專(zhuān)利名稱(chēng)：一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種廣泛用于材料表面改性技術(shù)中的離子濺射和電弧離子 鍍等離子鍍用靶的修復(fù)方法，尤其是涉及一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放 電修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
無(wú)論是濺射離子鍍技術(shù)，還是電弧離子鍍技術(shù)，均是利用真空條件下 載能離子轟擊靶材產(chǎn)生電子發(fā)射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)靶材金屬的蒸發(fā)，因此，靶的性 能直接影響著制備薄膜的性能，同時(shí)，靶是鍍膜工藝中的關(guān)鍵的消耗性材
料，因此對(duì)靶材有較高的技術(shù)質(zhì)量要求1、雜質(zhì)含量低，純度高；2、致 密性高，致密性高的靶具有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。
目前，廣泛使用的靶由于受到載能離子地不均勻轟擊，靶材產(chǎn)生不均 句刻蝕現(xiàn)象，雖然可以通過(guò)改變磁場(chǎng)、電場(chǎng)以及相關(guān)的可控參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié) 來(lái)減少不均句刻蝕的程度，但無(wú)法消除刻蝕不均勻的現(xiàn)象，使得一般的靶 材利用率只有10~ 50%。對(duì)于殘留的靶材只能釆取重新熔煉等方法實(shí)施回 收利用，制成新的靶，這樣，反復(fù)的冶金及加工過(guò)程使得靶的制造成本增 高，同時(shí)加工過(guò)程中損失了 一部分材料，對(duì)于廉價(jià)的金屬材料不是很重要， 但對(duì)于Au、 Pt、 Pd、 Ag等貴金屬來(lái)說(shuō)，損失相當(dāng)可觀，會(huì)產(chǎn)生非常嚴(yán)重 的浪費(fèi)。因此，對(duì)離子鍍用靶，特別是對(duì)貴金屬離子鍍用靶的修復(fù)，顯得 十分重要。
2005年4月20日公開(kāi)的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)CN1608141中披露了一種廢棄 濺射靶的修復(fù)，其公開(kāi)了利用熱等靜壓或者HIP技術(shù)，用新的濺射材料填 充靶的損耗區(qū)來(lái)修復(fù)廢棄濺射靶的方法。該方法是將新的材料填充靶的損 耗區(qū)，利用熱等靜壓技術(shù)(HIP)對(duì)填充的材料進(jìn)行處理，達(dá)到修復(fù)廢棄的濺射靶的目的。此方法中的填充材料與濺射靶損耗區(qū)的結(jié)合界面處于非 完全冶金結(jié)合，因而往往會(huì)出現(xiàn)脫層現(xiàn)象，嚴(yán)重影響靶的再利用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一 種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù)方法，其工藝步驟簡(jiǎn)單且修復(fù)效果 好，能有效解決貴金屬靶材修復(fù)中常出現(xiàn)的脫層現(xiàn)象，并且修復(fù)過(guò)程中貴 金屬材料幾乎無(wú)任何損耗。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是 一種離子鍍用貴金屬 靶的輝光放電修復(fù)方法，其特征在于該方法包括以下步驟
步驟一、清潔處理帶有刻蝕損耗區(qū)的被修復(fù)靶先用堿性清潔劑進(jìn)行 堿洗，再用清水沖洗后，最后用脫水劑進(jìn)行脫水處理；
步驟二、用壓力不小于50噸的壓力機(jī)將與被修復(fù)靶相同材質(zhì)的金屬 粉末均勻填充入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)形成填充層，填充層和被修復(fù)靶的上表面平
齊；
步驟三、將被修復(fù)靶水平置入真空室中所設(shè)置的空心陰極放電裝置內(nèi) 且刻蝕損耗區(qū)朝上，所述空心陰極放電裝置由上部帶開(kāi)口的杯狀電極和位
于杯狀電極上部且與其配合使用的平板電極組成；平板電極和杯狀電極分
別與直流電源 一 和直流電源二的負(fù)極端相接，直流電源 一 和直流電源二的
正極端均接地；
步驟四、對(duì)被修復(fù)靶進(jìn)行輝光放電修復(fù)，其輝光放電修復(fù)過(guò)程包括以
下步驟
U)對(duì)真空室進(jìn)行抽真空且其真空度不低于1 x l(T3Pa;
(b) 向真空室內(nèi)通入惰性氣體且保證真空室內(nèi)的氣體壓力為10~
60Pa;
(c) 分別接通并調(diào)節(jié)直流電源一和直流電源二的電壓，使得所述惰 性氣體產(chǎn)生輝光放電，同時(shí)填入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)的金屬粉末發(fā)生空心陰極放電并發(fā)生熔化對(duì)被修復(fù)靶進(jìn)行輝光放電修復(fù)，修復(fù)過(guò)程中，直流電源一和
直流電源二的電壓調(diào)整范圍均為-300 ~ - IOOOV，被修復(fù)靶的溫度不高于 其乾材的熔點(diǎn)溫度；
步驟五、待填入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)的金屬粉末完全熔化后，降低直流電源 一和直流電源二的電壓，使被修復(fù)靶緩慢冷卻至其靶材溫度低于IO(TC后， 關(guān)閉直流電源 一 和直流電源二并取出被修復(fù)靶，完成修復(fù)過(guò)程。
步驟二中所述壓力機(jī)的壓力為50噸。
步驟三中所述的平板電極和杯狀電極均為金屬鎢制的電極。 步驟三中所述的杯狀電極為上部開(kāi)口的立方體電極。 步驟三中所述的平板電極與被修復(fù)耙上表面間的距離L= 10~25mm, 被修復(fù)靶四周側(cè)壁與杯狀電極內(nèi)壁之間的間隙d= 10~ 25mm。 步驟(a)中所述真空室的真空度為1 x l(T3Pa。 步驟(b)中所述的惰性氣體為氬氣。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、利用輝光放電中的空心放 電與冷陰極放電的有效組合，使填入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)的貴金屬粉末得到快 速、均勻熔化，形成致密的填充層，最終使刻蝕損耗區(qū)得到修復(fù)。2、平 板電極與能夠發(fā)生空心陰極放電的杯狀電極之間形成不等電位的空心陰 極放電，并且能夠在平板電極與被修復(fù)靶之間形成高密度的Ar+，在電場(chǎng)
的作用下，轟擊被金屬粉末填充面的被修復(fù)靶的靶表面，實(shí)現(xiàn)被填充金屬 粉末表面的快速加熱。3、用壓力機(jī)壓制填充入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)的金屬粉末 并形成填充層，這樣在填充層內(nèi)會(huì)形成一定數(shù)量的空隙，在這些空隙內(nèi)會(huì) 形成空心陰極放電，空心陰極放電能夠使形成空隙的金屬粉末達(dá)到熔點(diǎn)， 發(fā)生熔化，熔融狀態(tài)的貴金屬粉末使空隙尺寸逐漸變小，同時(shí)在真空狀態(tài) 下，空隙位置向被修復(fù)靶的表面遷移，相應(yīng)地，無(wú)數(shù)空隙內(nèi)空心陰極放電， 實(shí)現(xiàn)了刻蝕損耗區(qū)域內(nèi)所填充的金屬粉末內(nèi)部的快速熔化，填充刻蝕區(qū)域 的粉末在表面和內(nèi)部?jī)煞矫娴目焖偃刍?，迅速熔化，并且填充層?nèi)部的 空隙快速向被修復(fù)靶的表面遷移，空隙內(nèi)的氣體在真空的作用下，離開(kāi)被修復(fù)靶的表面，排出真空室，冷卻后就形成了致密的填充層，實(shí)現(xiàn)了刻蝕
區(qū)域的修復(fù)。4、適用范圍廣，本發(fā)明適用于于Au、 Pt、 Pd、 Ag等貴金屬 靶材的修復(fù)。5、修復(fù)效果好，修復(fù)填充的貴金屬粉末材料與原濺射靶的 界面間為冶金結(jié)合，因而不會(huì)出現(xiàn)脫層等現(xiàn)象，并且修復(fù)過(guò)程中，貴金屬 材料幾乎無(wú)任何損耗。6、能夠?qū)崿F(xiàn)廢棄靶材的反復(fù)使用，大幅度提高了 靶材的利用率。總之，本發(fā)明所配備空心陰極放電裝置中的放電電極，能 夠?qū)崿F(xiàn)將輝光放電中的空心放電與冷陰極放電進(jìn)行有效組合，形成一種能 夠?qū)崿F(xiàn)工件高效加熱并且工件受熱均勻的加熱手段，最終為填入刻蝕損耗 區(qū)的金屬粉末提供了一種快速熔化的加熱手段，經(jīng)過(guò)本修復(fù)方法修復(fù)的離 子鍍用貴金屬靶能夠?qū)崿F(xiàn)與原靶相同的放電特性。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明被修 圖2為本發(fā)明被修 圖3為本發(fā)明的修 附圖標(biāo)記說(shuō)明
4一平板電極； 7—出口；
IO—直流電源二。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1
如圖l、圖2及圖3所示，本發(fā)明所述的輝光放電修復(fù)離子鍍用貴金屬 靶的方法，包括以下步驟
步驟一、清潔處理帶有刻蝕損耗區(qū)2的被修復(fù)靶1:先用堿性清潔劑
.靶的結(jié)構(gòu)示意圖。
.耙刻蝕損耗區(qū)內(nèi)填通入金屬粉末的結(jié)構(gòu)示意圖 一狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。
2 —刻蝕損耗區(qū)； 5—杯狀電極； 8 —入口；
3—填充層； 6—真空室； 9一直流電源一；進(jìn)行堿洗，再用清水沖洗后，最后用脫水劑進(jìn)行脫水處理。
本實(shí)施例中，被修復(fù)靶1為刻蝕后具有刻蝕損耗區(qū)2的200#Pt制靶 材。修復(fù)之前，先用堿性清潔劑對(duì)被修復(fù)靶1進(jìn)行堿洗除油，之后再用清 水沖洗，用清水進(jìn)行清洗后，再用無(wú)水乙醇對(duì)被修復(fù)靶1進(jìn)行脫水清洗。
步驟二、用壓力不小于50噸的壓力機(jī)將與被修復(fù)靶1相同材質(zhì)的金 屬粉末均勻填充入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)形成填充層3,填充層3和被修復(fù)耙1 的上表面平齊。
本實(shí)施例中，將與被修復(fù)靶1相同材質(zhì)的200#的Pt粉末填入被修復(fù) 靶l(wèi)的刻蝕損耗區(qū)2，填充過(guò)程中，用壓力為50噸的壓力機(jī)給Pt粉末施 壓，使Pt粉末均勻填入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)形成填充層3,并且Pt粉末填充 的區(qū)域即填充層3與被修復(fù)革巴1的上表面平齊。
步驟三、將被修復(fù)靶1水平置入真空室6中所設(shè)置的空心陰極放電裝 置內(nèi)且刻蝕損耗區(qū)2朝上，所述空心陰極放電裝置由上部帶開(kāi)口的杯狀電 極5和位于杯狀電極5上部且與其配合使用的平板電極4組成；平板電極 4和杯狀電極5分別與直流電源一 9和直流電源二 10的負(fù)極端相接，直流 電源一 9和直流電源二 10的正極端均接地。
本實(shí)施例中，所述平板電極4和杯狀電極5均為金屬鎢制的電極，并 且杯狀電極5為上部開(kāi)口的立方體電極。另外，所述平板電極4與被修復(fù) 靶1上表面間的距離L= 10~ 25mm，被修復(fù)革巴1四周側(cè)壁與杯狀電極5內(nèi) 壁之間的間隙d= 10~ 25隱。
步驟四、對(duì)被修復(fù)靶1進(jìn)行輝光放電修復(fù)，其輝光放電修復(fù)過(guò)程包括 以下步驟
U)對(duì)真空室6進(jìn)行抽真空且其真空度不低于1 x 10-3pa，本實(shí)施例 中，所述真空室6的真空度為1 x 10-3pa。也就是說(shuō)，實(shí)際使用過(guò)程中，先 使用抽真空裝置并通過(guò)真空室6底部設(shè)置的入口 8將真空室6內(nèi)部抽真空 至1 x 10—Ta。
(b)向真空室6內(nèi)通入惰性氣體且保證真空室6內(nèi)的氣體壓力為10 ~60Pa。本實(shí)施例中，將真空室6內(nèi)部抽真空至1 x 10-3Pa后，即通過(guò)真空 室6底部設(shè)置的出口 7向其內(nèi)部通入惰性氣體且所通入的惰性氣體為氬 氣。另外，向真空室6內(nèi)通入惰性氣體氬氣后，真空室6內(nèi)的氣體壓力為 10Pa。
(c)分別接通并調(diào)節(jié)直流電源一 9和直流電源二 10的電壓，使得所 述惰性氣體產(chǎn)生輝光放電，同時(shí)填入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金屬粉末發(fā)生空心 陰極放電并發(fā)生熔化對(duì)被修復(fù)靶1進(jìn)行輝光放電修復(fù)，修復(fù)過(guò)程中，直流 電源一 9和直流電源二 10的電壓調(diào)整范圍均為-300 ~ - 1000V,被修復(fù)
靶1的溫度不高于其靶材的熔點(diǎn)溫度。
本實(shí)施例中，接通直流電源一 9和直流電源二 10,并對(duì)兩個(gè)直流電源 進(jìn)行調(diào)節(jié)，使直流電源一 9的電壓保持在-300 ~ - 1000V的范圍內(nèi)，同時(shí) 根據(jù)放電狀態(tài)，將直流電源二 10的電壓在-300 ~ - 800V范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào) 節(jié)，使得氬氣產(chǎn)生輝光放電，同時(shí)填入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的Pt粉末發(fā)生空 心陰極放電并發(fā)生熔化，使得在Pt粉末與刻蝕損耗區(qū)2接觸的界面上發(fā) 生擴(kuò)散，完成對(duì)被修復(fù)靶1的輝光放電修復(fù)過(guò)程。需注意的是，輝光放電 修復(fù)過(guò)程中，使被修復(fù)靶1靶材的溫度不高于1772°C。
步驟五、待填入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金屬粉末完全熔化后，降低直流電 源一 9和直流電源二 10的電壓，使被修復(fù)靶1緩慢冷卻至其靶材溫度低 于10(TC后，關(guān)閉直流電源一 9和直流電源二 10并取出被修復(fù)靶1,完成 修復(fù)過(guò)程。也就是說(shuō)，在實(shí)際修復(fù)過(guò)程中，持續(xù)觀察放電狀態(tài)，待填入刻 蝕損耗區(qū)2內(nèi)的Pt粉末完全熔化后，降低直流電源一 9和直流電源二 10 的電壓，使被修復(fù)靶1靶材緩慢降溫，隨爐冷卻至10(TC后，取出被修復(fù) 耙1。
實(shí)施例2
本實(shí)施例中，所修復(fù)的被修復(fù)靶1為刻蝕后具有刻蝕損耗區(qū)2的250 "Au制靶材。步驟二中用壓力為50噸的壓力機(jī)填充入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金 屬粉末為25 0#的Au粉末。步驟(b)中向真空室6內(nèi)通入惰性氣體氬氣后，真空室6內(nèi)的氣體壓力為20Pa。步驟(c)中，直流電源二 10的電壓調(diào)整 范圍均為-300 ~ - 500V,被修復(fù)靶1的溫度不高于96rC。其余修復(fù)步驟 和相關(guān)限定條件均與實(shí)施例1相同。 實(shí)施例3
本實(shí)施例中，所修復(fù)的被修復(fù)靶1為刻蝕后具有刻蝕損耗區(qū)2的220 #Ag制靶材。步驟二中用壓力為50噸的壓力機(jī)填充入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金 屬粉末為220 #的Ag粉末。步驟(b)中向真空室6內(nèi)通入惰性氣體氬氣后， 真空室6內(nèi)的氣體壓力為30Pa。步驟(c)中，直流電源二 10的電壓調(diào)整 范圍均為-300 ~ - 650V,被修復(fù)靶1的溫度不高于1064°C。其余修復(fù)步 驟和相關(guān)限定條件均與實(shí)施例l相同。
實(shí)施例4
本實(shí)施例中，所修復(fù)的被修復(fù)靶1為刻蝕后具有刻蝕損耗區(qū)2的250 'Pd制靶材。步驟二中用壓力為50噸的壓力機(jī)填充入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金 屬粉末為250#的Pd粉末。步驟(b)中向真空室6內(nèi)通入惰性氣體氬氣后， 真空室6內(nèi)的氣體壓力為60Pa。步驟(c)中，直流電源二 10的電壓調(diào)整 范圍均為-300 ~ - 700V，被修復(fù)靶1的溫度不高于1552°C。其余修復(fù)步 驟和相關(guān)限定條件均與實(shí)施例l相同。
總之，本發(fā)明所述輝光放電修復(fù)離子鍍用貴金屬靶的方法的修復(fù)步驟 是先用壓力機(jī)將與修復(fù)靶1相同材質(zhì)的金屬粉末填入靶的刻蝕損耗區(qū)2 內(nèi)，并將其置于真空室6中并按放電要求的結(jié)構(gòu)配備電極，然后抽真空至 1 x 10—3Pa后通入惰性氣體氬氣且使氣體壓力在10~60Pa的范圍內(nèi)，調(diào)節(jié) 電極上所接電源的電壓，使惰性氣體放電產(chǎn)生輝光放電，在輝光放電的作 用下，使填入刻蝕損耗區(qū)2內(nèi)的金屬粉末發(fā)生空心陰極放電，并使所述金 屬粉末熔化，在所述金屬粉末與刻蝕損耗區(qū)2接觸的界面上發(fā)生擴(kuò)散，也 就是說(shuō)，使得所填入金屬粉末的熔化層充滿整個(gè)刻蝕損耗區(qū)2，并與刻蝕 損耗區(qū)2在界面處形成冶金結(jié)合；當(dāng)所填充的粉末完全熔化后，降低電源 電壓，使處于高溫的修復(fù)靶1緩慢冷卻，在靶材溫度低于10(TC后取出靶材，檢驗(yàn)，修復(fù)完畢。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明作任何限制，凡是 根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu) 變化，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù)方法，其特征在于該方法包括以下步驟步驟一、清潔處理帶有刻蝕損耗區(qū)(2)的被修復(fù)靶(1)先用堿性清潔劑進(jìn)行堿洗，再用清水沖洗后，最后用脫水劑進(jìn)行脫水處理；步驟二、用壓力不小于50噸的壓力機(jī)將與被修復(fù)靶(1)相同材質(zhì)的金屬粉末均勻填充入刻蝕損耗區(qū)(2)內(nèi)形成填充層(3)，填充層(3)和被修復(fù)靶(1)的上表面平齊；步驟三、將被修復(fù)靶(1)水平置入真空室(6)中所設(shè)置的空心陰極放電裝置內(nèi)且刻蝕損耗區(qū)(2)朝上，所述空心陰極放電裝置由上部帶開(kāi)口的杯狀電極(5)和位于杯狀電極(5)上部且與其配合使用的平板電極(4)組成；平板電極(4)和杯狀電極(5)分別與直流電源一(9)和直流電源二(10)的負(fù)極端相接，直流電源一(9)和直流電源二(10)的正極端均接地；步驟四、對(duì)被修復(fù)靶(1)進(jìn)行輝光放電修復(fù)，其輝光放電修復(fù)過(guò)程包括以下步驟(a)對(duì)真空室(6)進(jìn)行抽真空且其真空度不低于1×10-3Pa；(b)向真空室(6)內(nèi)通入惰性氣體且保證真空室(6)內(nèi)的氣體壓力為10～60Pa；(c)分別接通并調(diào)節(jié)直流電源一(9)和直流電源二(10)的電壓，使得所述惰性氣體產(chǎn)生輝光放電，同時(shí)填入刻蝕損耗區(qū)(2)內(nèi)的金屬粉末發(fā)生空心陰極放電并發(fā)生熔化對(duì)被修復(fù)靶(1)進(jìn)行輝光放電修復(fù)，修復(fù)過(guò)程中，直流電源一(9)和直流電源二(10)的電壓調(diào)整范圍均為-300～-1000V，被修復(fù)靶(1)的溫度不高于其靶材的熔點(diǎn)溫度；步驟五、待填入刻蝕損耗區(qū)(2)內(nèi)的金屬粉末完全熔化后，降低直流電源一(9)和直流電源二(10)的電壓，使被修復(fù)靶(1)緩慢冷卻至其靶材溫度低于100℃后，關(guān)閉直流電源一(9)和直流電源二(10)并取出被修復(fù)靶(1)，完成修復(fù)過(guò)程。
2. 按照權(quán)利要求1所述的一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù)方 法，其特征在于步驟二中所述壓力機(jī)的壓力為50噸。
3. 按照權(quán)利要求l或2所述的一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù) 方法，其特征在于步驟三中所述的平板電極(4)和杯狀電極(5)均為 金屬鎢制的電極。
4. 按照權(quán)利要求l或2所述的一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù) 方法，其特征在于步驟三中所述的杯狀電極(5)為上部開(kāi)口的立方體 電極。
5. 按照權(quán)利要求l或2所述的一種離子鍍用貴金屬耙的輝光放電修復(fù) 方法，其特征在于步驟三中所述的平板電極(4)與被修復(fù)靶(1)上表 面間的距離L=10~25mm,被修復(fù)靶(1 )四周側(cè)壁與杯狀電極(5)內(nèi)壁 之間的間隙d = 10 ~ 25mm。
6. 按照權(quán)利要求1或2所述的一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù) 方法，其特征在于步驟(a)中所述真空室(6)的真空度為1x10—3Pa。
7. 按照權(quán)利要求l或2所述的一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù) 方法，其特征在于步驟(b)中所述的惰性氣體為氬氣。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種離子鍍用貴金屬靶的輝光放電修復(fù)方法，該方法包括以下步驟清潔處理被修復(fù)靶；用壓力機(jī)將與被修復(fù)靶相同材質(zhì)的金屬粉末均勻填充入刻蝕損耗區(qū)；將被修復(fù)靶置入真空室中所設(shè)置的空心陰極放電裝置內(nèi)且刻蝕損耗區(qū)朝上，所述空心陰極放電裝置由上部帶開(kāi)口的杯狀電極和位于杯狀電極上部且與其配合使用的平板電極組成；對(duì)被修復(fù)靶進(jìn)行輝光放電修復(fù)；待填入刻蝕損耗區(qū)內(nèi)的金屬粉末完全熔化后，使被修復(fù)靶緩慢冷卻至其靶材溫度低于100℃后，取出被修復(fù)靶，完成修復(fù)過(guò)程。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單且修復(fù)效果好，能有效解決貴金屬靶材修復(fù)中常出現(xiàn)的脫層現(xiàn)象，并且修復(fù)過(guò)程中貴金屬材料幾乎無(wú)任何損耗。
文檔編號(hào)C23C14/48GK101413108SQ20081023260
公開(kāi)日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月5日
發(fā)明者徐海龍, 李爭(zhēng)顯, 杜繼紅, 王寶云, 駱瑞雪, 高廣睿, 黃春良 申請(qǐng)人:西北有色金屬研究院