專利名稱：：一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法。
背景技術(shù)：
：手機(jī)LCD液晶保護(hù)屏和家電產(chǎn)品觸摸屏的表面附著一層絕緣保護(hù)膜，目的是絕緣、防靜電、抗電擊；現(xiàn)有技術(shù)所鍍膜層為氧化錫膜，但這種金屬氧化物膜不穩(wěn)定，甚至產(chǎn)生變色或剝落等缺陷，造成絕緣膜失效，觸摸屏無法使用的后果。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種制備膜層穩(wěn)定，附著力強(qiáng)的觸摸屏絕緣膜的方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為所述的絕緣膜的制備方法包括在真空室真空度為35X10—、orr，加熱基材至7080°C，使置于真空室內(nèi)的Ni和02生成Ni0，并在基材表面沉積Ni0膜。所述的磁控反應(yīng)濺射沉積Ni0膜，經(jīng)過五個(gè)真空區(qū)間完成的，區(qū)間一予抽真空真空度為45X10—2Torr，區(qū)間二加熱基材真空度為23X10—3Torr;區(qū)間三濺射鍍膜真空度為35X10—3Torr，，區(qū)間四過渡真空度為23X10—3Torr，，區(qū)間五卸載真空度為45X10—2Torr。其具體的工藝條件是l)Ni靶采用直流電源轟擊，功率設(shè)定為35KW;陽(yáng)極電壓400-500V;2)真空室通入02的流量為210sccm;同時(shí)通入氣體Ar，Ar流量為20100sccm，3)電源的脈沖頻率Hz。在反應(yīng)濺射過程中，由于靶的非刻蝕區(qū)堆積著因氣相反應(yīng)而生成的絕緣層，并且在這絕緣層表面積累的大量的正電荷，最終引起靶面的電弧放電，導(dǎo)致從靶面噴出液滴，使正在生長(zhǎng)的薄膜產(chǎn)生嚴(yán)重缺陷。另外在反應(yīng)濺射過程中，磁控陰極的外部邊緣以及周圍的陽(yáng)極都被覆蓋上絕緣層，陽(yáng)極的作用逐漸消失，等離子體阻抗不斷增加，造成工藝參數(shù)飄移，甚至于產(chǎn)生放電熄滅現(xiàn)象。采用上述工藝條件就解決了這些技術(shù)難關(guān)，找到了一種簡(jiǎn)單有效工業(yè)化生產(chǎn)方法。所述的電源的脈沖頻率為400Hz。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述的絕緣膜是采用磁控反應(yīng)濺射的方法在觸摸屏基材表面通過Ni和02在真空狀態(tài)下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積一層NiO膜。本發(fā)明通過合理地設(shè)置工作真空度、氧氣流量、濺射氣體和環(huán)境溫度等工藝參數(shù)，在觸摸屏基材表面制備出高質(zhì)量、結(jié)合力好、不易變色、厚度均勻的NiO膜層；該膜層均勻、致密、附著力好，不僅具有良好絕緣性、防靜電、抗電擊性能，所制備的絕緣膜具有獨(dú)特的金屬色澤；本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比該膜層具有很好的結(jié)合力和很高的透過率，適合手機(jī)LCD液晶保護(hù)屏和家電產(chǎn)品觸摸屏絕緣膜的工業(yè)化生產(chǎn)。具體實(shí)施例方式下面通過對(duì)具體實(shí)施例的描述，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明?！N制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，所述的絕緣膜是采用磁控反應(yīng)濺射的方法在PMMA/PC基材表面通過Ni和02在真空狀態(tài)下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積一層Ni0膜。實(shí)施例11)篩選PC/PMMA基材，用去離子水清洗去除基材周邊的碎屑，然后熱風(fēng)吹干；2)將基材裝入設(shè)備的基片架上，撕去表面的保護(hù)膜，并進(jìn)行靜電除塵；3)將基片架送入真空室抽真空，先進(jìn)行予抽真空，真空度在5X10—2Torr;4)進(jìn)入2號(hào)真空室，抽真空達(dá)到3X10—3Torr，同時(shí)加熱基材至80°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進(jìn)行脈沖反應(yīng)濺射沉積NiO膜，真空度為5X10—3Torr，電源的脈沖頻率為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質(zhì)量檢驗(yàn)，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為50nm，使用兆歐表測(cè)量產(chǎn)品的絕緣電阻，絕緣電阻l5MQ，結(jié)合力5B。合格包裝。實(shí)施例2步驟1)和步驟2)與實(shí)施例1同；3)將基片架送入真空室，先進(jìn)行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進(jìn)入2號(hào)真空室，抽真空到2X10—3Torr，同時(shí)加熱基材至70°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進(jìn)行脈沖反應(yīng)濺射沉積NiO膜；真空度達(dá)到4X10—3Torr，電源的脈沖頻率設(shè)定為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為4X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質(zhì)量檢驗(yàn)，PMMA/PC基材表面NiO的厚度為15nm，使用兆歐表測(cè)量產(chǎn)品的絕緣電阻，絕緣電阻1015MQ，結(jié)合力5B。合格包裝。實(shí)施例3步驟1)和步驟2)與實(shí)施例1同；3)將基片架送入真空室，先進(jìn)行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進(jìn)入2號(hào)真空室，抽真空到3X10—3Torr，同時(shí)加熱基材至75°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進(jìn)行脈沖反應(yīng)濺射沉積NiO膜；真空度達(dá)到3X10—3Torr，電源的脈沖頻率設(shè)定為400HZ;DC電源(KW)脈沖電源陽(yáng)極電壓(v)真空度Ar/H2o2(Torr)(seem)(seem)4是4504.5X10—350/056)將基片架送入過渡室，真空度為2X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—2Torr，將基材冷卻至20°C。在線質(zhì)量檢驗(yàn)，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為25nm，使用兆歐表測(cè)量產(chǎn)品的絕緣電阻，絕緣電阻5065MQ，結(jié)合力5B。合格包裝。實(shí)施例4步驟1)和步驟2)與實(shí)施例1同；3)將基片架送入真空室，先進(jìn)行予抽真空，真空度為5X10—2Torr4)進(jìn)入2號(hào)真空室，抽真空到3X10—3Torr，同時(shí)加熱基材至80°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進(jìn)行脈沖反應(yīng)濺射沉積NiO膜；真空度達(dá)到3X10—3Torr，電源的脈沖頻率設(shè)定為400HZ;DC電源(KW)脈沖電源陽(yáng)極電壓(V)真空度(Torr)Ar/H2(seem)02(seem)3是4005X10—380/086)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質(zhì)量檢驗(yàn)，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為30nm，使用兆歐表測(cè)量產(chǎn)品的絕緣電阻，絕緣電阻l5MQ，結(jié)合力5B。合格包裝。實(shí)施例5步驟1)和步驟2)與實(shí)施例1同；3)將基片架送入真空室，先進(jìn)行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進(jìn)入2號(hào)真空室，抽真空到2X10—3Torr，同時(shí)加熱基材至70°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進(jìn)行脈沖反應(yīng)濺射沉積NiO膜；真空度達(dá)到4X10—3Torr，電源的脈沖頻率設(shè)定為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質(zhì)量檢驗(yàn)，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為40nm，使用兆歐表測(cè)量產(chǎn)品的絕緣電阻，絕緣電阻5065MQ，結(jié)合力5B。合格包裝。本發(fā)明可用不違背本發(fā)明的精神或主要特征的具體形式來概述。上述實(shí)施方案僅是對(duì)本發(fā)明的說明而不能限制本發(fā)明，因此，與本發(fā)明的權(quán)利要求書相當(dāng)?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何改變，都應(yīng)認(rèn)為是包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。權(quán)利要求一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于在真空室真空度為3～5x10-3Torr條件下，加熱基材至70～80℃，采用磁控反應(yīng)濺射法使置于真空室內(nèi)的Ni和O2生成NiO，并在基材表面沉積成NiO膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的磁控反應(yīng)濺射沉積NiO膜，經(jīng)過五個(gè)真空區(qū)間，區(qū)間一予抽真空真空度為45x10—2Torr，區(qū)間二加熱基材真空度為23x10—3Torr;區(qū)間三濺射鍍膜真空度為35x10—3Torr，，區(qū)間四過渡真空度為23x10—3Torr，，區(qū)間五卸載真空度為45x10—2Torr。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的磁控反應(yīng)濺射沉積Ni0膜，其具體的工藝條件是1)Ni耙采用直流電源轟擊，功率設(shè)定為35KW;陽(yáng)極電壓400-500V;2)真空室通入02的流量為210sccm;同時(shí)通入氣體Ar，Ar流量為20100sccm，3)電源的脈沖頻率300500Hz。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的電源的脈沖頻率為400Hz。全文摘要本發(fā)明公開了一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，使用磁控反應(yīng)濺射的方法在觸摸屏基材表面上通過Ni和O2在真空狀態(tài)下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積一層NiO膜；制備方法包括真空度為3～5x10-3Torr，加熱基材至70～80℃，磁控反應(yīng)濺射沉積NiO膜，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用該方法在觸摸屏基材表面沉積納米級(jí)厚度的NiO膜，膜層均勻、致密、附著力好，使得絕緣膜具有良好絕緣性、防靜電、抗電擊性能，該膜層具有很好的結(jié)合力和很高的透過率，適合手機(jī)LCD液晶保護(hù)屏和家電產(chǎn)品觸摸屏絕緣膜的工業(yè)化生產(chǎn)。文檔編號(hào)C23C14/35GK101748371SQ20081024474公開日2010年6月23日申請(qǐng)日期2008年12月16日優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日發(fā)明者沈勵(lì),石富銀,許沭華,遲曉暉,陳奇申請(qǐng)人:蕪湖長(zhǎng)信科技股份有限公司