在卡盤工作臺的吸附臺上按徑向配設(shè)多個。根據(jù)本發(fā)明的磨削裝置由于具備非接觸式的厚度計測器，該厚度計測器埋設(shè)于卡盤工作臺的吸附臺進行配設(shè)，計測吸附臺的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度，因而不在被加工物的被磨削面上留下?lián)p傷就能夠計測卡盤工作臺上所保持的被加工物的厚度。圖1是根據(jù)本發(fā)明所構(gòu)成的磨削裝置的立體圖。圖2是圖1所示的磨削裝置中裝備的卡盤工作臺的主要部分剖面圖。圖3是圖1所示的磨削裝置中裝備的非接觸式的厚度計測器的結(jié)構(gòu)框圖。圖4是使用圖1所示的磨削裝置中裝備的接觸式的厚度計測器來實施的第1加工前的厚度計測工序的說明圖。圖5是使用圖1所示的磨削裝置來實施的磨削工序的說明圖。圖6是表示圖1所示的磨削裝置中裝備的非接觸式的厚度計測器的一個實施方式的結(jié)構(gòu)框圖。圖7是表示圖1所示的磨削裝置中裝備的非接觸式的厚度計測器的再一個實施方式的結(jié)構(gòu)框圖。圖8表示將非接觸式的厚度計測器按構(gòu)成卡盤工作臺的吸附臺的徑向配置多個的狀態(tài)。符號說明2:裝置外殼3:磨削單元31:移動底盤4:軸單元41:軸外殼42:旋轉(zhuǎn)軸43:伺服電動機44:輪支架5:磨削輪51:磨具底盤52:磨削磨具6:磨削單元進給機構(gòu)64:脈沖電動機7:卡盤工作臺機構(gòu)71:卡盤工作臺8:接觸式的厚度計測器81:計測用接觸針9:非接觸式的厚度計測器91:計測盒92:發(fā)光機構(gòu)921:激光二極管(LD)922:聚光透鏡93:受光機構(gòu)931:CCD線傳感器94:透明板9a:非接觸式的厚度計測器91a:激光二極管(LD)92a:光束分離器93a:聚光透鏡94a:干涉計數(shù)器9b:非接觸式的厚度計測器10:控制機構(gòu)具體實施例方式下面，對于根據(jù)本發(fā)明的磨削方法及磨削裝置的具體實施方式，參照附圖更為詳細地進行說明。在圖1中表示出，根據(jù)本發(fā)明所構(gòu)成的磨削裝置1的立體圖。圖1所示的磨削裝置1具備用號碼2表示整體的裝置外殼。該裝置外殼2具有細長延伸的長方體形狀的主體21;直立壁22，設(shè)置于該主體21的后端部(在圖l中是右上端)上，實質(zhì)上向上方垂直伸展。在直立壁22的前面，設(shè)置按上下方向延伸的一對導(dǎo)軌221、221。在該一對導(dǎo)軌221、221上可上下方向移動地安裝作為磨削機構(gòu)的磨削單元3。磨削單元3具備移動底盤31和安裝于該移動底盤31上的軸單元4。移動底盤31在后面兩側(cè)設(shè)有按上下方向延伸的一對支腳部311、311，在該一對支腳部311、311上形成可滑動地與上述一對導(dǎo)軌221、221結(jié)合的被引導(dǎo)槽312、312。在這樣可滑動地安裝于直立壁22上所設(shè)置的一對導(dǎo)軌221、221上的移動底盤31的前面，設(shè)有向前方突出的支撐部313。在該支撐部313上安裝作為磨削機構(gòu)的軸單元4。作為磨削機構(gòu)的軸單元4具備軸外殼41，安裝于支撐部313上；旋轉(zhuǎn)軸42，旋轉(zhuǎn)自如地配設(shè)于該軸外殼41上；以及作為驅(qū)動源的伺服電動機43，用來對該旋轉(zhuǎn)軸42進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。被軸外殼41旋轉(zhuǎn)自如地支撐的旋轉(zhuǎn)軸42其一端部(在圖1中是下端部)從軸外殼41的下端突出進行配設(shè)，并且在其一端上(在圖1中是下端)設(shè)置輪支架44。而且，在該輪支架44的下面安裝磨削輪5。該磨削輪5由環(huán)狀的磨具底盤51和下述多個部分(segment)來構(gòu)成，該多個部分由安裝于該磨具底盤51下面的磨削磨具52構(gòu)成；磨具底盤51通過緊固螺釘53安裝于輪支架44上。上述伺服電動機43由下述的控制機構(gòu)IO來控制。圖示的磨削裝置1具備磨削單元進給機構(gòu)6，該磨削單元進給機構(gòu)6使上述磨削單元3沿著上述一對導(dǎo)軌221、221按上下方向(對下述卡盤工作臺的保持面垂直的方向)進行移動。該磨削單元進給機構(gòu)6具備外螺紋桿61，該外螺紋桿61配設(shè)于直立壁22的前側(cè)，實質(zhì)上垂直延長。該外螺紋桿61其上端部及下端部通過直立壁22上所安裝的軸承部件62及63旋轉(zhuǎn)用來對外螺紋桿61進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)^];該脈沖電動機64^輸出軸傳動連結(jié)到外螺紋桿61上。在移動底盤31的后面還形成從其寬度方向中央部向后方突出的連結(jié)部(未圖示)，在該連結(jié)部上形成按垂直方向延長的穿通內(nèi)螺紋孔(未圖示)，在該內(nèi)螺紋孔中螺紋結(jié)合有上述外螺紋桿61。從而，若脈沖電動機64進行了正轉(zhuǎn)，則使移動底盤31也就是磨削單元3下降也就是前進，若脈沖電動機64進行了反轉(zhuǎn)，則使移動底盤31也就是磨削單元3上升也就是后退。還有，脈沖電動機64由下述的控制機構(gòu)10來控制。在上述外殼2的主體21上配設(shè)卡盤工作臺機構(gòu)7?？ūP工作臺機構(gòu)7具備卡盤工作臺71;罩蓋部件72，遮蓋該卡盤工作臺71的周圍；折鮍機構(gòu)73及74，配設(shè)于該罩蓋部件72的前后?？ūP工作臺71如圖2所示，具備卡盤工作臺主體711;框體713，通過緊固螺栓712安裝于該卡盤工作臺主體711的上表面；吸附臺714，安裝于該框體713的上表面。在框體713的上表面設(shè)有圓形狀的凹部713a，在該凹部713a內(nèi)嵌入圓形狀的吸附臺714。這樣，其構(gòu)成為作為下述吸附臺714的上表面的保持面和框體713的上表面成為同一平面，上述吸附臺714嵌入框體713的凹部713a內(nèi)。吸附臺714采用多孔陶瓷材料來形成，上表面作為保持被加工物的保持面來發(fā)揮作用。還有，框體713上所設(shè)置的凹部713a通過吸引通路713b及卡盤工作臺主體711上所設(shè)置的連通通路711a，連接到未圖示的吸引機構(gòu)上。從而，若使未圖示的吸引機構(gòu)進行了工作，則負壓通過連通通路711a和吸引通路713b及凹部713a作用于作為吸附臺714上表面的保持面上，吸引保持該保持面上所放置的被加工物。按上述方法構(gòu)成的卡盤工作臺71由未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使之旋轉(zhuǎn)。另外，卡盤工作臺71通過未圖示的卡盤工作臺移動機構(gòu)，在圖l所示的被加工物放置區(qū)域70a和與構(gòu)成上述軸單元4的磨削輪5相對的磨削區(qū)域70b之間使之移動。上述折皺機構(gòu)73及74可以采用像帆布那樣適當?shù)牟牧蟻硇纬?。折皺機構(gòu)73的前端固定在主體21的前面壁上，后端固定在罩蓋部件72的前端面上。折皺機構(gòu)74的前端固定在罩蓋部件72的后端面上，后端固定在裝置外殼2的直立壁22前面上。當使卡盤工作臺71向由箭頭71a所示的方向進行移動時，折皺機構(gòu)73伸展，折皺機構(gòu)74收縮，當使卡盤工作臺71向由箭頭71b所示的方向進行移動時，折皺機構(gòu)73收縮，折皺機構(gòu)74伸展。圖示的磨削裝置1具備接觸式的厚度計測器8，配設(shè)于上述罩蓋部件72上，測量卡盤工作臺71上所保持的下述被加工物的厚度。該非接觸式的厚度計測器8可以是廣泛使用的厚度計測器，具備計測用的接觸針81，通過使該計測用的接觸針81與被計測物的表面進行接觸，從而將被加工物表面的高度位置信號輸出給下述的控制機構(gòu)10。圖示的磨削裝置1具備非接觸式的厚度計測器9，配設(shè)于構(gòu)成上述卡盤工作臺71的吸附臺714內(nèi)，測量保持面上所保持的被加工物厚度。該非接觸式的厚度計測器9如圖2所示，具備計測盒91，該計測盒91收存于在作為吸附臺714上表面的保持面上開口的計測器收存孔714a內(nèi)。在計測盒91中如圖3所示，配設(shè)發(fā)光機構(gòu)92和接收由該發(fā)光機構(gòu)92所照射的光的受光機構(gòu)93，并且在上面配設(shè)透明板94。發(fā)光機構(gòu)92具備激光二極管(LD)921和聚光透鏡922。激光二極管(LD)921對下述的被加工物激發(fā)具有透射性的波長，例如具有1100nm波長的激光光線。從該激光二極管(LD)921激發(fā)出的激光光線通過聚光透鏡922進行聚光，如圖3所示經(jīng)過透明板94對上述卡盤工作臺71的吸附臺714上保持的作為被加工物的基晶片W以規(guī)定的入射角^進行照射。照射到基晶片W上的激光光線如圖3所示由基晶片W的下表面進行反射，并且透過了基晶片的光由基晶片W的上表面進行反射。上述受光機構(gòu)93在圖示的實施方式中，具備CCD線傳感器931，配設(shè)在從上述發(fā)光機構(gòu)92所照射的激光光線由基晶片W進行正反射的位置。構(gòu)成受光機構(gòu)93的CCD線傳感器931將其檢測信號，通過卡盤工作臺主體711上所設(shè)置的未圖示的旋轉(zhuǎn)刷傳送給控制機構(gòu)10。控制機構(gòu)10控制發(fā)光元件921，并且根據(jù)來自CCD線傳感器931的接收信號及來自上述接觸式的厚度計測器8的檢測信號，控制作為上述磨削機構(gòu)的軸單元4的脈沖電動機64和伺服電動機43等。這里，對于構(gòu)成上述非接觸式的厚度計測器9的發(fā)光機構(gòu)92和受光機構(gòu)93的作用，參照圖3進行說明。從發(fā)光機構(gòu)92照射到基晶片W上的激光光線由被加工物W的下表面進行反射，并且透過了基晶片W的光由基晶片W的上表面進行反射?？梢酝ㄟ^受光機構(gòu)93的CCD線傳感器931來接受由該基晶片W的下表面所反射的光和由基晶片W的上表面所反射的光，根據(jù)其間隔(L)與入射角^作為被加工物W的厚度來求取。然而，因為基晶片W根據(jù)其材料質(zhì)量而折射率不同，所以難以正確計測基晶片W的厚度。從而，正確計測基晶片W的厚度如下所述，要進行修正。圖示的磨削裝置1如上構(gòu)成，下面對于使用上述磨削裝置1將從形成晶片的晶錠所切下的基晶片W磨削為規(guī)定厚度的磨削方法，進行說明?；琖放置于定位到圖1所示的上述磨削裝置1上被加工物放置區(qū)域70a上的卡盤工作臺71的吸附臺714上，通過使未圖示的吸引機構(gòu)進行工作而被吸引保持于吸附臺714上。若在卡盤工作臺71的吸附臺714上吸引保持了基晶片W，則控制機構(gòu)10使上述接觸式的厚度計測器8進行工作，實施計測吸附臺714上所保持的基晶片W的加工前厚度(Tl)的第1加工前厚度計測工序。第1加工前厚度計測工序如圖4(a)所示，使接觸式的厚度計測器8的計測用接觸針81與卡盤工作臺71的框體713的上表面進行接觸，將其高度位置信號(Hl)傳送給控制機構(gòu)10。還有，該卡盤工作臺71的高度位置的計測也可以在吸附臺714上保持基晶片W之前，使接觸式的厚度計測器8的計測用接觸針81與作為卡盤工作臺71的上表面的保持面進行接觸，來實施。接著，如圖4(b)所示，使接觸式的厚度計測器8的計測用接觸針81與卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面所保持的基晶片W的上表面進行接觸，將其高度位置信號(H2)傳送給控制機構(gòu)10?？刂茩C構(gòu)10根據(jù)從接觸式厚度計測器8所傳送的上述高度位置信號(Hl)及高度位置信號(H2)，從卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面所保持的基晶片W的上表面的高度位置(H2)減去卡盤工作臺71的框體713(吸附臺714)的上表面的高度位置(Hl)，來求取基晶片W的厚度(TO(T1=H2-H1)。按上述方法求出的基晶片W的厚度(Tl)被存儲于控制機構(gòu)10的存儲器中。接著，控制機構(gòu)10使上述非接觸式的厚度計測器9進行工作，實施計測卡盤工作臺71的吸附臺714上所保持的基晶片W的加工前厚度(T2)的第2加工前厚度計測工序。也就是說，控制機構(gòu)10如圖3所示，使發(fā)光機構(gòu)92及受光機構(gòu)93進行工作。然后，控制機構(gòu)10根據(jù)下述兩個位置之間的間隔(L)與入射角(e)，來求取基晶片W的加工前的厚度(T2)(T2:(cosWsin20)XL),上述位置分別是從發(fā)光機構(gòu)92所照射的激光光線由基晶片W的下表面反射并被作為受光機構(gòu)93的CCD線傳感器931接收到的位置，以及在CCD線傳感器931中接收到由基晶片W的上表面所反射的光的位置。因為通過上述第2加工前厚度計測工序求出的基晶片W加工前的厚度(T2)如上所述，根據(jù)基晶片W的材料性質(zhì)而折射率不同，所以不能作為基晶片W正確的厚度。也就是說，雖然可以通過將基晶片W材質(zhì)固有的折射率與上述厚度(T2)的計算式相乘，來求取基晶片W正確的厚度，但是因為難以得知基晶片W正確的折射率，所以為了方便將折射率設(shè)為1求取了厚度，因此上述厚度(T2)不能作為基晶片W正確的厚度。因此，控制機構(gòu)10實施修正值運算工序，該修正值運算工藝根據(jù)由上述第1加工前厚度計測工序計測出的被加工物的加工前厚度(Tl)和由第2加工前厚度計測工序計測出的被加工物的加工前厚度(T2)，來求取對由非接觸式厚度計測器9得到的計測值進行修正的修正值(Tl/T2)。按上述方法求出的修正值(Tl/T2)被存儲于控制機構(gòu)10的存儲器中。通過如上所述求取對由非接觸式的厚度計測器9得到的計測值進行修正的修正值(Tl/T2)，根據(jù)該修正值(Tl/T2)來修正非接觸式的厚度計測器9計測出的厚度，就能夠求取基晶片W正確的厚度。接著，控制機構(gòu)IO實施磨削工序，該磨削工序一邊使非接觸式的厚度計測器9進行工作，計測卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W的厚度，一邊使磨削機構(gòu)進行工作，磨削卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。也就是說，控制機構(gòu)IO使保持基晶片W的卡盤工作臺71未圖示的移動機構(gòu)進行工作，把卡盤工作臺71向在圖1中用箭頭71a所示的方向進行移動，將其定位于磨削區(qū)域70b上，并且如圖5所示進行定位以便磨削輪5的多個磨削磨具52的外周緣通過卡盤工作臺71的旋轉(zhuǎn)中心。這樣，若磨削輪5和卡盤工作臺71上所保持的基晶片W設(shè)置成了規(guī)定的位置關(guān)系，由控制機構(gòu)10驅(qū)動未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，使卡盤工作臺71向在圖5中用箭頭A所示的方向例如以300rpm的轉(zhuǎn)速進行旋轉(zhuǎn)，并且驅(qū)動上述伺服電動機43，使磨削輪5向用箭頭B所示的方向例如以6000rpm的轉(zhuǎn)速進行旋轉(zhuǎn)。然后，控制機構(gòu)9對磨削單元進給機構(gòu)6的脈沖電動機64進行正轉(zhuǎn)驅(qū)動，使磨削輪5下落(磨削進給)，將多個磨削磨具52以規(guī)定的壓力按壓于作為基晶片W的上表面的被磨削面上。其結(jié)果為，基晶片W的被磨削面被磨削(磨削工序)。在上述磨削工序中，由非接觸式的厚度計測器9測量出了基晶片W的厚度(TO)。由非接觸式的厚度計測器9計測的基晶片W的厚度(TO)根據(jù)下述兩個位置之間的間隔(L)與入射角^來計算，上述兩個位置分別是從上述發(fā)光機構(gòu)92所照射的激光光線由基晶片W的下表面反射并被作為受光機構(gòu)93的CCD線傳感器931接收到的位置，以及在CCD線傳感器931中接收到由基晶片W的上表面所反射的光的位置。也就是說，基晶片W的(厚度TO)為(T0=(cose/sin2^)XL)。然而，因為由非接觸式厚度計測器9計測的基晶片W的厚度(TO)如上所述，根據(jù)基晶片W的反射率而不同，所以不能作為基晶片W正確的厚度。因此，控制機構(gòu)10要對基晶片W的厚度(TO)乘上上述修正值(Tl/T2)，來求取基晶片W的厚度(T)(T=TOX(Tl/T2))。然后，控制機構(gòu)10若基晶片W的厚度(T)(T=TOX(Tl/T2))達到了規(guī)定值，則對磨削單元進給機構(gòu)6的脈沖電動機64進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動，使磨削輪5上升(磨削結(jié)束工序)。其結(jié)果為，由磨削輪5產(chǎn)生的磨削作用結(jié)束。如上所述，由于在磨削工序中通過非接觸式的厚度計測器9從基晶片W的下表面計測厚度(TO)，因而不在作為基晶片W的上表面的被磨削面上留下?lián)p傷。而且，因為由非接觸式的厚度計測器9計測出的基晶片W的厚度(TO)利用上述修正值(Tl/T2)進行修正，所以即便根據(jù)基晶片W的材料性質(zhì)而折射率不同，也可以磨削為基晶片W的正確的厚度(T)。下面，對于上述非接觸式厚度計測器別的實施方式，參照圖6進行說明。還有，除了非接觸式厚度計測器之外，和構(gòu)成上述磨削裝置1的各部件相同。圖6所示的非接觸式的厚度計測器9a包括作為發(fā)光機構(gòu)的激光二極管(LD)91a，配設(shè)于上述計測盒91內(nèi)，對上述基晶片W激發(fā)具有透射性的波長、例如具有1100nm波長的激光光線；光束分離器92a，將從該激光二極管(LD)91a所激發(fā)的激光光線在附圖中向上方進行分光；聚光透鏡93a，對由該光束分離器92a分光后的激光光線進行聚光，朝向卡盤工作臺71的吸附臺714上所保持的基晶片W進行照射；以及干涉計數(shù)器94a，通過上述光束分離器92a接受從該聚光透鏡93a所照射的激光光線由基晶片W的下表面及上表面所反射的反射光，將由該干涉計數(shù)器94a計數(shù)的干涉數(shù)傳送給上述控制機構(gòu)10。圖6所示的非接觸式的厚度計測器9a如上構(gòu)成，下面對于其作用進行說明。從激光二極管(LD)91a所激發(fā)的激光光線由光束分離器92a進行分光，由聚光透鏡93a進行聚光，對卡盤工作臺71的吸附臺714上所保持的基晶片W進行照射。照射到基晶片W上的激光光線由基晶片W的下表面及上表面進行反射，通過聚光透鏡93a及光束分離器92a到達干涉計數(shù)器94a。這里，對于到達干涉計數(shù)器94a的反射光進行說明。在不磨削基晶片W而上表面的高度位置不發(fā)生變化時，由基晶片W的上表面和下表面所反射的反射光的光波按同一周期進行遷移。另一方面，若磨削基晶片W，上表面的高度位置發(fā)生了變化，則由基晶片w的下表面和上表面所反射的反射光的光波逐漸周期發(fā)生偏離。在圖示的實施方式中，從激光二極管(LD)91a激發(fā)的激光光線由于波長(o)設(shè)定成1100nm，因而每次基晶片W被磨削1100nm，都造成由基晶片W的下表面所反射的反射光的光波和由基晶片W的上表面所反射的反射光的光波發(fā)生干涉。從而，通過由干涉計數(shù)器94a對該干涉次數(shù)(n)進行計數(shù)，對干涉次數(shù)(n)乘上波長(")，就可以求取磨削量(nX")。對于使用具備圖6所示的非接觸式的厚度計測器9a的上述磨削裝置1將從形成晶片的晶錠所切下的基晶片W磨削為規(guī)定厚度的磨削方法，進行說明。使上述接觸式的厚度計測器8進行工作來計測卡盤工作臺71上所保持的基晶片W的加工前厚度(Tl)的加工前厚度計測工序和上述實施方式的第1加工前厚度計測工序相同來實施。接著，和上述的實施方式相同，實施磨削工序，該磨削工序使磨削機構(gòu)進行工作，磨削卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。在該磨削工序中，通過非接觸式的厚度計測器9a如上所述求取了磨削量(nXff)。通過求取該磨削量(nX")，從由上述加工前的厚度計測工序計測出的基晶片W的加工前的厚度(Tl)減去磨削量(nX")，以此就可以求取當前基晶片W的厚度(T)(T=T1-(nXa))。然后，若當前基晶片W的厚度(T)(T=T1-(nX"))達到了規(guī)定值，則控制機構(gòu)10對磨削單元進給機構(gòu)6的脈沖電動機64進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動，使磨削輪5上升(磨削結(jié)束工序)。其結(jié)果為，由磨削輪5產(chǎn)生的磨削作用結(jié)束。由于這樣在磨削工序中通過非接觸式厚度計測器9a計測基晶片W的上表面(被磨削面)來求取磨削量(nXff)，從由加工前厚度計測工序計測出的基晶片W的加工前的厚度(TO減去磨削量(nXa)，以此就可以求取當前的基晶片W的厚度(T)(T=T1-(nX"))，因而不在基晶片W的被磨削面上留下?lián)p傷。下面，對于上述非接觸式厚度計測器的再一個實施方式，參照圖7進行說明。還有，除了非接觸式厚度計測器之外，和構(gòu)成上述磨削裝置1的各部件相同。圖7所示的非接觸式厚度計測器％具備配設(shè)于計測盒91內(nèi)的超聲波激發(fā)機構(gòu)92b和反射波接收機構(gòu)93b。超聲波激發(fā)機構(gòu)82b包括超聲波振子921b，采用鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鉛及鉭酸鋰等的壓電陶瓷來形成；電壓施加機構(gòu)922b，對該超聲波振子81b例如施加250V的脈沖變壓；以及傳輸部件923b，傳送并激發(fā)由超聲波振子921b所生成的超聲波，朝向卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W，例如激發(fā)頻率為lkHz的超聲波。從該超聲波激發(fā)機構(gòu)92b所激發(fā)的超聲波由吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W的下表面進行反射，并且由基晶片W的上表面進行反射。由基晶片W的下表面和上表面所反射的反射波由反射波接收機構(gòu)93b進行接收。該反射波接收機構(gòu)93b接收由基晶片W的下表面所反射的反射波和由基晶片W的上表面所反射的反射波，將接收信號傳送給上述控制機構(gòu)10。對于使用具備圖7所示的非接觸式的厚度計測器9b的上述磨削裝置1將從形成晶片的晶錠切下的基晶片W磨削為規(guī)定厚度的磨削方法，進行說明。使上述接觸式的厚度計測器8進行工作來計測卡盤工作臺71上所保持的基晶片W加工前厚度(Tl)的加工前厚度計測工序和上述實施方式的第1加工前厚度計測工序相同來實施。接著，控制機構(gòu)10使超聲波激發(fā)機構(gòu)92b及反射波接收機構(gòu)93b進行工作，求取下述時間(tl)和時間(t2)之差(t)=(t2-tl)，該時間(tl)是起自從超聲波激發(fā)機構(gòu)92b激發(fā)脈沖超聲波直到由加工前的基晶片W的下表面所反射的反射波由反射波接收機構(gòu)93b接收為止的時間，該時間(t2)是起自從超聲波激發(fā)機構(gòu)92b激發(fā)脈沖超聲波直到由加工前的基晶片W的上表面所反射的反射波由反射波接收機構(gòu)93b接收為止的時間。然后，通過用兩個反射光到達反射波接收機構(gòu)93b為止的時間差(t)除以由上述加工前的厚度計測工序求出的基晶片W的加工前厚度(Tl)，來求取厚度計測基準值(Tl/t)。按上述方法求出的厚度計測基準值(Tl/t)被存儲于控制機構(gòu)IO的存儲器中。接著，和上述的實施方式相同，實施磨削工序，該磨削工序使磨削機構(gòu)進行工作，磨削卡盤工作臺71的吸附臺714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。在該磨削工序中，通過非接觸式的厚度計測器9b求取了下述時間(tl)和時間(t2)之差(t0)=(t2-tl)，該時間(tl)是起自從超聲波激發(fā)機構(gòu)92c激發(fā)脈沖超聲波直到由基晶片W的下表面所反射的反射波由反射波接收機構(gòu)93b接收為止的時間，該時間(t2)是起自從超聲波激發(fā)機構(gòu)92b激發(fā)脈沖超聲波直到由基晶片W的上表面所反射的反射波由反射波接收機構(gòu)93b接收為止的時間。然后，控制機構(gòu)IO就可以將兩個反射光到達反射波接收機構(gòu)93b為止的時間差(t0)與上述厚度計測基準值(Tl/t)相乘，來求取當前基晶片W的厚度(T)(T=(Tl/t)Xt0)。若按上述方法求出的當前基晶片W的厚度(T)(T=(Tl/t)Xt0)達到了規(guī)定值，則控制機構(gòu)10對磨削單元進給機構(gòu)6的脈沖電動機64進行反轉(zhuǎn)驅(qū)動，使磨削輪5上升(磨削結(jié)束工序)。其結(jié)果為，由磨削輪5產(chǎn)生的磨削作用結(jié)束。這樣，由于在磨削工序中可以通過非接觸式的厚度計測器9b來求取當前基晶片W的厚度(T)(T=(Tl/t)Xt0)，因而不在基晶片W的被磨削面上留下?lián)p傷。在上述各實施方式中，雖然表示出在構(gòu)成卡盤工作臺71的吸附臺714上配設(shè)1個非接觸式的厚度計測器的例子，但優(yōu)選的是，如圖8所示按構(gòu)成卡盤工作臺71的吸附臺714徑向配設(shè)多個。也就是說，如圖8所示，可以通過在吸附臺714的中央部和外周部以及中央部和外周部的中間部上分別配設(shè)非接觸式的厚度計測器9(9a、9b)，來檢測基晶片W各部位的磨削誤差o權(quán)利要求1、一種磨削裝置，包括卡盤工作臺，具備吸附臺，該吸附臺具有保持被加工物的保持面；以及磨削機構(gòu)，磨削該卡盤工作臺上所保持的被加工物的上表面，其特征在于，具備非接觸式的厚度計測器，埋設(shè)于該卡盤工作臺的該吸附臺進行配設(shè)，計測該吸附臺的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度。2、如權(quán)利要求l所述的磨削裝置，其特征在于，該非接觸式的厚度計測器具備發(fā)光機構(gòu)，對該卡盤工作臺的該吸附臺上所保持的被加工物照射具有透射性的波長的激光光線；以及受光機構(gòu)，接受從該發(fā)光機構(gòu)所照射的激光光線由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。3、如權(quán)利要求1所述的磨削裝置，其特征在于，該非接觸式的厚度計測器具備發(fā)光機構(gòu)，對該卡盤工作臺的該吸附臺上所保持的被加工物照射具有透射性的波長的激光光線；以及干涉計數(shù)器，接受從該發(fā)光機構(gòu)所照射的激光光線由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。4、如權(quán)利要求1所述的磨削裝置，其特征在于，該非接觸式的厚度計測器具備超聲波激發(fā)機構(gòu)，對該卡盤工作臺的該吸附臺上所保持的被加工物激發(fā)超聲波；以及反射波接收機構(gòu)，接收從該超聲波激發(fā)機構(gòu)激發(fā)且由被加工物的下表面及上表面所反射的超聲波。5、如權(quán)利要求1到4任一項所述的磨削裝置，其特征為，該非接觸式的厚度計測器在該卡盤工作臺的該吸附臺上按徑向配設(shè)多全文摘要本發(fā)明提供一種不在被加工物的被磨削面上留下?lián)p傷就能夠計測卡盤工作臺上所保持的被加工物的厚度的磨削裝置。該磨削裝置具備卡盤工作臺，具備吸附臺，該吸附臺具有保持被加工物的保持面；以及磨削機構(gòu)，磨削卡盤工作臺上所保持的被加工物上表面，其中，具備非接觸式的厚度計測器，埋設(shè)于卡盤工作臺的吸附臺進行配設(shè)，計測吸附臺的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度。文檔編號B24B37/013GK101428398SQ200810170459公開日2009年5月13日申請日期2008年11月6日優(yōu)先權(quán)日2007年11月6日發(fā)明者熊谷壯祐,田筱文照申請人:株式會社迪思科