專利名稱：透明導(dǎo)電膜的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電膜的形成方法。
本申請(qǐng)以日本特愿2007-218296號(hào)為基礎(chǔ)申請(qǐng)，將其內(nèi)容合并于此。
背景技術(shù)：
作為太陽能電池、發(fā)光二極管的電極，利用透明導(dǎo)電材料ITO (In203-Sn02)。但是，成為ITO的原料的銦(In)為稀有金屬，預(yù)計(jì)以后 會(huì)因很難得到而造成成本上升。因此，作為代替ITO的透明導(dǎo)電材料，豐富 且廉價(jià)的ZnO類材料引起廣泛關(guān)注(例如參照下述專利文獻(xiàn)1 ) 。 ZnO類材 料適用于可對(duì)大型基板均勻成膜的濺射，通過變更ln203類材料的靶可簡(jiǎn)單 地成膜。此外，ZnO類材料不含有如1:1203類材料那樣絕緣性高的低級(jí)氧化 物(InO)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平9-87833號(hào)公報(bào)
ZnO類材料雖然為電阻比ITO低的材料，但其通常的電阻率為 500jiQcm ~ 1000(iQcm,該值是ITO的2.5倍~ 5倍。因此，可期待ZnO類 材料的進(jìn)一步低電阻化。
此外，ZnO類材料具有若在高溫的狀態(tài)下放置于大氣中，則氧化而電阻 率升高的性質(zhì)。這樣，ZnO類材料由于耐熱性低，將在真空中加熱成膜的 ZnO膜取出到大氣中之前，存在需要冷卻的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，提供電阻率低、耐 熱性優(yōu)異的由ZnO類材料形成的透明導(dǎo)電膜的形成方法。
本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，成膜時(shí)的濺射電壓和磁場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)ZnO類膜的電阻率有影響。迄今已知ZnO類膜的電阻率根據(jù)膜厚、氧化度的不同而大幅 變化，但由于其膜厚、氧化度的不均而導(dǎo)致的噪聲大，因此未確認(rèn)電阻率的 濺射電壓依賴性及磁場(chǎng)強(qiáng)度依賴性。本申請(qǐng)發(fā)明人開發(fā)作為太陽能電池用透
明電極的厚膜的ZnO類膜的形成方法時(shí)，首次發(fā)現(xiàn)了電阻率的濺射電壓依 賴性及磁場(chǎng)強(qiáng)度依賴性。
本發(fā)明為對(duì)具備透明導(dǎo)電膜的形成材料的靶施加濺射電壓，同時(shí)在所述 輩巴的表面上產(chǎn)生水平》茲場(chǎng)來進(jìn)行賊射，在基板上形成以ZnO為基本構(gòu)成成 分的透明導(dǎo)電膜的方法，使所述濺射電壓為可放電電壓以上且為340V以下 來進(jìn)行所述濺射。
而且，在該透明導(dǎo)電膜的形成方法中，使所述靶的表面上的水平^茲場(chǎng)強(qiáng) 度的最大值為600高斯以上來進(jìn)行所述濺射。
根據(jù)上述透明導(dǎo)電膜的形成方法，可形成晶格整齊的ZnO類膜，可得 到電阻率低的透明導(dǎo)電膜。此外，由于形成了晶格整齊的ZnO類膜，即使 加熱至高溫也不易氧化，而可得到耐熱性優(yōu)異的透明導(dǎo)電膜。
而且，所述耙的所述透明導(dǎo)電膜的形成材料，可使用在ZnO中添加有 含Al的物質(zhì)的材料。
此時(shí)，即使是ZnO類膜中也可得到電阻率特別低的透明導(dǎo)電膜。
此外，可在導(dǎo)入氧氣的同時(shí)進(jìn)行所述濺射。
此時(shí)，由于形成了富氧的ZnO類膜，可得到透光率高的透明導(dǎo)電膜。
此外可以采用下述結(jié)構(gòu)產(chǎn)生所述水平磁場(chǎng)的磁場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備具備沿著所 述靶的背面配置的第 一極性的第 一磁鐵和第二極性的第二磁鐵，所述第二磁 鐵配置成包圍所述第一磁鐵。
此時(shí)，由于可以在靶的表面上產(chǎn)生強(qiáng)的水平磁場(chǎng)，可形成晶格整齊的 ZnO類膜。因此，可得到電阻率低、耐熱性優(yōu)異的透明導(dǎo)電膜。
此外，可在改變產(chǎn)生所述水平石茲場(chǎng)的^茲場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備與所述靶的相對(duì)位置 的同時(shí)進(jìn)行所述濺射。
此時(shí)，可使靶的侵蝕(工口一-3 y)區(qū)域分散，可以提高靶的耐久性。此外，可在改變所述基板與所述靶的相對(duì)位置的同時(shí)進(jìn)行所述賊射。
此時(shí)，可對(duì)于整個(gè)基板得到均質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。
此外，可用DC電源和RF電源共同施加所述濺射電壓。
此時(shí)，可降低賊射電壓。由此，可形成晶格整齊的ZnO類膜，可得到
電阻率低的透明導(dǎo)電膜。
根據(jù)本發(fā)明，可形成晶格整齊的ZnO類膜，可得到電阻率低、耐熱性 優(yōu)異的透明導(dǎo)電膜。


圖1為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖2為成膜室的水平截面圖3為賊射陰極機(jī)構(gòu)的主視圖4為磁控、踐射裝置的變形例；
圖5為表示水平磁場(chǎng)強(qiáng)度與濺射電壓的關(guān)系的圖6為表示ZnO類膜的膜厚與電阻率的關(guān)系的圖7A為表示退火處理溫度與電阻率的關(guān)系的圖7B為表示退火處理溫度與電阻率的關(guān)系的圖8為表示濺射電壓與電阻率的關(guān)系的圖。
符號(hào)說明
5 基板
10 磁控賊射裝置
22 輩巴
26DC電源(電壓施加i殳備)
30 ;茲路(f茲場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備)
31 第一磁鐵
32 第二磁鐵
具體實(shí)施例方式
以下利用附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的透明導(dǎo)電膜的形成方法進(jìn)行 說明。
(磁控賊射裝置)
圖1為磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。本實(shí)施方式的濺射裝置IO為往復(fù)(一 乂夕一/《;/夕)式濺射裝置，具備基板(未圖示)的放入/取出室12和對(duì)于
上述基板的成膜室14。放入/取出室12與旋轉(zhuǎn)泵等粗抽排氣設(shè)備12p連接， 成膜室14與渦輪分子泵等高真空排氣設(shè)備14p連接。在本實(shí)施方式的濺射 裝置10中，立式支撐上述基板并將其運(yùn)入到放入/取出室12,用粗抽排氣設(shè) 備12p對(duì)放入/取出室12內(nèi)進(jìn)行排氣。接著，將上述基板運(yùn)送到用高真空排 氣設(shè)備14p進(jìn)行了高真空排氣的成膜室14內(nèi)，進(jìn)行成膜處理。將成膜后的 上述基板通過》文入/耳又出室12運(yùn)到外部。
成膜室14與供給Ar等濺射氣體的氣體供給設(shè)備17連接。由該氣體供 給設(shè)備17也可供給02等反應(yīng)氣體。在成膜室14內(nèi)配置有縱置的濺射陰極 機(jī)構(gòu)20。
圖2為成膜室的水平截面圖。濺射陰極機(jī)構(gòu)20配置在成膜室14的寬度 方向上的一個(gè)側(cè)面上。在成膜室14的另一個(gè)側(cè)面上配置有加熱基板5的加 熱器18。
賊射陰極機(jī)構(gòu)20主要具備靶22、背面板24和磁路30。背面板24與 DC電源26連接，保持在負(fù)電位。在背面板24的表面上配置有用釬料粘合 ZnO類膜的形成材料的靶22。 ZnO類膜的形成材料可僅為ZnO,也可為在 ZnO中添加有規(guī)定材料的材料。
由氣體供給設(shè)備17向成膜室14供給濺射氣體，由DC電源26對(duì)背面 板24施加臧射電壓。在成膜室14內(nèi)通過等離子體激發(fā)的濺射氣體的離子與 靶22碰撞使ZnO類膜的形成材料的原子濺出。使濺出的原子附著在基板5 上，由此在基板5上形成ZnO類膜。沿著背面板24的背面，配置有在靶22的表面上產(chǎn)生水平磁場(chǎng)的磁路
30。磁路30具備背面板24側(cè)的表面極性相互不同的第一磁鐵31和第二磁 鐵32。而且，這些第 一》茲鐵31和第二,茲鐵32都為永久,茲鐵。
圖3為濺射陰極機(jī)構(gòu)的背面圖。第一磁鐵31呈直線形狀，第二磁鐵32 呈從第一磁鐵31的周緣部隔著規(guī)定距離包圍的框形狀。這些第一磁鐵31和 第二磁鐵32裝配在磁輒(3 —夕)34上，形成磁路單元30a。此外，多個(gè) (本實(shí)施方式中為兩個(gè))磁路單元30a、 30b通過托架35連接，從而構(gòu)成磁 路30。
如圖2所示，通過背面板24側(cè)的極性相互不同的第一磁鐵31和第二》茲 鐵32,產(chǎn)生由磁力線36表示的磁場(chǎng)。由此，在第一磁鐵31與第二磁鐵32 之間的靶22的表面上，產(chǎn)生垂直磁場(chǎng)為0 (水平磁場(chǎng)最大)的位置37。在 該位置37生成高密度等離子體，由此可提高成膜速度。
在該位置37，靶22侵蝕得最深。為了不固定該位置37而提高靶的利 用效率(壽命)，此外為了提高靶和陰極的冷卻效率來改善發(fā)弧光等，磁路 30形成成可在水平方向上搖動(dòng)。此外，在靶22的上下端由于侵蝕形成矩形 或半圓形，石茲路30也可在垂直方向上搖動(dòng)。具體地i兌，具備使磁路30的托 架35在水平方向和垂直方向上獨(dú)立地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的一對(duì)傳動(dòng)器(未圖示)。 通過以不同的周期驅(qū)動(dòng)該水平方向傳動(dòng)器和垂直方向傳動(dòng)器，磁路30在與 耙22平行的面內(nèi)進(jìn)行鋸齒狀運(yùn)動(dòng)。 (變形例)
圖4為磁 控賊射裝置的變形例。該賊射裝置100為直列式濺射裝置，依 次具備放入室12、成膜室14和取出室16。在該濺射裝置100中，將基板5 縱置地支撐并運(yùn)入到放入室12，用粗抽排氣設(shè)備12p對(duì)放入室12內(nèi)進(jìn)行排 氣。接著，將上述基板運(yùn)送到用高真空排氣設(shè)備14p進(jìn)行了高真空排氣的成 膜室14內(nèi)，進(jìn)行成膜處理。將成膜后的基板5由用粗抽排氣設(shè)備16p排氣 的耳又出室16運(yùn)到外部。
成膜室14中在基板5的運(yùn)送方向上并列配置有多個(gè)(本變形例中為三個(gè))濺射陰極機(jī)構(gòu)20。各濺射陰才及機(jī)構(gòu)20與上述實(shí)施方式同樣地構(gòu)成。本
變形例中，在基板5通過多個(gè)賊射陰極機(jī)構(gòu)20前面的過程中，通過各賊射 陰極機(jī)構(gòu)20在基板5的表面上形成ZnO類膜。由此，可形成均質(zhì)的ZnO 類膜，此外也可提高成膜處理的處理能力。 (第一實(shí)施方式)
本實(shí)施方式中使用圖1 ~圖3所示的賤射裝置，形成添加有Al的ZnO (AZO)膜。ZnO類膜通過在結(jié)晶中形成氧空穴并釋放自由電子而表現(xiàn)出導(dǎo) 電性。該ZnO類膜由于非常容易氧化，為了通過脫氣降低氧化源的影響， 優(yōu)選進(jìn)行加熱成膜。此外，ZnO類膜通過B、 Al或Ga等進(jìn)入結(jié)晶中的Zn 的位置，形成離子并釋放自由電子而具有導(dǎo)電性提高的性質(zhì)。根據(jù)此觀點(diǎn)， 容易產(chǎn)生遷移的加熱成膜也是有利的。
在圖2所示的靶22中，作為透明導(dǎo)電膜的形成材料采用添加有 0.5wt%~ 10.0wt% (本實(shí)施方式中為2.0wt%)八1203的ZnO。將無堿玻璃基 板5運(yùn)入到成膜室14,用加熱器18將基板5加熱至100'C ~ 600°C (本實(shí)施 方式中為200°C )。通過高真空排氣設(shè)備對(duì)成膜室14進(jìn)行高真空排氣，由 氣體供給設(shè)備導(dǎo)入作為濺射氣體的Ar氣體，將成膜室14的壓力維持在 2mTorr 10mTorr (本實(shí)施方式中為5mTorr )。搖動(dòng)；茲路30的同時(shí)，用DC 電源26對(duì)背面板24供應(yīng)功率密度為lW/cm2~ 8W/cm2 (本實(shí)施方式中為 4W/cm2)的功率。而且，由于進(jìn)行加熱成膜而未進(jìn)行成膜后的退火處理， 但也可在成膜后進(jìn)行退火處理。
如上所述，ZnO類膜通過B、 Al或Ga等進(jìn)入結(jié)晶中的Zn的位置，形 成離子并釋放自由電子而具有導(dǎo)電性提高的性質(zhì)。因此，通過采用添加有 A1203的ZnO輩巴進(jìn)行濺射，形成添加有Al的ZnO ( AZO )膜，即使在ZnO 類膜之中也可形成電阻率特別低的透明導(dǎo)電膜。
本申請(qǐng)的發(fā)明人對(duì)ZnO類膜的電阻率的磁場(chǎng)強(qiáng)度依賴性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。 為此，在調(diào)整磁路30以使靶表面的水平磁場(chǎng)強(qiáng)度為300高斯的第一水平、 調(diào)整磁路30以使耙表面的水平磁場(chǎng)強(qiáng)度為1500高斯的第二水平下，形成ZnO類膜。ZnO類膜的膜厚對(duì)于各水平為2000A、 5000A、 IOOOOA和15000A
來測(cè)定電阻率。
圖5為表示水平磁場(chǎng)強(qiáng)度與賊射電壓的關(guān)系的圖。如圖5所示，存在水 平磁場(chǎng)強(qiáng)度越高則濺射電壓越低的關(guān)系。通常，賊射電壓受到放電阻抗(= 耙電壓/耙電流)的影響，放電阻抗受到耙表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度的影響。如果磁 場(chǎng)強(qiáng)度增加，則等離子體密度變大，結(jié)果濺射電壓降低。上述的第一水平(水 平磁場(chǎng)強(qiáng)度為300高斯)的濺射電壓為450V左右，第二水平(水平磁場(chǎng)強(qiáng) 度為1500高斯)的賊射電壓為300V左右。
圖6為表示ZnO類膜的膜厚與電阻率的關(guān)系的圖。ZnO類材料的電阻 率由于具有膜厚依賴性，隨著膜厚增大而電阻率減少。
在第二水平(1500高斯、300V)下成膜的ZnO類膜的電阻率比第一水 平(300高斯、435V)小。其理由認(rèn)為如下。由于電阻率具有膜厚依賴性， ZnO類材料具有晶格難以整齊的性質(zhì)。在高的濺射電壓(弱的磁場(chǎng))下形成 的ZnO類膜由于晶格混亂而電阻率增大。在這種情況下，通過增大膜厚使 晶格整齊，電阻率出現(xiàn)降低的趨勢(shì)。但是，由于晶格的整齊度不充分，與在 低的濺射電壓(強(qiáng)的磁場(chǎng))下形成的膜厚薄的ZnO類膜相比，電阻率增大。
圖8為表示在將基板加熱至200。C形成膜厚為2000A的ZnO類膜時(shí)的 濺射電壓與電阻率的關(guān)系的圖(濺射電壓保持在負(fù)電位來進(jìn)行記載)?？芍?濺射電壓的絕對(duì)值在340V以下的范圍內(nèi)時(shí)，電阻率為400(iQcm左右，如果 濺射電壓的絕對(duì)值超出340V,則電阻率急劇增大。
因此優(yōu)選使賊射電壓為340V以下，使靶表面的水平磁場(chǎng)強(qiáng)度的最大值 為600高斯以上(參照?qǐng)D5)來進(jìn)行濺射，形成ZnO類膜。由此，可形成晶 格整齊的ZnO類膜，可得到電阻率低(即使膜厚薄，電阻率也為500jiQcm 以下)的ZnO類膜。此外，通過在340V以下的低電壓下進(jìn)行濺射，可抑制 通過等離子體激發(fā)的負(fù)離子加速而突入基板對(duì)底膜等產(chǎn)生損傷。
而且，賊射電壓的下限為可濺射的放電電壓。此外，水平^茲場(chǎng)強(qiáng)度的最 大值，如上所述優(yōu)選為600高斯以上。水平磁場(chǎng)強(qiáng)度的最大值由于越大則放了形成^f茲場(chǎng)而使用永久^H夾，所以根據(jù) 使用的永久磁鐵的性能來確定上限值。此外，本申請(qǐng)的發(fā)明人對(duì)ZnO類膜的耐熱性的磁場(chǎng)強(qiáng)度依賴性進(jìn)行了 評(píng)價(jià)。具體地說，在第一水平和第二水平下形成5000A的ZnO類膜，成膜 后在各種溫度下進(jìn)行退火處理，測(cè)定電阻率。退火處理在150°C - 600°C (每 50°C )的溫度下在大氣中進(jìn)行l(wèi)小時(shí)。圖7A和圖7B為表示退火處理溫度與電阻率的關(guān)系的圖，圖7A為350 。C以下的圖，圖7B為350。C以上的圖。退火溫度為45(TC以下時(shí)，第一水平 和第二水平下都未發(fā)現(xiàn)電阻率的大幅增大。與此相對(duì)地，如圖7B所示，退 火溫度為500。C以上時(shí)，第二水平(1500高斯、300V)的ZnO類膜的電阻 率比第一水平(300高斯、435V)小。其理由認(rèn)為如下。ZnO類膜通過在結(jié)晶中形成氧空穴并釋放自由電子而 表現(xiàn)出導(dǎo)電性。如上所述，在高的賊射電壓(弱的-茲場(chǎng))下形成的ZnO類 膜的晶格混亂，晶格越亂則越易與氧結(jié)合。因此，在高的濺射電壓(弱的磁 場(chǎng))下形成的ZnO類膜由于成膜后的高溫退火而易氧化，與在低的濺射電 壓(強(qiáng)的磁場(chǎng))下形成的ZnO類膜相比，電阻率增大。因此，如上所述優(yōu)選使濺射電壓為340V以下(或小于340V)，使靶 表面的水平;茲場(chǎng)強(qiáng)度的最大值為600高斯以上來進(jìn)4于賊射，形成ZnO類膜。 由此，由于形成晶格整齊的ZnO類膜，即使成膜后在高溫下進(jìn)行退火處理 也不易氧化，可抑制電阻率的增大。即，可得到耐熱性優(yōu)異的ZnO類膜。由此，將加熱成膜后的基板取出到大氣中時(shí)，無需或簡(jiǎn)化基板的冷卻， 從而可降低制造成本。 (第二實(shí)施方式)第二實(shí)施方式中形成富氧的ZnO類膜。圖2所示的耙22中，作為透明導(dǎo)電膜的形成材料采用ZnO。將無堿玻 璃基板5運(yùn)入到成膜室14,用加熱器18將基板5加熱至IO(TC ~ 600°C。通 過高真空排氣設(shè)備對(duì)成膜室14進(jìn)行高真空排氣，由氣體供給設(shè)備以50sccm 400sccm供給作為賊射氣體的Ar氣體，以O(shè)sccm ~ 20sccm供給作 為反應(yīng)氣體的02氣體。而且，成膜室14的壓力維持在2mTorr 10mTorr。 搖動(dòng)磁路30的同時(shí)，用DC電源26對(duì)背面板24供應(yīng)功率密度為1 W/cm2 ~ 8W/cm2的功率。這樣，通過供給02氣體的同時(shí)進(jìn)行濺射，可形成富氧的ZnO類膜。富 氧的ZnO類膜雖然電阻率大，但透光率增大。由此，可得到光學(xué)特性優(yōu)異 的透明導(dǎo)電膜。而且，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于上述各實(shí)施方式，包括在不脫離本發(fā) 明主旨的范圍內(nèi)、對(duì)上述各實(shí)施方式進(jìn)行各種變更的技術(shù)方案。即，在各實(shí)施方式中舉出的具體材料、結(jié)構(gòu)等僅僅為一個(gè)例子，可進(jìn)行 適當(dāng)變更。例如，上述實(shí)施方式的濺射裝置中，縱置地支撐基板來進(jìn)行濺射，但是 也可以用水平支撐基板的濺射裝置來實(shí)施本發(fā)明。此外，上述實(shí)施方式的；茲路單元在第一極性的第一,茲鐵的周圍配置第二 極性的第二磁鐵，但是也可以在該基礎(chǔ)上，在第二磁鐵的周圍配置第一極性 的第三磁鐵來構(gòu)成磁路單元。此外，上述實(shí)施方式的濺射陰極機(jī)構(gòu)中采用DC電源，但也可并用DC 電源和RF電源。4又采用DC電源時(shí)，如圖8所示，在濺射電壓300V下成 膜的ZnO類膜(膜厚2000A)的電阻率為436.6(iQcm。與此相對(duì)地，例如 并用"i殳定^f氐電流為4A的DC電源和350W的RF電源時(shí)， <吏對(duì)于 ZnO-2wt%Al203靶的濺射電壓為100V左右，成膜的ZnO類膜(膜厚2000A ) 的電阻率為389.4pQcm。如此，通過并用DC電源和RF電源而^f吏濺射電壓 降低，隨著濺射電壓降低，ZnO類膜的電阻率也降低。即，不僅是^f茲場(chǎng)強(qiáng)度， 從電源方面也可使濺射電壓降低，由此可以實(shí)現(xiàn)ZnO類膜的低電阻化。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可提供電阻率低、耐熱性優(yōu)異、由ZnO類材料形成的透 明導(dǎo)電膜的形成方法。
權(quán)利要求
1、一種透明導(dǎo)電膜的形成方法，該方法為對(duì)具備透明導(dǎo)電膜的形成材料的靶施加濺射電壓，同時(shí)在所述靶的表面上產(chǎn)生水平磁場(chǎng)來進(jìn)行濺射，在基板上形成以ZnO為基本構(gòu)成成分的透明導(dǎo)電膜的方法，其特征在于，使所述濺射電壓在340V以下來進(jìn)行所述濺射。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，使所述靶的表面上 的水平磁場(chǎng)強(qiáng)度的最大值為600高斯以上來進(jìn)行所述賊射。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的透明導(dǎo)電膜的形成方法，所述靶的所述透明 導(dǎo)電膜的形成材料使用在ZnO中添加有含Al的物質(zhì)的材料。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，在導(dǎo)入氧氣的同時(shí) 進(jìn)4亍所述賊射。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，產(chǎn)生所述水平磁場(chǎng) 的磁場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備具備沿著所述靶的背面配置的第 一極性的第 一磁鐵和第二 極性的第二》茲鐵，所述第二磁鐵配置成包圍所述第 一》茲鐵。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，在改變產(chǎn)生所述水 平磁場(chǎng)的磁場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備與所述耙的相對(duì)位置的同時(shí)進(jìn)行所述濺射。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，在改變所述基板與 所述耙的相對(duì)位置的同時(shí)進(jìn)行所述賊射。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法，用DC電源和RF 電源共同施加所述濺射電壓。
全文摘要
本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的形成方法為對(duì)具備透明導(dǎo)電膜的形成材料的靶施加濺射電壓，同時(shí)在上述靶的表面上產(chǎn)生水平磁場(chǎng)來進(jìn)行濺射，在基板上形成以ZnO為基本構(gòu)成成分的透明導(dǎo)電膜的方法，使上述濺射電壓在340V以下來進(jìn)行上述濺射。
文檔編號(hào)C23C14/08GK101680079SQ200880018458
公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月24日
發(fā)明者杉浦功, 石橋曉, 高橋明久, 高澤悟 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科