專利名稱：一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法。
背景技術(shù)：
目前，我們在對太陽能級單晶硅棒進(jìn)行拋光時，通常采用酸液腐
蝕方法，即將太陽能級單晶硅棒置于濃度在99%以上的酸液中浸泡，這 種方法不僅對酸的濃度要求高，使用幾次后就作為廢酸處理，廢酸處 理難度大，環(huán)保性差，且成本高，而且在浸泡過程中需要經(jīng)常翻動， 并需精確掌握腐蝕時間，否則腐蝕過度，易出現(xiàn)蝕坑現(xiàn)象，產(chǎn)品質(zhì)量 的一致性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供提高酸液利用率，且產(chǎn)品質(zhì)量一致性及成 品率高的一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案是 一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理 方法，其特征在于將太陽能級單晶硅棒置于氫氟酸配比濃度較低的酸 液中浸泡，除去損傷層，消除棒的應(yīng)力后，再用拋光設(shè)備對太陽能級 單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光。
所述的氫氟酸配比濃度較低的酸液為氫氟酸和硝酸比為1: 5 8 的酸液。
采用本發(fā)明，由于對酸的腐蝕性要求不高，因此可以使用一些 廢酸液生產(chǎn)，提高了利用率，降低了成本；同時，腐蝕時間不需要
3精確把握，不會出現(xiàn)蝕坑現(xiàn)象，提高了成品率。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
1、 將太陽能級單晶硅棒置于氫氟酸和硝酸比為1: 8的酸液，即
氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡5 20分鐘后，除去損傷層，消除 棒的應(yīng)力。
2、 用軸向拋光機(jī)對太陽能級單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光，直 致拋光成鏡面為止。
權(quán)利要求
1、一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法，其特征在于將太陽能級單晶硅棒置于氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡，除去損傷層，消除棒的應(yīng)力后，再用拋光設(shè)備對太陽能級單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法，其特征在于氫氟酸配比濃度較低的酸液為氫氟酸和硝酸比為1:5 8的酸液。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法，該方法是將太陽能級單晶硅棒置于氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡，除去損傷層，消除棒的應(yīng)力后，再用拋光設(shè)備對太陽能級單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光。采用本發(fā)明，由于對酸的濃度及純度要求不高，因此可以使用一些廢酸液生產(chǎn)，提高了利用率，降低了成本；同時，腐蝕時間不需要精確把握，不會出現(xiàn)蝕坑現(xiàn)象，提高了成品率。
文檔編號B24B7/22GK101498055SQ200910095528
公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月19日
發(fā)明者方建和, 郜勇軍 申請人:郜勇軍