專利名稱：薄膜形成裝置和薄膜的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜的形成裝置和形成方法。
背景技術(shù)：
薄膜技術(shù)廣泛開展于器件的高性能化、小型化中。另外器件的薄膜化不僅使用戶 直接得益，更在地球資源的保護(hù)、耗電量的減低這些環(huán)境方面也扮演著重要的角色。在這樣的薄膜技術(shù)的發(fā)展中，對(duì)于薄膜制造方法高效率化、穩(wěn)定化、高生產(chǎn)率化、 低成本化等來自產(chǎn)業(yè)利用面的要求的應(yīng)對(duì)是不可欠缺的，在該方面一直在不斷努力。在薄膜的高生產(chǎn)率方面，高沉積速度的成膜技術(shù)是必須的，在真空蒸鍍法、濺射 法、離子電鍍法、CVD法等薄膜制造中，高沉積速度化得到發(fā)展。另外作為連續(xù)性大量形成 薄膜的方法，使用卷取式(take-up type)的薄膜制造方法。卷取式的薄膜制造方法為下述 方法，即，將卷為輥狀的長(zhǎng)條的基板從卷出輥卷出，在沿搬送系統(tǒng)搬送的過程中，在基板上 形成薄膜，然后卷取在卷取輥上。卷取式薄膜制造方法例如通過與使用電子束的真空蒸鍍 源等高沉積速度的成膜源進(jìn)行組合，能夠高生產(chǎn)率地形成薄膜。作為決定這樣的連續(xù)卷取式的薄膜制造的成功與否的重要因素，存在成膜時(shí)的熱 負(fù)荷的課題。例如在真空蒸鍍的情況下，來自蒸發(fā)源的熱輻射和蒸發(fā)原子所具有的熱能被 施加到基板上，基板的溫度上升。特別是在為了提高沉積速度而提高蒸發(fā)源的溫度、或使蒸 發(fā)源與基板接近時(shí)，基板的溫度會(huì)過度上升。但在基板的溫度過度上升時(shí)，基板的機(jī)械特性 顯著降低，容易發(fā)生因沉積的薄膜的熱膨脹而導(dǎo)致基板大幅度變形、基板熔斷的問題。在其 他的成膜方式中熱源雖然不同，但在成膜時(shí)基板被施加熱負(fù)荷，所以存在同樣的問題。為了防止這樣的基板的變形、熔斷等的發(fā)生，在成膜時(shí)進(jìn)行基板的冷卻。以基板的 冷卻為目的，廣泛進(jìn)行的是在基板沿著配置于搬送系統(tǒng)的路徑上的圓筒狀桶(can)的狀態(tài) 下進(jìn)行成膜。若通過該方法確?；迮c圓筒狀桶的熱接觸，則熱量能夠向熱容量大的冷卻 桶逃逸，因此能夠防止基板溫度的上升、將基板溫度保持為特定的冷卻溫度。作為在真空氣氛下確?；迮c圓筒狀桶的熱接觸的方法之一，存在氣體冷卻方 式。氣體冷卻方式是指下述方法，即，在基板與作為冷卻體的圓筒狀桶之間維持間隔為數(shù)mm 以下的微小間隙，并向該間隙供給微量的氣體，從而利用氣體的熱傳導(dǎo)來確保基板與圓筒 狀桶的熱接觸，對(duì)基板進(jìn)行冷卻。在專利文獻(xiàn)1中，表示了用于在作為基板的薄片(web)上 形成薄膜的裝置中，向薄片與作為支承部件的圓筒狀桶之間的區(qū)域?qū)霘怏w的情況。由此， 能夠確保薄片與支承部件之間的熱傳導(dǎo)，能夠抑制薄片的溫度上升。另一方面，作為基板的冷卻部件，也能夠取代圓筒狀的桶而使用冷卻帶。在通過傾 斜入射來進(jìn)行成膜時(shí)，在基板直線狀移動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行成膜有利于提高材料的利用效率， 這時(shí)使用冷卻帶作為基板冷卻部件是有效的。在專利文獻(xiàn)2中公開了在基板的搬送和冷卻 中使用帶時(shí)的帶的冷卻方法。根據(jù)專利文獻(xiàn)2，為了將冷卻帶進(jìn)一步冷卻，通過在冷卻體的 內(nèi)側(cè)設(shè)置2層以上的冷卻帶、利用液狀的介質(zhì)的冷卻機(jī)構(gòu)，能夠提高冷卻效率。由此能夠改 善電磁轉(zhuǎn)換特性等磁帶的特性，同時(shí)能夠顯著改善生產(chǎn)率。
專利文獻(xiàn)1 日本特開平1-152262號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平6-145982號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在進(jìn)行專利文獻(xiàn)1所示的氣體冷卻的情況下，為了提高熱傳導(dǎo)率，優(yōu)選使基板與 冷卻體的間隔盡可能地縮小且均勻。但是在導(dǎo)入冷卻氣體時(shí)，由于基板與冷卻體之間局部 壓力增高，并且來自蒸發(fā)源的熱量在基板產(chǎn)生熱應(yīng)力，使得基板氣球狀地膨脹，發(fā)生撓曲。 因此在基板的寬度方向中心附近，基板與冷卻體間的空隙變大，冷卻體與基板的間隔變得 不均勻，所以難以進(jìn)行均勻且充分的冷卻。為了提高氣體冷卻的能力，提高基板與冷卻體間 的壓力是有效的，但若為了高壓力化而增加導(dǎo)入氣體的量，則上述撓曲將變得更加顯著，因 此冷卻的強(qiáng)化在基板的寬度方向中心附近是尤其困難的。在通過傾斜入射來進(jìn)行成膜時(shí)，使用專利文獻(xiàn)2所示的冷卻帶、在基板直線狀移 動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行成膜，在材料利用率方面是有利的。但是使用冷卻帶的成膜，特別是在高成 膜率等原因造成對(duì)基板的熱負(fù)荷較大的情況下，難以實(shí)現(xiàn)基板的充分的冷卻。其理由是， 在基板直線狀移動(dòng)的狀態(tài)下不能夠獲得基板的法線方向上的力，不能夠確保朝向冷卻體的 力。在朝向冷卻體的力不能得到確保時(shí)，不能夠充分地確保基板與冷卻帶的熱接觸。另外，在由于大的熱負(fù)荷導(dǎo)致基板暫時(shí)變形等時(shí)，基板與冷卻體間的熱傳遞性能 下降，因此冷卻能力降低，基板的變形會(huì)進(jìn)一步加劇。本發(fā)明鑒于上述課題，其目的在于提供一種薄膜形成裝置和薄膜形成方法，該薄 膜形成裝置在一邊搬送基板一邊在基板表面上連續(xù)地形成薄膜時(shí)，能夠?yàn)榱朔乐钩赡r(shí)的 熱負(fù)荷導(dǎo)致的基板的變形、熔斷而均勻且充分地冷卻基板。為了解決上述課題，本發(fā)明的薄膜形成裝置是在真空中、在長(zhǎng)條的基板上形成薄 膜的薄膜形成裝置，包括搬送上述基板的搬送機(jī)構(gòu)；包含用于在上述基板的搬送中在上 述基板表面上的薄膜形成區(qū)域中形成薄膜的成膜源的薄膜形成部件；在上述薄膜形成區(qū) 域，與搬送中的上述基板背面接近地配置的冷卻體；向上述冷卻體與上述基板間導(dǎo)入氣體 的氣體導(dǎo)入部件；使上述基板移動(dòng)、并在上述薄膜形成區(qū)域約束上述基板的寬度方向兩端 附近的基板約束部件；和收容上述搬送機(jī)構(gòu)、上述薄膜形成部件、上述冷卻體、上述氣體導(dǎo) 入部件和上述基板約束部件的真空容器。上述基板約束部件沒有特別的限定，只要是滿足下述條件的部件即可，S卩，能夠一 邊使基板移動(dòng)，一邊對(duì)與薄膜形成區(qū)域相鄰的基板的寬度方向兩端部進(jìn)行約束，從而防止 因氣體的導(dǎo)入和來自蒸發(fā)源的熱量而導(dǎo)致的基板的寬度方向上的撓曲，其中，該薄膜形成 區(qū)域是在基板的搬送中在上述基板表面上形成薄膜的區(qū)域。具體而言，可以是使上述基板 移動(dòng)、同時(shí)在上述薄膜形成區(qū)域中在上述基板的寬度方向上施加張力的寬度方向張力施加 部件，或者是在上述薄膜形成區(qū)域中，在上述基板的寬度方向的一部分的區(qū)域中，吸附于上 述基板的背面并與上述基板一起移動(dòng)的環(huán)形帶。另外，本發(fā)明的薄膜形成方法是在真空中、在長(zhǎng)條的基板的表面形成薄膜的薄膜 形成方法，包括下述工序在薄膜形成區(qū)域中接近搬送中的上述基板的背面配置冷卻體，向 上述冷卻體與上述基板之間導(dǎo)入氣體從而將上述基板冷卻，并且在上述薄膜形成區(qū)域?qū)σ?動(dòng)中的上述基板的寬度方向兩端附近進(jìn)行約束，同時(shí)在上述基板的表面形成薄膜的工序。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜形成裝置和薄膜的形成方法，對(duì)于因冷卻氣體的導(dǎo)入而導(dǎo)致的 基板撓曲，通過對(duì)基板的寬度方向兩端部進(jìn)行約束而防止撓曲。于是，在為了提高氣體冷卻 的能力而增大導(dǎo)入氣體量、提高基板與冷卻體間壓力的情況下，也能夠縮小基板與冷卻體 間的間隔并使其均勻，因此能夠?qū)寰鶆蚯页浞值剡M(jìn)行冷卻。由此能夠防止成膜時(shí)的熱 負(fù)荷導(dǎo)致的基板的變形、熔斷，實(shí)現(xiàn)高成膜速度下的薄膜形成。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1和4的一部分的基板冷卻機(jī)構(gòu)的一例的示意結(jié)構(gòu) 圖，(a)截面圖、(b)正視圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的一部分的基板冷卻機(jī)構(gòu)的一例的示意結(jié)構(gòu)圖， (a)截面圖、(b)正視圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的一部分的基板冷卻機(jī)構(gòu)的一例的示意結(jié)構(gòu)圖，
(a)截面圖、(b)正視圖、(c)為旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的部分放大圖。圖4是表示成膜裝置整體結(jié)構(gòu)的一例的示意圖。圖5是表示向冷卻體與基板之間導(dǎo)入氣體的方法的一例的示意圖。圖6是表示向冷卻體與基板之間導(dǎo)入氣體的方法的一例的示意圖。(a)截面圖、
(b)氣體噴嘴34的部分放大圖。圖7是表示向冷卻體與基板之間導(dǎo)入氣體，并吸引滯留的氣體的一部分的方法的 一例的示意圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的一部分的基板冷卻機(jī)構(gòu)的一例的示意結(jié)構(gòu)圖。圖9是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的夾具(clip)機(jī)構(gòu)的例子的示意結(jié) 構(gòu)圖。(a)是表示彈簧式的圖、(b)是表示氣動(dòng)式的圖、(c)是表示靜電式的圖。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的成膜裝置的環(huán)形帶與冷卻體的位置的示意圖。圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的遮蔽板的位置的示意圖。圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的環(huán)形帶的結(jié)構(gòu)的例子的圖。圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的基板冷卻機(jī)構(gòu)的例子的示意圖。符號(hào)說明1冷卻體2支承輥3環(huán)形帶4基板移動(dòng)方向和與基板接觸的環(huán)形帶的移動(dòng)方向所成的角度5夾具機(jī)構(gòu)6夾具搬送系統(tǒng)7 夾片8壓縮彈簧9氣動(dòng)汽缸10釋放彈簧11電介質(zhì)層
12旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12a旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的旋轉(zhuǎn)方向12b在與基板接觸的位置處的旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的切線方向的運(yùn)動(dòng)方向13釋放體14基板移動(dòng)方向38和在與基板接觸的位置處的旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的切線方向的運(yùn)動(dòng) 方向12b所成的角度15電子槍
17旋轉(zhuǎn)源
18電子束
19蒸發(fā)用坩堝
20成膜裝置
21基板
22真空槽
23卷出棍
24搬送輥
26卷取輥
27成膜源
29遮蔽板
30原料氣體導(dǎo)入管
31開口部
32歧管(manifold)
33細(xì)孔
34氣體噴嘴
35冷卻用氣體導(dǎo)入口
36排氣口
37排氣部件
38基板移動(dòng)方向
41遮蔽板
43絕緣層
44導(dǎo)電層
45基材
49冷卻桶
具體實(shí)施例方式
對(duì)在薄膜形成區(qū)域以直線狀搬送基板的情況下的成膜裝置整體的結(jié)構(gòu)的一例，在 圖4中示意性表示。真空槽22是具有內(nèi)部空間的耐壓性的容器狀部件，其內(nèi)部空間中收容 有卷出輥23、多個(gè)搬送輥24、薄膜形成區(qū)域即開口部31、卷取輥26、成膜源27、遮蔽板29和 原料氣體導(dǎo)入管30。卷出輥23是按照繞軸心自由旋轉(zhuǎn)的方式設(shè)置的輥狀部件，其表面卷繞 有帶狀的長(zhǎng)條的基板21，向最接近的搬送輥24供給基板21。
搬送輥24是按照繞軸心自由旋轉(zhuǎn)的方式設(shè)置的輥狀部件，將從卷出輥23供給來 的基板21導(dǎo)向開口部31，最終導(dǎo)向卷取輥26。當(dāng)基板21在開口部31移動(dòng)時(shí)，從成膜源飛 來的材料粒子與按照需要從原料氣體導(dǎo)入管30導(dǎo)入的原料氣體發(fā)生反應(yīng)而沉積，在基板 21的表面形成薄膜。卷取輥26是按照能夠通過未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的方式設(shè)置的 輥狀部件，將形成有薄膜的基板21卷取保存。成膜源27能夠使用各種成膜源，例如能夠使用利用電阻加熱、感應(yīng)加熱、電子束 加熱等的蒸發(fā)源、離子電鍍(plating)源、濺射源、CVD源等。另外作為成膜源，也能夠組合 使用離子源、等離子體源。例如成膜源設(shè)置在開口部31的最下部的鉛垂方向下方，包含鉛 垂方向上部開口的容器狀部件和載置于該容器狀部件的內(nèi)部的成膜材料。蒸發(fā)用坩堝19 是上述容器狀部件的具體的一例。成膜源27的附近設(shè)置有電子槍15等加熱部件，利用來 自該電子槍的電子束18等，蒸發(fā)用坩堝19內(nèi)部的成膜材料被加熱而蒸發(fā)。材料的蒸汽向 著鉛垂方向上方移動(dòng)，通過開口部31，附著在基板21表面，形成薄膜。成膜源27會(huì)對(duì)基板 施加熱負(fù)荷。遮蔽板29將從蒸發(fā)用坩堝19飛來的材料粒子能夠與基板21接觸的區(qū)域僅限制 為開口部31。在開口部31附近的基板背面?zhèn)?，冷卻體1與基板接近地配置?；灞趁媾c冷卻 體1之間存在間隙，該間隙的間隔例如設(shè)定為2mm以下。該間隔對(duì)冷卻能力有很大影響，越 狹窄則冷卻能力越高。但是若使間隔過度狹窄，則可能會(huì)因基板搬送時(shí)的位置精度的問題 導(dǎo)致基板與冷卻體接觸，使基板受損而導(dǎo)致產(chǎn)品特性受損。因此實(shí)用上優(yōu)選設(shè)定在0. 3 1. 0mm的范圍。另外，在冷卻體1與基板背面之間導(dǎo)入有氣體。此時(shí)，通過氣體的導(dǎo)入來防止基板 產(chǎn)生撓曲，由此，基板21與冷卻體1的間隔被保持為較小且均勻，穩(wěn)定地進(jìn)行基板的冷卻。冷卻體1的材質(zhì)沒有特別的限定，能夠使用容易確保加工形狀的銅、鋁、不銹鋼等 金屬、碳、各種陶瓷、工程塑料等。特別是從粉塵產(chǎn)生的可能性低、耐熱性優(yōu)秀、容易均溫化 的這些方面來看，更優(yōu)選使用熱傳導(dǎo)率高的銅、鋁等金屬。冷卻體1被制冷劑冷卻。制冷劑通常為液體或氣體物質(zhì)，以水為代表。冷卻體1連 接設(shè)置或埋設(shè)有制冷劑流路(圖中未表示)，由于制冷劑通過該流路，冷卻體1被冷卻。進(jìn) 而，將氣體經(jīng)由冷卻體供給至冷卻體與基板背面之間的間隙，由此能夠傳遞冷卻體的冷熱， 將基板21冷卻。作為向冷卻體1與基板21之間的間隙導(dǎo)入氣體的方法，能夠使用多種多樣的方 法。例如圖5所示在冷卻體1設(shè)置冷卻用氣體導(dǎo)入口 35和歧管(manifold) 32，從這里經(jīng) 由向冷卻體1的表面延伸的多個(gè)細(xì)孔33來供給氣體的方法，和圖6所示在冷卻體1中埋入 例如具有橫笛模樣的吹孔(吹t t! L.)形狀的氣體噴嘴34，從該噴嘴導(dǎo)入氣體的方法(在 圖6(b)中將氣體噴嘴34取出表示)等。另外如圖7那樣，若通過在圖5的方式中設(shè)置排 氣口 36，吸引滯留在冷卻體1與基板21之間的氣體的一部分，能夠使導(dǎo)入至冷卻體與基板 之間的氣體流量增大，也能夠抑制氣體溫度的上升。以上對(duì)基板冷卻用的氣體導(dǎo)入部件進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的成膜裝置還可以另外 設(shè)置第二氣體導(dǎo)入部件。作為該第二氣體導(dǎo)入部件，例如是圖4的原料氣體導(dǎo)入管30。原 料氣體導(dǎo)入管30例如是一端配置在蒸發(fā)用坩堝19的鉛垂方向上方、另一端與設(shè)置在真空槽22的外部的原料氣體供給部件(圖中未表示)連接的管狀部件，向材料蒸汽供給例如 氧、氮等。由此，在基板21表面形成以從成膜源27飛來的材料的氧化物、氮化物或氮氧化 物為主成分的薄膜。原料氣體供給部件是貯氣瓶、氣體產(chǎn)生裝置等。排氣部件37設(shè)置在真空槽22的外部，將真空槽22內(nèi)部調(diào)整為適合薄膜的形成的 減壓狀態(tài)。排氣部件37例如由油擴(kuò)散泵、低溫泵(cryopump)、渦輪分子泵等為主泵的各種 真空排氣系統(tǒng)構(gòu)成。如以上這樣，根據(jù)成膜裝置20，從卷出輥23送出的基板21經(jīng)由搬送輥24移動(dòng)，在 開口部31接受從成膜源27飛來的蒸汽和按照需要供給的氧、氮等，在基板上形成薄膜。該 基板21經(jīng)由另外的搬送輥24，卷取在卷取輥26上。由此，得到形成有薄膜的基板21?；?1能夠使用各種高分子薄膜、各種金屬箔、或高分子薄膜與金屬箔的復(fù)合 體、其他的不限定于上述材料的長(zhǎng)條的基板。作為高分子薄膜，能夠列舉例如聚對(duì)苯二甲 酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亞胺等。作為金屬箔，能夠列舉鋁箔、銅箔、 鎳箔、鈦箔、不銹鋼箔等。基板的寬度例如為50 1000mm，基板的優(yōu)選厚度為例如3 150 urn.在基板的寬度不足50mm時(shí)，氣體冷卻時(shí)的基板寬度方向中央部的撓曲并不太大， 而另一方面由于應(yīng)用本發(fā)明而產(chǎn)生的基板寬度方向兩端部的薄膜非形成區(qū)域較大，但也不 是不能夠應(yīng)用于本發(fā)明。在基板的厚度不足3 u m時(shí)，基板的熱容量極小，因此熱變形容易 發(fā)生，而在基板的厚度超過150 ym時(shí)，氣體冷卻時(shí)的基板寬度方向中央部的撓曲并不太 大，但均不表示不能夠應(yīng)用本發(fā)明?；宓陌崴退俣纫蛑谱鞯谋∧さ姆N類、成膜條件而不 同，例如0. 1 500m/分。在搬送中的基板移動(dòng)方向上施加的張力，根據(jù)基板的材質(zhì)、厚度 或成膜率等的處理?xiàng)l件而適當(dāng)選擇。(實(shí)施方式1)圖1是針對(duì)具備寬度方向張力施加部件的本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的基板冷 卻劑機(jī)構(gòu)的一例，示意性地表示其結(jié)構(gòu)的圖。圖1(a)是(b)的AA’截面圖，圖1(b)是從圖 4的成膜源27觀看開口部31附近的正視圖。在開口部附近的基板的寬度方向兩端附近，沿基板的背面，由多個(gè)支承輥2保持 的環(huán)形帶3成對(duì)地與基板背面接觸并進(jìn)行回轉(zhuǎn)(周回)。此外將與成膜源相對(duì)的形成薄膜 的對(duì)象的面定義為基板的表面，將其相反面定義為基板的背面。環(huán)形體3的寬度優(yōu)選為2 50mm。在環(huán)形體的寬度不足2mm時(shí)，在基板的寬度方向上施加張力的效果小，在環(huán)形體的寬 度超過50mm時(shí)，對(duì)薄膜形成區(qū)域的影響變大，生產(chǎn)效率顯著降低。成對(duì)的環(huán)形體3的移動(dòng)間隔設(shè)定為平行方式，或設(shè)定為從基板21的移動(dòng)方向的上 游向下游擴(kuò)大的方式。例如若令基板21的移動(dòng)方向?yàn)橹行妮S，則按照逐漸離開該中心軸的 方式設(shè)定環(huán)形體的移動(dòng)方向，基板移動(dòng)方向38和與基板接觸的環(huán)形體3的移動(dòng)方向所成角 度4為0度以上、45度以下。另外，優(yōu)選的是0度以上、10度以下，更優(yōu)選的是0度以上、5 度以下?；逡苿?dòng)方向38和與基板接觸的環(huán)形體3的移動(dòng)方向所成角度越大，會(huì)越來越難 以使基板的移動(dòng)平滑地進(jìn)行，在超過45度時(shí)，特別容易發(fā)生基板的褶皺、損傷。環(huán)形體3的材質(zhì)沒有特別的限定，但由不銹鋼、鎳、銅等金屬形成的環(huán)形體在耐熱 性和耐久性方面優(yōu)秀。另一方面橡膠、塑料的環(huán)形體容易獲得與基板之間的摩擦力，容易施 加寬度方向的張力。也能夠使用在金屬材料的環(huán)形體上涂敷橡膠材料而得的材料等復(fù)合材 料形成的環(huán)形體。
另外環(huán)形體3與基板接觸，將基板21稍微推壓變形，但如果推壓量過大，則會(huì)發(fā)生 基板的變形、褶皺、破裂等惡劣影響，因此環(huán)形體造成的基板的推壓變形量?jī)?yōu)選設(shè)定為2mm 以下。通過如上所述地使環(huán)形體與基板接觸移動(dòng)，能夠在基板的寬度方向上施加張力。 由此能夠防止因冷卻氣體的導(dǎo)入造成基板氣球狀膨脹而導(dǎo)致基板與冷卻體間的空隙在基 板的寬度方向中心附近變大，能夠?qū)⒗鋮s體1與基板21的間隔在基板寬度方向上控制得較 為均勻。圖1中表示了環(huán)形體沿基板的背面移動(dòng)的例子，但在實(shí)施方式1中環(huán)形體也可以 沿基板的表面?zhèn)纫苿?dòng)。環(huán)形體是設(shè)置在基板的表面?zhèn)冗€是背面?zhèn)?，由薄膜形成區(qū)域周邊的 空間、熱負(fù)荷的大小等處理環(huán)境決定。另外，如圖8所示，也可以采用環(huán)形體從基板的表面 和背面兩面夾緊基板的方式。在該方式中，能夠使基板與環(huán)形體之間的摩擦力大幅度提高， 因此更容易施加基板寬度方向的張力。因此能夠使基板移動(dòng)方向和與基板接觸的環(huán)形體的 移動(dòng)方向所成角度變小，所以有利于保證基板平滑地移動(dòng)。在該方式中，能夠防止因向基板 施加較大的寬度方向的張力而導(dǎo)致基板的破裂，為了不使夾緊的壓力過大、使用彈簧等緩 沖機(jī)構(gòu)(圖中未表示)進(jìn)行的壓緊壓力(抑A壓)的調(diào)整是有效的。(實(shí)施方式2)圖2是針對(duì)作為具備寬度方向張力施加部件的本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的基 板冷卻機(jī)構(gòu)的一個(gè)其他例子，示意性地表示其結(jié)構(gòu)的圖。圖2(a)是(b)的AA’截面圖，圖 2(b)是從圖4的成膜源27觀看開口部31附近的正視圖。開口部附近以外的實(shí)施方式與實(shí)施方式1類似，因此省略說明。在該實(shí)施方式2中，在開口部附近利用配置于基板的寬度方向兩端的夾具機(jī)構(gòu)5， 依次夾緊基板。夾具機(jī)構(gòu)如圖9的示意圖中所示的例子那樣，具有(a)彈簧式、(b)氣動(dòng)式、 (c)靜電式等的夾緊功能，空隙式、彈簧式等的打開功能。在開口部31和其前后使夾緊功能 作用，在其他區(qū)域使釋放功能作用，于是能夠控制基板的夾緊和釋放。夾具機(jī)構(gòu)5由夾具搬 送系統(tǒng)6循環(huán)搬送。對(duì)于例如圖9(a)的彈簧式，在開口部31和其前后，由于設(shè)置在夾片7之間的壓縮 彈簧8的力，基板21被夾緊。在夾具機(jī)構(gòu)5被夾具搬送系統(tǒng)6搬送而通過開口部31時(shí)，夾 片7與預(yù)先設(shè)置的釋放體13的空隙逐漸變小，通過夾片7與釋放體13的接觸，基板21被 從夾具機(jī)構(gòu)5釋放。另外，對(duì)于圖9(b)的氣動(dòng)式，在開口部31和其前后，由于連接在夾片7 之間的氣動(dòng)汽缸9的力，基板21被夾緊。在夾具機(jī)構(gòu)5被夾具搬送系統(tǒng)6搬送而通過開口 部31時(shí)，氣壓被降低，夾片7被預(yù)先設(shè)置的釋放彈簧10拉回，基板從夾具機(jī)構(gòu)5釋放。另 外，對(duì)于圖9(c)的靜電式，在開口部31和其前后，由于在夾面具有電介質(zhì)層11的夾片7之 間施加的電壓導(dǎo)致的靜電力，基板21被夾緊。在夾具機(jī)構(gòu)5被夾具搬送系統(tǒng)6搬送而通過 開口部31時(shí)，電壓被降低，夾片7被預(yù)先設(shè)置的釋放彈簧10拉回，基板從夾具機(jī)構(gòu)5釋放。 圖9是表示夾具機(jī)構(gòu)具有的夾緊功能和釋放功能的具體例，能夠使用其他各種方式的夾緊 功能和釋放功能。本發(fā)明不局限于圖9的具體例。設(shè)置在基板的寬度方向兩端的一對(duì)夾具機(jī)構(gòu)5和夾搬送系統(tǒng)6的移動(dòng)間隔設(shè)定為 平行，或按照從基板21的移動(dòng)方向的上游向下游擴(kuò)大的方式設(shè)定。夾具搬送系統(tǒng)6為例如 進(jìn)行回轉(zhuǎn)的鏈機(jī)構(gòu)，夾具機(jī)構(gòu)5的一端固定于夾具搬送機(jī)構(gòu)6等。通過一邊夾著基板21的
10寬度方向兩端一邊進(jìn)行搬送，能夠在基板的寬度方向施加張力，能夠防止因冷卻氣體的導(dǎo) 入造成基板氣球狀膨脹而導(dǎo)致基板與冷卻體間的空隙在基板的寬度方向中心附近變大，能 夠?qū)⒗鋮s體1與基板21的間隔在基板寬度方向上控制得較為均勻。通過一邊擴(kuò)大基板寬 度方向的兩端的夾具間隔一邊使夾具機(jī)構(gòu)5沿基板移動(dòng)方向38移動(dòng)，能夠進(jìn)一步向基板施 加強(qiáng)的寬度方向張力。通過調(diào)整夾具夾緊基板時(shí)的接觸面積和夾緊壓力，以及伴隨夾具的 移動(dòng)而變化的兩側(cè)的夾片的間隔，能夠?qū)鍖挾确较虻膹埩M(jìn)行調(diào)整。另外，通過任意變 更基板通過開口部31時(shí)的夾具間隔的移動(dòng)量，能夠伴隨成膜的進(jìn)行對(duì)基板寬度方向的張 力進(jìn)行微調(diào)整。
(實(shí)施方式3)圖3是針對(duì)作為具備寬度方向張力施加部件的本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的基 板冷卻機(jī)構(gòu)的一個(gè)其他例子，示意性地表示其結(jié)構(gòu)的圖。圖3(a)是(b)的AA’截面圖，圖 3(b)是從圖4的成膜源27觀看開口部31附近的正視圖，圖3(c)是將位于(b)中右側(cè)的1 個(gè)旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體部分放大的圖。不過，圖3(c)中省略遮蔽板29。開口部附近以外的實(shí)施方式與實(shí)施方式1類似，因此省略說明。在該實(shí)施方式3中，在開口部31，通過配置在基板21的寬度方向兩端附近的旋轉(zhuǎn) 滑動(dòng)體12，在基板的寬度方向施加張力。旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的與基板接觸的部分的材質(zhì)可以為金 屬，但為了獲得摩擦力優(yōu)選為橡膠、塑料。旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的在與基板接觸的位置處的圓周速度 優(yōu)選為基板的移動(dòng)速度的0.5 10倍。在圓周速度不足0.5倍時(shí)，對(duì)于基板移動(dòng)的制動(dòng)較 強(qiáng)，基板容易發(fā)生曲折、褶皺。另外在圓周速度超過10倍時(shí)，基板的破裂、滑動(dòng)引起的摩擦 損耗變得顯著，長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)轉(zhuǎn)中容易發(fā)生故障。更優(yōu)選的是，旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的與基板接觸的位 置處的圓周速度，為基板的移動(dòng)速度的1 3倍。旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體2經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸從旋轉(zhuǎn)源17接 受旋轉(zhuǎn)力。旋轉(zhuǎn)源17能夠使用例如通過齒輪、鏈條等從小型電動(dòng)機(jī)、電動(dòng)機(jī)等傳遞旋轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)力的二次旋轉(zhuǎn)體。通過調(diào)整旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12的旋轉(zhuǎn)方向12a與基板21的移動(dòng)方向38所成的角度，能 夠?qū)υ诨宓膶挾确较蛏鲜┘拥膹埩M(jìn)行調(diào)整。具體而言，旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12的切線方向的運(yùn) 動(dòng)方向12b與基板移動(dòng)方向38所成的角度14，優(yōu)選為向著基板端部方向超過0度、80度以 下，其中，該運(yùn)動(dòng)方向12b是旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12與基板21接觸的位置上的運(yùn)動(dòng)方向。更優(yōu)選的 是超過0度、45度以下。在相對(duì)基板21的移動(dòng)方向38所成角度為0度以下時(shí)不能夠在基 板的寬度方向積極地施加張力。而超過80度時(shí)，對(duì)基板移動(dòng)的制動(dòng)變強(qiáng)，基板容易發(fā)生曲 折或褶皺。旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12與基板接觸，將基板稍微推壓變形，但如果推壓量過大，則發(fā)生基 板21的變形、褶皺、破裂等惡劣影響，因此旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體12造成的基板21的推壓變形量?jī)?yōu)選 設(shè)定為2mm以下。在圖3中表示了旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體沿基板的背面旋轉(zhuǎn)的例子，但旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體也可以沿基 板的表面?zhèn)纫苿?dòng)。旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體是設(shè)置在基板的表面?zhèn)冗€是背面?zhèn)?，由薄膜形成區(qū)域周邊的 空間、熱負(fù)荷的大小等處理環(huán)境決定。另外，也可以采用旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體與基板的表面和背面兩 面接觸的方式。在該方式中，能夠使基板與旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體之間的摩擦力大幅度提高，因此更容 易施加基板寬度方向的張力。因此能夠使基板移動(dòng)方向和與基板接觸的旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體的移動(dòng) 方向所成角度變小，所以能夠防止基板的曲折和褶皺，有利于保證基板平滑地移動(dòng)。在該方式中，能夠防止因向基板施加較大的寬度方向的張力而導(dǎo)致基板的破裂，為了不使壓緊壓 力過大、使用彈簧等緩沖機(jī)構(gòu)(圖中未表示)進(jìn)行的壓緊壓力的調(diào)整是有效的。(實(shí)施方式4)本實(shí)施方式的成膜裝置具備在薄膜形成區(qū)域中，在基板的寬度方向的一部分的 區(qū)域中，吸附于基板的背面、與基板一起移動(dòng)的環(huán)形帶。其結(jié)構(gòu)由圖1和圖4示意地表示。 本實(shí)施方式的具有吸附能力的環(huán)形帶3由多個(gè)支承輥2保持，與基板21接觸并被 驅(qū)動(dòng)。接著使用圖10說明具有吸附能力的環(huán)形帶3與冷卻體1的位置關(guān)系。圖10是從成 膜源27觀看冷卻體1附近的圖。為了明確環(huán)形帶3的位置，對(duì)未設(shè)置基板21的狀態(tài)進(jìn)行 表示。在直線狀搬送基板21的多個(gè)搬送輥24之間設(shè)置有環(huán)形帶3和冷卻體1。另外，在 圖1中一對(duì)環(huán)形體3的移動(dòng)間隔被表示為從基板21的移動(dòng)方向的上游向下游擴(kuò)大的方式， 圖10中表示一對(duì)環(huán)形體3的移動(dòng)間隔為平行的方式。為了不使冷卻氣體向真空槽泄漏，優(yōu) 選如圖10所示那樣，一對(duì)環(huán)形帶3設(shè)置在基板的寬度方向兩端附近，冷卻氣體被導(dǎo)入至一 對(duì)環(huán)形帶3之間。但是本發(fā)明對(duì)此并沒有限制，環(huán)形帶3可以設(shè)置在基板背面的任何位置。 例如，因?yàn)榛宓淖冃卧谥醒氩孔铒@著，從該觀點(diǎn)出發(fā)，在基板的寬度方向中央附近也設(shè)置 并吸附環(huán)形帶能提高冷卻效果。另外，若在環(huán)形帶3與成膜源27之間如圖11所示設(shè)置遮蔽板41，能夠維持更穩(wěn)定 的冷卻能力。在真空蒸鍍、濺射中，除了通常的成膜所生成的蒸鍍粒子之外，偶爾會(huì)產(chǎn)生尺 寸非常大的飛濺粒子與基板碰撞。在使用薄的箔狀的基板的情況下，飛濺粒子有時(shí)會(huì)具有 沖破基板程度的能量，因此可能會(huì)使作為設(shè)置在基板的背面的吸附部件的環(huán)形帶3的表面 損傷。遮蔽板41能夠防止飛濺粒子飛來而損傷環(huán)形帶3，因此能夠維持穩(wěn)定的吸附能力。 此外，在圖11中，為了明確環(huán)形帶3與遮蔽板41的位置關(guān)系，將遮蔽板41的一部分省略表
7J\ ο作為具有吸附能力的環(huán)形帶3，能夠使用靜電吸附帶。靜電吸附帶例如圖12所示， 從與基板21接觸的外側(cè)起依次至少具備絕緣層43和導(dǎo)電層44。按照需要，在導(dǎo)電層44的 內(nèi)側(cè)也能夠具備用于確保環(huán)形帶的強(qiáng)度的基材45。靜電吸附帶具有在導(dǎo)電層44與基板21 之間施加電位差的機(jī)構(gòu)，在薄膜形成中，向?qū)щ妼?4與基板21之間施加電位差。電位差的 施加中，導(dǎo)電層與基板的一者可以為接地電位，也可以兩者都為正或負(fù)的非接地電位，只要 導(dǎo)電層與基板間存在電位差即可。為了增大與基板21的接觸面積，絕緣層43優(yōu)選使用具有柔軟性的樹脂，具體而言 能夠使用硅橡膠、氟橡膠、天然橡膠、石油合成橡膠等。另外，導(dǎo)電層44能夠使用SUS304等 金屬的環(huán)形帶，此外還能夠使用導(dǎo)電性涂料、導(dǎo)電性薄膜、金屬箔等。在使用導(dǎo)電性涂料、導(dǎo) 電性薄膜、金屬箔等機(jī)械強(qiáng)度較低的材料時(shí)，優(yōu)選根據(jù)需要，除了絕緣層、導(dǎo)電層之外，在導(dǎo) 電層44的內(nèi)側(cè)設(shè)置用于保障環(huán)形帶的強(qiáng)度的基材45。靜電吸附帶與基板的電位差越大，靜電吸附力越強(qiáng)，但絕緣層所使用的柔軟性的 樹脂的耐電壓性存在極限，所以實(shí)際上優(yōu)選為IkV以上3kV以下，優(yōu)選為2kV左右的電位差。在基板21為電介質(zhì)材料的情況下，沒有必要設(shè)置絕緣層43，按照導(dǎo)電層44與基板 21相接觸的方式構(gòu)成即可。在該情況下，在導(dǎo)電層44施加有電壓，但也可以使導(dǎo)電層44構(gòu) 成2個(gè)電極并設(shè)置電位差，作為雙極型的靜電吸附體來使用。
更簡(jiǎn)便地，作為吸附部件的環(huán)形帶3，也可以使用由具有粘著性的樹脂材料形成的 環(huán)形帶。作為這樣的樹脂材料，例如能夠使用硅橡膠等。另外也能夠根據(jù)需要，在由具有粘 著性的樹脂材料形成的層的內(nèi)側(cè)具備用于確保強(qiáng)度的基材。由此能夠不必特意使用電源等 機(jī)構(gòu)而僅以環(huán)形帶吸附基板，所以能通過使設(shè)備簡(jiǎn)單化而更穩(wěn)定地運(yùn)行。(實(shí)施方式5) 圖13示意地表示在薄膜形成區(qū)域沿圓筒形桶彎曲地搬送基板、并具備吸附于基 板的背面的環(huán)形帶的成膜裝置整體的結(jié)構(gòu)的一例。真空槽22由排氣部件37保持減壓。在真空槽22之中設(shè)置有成膜源27、基板的 卷出輥23、被冷卻的圓筒形桶49、作為基板吸附部件的環(huán)形帶3、基板的卷取輥26。環(huán)形帶 3如圖14所示，例如設(shè)置在冷卻桶49的兩端，基板21的兩端與環(huán)形帶3接觸而被支承。此 時(shí)在基板背面與冷卻桶49的表面之間存在間隙，在基板21的背面與作為冷卻體的冷卻桶 49之間供給有氣體，對(duì)基板21進(jìn)行冷卻。氣體導(dǎo)入能夠通過例如在冷卻桶49的表面設(shè)置 氣體導(dǎo)入口、或使用多孔材質(zhì)作為桶來實(shí)現(xiàn)。環(huán)形帶3被設(shè)置在冷卻桶49的兩端，吸附基 板21的寬度方向兩端附近，由此抑制因冷卻氣體的導(dǎo)入造成基板21撓曲、從冷卻桶49過 度離開。此外，環(huán)形帶3的位置并非僅限于此，可以吸附在基板背面的任意位置。例如，基 板的變形在中部最明顯，從該觀點(diǎn)出發(fā)，在基板的寬度方向中央附近也設(shè)置并吸附環(huán)形帶3 能夠提高冷卻效果。環(huán)形帶3能夠通過例如在桶49的一部分設(shè)置硅橡膠等吸附材料等方 法來實(shí)現(xiàn)。另外，該情況下也能夠通過在環(huán)形帶3與成膜源27之間設(shè)置遮蔽板41來遮蔽飛 濺粒子，因此能夠不損傷環(huán)形帶3的表面地使用。如以上說明那樣，實(shí)施方式1 5的成膜裝置即使在冷卻氣體導(dǎo)入量增大，基板背 面的壓力提高的情況下，也能夠抑制基板發(fā)生撓曲。于是，能夠?qū)崿F(xiàn)基板的均勻且充分的冷卻。以上表示了具備基板約束部件的本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分的基板冷卻結(jié)構(gòu)的 例子，但本發(fā)明不僅限于這些實(shí)施方式，也能夠使用在薄膜形成區(qū)域中能夠防止基板寬度 方向的撓曲的其他的方法。圖4所示那樣，通過在基板以傾斜的直線狀移動(dòng)的部分設(shè)置遮蔽板的開口部，能 夠進(jìn)行傾斜入射的成膜，但也可以在基板水平移動(dòng)的部分成膜。傾斜入射成膜能夠以自陰 影效應(yīng)形成具有微小空間的薄膜，因此對(duì)例如高C/N磁帶的形成、循環(huán)特性優(yōu)秀的電池負(fù) 極的形成等是有效的。例如，使用銅箔作為基板，通過一邊使硅從成膜源蒸發(fā)一邊按照需要導(dǎo)入氧氣，能 夠得到長(zhǎng)條的電池用極板。另外，使用聚對(duì)苯二甲酸乙二酯作為基板，通過一邊使鈷從蒸鍍用坩堝蒸發(fā)一邊 導(dǎo)入氧氣并進(jìn)行成膜，能夠得到長(zhǎng)條的磁帶。以上作為具體的應(yīng)用例，對(duì)使用硅的電池用極板、磁帶等進(jìn)行了敘述。但本發(fā)明并 不局限于此，能夠應(yīng)用于電容器、各種傳感器、太陽能電池、各種光學(xué)膜、防濕膜、導(dǎo)電膜等 需要穩(wěn)定成膜的種種器件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的薄膜形成裝置和薄膜的形成方法，能夠縮小基板與冷卻體間的間隔且使其均勻，因此能夠有效地、均勻地利用氣體冷卻法實(shí)現(xiàn)基板冷卻。特別是在為了提高氣體冷卻的能力而增大導(dǎo)入氣體量、提高基板與冷卻體間壓力的情況下，本發(fā)明的效果較為明顯，能夠?qū)崿F(xiàn)兼顧高材料利用效率和高成膜率兩方面的薄 膜形成。因此，在通過真空處理形成高容量電池活性物質(zhì)層等情況下，能夠減少基板的溫 度上升，其結(jié)果能夠提高電池的可靠性等，不限于電池用途，作為用于薄膜形成的薄膜形成 裝置廣為有用。
權(quán)利要求
一種在真空中、在長(zhǎng)條的基板上形成薄膜的薄膜形成裝置，其特征在于，包括搬送所述基板的搬送機(jī)構(gòu)；包含用于在所述基板的搬送中在所述基板表面上的薄膜形成區(qū)域中形成薄膜的成膜源的薄膜形成部件；在所述薄膜形成區(qū)域，與搬送中的所述基板背面接近地配置的冷卻體；向所述冷卻體與所述基板間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入部件；使所述基板移動(dòng)、并在所述薄膜形成區(qū)域約束所述基板的寬度方向兩端附近的基板約束部件；和收容所述搬送機(jī)構(gòu)、所述薄膜形成部件、所述冷卻體、所述氣體導(dǎo)入部件和所述基板約束部件的真空容器。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于 在所述薄膜形成區(qū)域，所述基板被直線狀地搬送，并且所述基板約束部件是使所述基板移動(dòng)、并在所述薄膜形成區(qū)域在所述基板的寬度方向 上施加張力的寬度方向張力施加部件。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜形成裝置，其特征在于 所述寬度方向張力施加部件是沿所述基板進(jìn)行回轉(zhuǎn)的環(huán)形帶。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述環(huán)形帶在所述基板的寬度方向兩端附近配置有多個(gè)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜形成裝置，其特征在于從所述基板的移動(dòng)方向上游向移動(dòng)方向下游去，所述多個(gè)環(huán)形帶間的間隔增大。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜形成裝置，其特征在于 所述環(huán)形帶配置在所述基板的表面和背面兩面。
7 如權(quán)利要求2所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述寬度方向張力施加部件是依次夾緊所述基板的寬度方向兩端的夾具機(jī)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求2所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述寬度方向張力施加部件是與上述基板的寬度方向兩端附近接觸的旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述基板約束部件是在所述薄膜形成區(qū)域中，在所述基板的寬度方向的一部分的區(qū)域 中吸附于所述基板的背面，與所述基板一起移動(dòng)的環(huán)形帶。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述環(huán)形帶在所述基板的寬度方向兩端附近配置有多個(gè)，所述氣體被導(dǎo)入至所述基板 的寬度方向被配置有多個(gè)的所述環(huán)形帶劃分而成的空間。
11.如權(quán)利要求9所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述薄膜形成區(qū)域形成在由多個(gè)輥支承、在所述多個(gè)輥之間直線狀地被搬送的所述基 板上，在所述多個(gè)輥之間配置有所述環(huán)形帶和所述冷卻體。
12.如權(quán)利要求9所述的薄膜形成裝置，其特征在于 所述冷卻體為圓筒形的桶，所述薄膜形成區(qū)域形成在沿所述圓筒形的桶彎曲并被搬送的所述基板上。
13.如權(quán)利要求9所述的薄膜形成裝置，其特征在于所述環(huán)形帶通過靜電吸附而吸附于所述基板的背面。
14.如權(quán)利要求9所述的薄膜形成裝置，其特征在于還具有設(shè)置在所述環(huán)形帶與所述成膜源之間的遮蔽部件。
15.一種在真空中、在長(zhǎng)條的基板的表面形成薄膜的薄膜的形成方法，其特征在于，包 含下述工序在薄膜形成區(qū)域中、接近搬送中的所述基板的背面配置冷卻體，通過向所述冷卻體與 所述基板之間導(dǎo)入氣體而冷卻所述基板，并且在所述薄膜形成區(qū)域?qū)σ苿?dòng)中的所述基板的 寬度方向兩端附近進(jìn)行約束、同時(shí)在所述基板的表面形成薄膜。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜的形成方法，其特征在于所述基板的寬度方向兩端附近的約束，是通過在所述薄膜形成區(qū)域，在移動(dòng)中的所述 基板的寬度方向上施加張力來進(jìn)行的。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜的形成方法，其特征在于所述基板的寬度方向上的所述張力施加，是通過使用配置在基板的寬度方向兩端附近 的多個(gè)環(huán)形帶來進(jìn)行的。
18.如權(quán)利要求16所述的薄膜的形成方法，其特征在于所述基板的寬度方向上的所述張力施加，是通過以?shī)A具機(jī)構(gòu)依次夾緊所述基板的寬度 方向兩端來進(jìn)行的。
19.如權(quán)利要求16所述的薄膜的形成方法，其特征在于所述基板的寬度方向上的所述張力施加，是通過使旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)體與所述基板的寬度方向 兩端附近接觸來進(jìn)行的。
20.如權(quán)利要求15所述的薄膜的形成方法，其特征在于所述基板的寬度方向兩端附近的約束，是通過使在所述薄膜形成區(qū)域中，在所述基板 的寬度方向的一部分的區(qū)域中吸附于所述基板的背面的環(huán)形帶與所述基板一起移動(dòng)來進(jìn) 行的。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠均勻且充分地冷卻基板的薄膜形成裝置和薄膜形成的方法。本發(fā)明的薄膜形成裝置在真空中、在長(zhǎng)條的基板上形成薄膜，該薄膜形成裝置包括在開口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷卻體(1)、向冷卻體(1)與基板(21)之間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入部件、在開口部(31)對(duì)移動(dòng)中的基板的寬度方向兩端附近進(jìn)行約束的基板約束部件(3)。
文檔編號(hào)C23C14/24GK101849033SQ200880114890
公開日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2008年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月6日
發(fā)明者山本昌裕, 本田和義, 柳智文, 神山游馬, 篠川泰治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社