專利名稱：大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種真空鍍膜生產(chǎn)線，尤其涉及用于大面積光學(xué)介質(zhì)膜和透明導(dǎo)電膜組 成的抗反射導(dǎo)電膜，并能實現(xiàn)基片裝載連續(xù)循環(huán)和不間斷生產(chǎn)大面積抗反射導(dǎo)電膜產(chǎn)品的連 續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜玻璃生產(chǎn)線采用的工藝為在玻璃基板上鍍氧化硅(Si02)隔離層和透 明導(dǎo)電層(一般采用鍍氧化銦錫ITO透明導(dǎo)電膜)。例如中國專利號為01258489. 4授權(quán)公告 號為CN2516564Y的實用新型專利，公開了一種具有中頻反應(yīng)濺射二氧化硅的氧化銦錫玻璃在 線聯(lián)鍍裝置，該裝置設(shè)計有中頻反應(yīng)磁控濺射Si02鍍膜室、氣體隔離裝置、ITO鍍膜室，前、 后端過渡真空室分別接有擴散泵，氣體隔離裝置由兩個相通的隔離室、分子泵和擴散泵組成， 連接中頻反應(yīng)磁控濺射Si02鍍膜室的隔離室接有分子泵，與ITO鍍膜室相連的隔離室接有擴 散泵，ITO鍍膜室接有分子泵。該連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線為傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線，這種 生產(chǎn)線的局限在于其一，只具有簡單的一個Si02鍍膜室和一個IT0透明導(dǎo)電膜鍍膜室，所 形成的透明導(dǎo)電膜在可見光范圍內(nèi)的透過率一般在89% —90%范圍內(nèi)，不能生產(chǎn)具有高透射 率的抗反射導(dǎo)電膜玻璃產(chǎn)品；其二，在反應(yīng)濺射鍍膜室(Si02濺射鍍膜室)和透明導(dǎo)電膜濺 射鍍膜室(IT0濺射鍍膜室)的兩端沒有傳送室，基片裝載架的傳送速度快慢轉(zhuǎn)換比小，生 產(chǎn)效率較低；其三，反應(yīng)濺射膜鍍膜室(Si02濺射鍍膜室)和透明導(dǎo)電膜鍍膜室(IT0濺射鍍 膜室)之間只有兩個真空隔離室，并且沒有閥門隔離，氣氛隔離效果不明顯，因此不適合進 行其它新產(chǎn)品的工藝開發(fā)；其四，進片區(qū)和出片區(qū)的高真空抽氣室沒有獨立的抽氣系統(tǒng)，影 響生產(chǎn)在線上下工序的整體同步聯(lián)接；其五，生產(chǎn)線采用擴散泵進行高真空抽氣，不利于高 質(zhì)量透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)。
目前工業(yè)上制造大面積抗反射導(dǎo)電膜的方法有兩種，其一，直接購買使用溶膠一凝膠法 (Sol—Gel法)制備的抗反射膜，再進行透明導(dǎo)電膜鍍膜，形成抗反射導(dǎo)電膜；其二，采用 現(xiàn)有的大面積導(dǎo)電膜濺射鍍膜生產(chǎn)線，通過反復(fù)多次濺射鍍膜，形成由高低折射率組成的抗 反射膜和導(dǎo)電膜。但是這兩種方法都存在著很多問題，對于Sol-Gel法制備抗反射導(dǎo)電膜存 在以下問題(1) Sol-Gel法制備的抗反射膜工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高；(2) Sol-Gel法鍍膜 的材料有限，抗反射膜堆的結(jié)構(gòu)設(shè)計不易改變；(3) Sol-Gel法制備透明導(dǎo)電膜的技術(shù)還不成熟，不能一次完成制備抗反射膜與鍍透明導(dǎo)電膜，如采用Sol-Gel法制備抗反射膜還需要再采用濺射的方法鍍透明導(dǎo)電膜；而現(xiàn)有的透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線制備抗反射導(dǎo)電膜也存在以下問題(A)采用現(xiàn)有的大面積導(dǎo)電膜鍍膜生產(chǎn)線鍍抗反射膜，由于濺射鍍膜的沉積速率低，需要反復(fù)鍍膜，有的抗反射膜堆設(shè)計需要反復(fù)鍍膜幾十次；(B)現(xiàn)有的反應(yīng)濺射耙Si耙與ITO靶的結(jié)構(gòu)和尺寸不一致，不適合產(chǎn)品工藝的變化；(C)現(xiàn)有生產(chǎn)線使用的膜層結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，不適合大批量連續(xù)生產(chǎn)。
隨著高清晰顯示技術(shù)在平板顯示領(lǐng)域日益廣泛的應(yīng)用，高質(zhì)量的大面積抗反射導(dǎo)電膜也隨著市場的需求正在穩(wěn)步增長。然而這類技術(shù)的基本原理就是采用鍍了多層抗反射導(dǎo)電膜的玻璃替代普通的透明導(dǎo)電膜玻璃。但目前能夠?qū)崿F(xiàn)大批量生產(chǎn)大面積抗反射導(dǎo)電膜生產(chǎn)的設(shè)備都存在工藝復(fù)雜、成本較高的特點。發(fā)明內(nèi)容
針對上述情況，本實用新型的目的在于提供一種適合大批量生產(chǎn)，低生產(chǎn)成本，濺射沉積速率高，工藝通用性好，可以廣泛用于各類顯示面板玻璃的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，用該生產(chǎn)線生產(chǎn)出的產(chǎn)品，具有高透射率，而且膜層結(jié)構(gòu)簡單、反射色度均勻和較優(yōu)良的導(dǎo)電性能。
為了實現(xiàn)上述目的， 一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，它包括在機座橫向方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室、前過渡室、前傳送室、介質(zhì)
膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室ni、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室、后傳送室和后過渡室組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進片區(qū)、出片區(qū)，進片區(qū)由進片平移架、進片架組成，出片區(qū)由出片室、出片架i、出片架n、出片平移架組成，于真空室組區(qū)、進片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運行方向和裝載架回行運行方向連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路，實現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。為了實現(xiàn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，其進一步的措施是
磁導(dǎo)向傳送裝置包括設(shè)置在運行環(huán)路上的傳動機組，該傳動機組經(jīng)同步傳送帶與動密封裝置上的同步軸傳動聯(lián)接，連接于同步軸端的同步傳送輪，經(jīng)固定座、連接座和連接銷固聯(lián)于運行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座及設(shè)置在磁導(dǎo)向座上的導(dǎo)向座磁鐵和經(jīng)同步傳送輪帶動且由導(dǎo)向座磁鐵導(dǎo)向運行的裝載架。
裝載架包括一摩擦導(dǎo)桿和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿上的下絕緣塊連接的立式裝載框，所述裝載架的上端設(shè)有上絕緣塊和適配于導(dǎo)向座磁鐵的工件架導(dǎo)向磁鐵，所述裝載架的下端經(jīng)同步傳送輪及摩擦導(dǎo)桿傳動且上端通過工件架導(dǎo)向磁鐵無接觸運行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵之間。 立式裝載框通過上、下絕緣塊與裝載架和大地之間保持電絕緣連接。
介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室 v的腔體的鍍膜室門處設(shè)有至少十對孿生磁控濺射靶并且每對孿生磁控濺射耙均設(shè)有兩路以 上的進氣管。
導(dǎo)電膜鍍膜室的腔體的鍍膜室門處設(shè)有至少四個直流磁控濺射耙并且每兩個直流磁控濺 射靶均設(shè)有兩路以上的進氣管。
前過渡室設(shè)有連接預(yù)抽室的前過渡室閥i、連接前傳送室的前過渡室閥n并與前過度室 抽氣系統(tǒng)相連接；所述后過渡室設(shè)有連接出片室的后過渡室閥n、連接后傳送室的后過渡室 閥i并與后過度室抽氣系統(tǒng)相連接。
前傳送室、介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介 質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室及后傳送室均與分子 泵組及高真空維持泵組依次相連。
預(yù)抽室連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)、預(yù)抽室閥、前過渡室閥i和預(yù)抽室充氣閥；所述隔離室 連接有隔離室閥i、隔離室閥n;所述出片室連接有出片室抽氣系統(tǒng)、出片室閥、后過渡室 閥n和出片室充氣閥。
預(yù)抽室、前過渡室、前傳送室、介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、 介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室、 后傳送室、后過渡室內(nèi)均設(shè)有運行速度檢測裝置。
本實用新型采用包括在機座橫向方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽 室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進片區(qū)、出片區(qū)，進片區(qū)由進片平移架等組成，出片區(qū)由 出片平移架等組成，于真空室組區(qū)、進片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件 回行架組成沿裝載架鍍膜運行方向和裝載架回行運行方向連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路，實現(xiàn)基 片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜的技術(shù)方案，它克服了傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線， 透過率范圍不高，無傳送室，基片裝載架的傳送速度轉(zhuǎn)換比小，生產(chǎn)效率較低等缺陷。
本實用新型相比現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的有益效果
(i)本實用新型的生產(chǎn)線，具有獨立的介質(zhì)膜鍍膜室，即介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍 膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv和介質(zhì)膜鍍膜室v，并可以安裝至少十對的孿生 磁控濺射耙，并且每對孿生磁控濺射靶均設(shè)有兩路以上的進氣管，可以實現(xiàn)大部分介質(zhì)膜的
鍍膜，如氧化鈦(Ti02)、氧化硅(Si02)、五氧化二鉭(TaA)、或五氧化二鈮(NbA)、或鈮鉭(NbTa)混合鍍膜后形成的氧化物、或者鈦鈮(TiNb)混合后鍍膜形成的氧化物、硅鋁(SiAl)混合后鍍膜形成的氧化物和TiN等介質(zhì)膜；
(II) 本實用新型的生產(chǎn)線，由隔離傳送室I、隔離室、隔離傳送室II進行有效的真空氣氛隔離，可以在不影響生產(chǎn)速度的情況下同時實現(xiàn)兩種不同濺射工藝氣氛的鍍膜生產(chǎn)工藝；
(III) 本實用新型的生產(chǎn)線，具有獨立的導(dǎo)電膜鍍膜室，可以生產(chǎn)大部分的導(dǎo)電膜，如氧化銦錫(IT0)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(Zn0)、氧化銦(ln203)、摻氟氧化錫(Sn02:F)、摻砷氧化錫(Sn02:Sb)、摻鋁氧化鋅(ZnO:Al)、氧化銦鋅(In203:ZnO)、氧化錫鋅(Sn02:ZnO)和氧化銦鎂(InA:MgO)等；
(IV) 本實用新型的生產(chǎn)線，于整個連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路上都設(shè)有基片架運行速度檢測裝置，可以根據(jù)工藝在任意位置進行速度調(diào)整和停車，適合進行大批量生產(chǎn)，并且工藝調(diào)試方便；
(V) 本實用新型的生產(chǎn)線中的立式裝載框與真空室組區(qū)保持電絕緣，有利于濺射工藝的實現(xiàn)；
(VI) 本實用新型的生產(chǎn)線，采用了磁導(dǎo)向傳送裝置，基片架傳動平穩(wěn)，可以實現(xiàn)快節(jié)奏大批量生產(chǎn)、生產(chǎn)效率高；
(VD本實用新型的生產(chǎn)線，結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，產(chǎn)量大、生產(chǎn)成本低、膜層均勻性好、工藝可開發(fā)性強，并且操作容易，使用、維護方便，無環(huán)境污染。
它適合用于各類顯示面板、太陽能面板和裝飾面板的透明導(dǎo)電膜、抗反射膜、高反射膜等大面積鍍膜的生產(chǎn)。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細說明。

圖1是本實用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線平面布局圖。
圖2是顯示本實用新型的機座及其上的裝載架的C~C剖視放大圖。
圖3是圖2中顯示磁導(dǎo)向傳送裝置的D_D剖視放大圖。
圖4是顯示立式裝載框的主視放大圖。
圖5是顯示回行架上的磁導(dǎo)向傳送裝置的側(cè)視放大圖。
圖6是圖5中顯示同步傳送輪與摩擦導(dǎo)桿配合的E—E放大圖。
圖7是玻璃基材透射率光譜曲線a和抗反射導(dǎo)電膜玻璃透射率光譜曲線b對照比較圖。圖8是圖1的C向視圖。
圖中1、機座，2、真空室組區(qū)，21、預(yù)抽室，211、預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)，212、預(yù)抽室充
7氣閥，216、預(yù)抽室閥，22、前過渡室，221、前過渡室抽氣系統(tǒng)，22a、前過渡室閥I ， 22b、前過渡室閥II， 23、前傳送室，241、鍍膜室室門，24a、介質(zhì)膜鍍膜室I ， 24b、介質(zhì) 膜鍍膜室II， 24c、介質(zhì)膜鍍膜室m， 24d、介質(zhì)膜鍍膜室IV, 24e、介質(zhì)膜鍍膜室V， 25a、 隔離傳送室I， 25b、隔離傳送室II， 26、隔離室，26a、隔離室閥I ， 26b、隔離室閥II， 27、導(dǎo)電膜鍍膜室，271、孿生磁控濺射靶，272、直流磁控濺射耙，28、后傳送室，29、后 過渡室，291、后過渡室抽氣系統(tǒng)，29a、后過渡室閥I, 2%、后過渡室閥II， 3、進片區(qū)， 31、進片平移架，311、進片平移導(dǎo)軌，312、進片推進氣缸，32、進片架，4、出片區(qū)，41、 出片室，411、出片室抽氣系統(tǒng)，4a、出片架I， 4b、出片架II, 42、出片平移架，421、出 片平移導(dǎo)軌，422、出片推進氣缸，43、出片室閥，44、出片室充氣閥，5、磁導(dǎo)向傳送裝置， 51、傳動機組，52、同步傳送帶，53、動密封裝置，531、同步軸，532、同步傳送輪，54、 固定座，55、連接座，56、連接銷，57、磁導(dǎo)向座，571、導(dǎo)向座磁鐵，572、工件架導(dǎo)向磁 鐵，573、固定支座，6、工件回行架，7、裝載架，71、摩擦導(dǎo)桿，72、下絕緣塊，73、立式 裝載框，74、上端絕緣塊，8、分子泵組，81、高真空維持泵組，9、運行速度檢測裝置，A、 裝載架鍍膜運行方向，B、裝載架回行運行方向。
具體實施方式

由附圖所示， 一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，它包括在機座l橫向 方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室21、前過渡室22、前傳送室23、 介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì) 膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳 送室28和后過渡室29組成的真空室組區(qū)2以及緊鄰的進片區(qū)3、出片區(qū)4，進片區(qū)3由進片 平移架31、進片架32組成，出片區(qū)4由出片室41、出片架I4a、出片架Il4b、出片平移架 42組成，于真空室組區(qū)2、進片區(qū)3和出片區(qū)4上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置5并與適配的工件回 行架6組成沿裝載架鍍膜運行方向A和裝載架回行運行方向B連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路，實
現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。
參見圖2、圖3、圖5、圖6，磁導(dǎo)向傳送裝置5包括設(shè)置在運行環(huán)路上的傳動機組51， 該傳動機組51經(jīng)同步傳送帶52與動密封裝置53上的同步軸531傳動聯(lián)接，連接于同步軸 531端的同步傳送輪532，經(jīng)固定座54、連接座55和連接銷56固聯(lián)于運行環(huán)路上的磁導(dǎo)向 座57及設(shè)置在磁導(dǎo)向座57上的導(dǎo)向座磁鐵571和經(jīng)同步傳送輪532帶動且由導(dǎo)向座磁鐵571 導(dǎo)向運行的裝載架7。
參見圖4、圖3、圖2、圖6及圖5，裝載架7包括一摩擦導(dǎo)桿71和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿71上的下絕緣塊72連接的立式裝載框73，裝載架7的上端設(shè)有上絕緣塊74和適配于導(dǎo)向座磁鐵571 的工件架導(dǎo)向磁鐵572，裝載架7的下端經(jīng)同步傳送輪532及摩擦導(dǎo)桿71傳動且上端通過工 件架導(dǎo)向磁鐵572無接觸運行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵571之間。
參見圖4、圖3、圖2及圖5、圖6，立式裝載框73通過上、下絕緣塊74、 72與裝載架 7和大地之間保持電絕緣連接。
參見圖l、圖8，介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì) 膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e的腔體的鍍膜室門241處設(shè)置至少十對孿生磁控濺射耙 271并且每對孿生磁控濺射靶271均有兩路以上的進氣管。
參見圖l、圖8，導(dǎo)電膜鍍膜室27的腔體的鍍膜室門241處設(shè)置至少四個直流磁控濺射 靶272并且每兩個直流磁控濺射靶272均有兩路以上的進氣管。
參見圖1、圖8，前過渡室22有連接預(yù)抽室21的前過渡室閥I 22a、連接前傳送室23的 前過渡室閥II22b并與前過度室抽氣系統(tǒng)221相連接；后過渡室29有連接出片室41的后過 渡室閥II29b、連接后傳送室28的后過渡室閥I 29a并與后過度室抽氣系統(tǒng)291相連接。
參見圖1，前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、 介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I 25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、 導(dǎo)電膜鍍膜室27及后傳送室28均與分子泵組8及高真空維持泵組81依次相連。
由附圖1、8所示，預(yù)抽室21連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211、預(yù)抽室閥216、前過渡室閥I22a 和預(yù)抽室充氣闊212;隔離室26連接有隔離室閥I 26a、隔離室閥II26b;出片室41連接有 出片室抽氣系統(tǒng)411、出片室閥43、后過渡室閥1129b和出片室充氣閥44。
由附圖l、 8所示，預(yù)抽室21、前過渡室22、前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì) 膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送 室125a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳送室28、后過渡室29內(nèi)均 設(shè)有運行速度檢測裝置9，該運行速度檢測裝置9可以實時調(diào)整和控制裝載架的運行速度。
本實用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的基本工況是
裝有待鍍膜玻璃的裝載架7沿裝載架鍍膜運行方向A運行于進片區(qū)3上片、真空室組區(qū) 2鍍膜、出片區(qū)4下片；卸載已鍍膜玻璃的裝載架7繼續(xù)經(jīng)過工件回行架6沿裝載架回行運 行方向B返回進片區(qū)3重復(fù)進行并組成連續(xù)循環(huán)運行生產(chǎn)環(huán)路。
本實用新型的正常工作是
首先啟動預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211、前過渡室抽氣系統(tǒng)221、高真空維持泵組81、后過渡室 抽氣系統(tǒng)291、出片室抽氣系統(tǒng)411和分子泵組8，對整個真空室組區(qū)2的真空腔體進行抽氣；將前過渡室22、前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I 25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳送室28、后過渡室29組成的真空室組區(qū)2抽到高真空狀態(tài)，并通過抗反射膜鍍膜工作氣體和反應(yīng)氣體充氣管向抗反射膜鍍膜室即介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室m 24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e內(nèi)注入工作氣體氬氣和反應(yīng)氣體氧氣，維持動態(tài)真空l(TPa:同時通過導(dǎo)電膜鍍膜工作氣體充氣管對導(dǎo)電膜鍍膜室27內(nèi)注入工作氣體氬氣，維持動態(tài)真空10—'Pa;并開啟連接于孿生磁控濺射耙271的中頻交流電源和連接于直流磁控濺射靶272的直流磁控濺射電源，讓孿生磁控濺射耙271和直流磁控濺射靶272起輝進入鍍膜狀態(tài)。
開啟預(yù)抽室閥216，裝有待鍍膜玻璃的工件裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動運行進入預(yù)抽室21，關(guān)閉預(yù)抽室閥216和預(yù)抽室充氣閥212，啟動預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211，待預(yù)抽室21內(nèi)壓強達到0—10Pa真空度后，開啟前過渡室閥I22a，裝有待鍍膜玻璃的裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動運行進入前過渡室22，關(guān)閉前過渡室閾I 22a，前過渡室抽氣系統(tǒng)221的閥門開啟對前過渡室22進行高真空抽氣；同時開啟預(yù)抽室充氣閥212對預(yù)抽室21充氣，待下一個裝載架7進入后，重復(fù)進片、抽氣動作。
待前過渡室22達到真空度10—2pa后，再開啟前過渡室閥II22b，使裝有待鍍膜玻璃的裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動運行，并進入抗反射膜濺射鍍膜室運行，即進入介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II 24b、介質(zhì)膜鍍膜室m 24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e,此時，關(guān)閉前過渡室闊II22b，帶有待鍍膜玻璃的裝載架7以一定的運行速度勻速行進，依次經(jīng)過介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II 24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V 24e，同時經(jīng)過各組介質(zhì)膜靶，完成抗反射膜的鍍膜；到隔離傳送室I 25a，隔離室閥I 26a開啟，裝載架7運行進入隔離室26，關(guān)閉隔離室闊I 26a，并延時開啟隔離室閥II26b，裝載架7運行進入隔離傳送室I1 25b，關(guān)閉隔離室閥II26b，裝載架7運行進入導(dǎo)電膜鍍膜室27，裝載架7以鍍膜速度勻速經(jīng)過直流磁控濺射靶272，導(dǎo)電膜膜層厚度和面電阻由濺射功率、靶數(shù)量和裝載架7的運行速率來控制實現(xiàn)。
完成抗反射膜和導(dǎo)電膜鍍膜的玻璃后，開啟后過渡室閥I 29a，裝載架7運行進入后過渡室29進行氣氛隔離，關(guān)閉后過渡室閥I29a，對后過渡室29充氣，并延時開啟后過渡室閥I工29b，裝載架7運行進入出片室41，關(guān)閉后過渡室閥II29b，開啟出片室充氣閥44并對出片室41進行充氣，至大氣壓開啟出片室閥43，裝載架7運行至出片架I4a,出片室閥43關(guān)閉，開啟出片室抽氣系統(tǒng)411對出片室41進行重復(fù)抽氣；在出片架I4a和出片架II4b位置
10進行下片，整個鍍膜運行方向如圖中A的方向。裝載架7繼續(xù)傳送到出片區(qū)4的出片平移架 42，由出片推進氣缸422推動沿出片平移導(dǎo)軌421傳送到工件回行架6端，經(jīng)過回行架6傳 送到進片區(qū)3的進片平移架31,由進片平移氣缸312推動沿進片平移導(dǎo)軌311返回進片架32， 裝載架7沿鍍膜運行方向A運行完成鍍膜過程，回行沿回行運行方向B的運行，在整個鍍膜 與回行線路上安裝多個運行速度檢測裝置9對裝載架7的運行速度進行控制和調(diào)試，實現(xiàn)整 個連續(xù)鍍膜過程。由于整個鍍膜為連續(xù)過程，所以裝載架7及其上的待鍍膜玻璃可以連續(xù)不 斷的被送入真空室組區(qū)2進行鍍膜，從而實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)。
為了有利于濺射工藝的實現(xiàn)，本實用新型采用了上端無摩擦的磁導(dǎo)向傳送裝置5，立式 裝載框73與真空室組區(qū)2保持電絕緣。磁導(dǎo)向傳送裝置5與裝載架7是這樣配合運行的由 設(shè)置在運行環(huán)路上的傳動機組51提供動力，該傳動機組51經(jīng)同步傳送帶52與動密封裝置 53上的同步軸531傳動聯(lián)接，連接于同步軸531端的同步傳送輪532，帶動同步傳送輪532 運行；上端設(shè)置經(jīng)固定座54、連接座55和連接銷56固聯(lián)于運行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座57及設(shè) 置在磁導(dǎo)向座57上的導(dǎo)向座磁鐵571;裝載架7包括一摩擦導(dǎo)桿71和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿71下端 的下絕緣塊72連接的立式裝載框73,裝載架7的上端設(shè)置上端絕緣塊74和適配于導(dǎo)向座磁 鐵571的工件架導(dǎo)向磁鐵572，裝載架7下端經(jīng)同步傳送輪532及摩擦導(dǎo)桿71傳動且上端通 過工件架導(dǎo)向磁鐵572無接觸運行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵571之間。
使用本實用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的連續(xù)濺射鍍膜工藝具體 操作步驟為
(1) 先對需要待鍍膜玻璃進行切片，磨邊，倒角，清洗，鍍膜和檢測等工序。
(2) 使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法濺射鍍膜，濺射時所使用的耙材料為鈦(Ti)靶，采 用在真空室內(nèi)同時通入氬(Ar)和氧(02)進行反應(yīng)濺射鍍膜，形成高折射率的氧化鈦(Ti02) 膜層；并采用加熱器保持該玻璃的基板溫度為15(TC—25(TC，抗反射膜濺射鍍膜室內(nèi)工作壓 力為0—10Pa。
(3) 使用中頻反應(yīng)磁控濺射的方法濺射鍍膜，濺射時使用的靶材料為硅(Si)靶，采用 真空室內(nèi)同時通入Ar和02進行反應(yīng)濺射鍍膜，形成低折射率的氧化硅(Si02)膜層；采用加 熱器保持該玻璃的基板溫度為150°C—250°C，鍍膜室腔體內(nèi)的工作壓力為0—lOPa。
(4) 使用直流磁控濺射的方法濺射鍍膜，濺射時使用的材料為ITO靶，采用在真空室通 入Ar進行濺射鍍膜，形成ITO膜層。采用加熱器保持該玻璃的基板溫度為25(TC—30(TC， 鍍膜室腔體內(nèi)的工作壓力為0—10Pa。
(5) 為實現(xiàn)大面積抗反射導(dǎo)電膜鍍膜工藝，需要同時在介質(zhì)膜鍍膜室I 、介質(zhì)膜鍍膜室II 、介質(zhì)膜鍍膜室III、介質(zhì)膜鍍膜室IV、介質(zhì)膜鍍膜室V和導(dǎo)電膜鍍膜室布置多塊濺射靶材 料。為了得到多層抗反射膜，在抗反射膜濺射鍍膜室內(nèi)需要按照順序依次排布多個高折射率
靶組I和低折射率靶組n形成多層抗反射膜層；在導(dǎo)電膜濺射鍍膜室內(nèi)需要安裝直流磁控濺
射靶，濺射形成透明導(dǎo)電膜層。
按照以上濺射鍍膜工藝形成的膜層性能如下-
高折射率靶組濺射形成高折射率光學(xué)鍍層，選用Ti靶濺射形成Ti02膜層，膜層材料在 530-570nm的光學(xué)折射率指數(shù)為2. 1-2. 4;
低折射率靶組濺射形成低折射率光學(xué)鍍層，選用Si靶濺射形成Si02膜層，膜層材料在 530-570nm的光學(xué)折射率指數(shù)為1. 4-1. 5;
透明導(dǎo)電膜靶組濺射形成透明導(dǎo)電光電膜鍍層，選用ITO靶濺射形成ITO透明導(dǎo)電膜層， 形成的ITO透明導(dǎo)電膜層在可見光范圍內(nèi)光學(xué)折射率指數(shù)介于1.85-1.95;
實施例中使用的基板材料為玻璃，在可見光范圍內(nèi)折射率指數(shù)為1.51-1.56;
按照上述工藝形成的這種膜層反射顏色為藍色，530nm—570mn波長處的反射率值降低為 1.5%以下，面電阻為500Q/口，樣品透射率光譜參見圖7。
上述的本實用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，可以實現(xiàn)抗反射導(dǎo)電 膜的連續(xù)生產(chǎn)，生產(chǎn)能力為月產(chǎn)量1. 8萬平方米到2. 2萬平方米。
以上僅僅是本實用新型的較佳實施例，根據(jù)本實用新型的上述構(gòu)思，本領(lǐng)域的熟練人員 還可對此做出各種修改和變換。例如，機座的橫向方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng) 連通的由預(yù)抽室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進片區(qū)、出片區(qū)，于真空室組區(qū)、進片區(qū)和 出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運行方向和裝載架回 行運行方向連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路的修改和變換等。然而，類似的這種變換和修改均屬于 本實用新型的實質(zhì)。
權(quán)利要求1、一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于它包括在機座(1)橫向方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室(21)、前過渡室(22)、前傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I(24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II(24b)、介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV(24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V(24e)、隔離傳送室I(25a)、隔離室(26)、隔離傳送室II(25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)、后傳送室(28)和后過渡室(29)組成的真空室組區(qū)(2)以及緊鄰的進片區(qū)(3)、出片區(qū)(4)，所述進片區(qū)(3)由進片平移架(31)、進片架(32)組成，所述出片區(qū)(4)由出片室(41)、出片架I(4a)、出片架II(4b)、出片平移架(42)組成，于所述真空室組區(qū)(2)、進片區(qū)(3)和出片區(qū)(4)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置(5)并與適配的工件回行架(6)組成沿裝載架鍍膜運行方向(A)和裝載架回行運行方向(B)連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路，實現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于磁 導(dǎo)向傳送裝置(5)包括設(shè)置在運行環(huán)路上的傳動機組(51)，該傳動機組(51)經(jīng)同步傳送 帶(52)與動密封裝置(53)上的同步軸(531)傳動聯(lián)接，連接于同步軸(531)端的同步 傳送輪(532)，經(jīng)固定座(54)、連接座(55)和連接銷(56)固聯(lián)于運行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座(57)及設(shè)置在磁導(dǎo)向座(57)上的導(dǎo)向座磁鐵(571)和經(jīng)同步傳送輪(532)帶動且由導(dǎo) 向座磁鐵(571)導(dǎo)向運行的裝載架(7)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于裝 載架(7)包括一摩擦導(dǎo)桿(71)和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿(71)上的下絕緣塊(72)連接的立式裝載框(73)，所述裝載架(7)的上端設(shè)有上絕緣塊(74)和適配于導(dǎo)向座磁鐵(571)的工件架導(dǎo) 向磁鐵(572)，所述裝載架(7)的下端經(jīng)同步傳送輪(532)及摩擦導(dǎo)桿(71)傳動且上端 通過工件架導(dǎo)向磁鐵(572)無接觸運行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵(571)之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于立 式裝載框(73)通過上、下絕緣塊(74、 72)與裝載架(7)和大地之間保持電絕緣連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于介 質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV (24d)、 介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)的腔體的鍍膜室門(241)處設(shè)有至少十對孿生磁控濺射靶(271)并 且每對孿生磁控濺射靶(271)均設(shè)有兩路以上的進氣管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于導(dǎo) 電膜鍍膜室(27)的腔體的鍍膜室門(241)處設(shè)有至少四個直流磁控濺射靶(272)并且每兩個直流磁控濺射靶(272)均設(shè)有兩路以上的進氣管。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于所 述前過渡室(22)設(shè)有連接預(yù)抽室(21)的前過渡室閥I (22a)、連接前傳送室(23)的前 過渡室閥II (22b)并與前過度室抽氣系統(tǒng)(221)相連接；所述后過渡室(29)設(shè)有連接出 片室(41)的后過渡室閥II (29b)、連接后傳送室(28)的后過渡室閥I (29a)并與后過度 室抽氣系統(tǒng)(291)相連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于前 傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、介質(zhì)膜鍍膜室IIl (24c)、介 質(zhì)膜鍍膜室IV (24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)、隔離傳送室I (25a)、隔離室(26)、隔離傳 送室II (25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)及后傳送室(28)均與分子泵組(8)及高真空維持泵組(81)依次相連。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于所 述預(yù)抽室(21)連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)(211)、預(yù)抽室閥(216)、前過渡室閥I (22a)和預(yù) 抽室充氣閥(212);所述隔離室(26)連接有隔離室閥I (26a)、隔離室閥II (26b);所述 出片室(41)連接有出片室抽氣系統(tǒng)(411)、出片室閥(43)、后過渡室閥II (29b)和出片 室充氣閥(44)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于 預(yù)抽室(21)、前過渡室(22)、前傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、 介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV(24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)、隔離傳送室I (25a)、 隔離室(26)、隔離傳送室II (25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)、后傳送室(28)、后過渡室(29) 內(nèi)均設(shè)有運行速度檢測裝置(9)。
專利摘要大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，它包括在機座橫向方向上布設(shè)數(shù)個依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進片區(qū)、出片區(qū)，進片區(qū)由進片平移架等組成，出片區(qū)由出片平移架等組成，于真空室組區(qū)、進片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運行方向和裝載架回行運行方向連續(xù)循環(huán)運行的生產(chǎn)環(huán)路，實現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜的技術(shù)方案，它克服了傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線，透過率范圍不高，無傳送室，基片裝載架的傳送速度轉(zhuǎn)換比小，生產(chǎn)效率較低等缺陷。它適合用于各類顯示面板、太陽能面板和裝飾面板的透明導(dǎo)電膜、抗反射膜、高反射膜等大面積鍍膜的生產(chǎn)。
文檔編號C23C14/35GK201261804SQ200820054388
公開日2009年6月24日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者孫桂紅, 朱選敏, 祝海生, 郭愛云 申請人:郭愛云