專利名稱：反應腔室及化學氣相沉積設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體加工設備，尤其涉及一種反應腔室及化學氣相沉積設備。
背景技術：
在微電子基片或太陽能電池基片加工過程中，廣泛用到化學氣相沉積設備。如圖1所示，現(xiàn)有技術中的化學氣相沉積設備包括進氣管路1、反應腔室2、待處理 基片3、基片載板4、濾網(wǎng)5、抽氣管路6等。抽氣管路6安裝在反應腔室2的下方，濾網(wǎng)5安 裝在抽氣管路6內(nèi)靠近反應腔室2的位置，用于過濾殘氣中的粉塵。在化學氣相沉積工藝過程中，由抽氣管路6為反應腔室2提供真空環(huán)境，反應腔室 2通過加熱、射頻、微波等方式注入能量，由進氣管路1導入反應氣體，反應氣體在反應腔室 2中進行化學反應，生成物沉積在基片3上，殘氣經(jīng)過濾網(wǎng)5過濾，由抽氣管路6經(jīng)真空泵排 出ο上述現(xiàn)有技術至少存在以下缺點對于化學氣相沉積設備，理想的情況是反應生成物僅在待處理的基片3表面發(fā)生 化學反應并沉積生成物，而在其他位置(如反應腔室側壁、基片載板、抽氣管路等)不發(fā)生 化學反應和沉積作用。但這在實際中是不可避免的，化學反應不可避免的在反應腔室的其 他位置發(fā)生，產(chǎn)生的固態(tài)反應產(chǎn)物會不斷堆積在濾網(wǎng)上方，造成整個設備的抽氣能力逐漸 下降，并影響工藝結果。為了保障設備的性能，就需要定期對抽氣管路(包括濾網(wǎng))進行維 護，且抽氣管路維護較為繁瑣，減低了設備的運行效率，加大了設備的運行成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能緩解抽氣管路粉塵阻塞、降低備抽氣管路的維護頻率 的反應腔室及化學氣相沉積設備。本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的本發(fā)明的化學氣相沉積設備，包括反應腔室，所述反應腔室的下方設有抽氣管路， 所述抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型，所述抽氣管路的折彎型部位背離所述 反應腔室排氣口的一側安裝有濾網(wǎng)。本發(fā)明的化學氣相沉積設備，該化學氣相沉積設備包括上述的反應腔室。由上述本發(fā)明提供的技術方案可以看出，本發(fā)明所述的反應腔室及化學氣相沉積 設備，由于抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型，抽氣管路的折彎型部位背離所 述反應腔室排氣口的一側安裝有濾網(wǎng)。工藝過程中，粉塵能夠沉積在抽氣管路的折彎型部 位的下部，并減少對濾網(wǎng)的堵塞，進而緩解化學氣相沉積設備的抽氣管路中的粉塵阻塞、降 低抽氣管路的維護頻率。


圖1為現(xiàn)有技術中的化學氣相沉積設備的反應腔室的結構示意圖2為本發(fā)明的反應腔室的具體實施例一的結構示意圖；圖3為本發(fā)明的反應腔室及的具體實施例二的結構示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的反應腔室，其較佳的具體實施方式
是，反應腔室的下方設有抽氣管路，抽 氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型，抽氣管路的折彎型部位背離反應腔室排氣口 的一側安裝有濾網(wǎng)，折彎型可以為U型或V型或其它的折彎型。抽氣管路的折彎型部位的底部可以設有儲塵槽，除塵槽的底部可以設有除塵法
AA *. o具體實施例中，抽氣管路6的內(nèi)徑可以為10mm 1000mm范圍，優(yōu)選40mm 200mm 范圍；儲塵槽的內(nèi)徑可以為10mm 1000mm范圍，優(yōu)選40mm 200mm范圍；儲塵槽的高度可 以為0 1000mm范圍，優(yōu)選10mm 200mm范圍。本發(fā)明的化學氣相沉積設備，其較佳的具體實施方式
是，該化學氣相沉積設備包 括上述的反應腔室。本發(fā)明的工作原理是化學氣相沉積技術使用的工藝氣壓多在幾百帕量級，在這一壓力范圍附近，氣流 很難推動顆粒物質移動，因此在一般情況下，反應生成的固體物質受到重力作用多數(shù)沉積 在設備的下方。利用這一原理，將抽氣管路靠近反應腔室一端設計成‘U’型或‘V’型等折 彎型，在抽氣管路的折彎型部位的背離反應腔室排氣口一側安裝濾網(wǎng)，使得絕大多數(shù)的固 體生成物沉積在折彎型管的底部。少量附著在濾網(wǎng)上的沉積物由于結構松散，結合力較弱， 很難大量在濾網(wǎng)上堆積，因此能夠大大降低粉塵對濾網(wǎng)透氣性的影響，從而延長濾網(wǎng)的維 護周期。在折彎型抽氣管路的下方設計一個儲塵槽，并在儲塵槽的下方安裝除塵法蘭，使得 絕大部分的粉塵可以沉積在儲塵槽內(nèi)，并通過打開除塵法蘭進行清除，大大降低了抽氣管 路的維護難度。實施例一如圖2所示，化學氣相沉積設備的反應腔室的抽氣管路6靠近反應腔室2 —端為 U型，抽氣管路6內(nèi)徑為100mm;在抽氣管路6的U型部位的下部設計有儲塵槽7，其內(nèi)徑為 100mm,高度為50mm ；儲塵槽7下部安裝有除塵法蘭8 ；在抽氣管路的U型部位的背離反應腔 室2的一側安裝有濾網(wǎng)5。設備使用過程中，在抽氣管路6內(nèi)的固體生成物由于重力作用，大部分沉積在儲 塵槽7內(nèi)；在濾網(wǎng)5下方生成的固體物質由于結合力弱，無法在濾網(wǎng)5上大量堆積，因此能 夠保障濾網(wǎng)5的透過性，降低其維護頻率。儲塵槽7和除塵法蘭8的設計使得抽氣管路6的除塵維護難度大大降低。實施例二 如圖3所示，化學氣相沉積設備的反應腔室的抽氣管路6靠近反應腔室2 —端為 V型，在抽氣管路6的V型部位的下部設計有儲塵槽7，儲塵槽7下部安裝有除塵法蘭8 ；在 V型抽氣管路背離反應腔室一側安裝有濾網(wǎng)。本發(fā)明能夠緩解化學氣相沉積設備的反應腔室的抽氣管路中的粉塵阻塞，降低設 備抽氣管路的維護頻率，并降低維護難度，提高了設備的運行效率，減少了設備的運行成本。 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
一種反應腔室，所述反應腔室的下方設有抽氣管路，其特征在于，所述抽氣管路靠近反應腔室的一段為向下的折彎型，所述抽氣管路的折彎型部位背離所述反應腔室排氣口的一側安裝有濾網(wǎng)。
2.根據(jù)權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述折彎型為U型或V型。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，所述抽氣管路的折彎型部位的底 部設計有儲塵槽，所述除塵槽的底部設有除塵法蘭。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，所述抽氣管路的內(nèi)徑為IOmm IOOOmm0
5.根據(jù)權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述抽氣管路的內(nèi)徑為40mm 200mm。
6.根據(jù)權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述儲塵槽的內(nèi)徑為IOmm IOOOmm0
7.根據(jù)權利要求6所述的反應腔室備，其特征在于，所述儲塵槽的內(nèi)徑為40mm 200mm。
8.根據(jù)權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述儲塵槽的高度為0 1000mm。
9.根據(jù)權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述儲塵槽的高度為IOmm 200mm。
10.一種化學氣相沉積設備，其特征在于，該化學氣相沉積設備包括權利要求1至9任 一項所述的反應腔室。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種反應腔室及化學氣相沉積設備，反應腔室的下方設有抽氣管路，抽氣管路靠近反應腔室的一段為U型或V型的折彎型，折彎型部位背離反應腔室排氣口的一側安裝有濾網(wǎng)，抽氣管路的折彎型部位的底部設有儲塵槽和除塵法蘭。工藝過程中，粉塵能夠沉積在抽氣管路的折彎型部位下部的儲塵槽中，減少對濾網(wǎng)的堵塞，能夠緩解化學氣相沉積設備抽氣管路中的粉塵阻塞，降低設備抽氣管路的維護頻率，并降低維護難度，提高了設備的運行效率，減少了設備的運行成本。
文檔編號C23C16/44GK101921995SQ200910086629
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月12日 優(yōu)先權日2009年6月12日
發(fā)明者楊盟 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司