專利名稱：可均勻鍍膜的靶材裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種靶材裝置，特別是涉及一種安裝于'減鍍設(shè)備 上且可均勻鍍膜的靶材裝置。
背景技術(shù)：
一般在濺鍍過程中，是在一內(nèi)部真空的濺鍍設(shè)備中以游離的氣體 離子撞擊一靶材，并將靶材表面的原子撞擊出來進入電漿中，且因電 場作用而傳遞至一基板表面，并沉積出一薄膜。
但是在撞擊與沉積的過程中，易因游離的氣體離子濃度的因素， 造成靶材中央部位受撞擊的頻率與次數(shù)較高，兩端受撞擊較少，致使 鍍在基板上的薄膜也是呈中間較厚，兩端較薄，也就是造成鍍膜厚薄 不均的問題。

實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種可提高鍍膜厚度的平均以增加生 產(chǎn)良品率的靶材裝置。
本實用新型涉及可均勻鍍膜的靶材裝置，其特征在于靼材裝置 包括 一遮蔽盒，及一安裝于該遮蔽盒中的耙材，該遮蔽盒具有一遮 蔽板，該遮蔽板上具有一長槽孔，且該長槽孔的兩端寬度大于中央部 位的寬度，該靶材安裝于該遮蔽盒中，且一側(cè)面顯露于遮蔽盒外，且 顯露的面積也呈兩端寬度大于中央部位寬度的形狀。
本實用新型的有益效果在于本實用新型靶材裝置借由該遮蔽盒 的遮蔽板遮蓋該靶材，使靶材受氣體離子撞擊時，降低中央部位受撞 擊的次數(shù)與頻率，使整體靶材上下兩端與中央部位受撞擊的次數(shù)較為 平均，使得濺鍍出的薄膜厚度較為均勻。


圖l是本實用新型靶材裝置的優(yōu)選實施例安裝于一濺鍍設(shè)備中的側(cè)面示意圖；及
圖2是該優(yōu)選實施例的正面視圖，以說明一遮蔽盒上的長槽孔的 形狀。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型進行詳細說明
參閱圖1與圖2，本實用新型可均勻鍍膜的靶材裝置3的優(yōu)選實 施例安裝于一濺鍍設(shè)備21中，以在一基板22上鍍上一薄膜23，該濺 鍍設(shè)備具有一內(nèi)部真空的濺鍍腔210及兩個安裝于濺鍍腔210內(nèi)并左 右相對應(yīng)的電極211，靶材裝置3包括一安裝于該濺鍍設(shè)備21中的遮 蔽盒31,及一安裝于遮蔽盒31中的靶材32。
在本實施例中，該遮蔽盒31直立地安裝于所述濺鍍設(shè)備21中， 且遮蔽盒31與所述基板22是一左一右且相互平行間隔地設(shè)置于賊鍍 設(shè)備21的兩相對側(cè)，也就是說該遮蔽盒31蓋設(shè)于其中一電極211外 圍，而該基板22設(shè)置于另一電極211上。該遮蔽盒31具有一圍設(shè)于 其中一電極21周緣的圍板310，及一蓋合于該圍板310側(cè)緣并與所基 板22直立平行對應(yīng)的遮蔽板311。該遮蔽板311上具有一上下延伸的 長槽孔312,該長槽孔312的左右兩側(cè)邊呈內(nèi)凹的圓弧狀，使得該長 孔槽呈上下兩端寬度較大而向中央部位延伸時寬度漸縮的形狀。
該耙材32安裝于該遮蔽盒31中，且一側(cè)面嵌入其中一電極211 上而另一側(cè)面與遮蔽板311間隔，使得該草a材32的另一側(cè)面通過該長 槽孔312而且與所述基板22平行間隔對應(yīng)，且由于該遮蔽盒31的遮 蔽板311的掩蓋與長槽孔312的形狀，使得該靶材32與基板22對應(yīng) 顯露的面積也是呈上下兩端寬度較大而中央部位寬度較小的形狀。
由此，當在濺鍍過程中，在所述濺鍍腔210內(nèi)以輝光放電方式產(chǎn) 生解離的氣體離子，也就是在基板22與耙材32間產(chǎn)生所謂的電漿， 且解離的氣體分子不斷撞擊靶材32，以將靶材32的原子撞擊進入電 漿中，并經(jīng)所述電極211產(chǎn)生的電場作用使靶材32的原子到達所述基 板22的表面上產(chǎn)生鍍膜。
而且更重要的是，雖然靶材32的中央部位附近的電漿濃度較高，使靶材32中央部位表面受到氣體離子撞擊的頻率與數(shù)量較高，但是由 于該遮蔽盒31的遮蔽板311遮蓋該耙材32，氣體離子經(jīng)過長槽孔312 而撞擊靶材32，再加上長槽孔312中央窄、上下兩端寬的形狀，直接 減少靶材32中央部位受撞擊的次數(shù)與頻率，使靼材32的兩端部與中 央部位受到氣體離子撞擊的次數(shù)接近，以使由靶材32表面解離的原子 到達基板22表面的數(shù)量平均，濺鍍于基板22表面的薄膜23厚度也較 為均勻，避免薄膜23中央部位厚、上下兩端較薄的缺點，提高生產(chǎn)良 品率。
綜上所述，本實用新型的靶材裝置3借由該遮蔽盒31的遮蔽板 311遮蓋該靶材32，在靶材32受氣體離子撞擊時，降低中央部位受撞 擊的次數(shù)與頻率，使整體靶材32上下兩端與中央部位受撞擊的次數(shù)較 為平均，使得濺鍍于所述基板22上的薄膜23厚度較為均勻，所以確 實可達到本實用新型的目的。
權(quán)利要求1.一種可均勻鍍膜的靶材裝置，其特征在于靶材裝置包括一個遮蔽盒，及一個安裝于該遮蔽盒中的靶材，該遮蔽盒具有一塊遮蔽板，該遮蔽板上具有一個長槽孔，且該長槽孔的兩端寬度大于中央部位的寬度，該靶材安裝于該遮蔽盒中，且一側(cè)面顯露于遮蔽盒外，且顯露的面積也是呈兩端寬度大于中央部位寬度的形狀。
2. 如權(quán)利要求1所述的可均勻鍍膜的靶材裝置，其特征在于 該遮蔽盒的長槽孔兩側(cè)邊呈圓弧狀。
專利摘要一種可均勻鍍膜的靶材裝置，包括一安裝于一濺鍍設(shè)備中的遮蔽盒，及一安裝于遮蔽盒中的靶材。該遮蔽盒具有一遮蔽板，該遮蔽板上具有一上下延伸的長槽孔，且該長槽孔的上下兩端寬度大于中央部位的寬度。該靶材安裝于該遮蔽盒中，靶材顯露遮蔽盒外的面積也是呈兩端寬度大于中央部位寬度的形狀。本實用新型靶材裝置借由該遮蔽盒的遮蔽板遮蓋該靶材，使靶材受氣體離子撞擊時，降低中央部位受撞擊的次數(shù)與頻率，使整體靶材上下兩端與中央部位受撞擊的次數(shù)較為平均，致使濺鍍于所述基板上的薄膜厚度較為均勻。
文檔編號C23C14/34GK201162040SQ20082000849
公開日2008年12月10日 申請日期2008年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月24日
發(fā)明者鄭博仁, 黃泳釗 申請人:北儒精密股份有限公司