專利名稱：濺射金屬膜機臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導體制造機械領(lǐng)域，特別涉及濺射金屬膜機臺。
技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)中的賊射金屬膜機臺(如美國瓦里安公司磁控濺射機臺M2i), 如圖1所示，包括用于進行工藝反應(yīng)的腔體11、腔體11外接的Ar (氬)氣 體管路12。 Ar氣體管路12另一端連接廠務(wù)氣體系統(tǒng)，使得廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供 的Ar氣體進入腔體11。 Ar氣體管路12串接一電磁閥121，腔體11還外接去 除腔體真空的N2(氮)氣體管路13，管路13的另一端連接廠務(wù)氣體系統(tǒng)， 使得廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的用于去除腔體真空的N2氣體進入腔體11,不參與反 應(yīng)，在管路13串接一電磁閥132。在需進行工藝反應(yīng)時，打開電磁閥121，廠 務(wù)氣體系統(tǒng)中的Ar氣體經(jīng)Ar氣體管路12進入腔體11進行工藝反應(yīng)。待工藝 反應(yīng)完成后，為了保養(yǎng)腔體ll,關(guān)閉電磁閥121,抽出腔體11內(nèi)的Ar氣體， 此時腔體ll內(nèi)處于真空狀態(tài)，打開電磁閥132，廠務(wù)氣體系統(tǒng)中去除腔體真空 的N2氣體經(jīng)管路13進入腔體11?，F(xiàn)有M2i濺射金屬膜機臺，因為去除腔體 真空的N2氣體本身參數(shù)(如濃度、純度)的問題，僅是用于去除腔體真空， 不參加工藝反應(yīng)，因此現(xiàn)有濺射金屬膜機臺不能進行生成TiN的工藝反應(yīng)。實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題為現(xiàn)有濺射金屬膜機臺不能進行生成 TiN的工藝反應(yīng)，為了實現(xiàn)利用現(xiàn)有濺射金屬膜機臺進行生成TiN的工藝反應(yīng)。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型實施例提供了 一種濺射金屬膜機臺， 包括用于進行工藝反應(yīng)的腔體11,腔體11外接用于引入氬氣氣體的管路12和用于引入去除腔體真空的氮氣氣體的管路13，管路12上串接開關(guān)121,管 路13上串接開關(guān)132，其中上述管路13的靠近腔體部分131 —端與腔體11 相連，另一端通過三通4妄頭14連接管路13的遠離腔體部分133和用于引入用 于反應(yīng)的氮氣氣體的管路15，管路15上串接開關(guān)151,開關(guān)121和開關(guān)151 與聯(lián)動機構(gòu)16相連，所述聯(lián)動機構(gòu)16用于當開關(guān)121打開時，打開開關(guān)151, 當開關(guān)121關(guān)閉時，關(guān)閉開關(guān)151，開關(guān)132串接于管路13的遠離腔體部分 133。本實用新型的有益效果由上述本實用新型提供的具體實施方案可以看出， 正是由于新增用于接入N2反應(yīng)氣體的管路15，使得改造后的濺射金屬膜機臺 能夠接入N2反應(yīng)氣體，并進行生成TiN的工藝反應(yīng)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)濺射金屬膜機臺結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實用新型提供的第一實施例濺射金屬膜機臺結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
本實用新型通過新增用于接入N2反應(yīng)氣體的管路15,使得改造后的濺射 金屬膜機臺能夠接入N2反應(yīng)氣體，并進行生成TiN的工藝反應(yīng)。下面結(jié)合本實用新型的具體實施例和附圖對本實用新型進行詳細說明，本 實用新型提供的第一實施例是一種濺射金屬膜機臺，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括 用于進行工藝反應(yīng)的腔體11、腔體11外接用于引入Ar氣體的管路12。 Ar氣 體管路12另一端連接廠務(wù)氣體系統(tǒng)，使得廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的Ar氣體進入腔 體ll， Ar氣體管路12串接一電磁閥121。腔體11外接用于引入去除腔體真空 的N2氣體的管路13，管路13的靠近腔體部分131—端與腔體11相連，另一 端通過三通接頭14連接管路13的遠離腔體部分133，遠離腔體部分133串接 電磁閥132,遠離腔體部分133的另一端連接廠務(wù)氣體系統(tǒng)，使得廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的用于去除腔體真空的N2氣體進入腔體11，三通接頭14的另一端連 接用于引入用于反應(yīng)的N2氣體的管路15,管路15上串接電磁閥151，電磁閥 121和電》茲閥151與聯(lián)動4幾構(gòu)16相連，聯(lián)動才幾構(gòu)16用于當電石茲閥121打開時， 打開電^f茲閥151,當電》茲閥121關(guān)閉時，關(guān)閉電》茲閥151。管if各15的另一端連 接廠務(wù)氣體系統(tǒng)，使得廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的N2反應(yīng)氣體進入腔體11 。為了增加對N2反應(yīng)氣體的過濾，管路15串接過濾器153和過濾器154， 為了對N2反應(yīng)氣體進行流量控制，管路15串接流量控制器152，過濾器153、 電磁閥151、流量控制器152和過濾器154的接口用Gaskit (金屬密封圈)依 次連接起來，之后通過過濾器154與三通接頭14連接，流量控制器152為節(jié) -虎閥或減壓閥。在需進行工藝反應(yīng)時，開關(guān)電磁閥151的信號用的是開關(guān)電磁閥121的信 號。當開關(guān)電磁閥121的信號發(fā)生時，電磁閥151打開，廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的 N2反應(yīng)氣體才會進入腔體11參加反應(yīng)。打開電磁閥121和電磁閥151 (此時 電磁閥132為關(guān)閉狀態(tài))，廠務(wù)氣體系統(tǒng)中的Ar氣體經(jīng)Ar氣體管路12進入腔 體ll,廠務(wù)氣體系統(tǒng)提供的N2反應(yīng)氣體經(jīng)管路15進入腔體11, N2反應(yīng)氣體 和Ar氣體一起進入腔體后，產(chǎn)生等離子轟擊Ti靶材，被擊出的Ti原子與電離 的N+反應(yīng)生成TiN淀積在晶片上。待工藝反應(yīng)完成后，為了保養(yǎng)腔體ll，關(guān) 閉電磁閥121和電磁閥151，抽出腔體ll內(nèi)的Ar氣體和N2反應(yīng)氣體，此時 腔體11內(nèi)處于真空狀態(tài)，打開電磁閥131，廠務(wù)氣體系統(tǒng)中去除腔體真空的 N2氣體經(jīng)管路13進入腔體11。本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實 用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動 和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種濺射金屬膜機臺，包括用于進行工藝反應(yīng)的腔體(11)，腔體(11)外接用于引入氬氣氣體的管路(12)和用于引入去除腔體真空的氮氣氣體的管路(13)，管路(12)上串接開關(guān)(121)，管路(13)上串接開關(guān)(132)，其特征在于，管路(13)的靠近腔體部分(131)一端與腔體(11)相連，另一端通過三通接頭(14)連接管路(13)的遠離腔體部分(133)和用于引入用于反應(yīng)的氮氣氣體的管路(15)，管路(15)上串接開關(guān)(151)，開關(guān)(121)和開關(guān)(151)與聯(lián)動機構(gòu)(16)相連，所述聯(lián)動機構(gòu)(16)用于當開關(guān)(121)打開時，打開開關(guān)(151)，當開關(guān)(121)關(guān)閉時，關(guān)閉開關(guān)(151)，開關(guān)(132)串接于管路(13)的遠離腔體部分(133)。
2、 如權(quán)利要求1所述的機臺，其特征在于，所述開關(guān)(121 )、開關(guān)(132) 和開關(guān)(151 )為電石茲閥。
3、 如權(quán)利要求2所述的機臺，其特征在于，所述管路(15)上還串接有 流量控制器(152)。
4、 如權(quán)利要求3所述的機臺，其特征在于，流量控制器(152)為節(jié)流閥。
5、 如權(quán)利要求3所述的機臺，其特征在于，流量控制器(152)為減壓閥。
6、 如權(quán)利要求3所述的機臺，其特征在于，所述管路(15)上還串接有 過濾器(153)。
7、 如權(quán)利要求6所述的機臺，其特征在于，所述管路(15)上還串接有 過濾器(154),所述開關(guān)(151)位于過濾器(153)和過濾器(154)之間， 過濾器(154)與三通4妄頭(14)相連接。
8、 如權(quán)利要求7所述的機臺，其特征在于，過濾器(153)、開關(guān)(151)、 流量控制器(152 )和過濾器(154 )依次連接，過濾器(154 )與三通接頭(14 ) 相連接。
9、 如權(quán)利要求8所述的機臺，其特征在于，過濾器(153)、開關(guān)(151)、 流量控制器(152)和過濾器(154)通過金屬密封圏連接。
專利摘要本實用新型公開了一種濺射金屬膜機臺，為了利用現(xiàn)有濺射金屬膜機臺進行生成TiN的工藝反應(yīng)，該機臺包括腔體11，腔體11外接用于引入氬氣氣體的管路12和用于引入去除腔體真空的氮氣氣體的管路13，管路12上串接開關(guān)121，管路13上串接開關(guān)132，管路13的靠近腔體部分131一端與腔體11相連，另一端通過三通接頭14連接管路13的遠離腔體部分133和用于引入用于反應(yīng)的氮氣氣體的管路15，管路15上串接開關(guān)151，開關(guān)121和開關(guān)151與聯(lián)動機構(gòu)16相連，開關(guān)132串接于管路13的遠離腔體部分133，由于新增管路15，使得改造后的濺射金屬膜機臺能夠接入N2反應(yīng)氣體，并進行生成TiN的工藝反應(yīng)。
文檔編號C23C14/35GK201217691SQ20082008024
公開日2009年4月8日 申請日期2008年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月28日
發(fā)明者崔曉娟, 張明才, 亮 禤, 肖士悅 申請人:北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司