專利名稱：：蝕刻劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑。
背景技術(shù)：
：在印刷布線板的制造工序中，作為形成布線圖案的方法有半加成(Semi-Additive)法。在這種半加成法中，在電絕緣層上形成由0.5~2fim左右的化學(xué)鍍銅層構(gòu)成的種子層，在其上用電鍍銅形成導(dǎo)體電路后，利用蝕刻除去不需要的化學(xué)鍍銅層從而形成布線圖案。作為這種用于除去化學(xué)鍍銅層的蝕刻液，已知含有吡咯類的蝕刻液，例如在過(guò)硫酸鹽系蝕刻液、過(guò)氧化氫-硫酸-醇系蝕刻液、氯化銅的蝕刻液、氯化鐵蝕刻液等中添加吡咯類后使用(參照專利文獻(xiàn)14)。但是，對(duì)于這些現(xiàn)有技術(shù)中所示例的吡咯類的添加而言，由于對(duì)化學(xué)鍍銅層的蝕刻速度和對(duì)電鍍銅層的蝕刻速度之差較小，所以在除去導(dǎo)體電路之間不需要的化學(xué)鍍銅層時(shí)，有可能電鍍銅層會(huì)被蝕刻液腐蝕。為此，存在布線的寬幅減小(圖案變細(xì))、布線的厚度減小的問題。此外，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，難以控制化學(xué)鍍銅層的蝕刻速度，所以在除去不需要的化學(xué)鍍銅層期間，有可能也將需要的化學(xué)鍍銅層除去了。關(guān)于這一點(diǎn)，邊參照?qǐng)Dl邊進(jìn)行說(shuō)明。圖l是在電絕緣層l上形成多個(gè)布線2而得到的印刷布線板的截面示意圖。布線2包括作為種子層的化學(xué)鍍銅層3、在化學(xué)鍍銅層3上形成的電鍍銅層4。在圖1中，對(duì)于電鍍銅層4正下方的需要的化學(xué)鍍銅層3，也被蝕刻除去一部分，從而產(chǎn)生底切(undercut)UC。特別是在線/間隙小于20Mjn/20|Lim的細(xì)線圖案時(shí)，即使稍微產(chǎn)生底切UC，底切長(zhǎng)度UCL相對(duì)于布線2的寬度W的比例增大，因此可能產(chǎn)生布線圖案的尺寸精度的降低、斷線、缺失等。另一方面，作為用于通過(guò)對(duì)布線圖案表面進(jìn)行粗糙化而改善與絕緣樹脂等的密合性的銅的蝕刻液，已知以硫酸、過(guò)氧化氫和吡咯為主要成分的蝕刻液(參照專利文獻(xiàn)5~7)。專利文獻(xiàn)l:特開2003-138389號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)2:特開2005-5341號(hào)乂>才艮專利文獻(xiàn)3:特開2006-9122號(hào)>^凈艮專利文獻(xiàn)4:特開2006-13340號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)5:特開2005-213526號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:特開2002-194573號(hào)>^報(bào)專利文獻(xiàn)7:特開2002-76610號(hào)7>才艮
發(fā)明內(nèi)容但是，在除去化學(xué)鍍銅層時(shí)使用專利文獻(xiàn)5~7的蝕刻液的情況下，由于對(duì)布線圖案的表面進(jìn)行粗糙化，因此特別是在形成細(xì)線圖案時(shí)，有可能會(huì)產(chǎn)生尺寸精度降低等。本發(fā)明鑒于上述的實(shí)際情況而完成，提供一種在半加成法中除去化學(xué)鍍銅層時(shí)、能夠防止布線圖案的尺寸精度降低的蝕刻劑。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第l蝕刻劑的特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有在分子中具有羧基和羥基中的至少一方兩個(gè)以上的苯并三唑衍生物。同樣為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第2蝕刻劑的特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有僅具有氮原子作為存在于環(huán)內(nèi)的雜原子的吡咯類、以及具有兩個(gè)以上羧基的多元酸或其鹽。另外，上述第l和第2的蝕刻劑雖然都是銅的蝕刻劑，但該"銅"不僅包括純銅，還包括銅合金。此外，在本說(shuō)明書中，"銅"是指純銅或銅合金。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑，由于具有防止電鍍銅層腐蝕的功能以及促進(jìn)化學(xué)鍍銅層的蝕刻的功能，所以能夠防止布線圖案的尺寸精度降低。圖l是在電絕緣層上形成多個(gè)布線而得到的印刷布線板的截面示意圖。符號(hào)說(shuō)明1電絕緣層2布線3化學(xué)鍍銅層4電鍍銅層具體實(shí)施例方式本發(fā)明的第l蝕刻劑是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有在分子中具有羧基和羥基中的至少一方兩個(gè)以上的苯并三唑衍生物。認(rèn)為第l蝕刻劑中，苯并三唑具有防止電鍍銅層腐蝕的功能，羧基和羥基中的至少一方具有促進(jìn)化學(xué)鍍銅層蝕刻的功能。由此，不僅能夠加快對(duì)化學(xué)鍍銅層的蝕刻速度(以下稱為ER1),而且能夠減慢對(duì)電鍍銅層的蝕刻速度(以下稱為ER2)，因此能夠使ER1和ER2之差在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。由此，在半加成法中除去化學(xué)鍍銅層時(shí)，能夠防止底切、圖案變細(xì)，所以能夠防止布線圖案的尺寸精度的降低。上述蝕刻劑中的石危酸的濃度優(yōu)選是1~25重量％，更優(yōu)選3~18重量%，進(jìn)而優(yōu)選7~15重量％的范圍。在1重量％以上時(shí)，由于蝕刻速度加快，所以能夠迅速除去化學(xué)鍍銅層，而且還具有用于溶解銅的足夠的酸濃度，所以就不需要頻繁地進(jìn)行溶液更換，在成本方面是有利的。另一方面，25重量％以下時(shí)，由于能夠防止所溶解的銅作為石克酸銅析出，所以能夠防止如下不適宜情況銅再附著在被處理面上、硫酸銅結(jié)晶損傷導(dǎo)體布線。上述蝕刻劑中的過(guò)氧化氫的濃度優(yōu)選是0.5-15重量％，更優(yōu)選1~10重量％,進(jìn)而優(yōu)選25重量％的范圍。在0.5重量％以上時(shí)，由于蝕刻速度加快，因此能夠迅速地除去化學(xué)鍍銅層。另一方面，15重量％以下時(shí)，由于能夠使蝕刻速度達(dá)到反應(yīng)熱不會(huì)過(guò)量產(chǎn)生的程度，因此能夠防止底切的發(fā)生。作為在分子中具有羧基和羥基中的至少一方兩個(gè)以上的苯并三唑衍生物(以下稱為"A成分")的例子，可以列舉l-(l，,2，-二羧基乙基)苯并三唑(以下稱為"DCEBTA")、1-(2，3-二羧基丙基)苯并三唑(以下稱為"DCPBTA")、1-(2，，3，-二羥基丙基)苯并三唑(以下稱為"DHPBTA")等。其中，在使用DCEBTA時(shí)，能夠容易使ER1和ER2之差保持在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。因此，能夠有效防止底切、圖案變細(xì)。在上述蝕刻劑中的A成分的濃度優(yōu)選0.0001~10重量％，更優(yōu)選0.0002-5重量％，進(jìn)而優(yōu)選0.00051重量％的范圍。在0.0001重量％以上時(shí)，能夠容易使ER1和ER2之差保持在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。因此，能夠有效防止底切、圖案變細(xì)。另一方面，10重量％以下時(shí)，由于可以降低A成分的使用量，因此在成本方面有利。在上述蝕刻劑中，優(yōu)選調(diào)整上述各成分使得ER1和ER2的蝕刻速度比(ER1/ER2)為3~7，更優(yōu)選調(diào)整上述各成分使得ER1和ER2的蝕刻速度比為46.8。若在該范圍內(nèi)，則能夠有效防止底切、圖案變細(xì)。用于使蝕刻速度比在上述范圍內(nèi)的各成分的濃度，根據(jù)被處理件中的化學(xué)鍍銅層和電鍍銅層的狀態(tài)、所使用的成分等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整即可。另外，在后述的實(shí)施例中，示例出用于使蝕刻速度比在上述范圍內(nèi)的各成分的濃度的具體例。上述蝕刻劑的蝕刻速度，對(duì)于ER1而言優(yōu)選0.32.0nm/min的范圍，對(duì)于ER2而言優(yōu)選0.050.5jxm/min的范圍。若在該范圍內(nèi)，則容易維持生產(chǎn)率，并且容易進(jìn)行蝕刻的控制。上述蝕刻劑中，還可以含有聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物。這是由于能夠有效防止圖案變細(xì)的緣故。另外，上述"聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物"是指結(jié)構(gòu)單元中具有烯丙基胺骨架的陽(yáng)離子型聚合物。上述聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物在蝕刻劑中的濃度優(yōu)選0.000005-0.1重量％，更優(yōu)選0.00005-0.05重量％，進(jìn)而優(yōu)選0.000075-0.015重量％。在0.000005重量％以上時(shí)，能夠有效防止圖案變細(xì)。另一方面，在0.1重量％以下時(shí)，由于能夠抑制蝕刻速度的降低，因此能夠迅速地除去化學(xué)鍍銅層。而且，在成本方面也是有利的。上述聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物的重均分子量?jī)?yōu)選10020萬(wàn)，更優(yōu)選500-15萬(wàn)，進(jìn)一步優(yōu)選800-10萬(wàn)。若重均分子量在上述范圍內(nèi)，則能夠有效防止圖案變細(xì)。作為上述聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物的例子，可以列舉聚烯丙基胺、烯丙基胺-二甲基烯丙基胺共聚物、二烯丙基胺乙酸鹽-二氧化硫共聚物、二烯丙基曱基乙基銨乙基硫酸鹽-二氧化硫共聚物、聚烯丙基胺酰胺硫酸鹽、烯丙基胺乙酸鹽-二烯丙基胺乙酸鹽共聚物、甲基二烯丙基胺酰胺硫酸鹽共聚物、二烯丙基胺酰胺硫酸鹽-馬來(lái)酸共聚物等。其中，在使用聚烯丙基胺、二烯丙基胺乙酸鹽-二氧化硫共聚物、二烯丙基甲基乙基銨乙基硫酸鹽-二氧化硫共聚物時(shí)，由于能夠更有效地防止圖案變細(xì)而優(yōu)選。此外，在上述蝕刻劑中，還可以含有作為過(guò)氧化氫的穩(wěn)定劑的苯酚磺酸、苯磺酸、甲酚磺酸等芳香族磺酸類；曱磺酸、乙磺酸等鏈烷磺酸類；有機(jī)胺類等；或者用于改善微細(xì)布線間的潤(rùn)濕性的表面活性劑等。這些添加劑在蝕刻劑中的濃度例如在0.051重量％左右的范圍。進(jìn)而，為了使蝕刻速度穩(wěn)定，還可以使銅離子溶解在上述蝕刻劑中。溶解的銅離子的濃度例如在10~40g/L左右的范圍。通過(guò)使上述各成分溶解于水中，能夠容易地制備上述蝕刻劑。作為上述水，優(yōu)選是除去離子型物質(zhì)、雜質(zhì)后的水，優(yōu)選例如離子交換水、純水、超純水等。上述蝕刻劑，可以在使用時(shí)將各成分配合成規(guī)定的濃度，也可以先配制好濃縮液在即將使用時(shí)稀釋后使用。上述蝕刻劑的使用方法沒有特別限定，可以采用浸漬處理、噴霧處理等方法，但為了迅速除去化學(xué)鍍銅層，優(yōu)選噴霧處理。噴霧處理時(shí)，優(yōu)選將噴霧壓力i殳定在0.050.2MPa的范圍。由此，底切的抑制變得容易。此外，蝕刻時(shí)的蝕刻劑的溫度沒有特別限制，但從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)以及抑制底切的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在15x:4ox:使用。上述蝕刻劑的管理方法，例如可以通過(guò)滴定等對(duì)游離酸和過(guò)氧化氫的濃度定量，通過(guò)進(jìn)行適時(shí)補(bǔ)給來(lái)邊維持適當(dāng)濃度邊使用。此外，對(duì)于其他的成分，可以使用適合于各種特性的分析方法(例如作為A成分的分析方法的高效液相色鐠法等)進(jìn)行定量，通過(guò)進(jìn)行適時(shí)補(bǔ)給，邊維持適當(dāng)濃度邊使用。此時(shí)A成分的補(bǔ)給，優(yōu)選使用該化合物的高濃度水溶液。其次，對(duì)本發(fā)明的第2蝕刻劑進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，對(duì)于與上述本發(fā)明的第l蝕刻劑重復(fù)的內(nèi)容省略記載，在以下的說(shuō)明中，僅記載與第l蝕刻劑不同的內(nèi)容。本發(fā)明的第2蝕刻劑是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有僅具有氮原子作為存在于環(huán)內(nèi)的雜原子的吡咯類(以下簡(jiǎn)稱為"吡咯成分")、以及具有兩個(gè)以上羧基的多元酸或其鹽(以下稱為"B成分，，)。認(rèn)為第2蝕刻劑中，吡咯成分具有防止電鍍銅層腐蝕的功能，B成分具有促進(jìn)化學(xué)鍍銅層蝕刻的功能。由此，不僅能夠加快ER1，而且能夠減慢ER2，因此能夠使ER1和ER2之差在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。由此，在半加成法中除去化學(xué)鍍銅層時(shí)，能夠防止底切、圖案變細(xì)，所以能夠防止布線圖案的尺寸精度的降低。作為吡咯成分，可以示例咪唑、烷基咪唑類、苯并咪唑類、烷基苯并咪唑類等咪唑及其衍生物；三唑、烷基三唑類、苯并三唑類、烷基苯并三唑類等三唑及其衍生物；四唑、烷基四唑類等四唑及其衍生物等。為了更有效地防止電鍍銅層的腐蝕，優(yōu)選三唑及其衍生物，其中優(yōu)選苯并三唑。上述蝕刻劑中的唑成分的濃度優(yōu)選0.001-5重量％，更優(yōu)選0.005-3重量％，進(jìn)而優(yōu)選0.01-2重量°/。的范圍。若在上述范圍內(nèi)，則可以在不妨礙化學(xué)鍍銅層的蝕刻的情況下，發(fā)揮出防止電鍍銅層的腐蝕的效果。作為B成分，可以列舉草酸、丙二酸、琥珀酸等脂肪族二羧酸或其鹽；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、苯基丙二酸等芳香族二羧酸或其鹽；蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、異檸檬酸等具有兩個(gè)以上羧基的羥基酸或其鹽。從對(duì)化學(xué)鍍銅層的蝕刻促進(jìn)效果的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選芳香族二羧酸或其鹽，尤其優(yōu)選苯基丙二酸或其鹽。上述蝕刻劑中的B成分的濃度優(yōu)選0.005~10重量％，更優(yōu)選0.01~7重量％，進(jìn)而優(yōu)選0.05-5重量％的范圍。在0.005重量％以上時(shí)，能夠迅速地除去化學(xué)鍍銅層。另一方面，在10重量％以下時(shí)，在成本方面是有利的。吡咯成分和B成分的混合比率，以摩爾比計(jì)，優(yōu)選相對(duì)于吡咯成分1，B成分在l5的范圍。若在該范圍內(nèi)，則由于可獲得電鍍銅層的腐蝕抑制效果和化學(xué)鍍銅層的蝕刻促進(jìn)效果的平衡，所以能夠有效防止底切、圖案變細(xì)。實(shí)施例進(jìn)而，將本發(fā)明所涉及的蝕刻劑的實(shí)施例與比較例一起進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明不限于下述實(shí)施例而解釋。使用表1~4所示組成的蝕刻劑，利用下述所示的測(cè)定方法對(duì)各項(xiàng)目進(jìn)行評(píng)價(jià)。表1和表2所示的實(shí)施例1~23是上述本發(fā)明的第1蝕刻劑的實(shí)施例，表3所示的實(shí)施例24~33是上述本發(fā)明的第2蝕刻劑的實(shí)施例。此外，表4中示出了比較例。各蝕刻劑如下配制首先在將硫酸和過(guò)氧化氫溶解于離子交換水而得到的溶液中以25g/L的比例溶解金屬銅后，添加剩余成分進(jìn)行配制。另外，表14所示的各成分的配合量表示各成分相對(duì)于除去銅離子重量后的各蝕刻劑總重量的重量比率。(ER1的測(cè)定方法)將厚度1.6mm的松下電工社制造的覆銅箔層壓板(制品名GlassEpoxyMultiR-1766)浸漬于蝕刻液(石危酸200g/L、過(guò)氧化氫50g/L、其余為離子交換水)中，將該層壓板的銅箔完全除去，在所露出的玻璃環(huán)氧基材的一面?zhèn)仁褂脢W野制藥工業(yè)社制造的化學(xué)鍍銅藥液(制品名OPCCOPPERH)全面實(shí)施厚度約1.5pm的化學(xué)鍍銅，將其截?cái)喑?0mmX50mm后作為測(cè)驗(yàn)基板。對(duì)該基板，使用表1~4中記載的各蝕刻劑，通過(guò)30秒的噴霧處理(噴霧壓力0.05MPa,溫度25'C)進(jìn)行蝕刻。然后，由處理前后的測(cè)驗(yàn)基板的重量，根據(jù)下式算出ER1(pm/min)。ER1(nm/min)=(處理前的重量(g)-處理后的重量(g))+基板面積(m2)+銅的密度(g/cm3)+處理時(shí)間(min)(ER2的測(cè)定方法)準(zhǔn)備在50mmX50mm的松下電工社制造的覆銅箔層壓板(制品名GlassEpoxyMultiR-1766)的電解銅箔面上，整面實(shí)施了厚度約15jxm的電鍍銅而得到的測(cè)驗(yàn)基板。對(duì)該基板，使用表1~4中記栽的各蝕刻劑，用2分鐘的噴霧處理(噴霧壓力0.05MPa，溫度25。C)進(jìn)行蝕刻。然后，由處理前后的測(cè)驗(yàn)基板的重量，根據(jù)上述式同樣地算出ER2([xm/min)。(適當(dāng)蝕刻時(shí)間的測(cè)定方法)準(zhǔn)備如下基板，即，將厚度1.6mm的松下電工社制造的覆銅箔層壓板(制品名GlassEpoxyMultiR-1766)浸漬于蝕刻液(硫酸200g/L、過(guò)氧化氫50g/L、其余為離子交換水)中，將該層壓板的銅箔完全除去，在所露出的玻璃環(huán)氧基材的一面?zhèn)仁褂脢W野制藥工業(yè)社制造的化學(xué)鍍銅藥液(制品名OPCCOPPERH)全面實(shí)施厚度約lnm的化學(xué)鍍銅，將其截?cái)喑?0mmX50mm后作為基板。在該基板上利用AsahiKaseiElectronics公司制造的感光性干膜(制品名SUNFORTSPG152)實(shí)施抗鍍圖案(platingresistpattern),用電鍍銅形成厚度18fim的布線圖案(線/間隙-15nm/15MJn)，通過(guò)噴霧3重量％的氫氧化鈉水溶液，剝離上述的抗鍍圖案從而制作測(cè)驗(yàn)基板。對(duì)該基板，使用表14中記載的各蝕刻劑，通過(guò)噴霧處理(噴霧壓力0.05MPa，溫度25。C)進(jìn)行蝕刻，測(cè)定直到化學(xué)鍍銅層被除去而基底的樹脂面顯露時(shí)的處理時(shí)間(適當(dāng)蝕刻時(shí)間)。另外，化學(xué)鍍銅層是否被除去，是通過(guò)金屬顯微鏡放大500倍后觀察布線間的樹脂表面來(lái)確認(rèn)的。(圖案變細(xì)率的測(cè)定方法)準(zhǔn)備與上述適當(dāng)蝕刻時(shí)間的測(cè)定方法中使用的基板同樣的測(cè)驗(yàn)基板，使用表1~4中記載的各蝕刻劑，以相對(duì)于適當(dāng)蝕刻時(shí)間為3倍的時(shí)間用噴霧處理(噴霧壓力0.05MPa,溫度25'C)繼續(xù)進(jìn)行蝕刻。而且，由蝕刻處理前后的布線頂部的寬度，利用下式求出圖案變細(xì)率。需要說(shuō)明的是，處理前后的布線頂部的寬度均是利用激光顯微鏡(奧林巴斯制OLS-1100)測(cè)定10處，作為其平均值。圖案變細(xì)率(％)=(處理前的布線寬度-處理后的布線寬度)+處理前的布線寬度xl00(底切長(zhǎng)度UCL的測(cè)定方法)用包埋樹脂對(duì)利用上述圖案變細(xì)率的測(cè)定方法測(cè)定后的測(cè)驗(yàn)基板的一部分進(jìn)行包埋處理，將其截?cái)喽M(jìn)行截面研磨。然后，用掃描型電子顯微鏡(日本電子制JSM-6390)觀察研磨截面，測(cè)定布線圖案下部的底切長(zhǎng)度UCL(參照?qǐng)D1),共計(jì)10處，算出其平均值。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>DGPBTA-1-(2，3-二羧基丙基)苯并三唑DHPBTA=l-(2'，3'-二羥基丙基)苯并三唑DCEBTA-l-(l'，2'-二羧基乙基)苯并三唑表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>DCPBTA=i-(2,3-二羧基丙基)苯并三吐DHPBTA=i-U',3'-二羥基丙基)笨并三唑DCEBTA-1-(r,2'-二羧基乙基)苯并三唑PAA-01-日東紡社制聚烯丙基胺PAS-92A=日東紡社制二烯丙基胺乙酸鹽-二氧化破共聚物PAS-2401==日東紡社制二烯丙基甲基乙基銨乙基硤酸鹽-二氧化硫共聚物表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>MUDI=四甲基二(十一烷基)咪唑BTA=IH苯并三唑BT-OH=羥基苯并三唑TTA=甲苯三唑BTCA=1,2,4-苯三羧酸表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>G一BTA=羧基笨并三唑BTA=1H笨并三唑如表1~4所示，本發(fā)明的實(shí)施例133與比較例15相比，均能夠抑制圖案變細(xì)。此外，對(duì)于底切長(zhǎng)度UCL而言，通過(guò)例如比較例2和實(shí)施例3的比較、比較例3和實(shí)施例25的比較、比較例4和實(shí)施例30的比較、比較例5和實(shí)施例25的比較等可知，本發(fā)明的實(shí)施例與比較例相比，能夠抑制底切長(zhǎng)度UCL。其中，配合了聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物的實(shí)施例1521尤其能夠抑制圖案變細(xì)。需要說(shuō)明的是，添加了在結(jié)構(gòu)單元中不含烯丙基胺骨架的陽(yáng)離子型聚合物的實(shí)施例22和23中，就圖案變細(xì)而言與實(shí)施例4是同等的。權(quán)利要求1.一種蝕刻劑，其特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有在分子中具有羧基和羥基中的至少一方兩個(gè)以上的苯并三唑衍生物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述苯并三唑衍生物的濃度是0.0001-10重量％。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻劑，其中，還含有聚烯丙基胺系陽(yáng)離子型聚合物。4.一種蝕刻劑，其特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有僅具有氮原子作為存在于環(huán)內(nèi)的雜原子的吡咯類、以及具有兩個(gè)以上羧基的多元酸或其鹽。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑，其中，所述吡咯類的濃度是0.001~5重量％，所述多元酸或其鹽的濃度為0.005-10重量％。6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的蝕刻劑，其中，所述硫酸的濃度是1~25重量％,所述過(guò)氧化氫的濃度是0.5-15重量％。7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的蝕刻劑，其中，所述蝕刻劑對(duì)化學(xué)鍍銅層的蝕刻速度是對(duì)電鍍銅層的蝕刻速度的3~7倍。全文摘要本發(fā)明提供一種蝕刻劑，在半加成法中除去化學(xué)鍍銅層時(shí)，能夠防止布線圖案的尺寸精度的降低。本發(fā)明的第1蝕刻劑的特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有在分子中具有羧基和羥基中的至少一方兩個(gè)以上的苯并三唑衍生物。本發(fā)明的第2蝕刻劑的特征在于，是含有硫酸、過(guò)氧化氫和水的銅的蝕刻劑，其中，含有僅具有氮原子作為存在于環(huán)內(nèi)的雜原子的吡咯類、以及具有兩個(gè)以上羧基的多元酸或其鹽。文檔編號(hào)C23F1/18GK101445933SQ20081017911公開日2009年6月3日申請(qǐng)日期2008年11月25日優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日發(fā)明者中村真美,吉海雅史,秋山大作申請(qǐng)人:Mec股份有限公司