專(zhuān)利名稱(chēng)：連續(xù)生產(chǎn)銅銦鎵硫軟體薄膜式太陽(yáng)能電池組件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用 磁控濺射真空鍍膜連續(xù)生產(chǎn)銅銦鎵硫軟體簿膜式太陽(yáng)能電 池組件技術(shù)。具體是一種由多臺(tái)磁控濺射真空鍍膜機(jī)組合為一機(jī)的連續(xù)制備軟體簿膜式太 陽(yáng)能電池組件的方法。技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)；將軟體的帶狀金屬或塑膠基材箔卷材,剪切成段,送入真空雜物清理室 并將基材帶箱加熱到200-3000C，利用等離子或輝光放電法進(jìn)行表面雜物清理后，取出基材 帶箔再送入絕緣膜磁控派射真空室”。采用二氧化硅或二氧化鈦合金靶材用磁控濺射法在 基材帶箔上板表面濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣膜后,取出基材帶箔送入背電極磁控濺射 真空室。采用銅鉬合金靶材,應(yīng)用磁控濺射法,濺鍍銅鉬合金背電極膜。取出基材帶箔再進(jìn) 行激光刻蝕劃線(xiàn)后，取出基材帶箔，送入銅銦鎵磁控濺射真空室，采用銅銦鎵合金靶材，應(yīng) 用磁控涯射法，派鍍銅銦鎵合金膜。取出基材帶箔，再送入硫化結(jié)晶爐內(nèi),進(jìn)行硫化結(jié)晶。即 完成了 P型半導(dǎo)體簿膜的制備。取出基材帶箔再送入“η型半導(dǎo)體層磁控濺射真空室”。采 用ZnS硫化鋅合金靶材,使用磁控濺射法在銅銦鎵硫P型半導(dǎo)體基材帶箔上表面濺鍍硫化 鋅η型半導(dǎo)體膜。此段已形成了 Ρ-η結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箱。涯鍍后的Pi結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔，取出基材帶箔送入上電極透明導(dǎo) 電層ICO膜磁控濺射真空室。采用二氧化錫合金靶材,使用磁控減射法在Pi結(jié)銅銦鎵硫 半導(dǎo)體膜層基材帶箔表面上，滅鍍二氧化錫上電極透明導(dǎo)電ICO膜。。濺鍍透明導(dǎo)電ICO膜后的基材帶箱取出基材帶箔，再進(jìn)入凈化空氣的激光刻蝕 機(jī)，刻蝕電極后，剪切成各種單元功率的銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件再送入透明氟化鎂減反 射膜磁控濺射真空室”。采用氟化鎂合金靶材，使用磁控減射法,濺鍍透明氟化鎂減反射膜。 繼而進(jìn)入真空封裝室,封裝透明保護(hù)膜后再進(jìn)入冷卻室，冷卻到50°C以下的成品銅銦鎵硫 太陽(yáng)能電池組件
發(fā)明內(nèi)容
；本發(fā)明的目的是；克服上述間歇式生產(chǎn)的缺點(diǎn),提供一種連續(xù)生產(chǎn)，并能提高大規(guī) 模生產(chǎn)效率、保證產(chǎn)品質(zhì)量的制備方法。本發(fā)明的具體內(nèi)容；本發(fā)明一種連續(xù)生產(chǎn)軟體簿膜式銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池的方法其特征在于；將軟體 的帶狀卷材金屬或塑膠基材箔，以始端開(kāi)始連續(xù)均速輸送入真空連續(xù)隧道室第一段“雜物 清理段”，并將基材帶箔加熱到200-300Γ，利用等離子或輝光放電法進(jìn)行表面雜物清理后， 用真空隔離窄縫伐隔離?；膸Р跃傩凶哌M(jìn)入真空連續(xù)隧道室第二段“絕緣膜磁控派 射真空室”。采用二氧化硅或二氧化鈦合金靶材用磁控濺射法在基材帶箔上表面，減鍍二氧 化硅或二氧化鈦絕緣膜。再用真空隔離窄縫伐隔離?；膸Р^續(xù)以均速行走進(jìn)入真空連 續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”。沿基材帶箔行走方向即在背電極層磁控派射室縱向,基材帶箔上表面設(shè)定的距離內(nèi)，平行設(shè)置多個(gè)兩端頭張緊的鍍膜遮擋線(xiàn),用于在濺鍍背電極膜時(shí)，遮擋背電極銅鉬合金 膜，不再濺鍍?cè)诨膸Р慕^緣層表面，替代原激光刻蝕劃線(xiàn)工序。采用銅鉬合金靶材，應(yīng)用磁控濺射法,在基材帶箔的絕緣層表面派鍍銅鉬合金背 電極膜濺鍍并遮擋劃線(xiàn)后的銅鉬合金背電極基材帶箔,通過(guò)真空隔離窄縫伐隔離。續(xù)以 均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第四段“銅銦鎵磁控濺射真空室”，為防止氧化在抽真空前先 通入氫氣和氬氣。采用銅銦鎵合金靶材，應(yīng)用磁控派射法,派鍍銅銦鎵合金膜。 濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔,通過(guò)真空隔離窄縫伐隔離。繼續(xù)均速行走進(jìn)入往 復(fù)式硫化結(jié)晶爐內(nèi)，進(jìn)行硫化結(jié)晶。硫化介質(zhì)為H2S氣體或者S粉的低溫爐中進(jìn)行硫化處 理，利用氬氣作載氣，硫化溫度；350--450°C。濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔在硫化爐內(nèi)往 復(fù)行走時(shí)間為10-20分鐘后，通過(guò)真空隔離窄縫伐隔離,連續(xù)均速進(jìn)入往復(fù)式冷卻室。將硫 化結(jié)晶后的銅銦鎵硫基材帶箔冷卻到200-2500C，即完成了 P型半導(dǎo)體簿膜的制備。通過(guò)真 空隔離窄縫伐再送入真空連續(xù)隧道室第五段“η型半導(dǎo)體層磁控濺射真空室”。采用ZnS硫 化鋅合金靶材，使用磁控濺射法在銅銦鎵硫P型半導(dǎo)體基材帶箱上表面濺鍍硫化鋅η型半 導(dǎo)體膜。此段已形成了 Pi結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔。濺鍍后的Pi結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔,通過(guò)真空隔離窄縫伐再送入真空 連續(xù)隧道室第六段“上電極透明導(dǎo)電層ICO膜磁控濺射真空室”。采用二氧化錫合金靶材， 使用磁控濺射法在Ρ-η結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜基材帶箔表面上，濺鍍二氧化錫上電極透明導(dǎo) 電ICO膜。濺鍍透明導(dǎo)電ICO膜后的基材帶箔,通過(guò)真空隔離窄縫伐隔離，再連續(xù)均速進(jìn)入 凈化空氣的激光刻蝕機(jī),刻蝕電極后,通過(guò)真空隔離窄縫伐,再送入真空連續(xù)隧道室第七段 “透明氟化鎂減反射膜磁控濺射真空室”。采用氟化鎂合金靶材，使用磁控濺射法在濺鍍過(guò) 透明導(dǎo)電ICO膜的基材帶箔表面上，派鍍透明氟化鎂減反射膜磁。使用真空隔離窄縫伐隔 離封閉真空室。繼而進(jìn)入真空封裝室,封裝透明保護(hù)膜敷設(shè)電極后再進(jìn)入冷卻室,冷卻到 50°C以下的成品銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箔,通過(guò)卷繞機(jī)卷繞成卷后,根據(jù)用戶(hù)功率的 需要再剪切成各種單元功率的銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件。全部系統(tǒng)銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箔，是通過(guò)太陽(yáng)能電池組件帶箔卷繞機(jī)卷繞 動(dòng)力，帶動(dòng)帶箔張緊和連續(xù)均速行走，在各真空連續(xù)隧道室段，同時(shí)完成各自濺鍍膜層的。 當(dāng)生產(chǎn)線(xiàn)前置帶卷將滅鍍完結(jié)時(shí),可將前卷尾端和后卷始端進(jìn)行搭接，以實(shí)現(xiàn)連續(xù)不停頓 生產(chǎn)工效。全部系統(tǒng)，帶箔涯鍍材料厚度、結(jié)晶度、溫度均采用閉環(huán)自控系統(tǒng)控制，以保證產(chǎn) 品的質(zhì)量。


圖“1”為真空連續(xù)隧道式磁控涯鍍系統(tǒng)示意圖；圖“2”為真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控減射真空室”，遮擋減鍍背電極銅鉬 合金膜，替代原激光刻蝕劃線(xiàn)。橫切面示意圖；圖中；1,軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔
\2，軟體的帶狀卷材金屬或塑膠基材箔卷3，真空連續(xù)隧道室第一段“雜物清理段4，加熱器5，等離子或輝光放電發(fā)生器
6,真空連續(xù)隧道室第二段“絕緣層磁控減射真空室”7, 二氧化硅或二氧化鈦合金靶材g 8，背電極鍍膜遮擋線(xiàn)9，真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”10，銅鉬合金靶材11，真空連續(xù)隧道室第四段“銅銦鎵磁控派射真空室” 12，銅銦鎵 合金靶材13-i—i。,真空隔離窄縫伐14,往復(fù)式硫化爐15，硫蒸汽發(fā)生器16，轉(zhuǎn)向滾筒17，復(fù)式冷卻室IS，散熱器19,真空連續(xù)隧道室第五段“硫化鋅磁控濺射真空室”20,硫化鋅合金靶材21,真空連續(xù)隧道室第六段“上電極透明導(dǎo)電層ICO膜磁控濺 射真空室” 22，二氧化錫合金靶材23，激光刻蝕機(jī)24,刻蝕電極25,真空連續(xù)隧道室第七段“透明氟化鎂減反射膜磁 控濺射真空室” 26氟化鎂合金靶材,27，真空封裝室28,透明保護(hù)膜29,冷卻室30,銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箔，31，銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箔卷繞機(jī)32，背電極銅鉬合金膜33,陰極34, 二氧化硅或二氧化鈦絕緣層35,永久磁鐵參照

具體實(shí)施方式
；圖1真空連續(xù)隧道式磁控濺鍍系統(tǒng)示意圖在圖“1，，中將軟體的帶狀卷材金屬或塑膠基材箔1,始端開(kāi)始連續(xù)均速送入真空連續(xù)隧道室 第一段“雜物清理段” 3,并通過(guò)加熱器4,將基材帶箱1,加熱到200-30CTC。利用等離子或 輝光放電發(fā)生器5，發(fā)生的等離子或輝光放電轟擊基材帶箔1，進(jìn)行表面雜物清理處理后， 用真空隔離窄縫伐13^隔離。清理后的基材帶箔1，以均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第二 段“絕緣層磁控減射真空室”6。采用二氧化硅或二氧化鈦合金靶材7,用磁控減射法在基材 帶箔1上表面,濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣膜。再用真空隔離窄縫伐13-2隔離?；膸?箱1繼續(xù)以均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”9。沿基材帶箔 1行走方向即在背電極磁控涯射室9縱向，基材帶箔1上表面,設(shè)定距離高度，平行設(shè)置多個(gè) 兩端頭張緊的鍍膜遮擋線(xiàn)8,用于在濺鍍背電極膜時(shí),遮擋背電極銅鉬合金膜,不再濺鍍?cè)?基材帶箔1的絕緣層表面,替代原激光刻蝕劃線(xiàn)。采用銅鉬合金靶材10，應(yīng)用磁控濺射法，濺鍍銅鉬合金背電極膜。濺鍍并遮擋成 線(xiàn)后的銅鉬合金背電極基材帶箔1,通過(guò)真空隔離窄縫伐13 3，隔離。續(xù)以均速行走進(jìn)入真 空連續(xù)隧道室第四段“銅銦鎵磁控減射真空室11Λ為防止氧化在抽真空前先通入氫氣和氬 氣。采用銅銦鎵合金靶材12,應(yīng)用磁控滅射法,滅鍍銅銦鎵合金膜。溫度200-250V。濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箱1，通過(guò)真空隔離窄縫伐13-4隔離。繼續(xù)均速行走進(jìn)入往復(fù)式硫化結(jié)晶爐14,進(jìn)行硫化結(jié)晶。硫化介質(zhì)為H2S氣體或者S粉的低溫爐中進(jìn)行 硫化處理，利用氬氣作載氣，硫蒸氣由硫蒸汽發(fā)生器15產(chǎn)生。硫化溫度為350--450°C。濺 鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔1，在硫化結(jié)晶爐14內(nèi)往復(fù)行走時(shí)間10-20分鐘后，通過(guò)真空 隔離窄縫伐13 5隔離。連續(xù)均速進(jìn)入往復(fù)式冷卻室17。將硫化結(jié)晶后的高溫銅銦鎵硫基 材帶箔1通過(guò)散熱器18,冷卻到200-250°C,即完成了 P型半導(dǎo)體簿膜的制備。通過(guò)真空隔 離窄縫伐13-6，再送入真空連續(xù)隧道室第五段“硫化鋅磁控濺射真空室19。采用硫化鋅合 金靶材20，使用磁控濺射法在銅銦鎵硫P型半導(dǎo)體基材帶箔上表面濺鍍硫化鋅n型半導(dǎo)體 膜。此段已形成了 Pi結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔。濺鍍后的P-n結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔,通過(guò)真空隔離窄縫伐13-7，再送 入真空連續(xù)隧道室第六段“--丨二電極透明導(dǎo)電層IC0膜磁控濺射真空室” 21。采用二氧化錫 合金靶材22，使用磁控濺射法，在Pi結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔表面上，濺鍍二氧化 錫，上電極透明導(dǎo)電IC0膜。濺鍍透明導(dǎo)電IC0膜后的基材帶箔1,通過(guò)真空隔離窄縫伐13_8隔離。再連續(xù)均 速進(jìn)入激光刻蝕機(jī)23，應(yīng)用激光束蝕劃電極24，刻蝕電極后，通過(guò)真空隔離窄縫伐13-9，再 送入真空連續(xù)隧道室第七段“透明氟化鎂減反射膜磁控派射真空室” 25。采用氟化鎂合金 靶材26,使用磁控濺射法在濺鍍過(guò)透明導(dǎo)電I CO膜的基材帶箔表面上,濺鍍透明氟化鎂減 反射膜。使用真空隔離窄縫伐13_1CI隔離封閉真空室。繼而進(jìn)入真空封裝室27,封裝透明 保護(hù)膜28后，再進(jìn)入冷卻室29，冷卻到50°C以下的成品銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箱30， 通過(guò)卷繞機(jī)卷繞成卷31后，根據(jù)用戶(hù)功率的需要再剪切成各種單元功率的銅銦鎵硫太陽(yáng) 能電池組件。圖2 ；真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”,遮擋濺鍍背電極銅鉬合 金膜，替代原激光刻蝕劃線(xiàn)。橫切面示意圖； 在真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室” 9內(nèi)，上側(cè)設(shè)置，永久磁鐵35 依次按裝陰極33,銅鉬合金靶材10。下側(cè)軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔1上表面己滅鍍 二氧化硅或二氧化鈦絕緣層34表面....匕在設(shè)定的高度距離內(nèi)，安裝背電極鍍膜遮擋線(xiàn)8，使 連續(xù)行走的軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔1，不產(chǎn)生磨擦。涯射產(chǎn)生的二次電子在陰極 33位降區(qū)內(nèi)被加速成高能電子，在電場(chǎng)和永久磁鐵35磁場(chǎng)的聯(lián)合下，作擺線(xiàn)運(yùn)動(dòng)飛向二氧 化硅或二氧化鈦絕緣層34。由于背電極鍍膜遮擋線(xiàn)8遮擋的原因，未遮擋處表面,濺鍍背電 極銅鉬合金膜32，鍍膜遮擋線(xiàn)8遮擋處，末能濺鍍膜層，因此替代了激光刻蝕劃線(xiàn)工序。
權(quán)利要求
連續(xù)生產(chǎn)銅銦鎵硫軟體簿膜式太陽(yáng)能電池組件的方法它是由軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)、真空連續(xù)隧道室第一，至第七段(6)、(9)、(11)、(19)、(21)、(25)和往復(fù)式硫化爐(14)等組成，其特征是；將軟體的帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)，始端開(kāi)始連續(xù)均速送入真空連續(xù)隧道室第一段“雜物清理段”(3)，并通過(guò)加熱器(4)，將基材帶箔(1)，加熱到200-300℃利用等離子或輝光放電發(fā)生器(5)，發(fā)生的等離子或輝光放電轟擊基材帶箔(1)，進(jìn)行表面雜物清理處理后，用真空隔離窄縫伐(13-1)隔離清理后的基材帶箔(上1)，以均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第二段“絕緣層磁控濺射真空室”(6)，采用二氧化硅或二氧化鈦合金靶材(7)，用磁控濺射法在基材帶箔(1)上表面，濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣膜，再用真空隔離窄縫伐(13-2)隔離，基材帶箔(1)繼續(xù)以均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”(9)，沿基材帶箔(1)行走方向即在背電極磁控濺射室(9)縱向，基材帶箔(1)表面，設(shè)定距離高度，平行設(shè)置多個(gè)兩端頭張緊的鍍膜遮擋線(xiàn)(8)，用于在濺鍍背電極膜時(shí)，遮擋背電極銅鉬合金膜，不再濺鍍?cè)诨膸Р?的絕緣層表面，替代原激光刻蝕劃線(xiàn)采用銅鉬合金靶材(10)，應(yīng)用磁控濺射法，濺鍍銅鉬合金背電極膜，濺鍍并遮擋成線(xiàn)后的銅鉬合金背電極基材帶箔(1)，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-3，)隔離，續(xù)以均速行走進(jìn)入真空連續(xù)隧道室第四段“銅銦鎵磁控濺射真空室(11)”，為防止氧化在抽真空前先通入氫氣和氬氣采用銅銦鎵合金靶材(12)，應(yīng)用磁控濺射法，濺鍍銅銦鎵合金膜。溫度200-250℃，濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔(1)，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-4)隔離，繼續(xù)均速行走進(jìn)入往復(fù)式硫化結(jié)晶爐(14)，進(jìn)行硫化結(jié)晶硫化介質(zhì)為H2S氣體或者S粉的低溫爐中進(jìn)行硫化處理，利用氬氣作載氣，硫蒸氣由硫蒸汽發(fā)生器(15)產(chǎn)生，硫化溫度為350--450℃。濺鍍銅銦鎵合金膜的基材帶箔(1)，在硫化結(jié)晶爐(14)內(nèi)往復(fù)行走時(shí)間25-32分鐘后，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-5)隔離，連續(xù)均速進(jìn)入往復(fù)式冷卻室(17)將硫化結(jié)晶后的高溫銅銦鎵硫基材帶箔(1)通過(guò)散熱器(18)，冷卻到200-250℃，即完成了P型半導(dǎo)體簿膜的制備通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-6)，再送入真空連續(xù)隧道室第五段“硫化鋅磁控濺射真空室(19)，采用硫化鋅合金靶材(20)，使用磁控濺射法在銅銦鎵硫P型半導(dǎo)體基材帶箔上表面濺鍍硫化鋅n型半導(dǎo)體膜此段已形成了P-n結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔濺鍍后的P-n結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-7)，再送入真空連續(xù)隧道室第六段“上電極透明導(dǎo)電層ICO膜磁控濺射真空室”(21)，采用二氧化錫合金靶材(22)，使用磁控濺射法，在P-n結(jié)銅銦鎵硫半導(dǎo)體膜層基材帶箔表面上，濺鍍二氧化錫，上電極透明導(dǎo)電ICO膜濺鍍透明導(dǎo)電ICO膜后的基材帶箔(1)，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-8)隔離，再連續(xù)均速進(jìn)入激光刻蝕機(jī)(23)，應(yīng)用激光束蝕劃電極(24)，刻蝕電極后，通過(guò)真空隔離窄縫伐(13-9)，再送入真空連續(xù)隧道室第七段“透明氟化鎂減反射膜磁控濺射真空室”(25)采用氟化鎂合金靶材(26)，使用磁控濺射法在濺鍍過(guò)透明導(dǎo)電ICO膜的基材帶箔表面上，濺鍍透明氟化鎂減反射膜。使用真空隔離窄縫伐(13-10)隔離封閉真空室，繼而進(jìn)入真空封裝室(27)，封裝透明保護(hù)膜(28)后，再進(jìn)入冷卻室(29)，冷卻到50℃以下的成品銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件帶箔(30)，通過(guò)卷繞機(jī)卷繞成卷(31)后，根據(jù)用戶(hù)功率的需要再剪切成各種單元功率的銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)(1)所述的連續(xù)生產(chǎn)銅銦鎵硫軟體簿膜式太陽(yáng)能電池組件的方法， 其特征是；在真空連續(xù)隧道室第三段“背電極磁控濺射真空室”(9)內(nèi)，上側(cè)設(shè)置永久磁鐵 (35)依次按裝陰極(33)，銅鉬合金靶材(10)下側(cè)軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箱(1) ____丨二表面己濺鍍二氧化硅或二氧化鈦絕緣層(34)表面上,在設(shè)定的高度距離內(nèi)，安裝背電極鍍 膜遮擋線(xiàn)(8)，使連續(xù)行走的軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔(1)，不產(chǎn)生磨擦濺射產(chǎn)生 的二次電子在陰極(33)位降區(qū)內(nèi)被加速成高能電子，在電場(chǎng)和永久磁鐵(35)磁場(chǎng)的聯(lián)合 下，作擺線(xiàn)運(yùn)動(dòng)飛向二氧化硅或二氧化鈦絕緣層(34),由于背電極鍍膜遮擋線(xiàn)(8)遮擋的 原因，未遮擋處表面,濺鍍背電極銅鉬合金膜(32),鍍膜遮擋線(xiàn)(8)遮擋處,末能濺鍍膜層， 因此替代了激光刻蝕劃線(xiàn)工序。
全文摘要
一種連續(xù)生產(chǎn)銅銦鎵硫軟體薄膜式太陽(yáng)能電池組件的方法它是由軟體帶狀卷材金屬或塑膠基材箔1、真空連續(xù)隧道室第一，至第七段3、6、9、11、19、21、25和往復(fù)式硫化爐14等組成，其特征是；將軟體的帶狀基材箔1，始端連續(xù)均速送入真空連續(xù)隧道式磁控濺鍍室3、6、9、11，濺鍍銅銦鎵膜后送入往復(fù)式硫化爐14進(jìn)行硫化成銅銦鎵硫膜，再進(jìn)入硫化鋅磁控濺射真空室19濺鍍硫化鋅膜，再濺鍍上電極二氧化錫透明導(dǎo)電膜，激光刻蝕劃線(xiàn)敷電極后濺鍍減反射膜，封裝保護(hù)膜即制備成卷材銅銦鎵硫軟體薄膜式太陽(yáng)能電池組件。其優(yōu)點(diǎn)連續(xù)大規(guī)模生產(chǎn)，質(zhì)量穩(wěn)定。
文檔編號(hào)C23C14/10GK101866978SQ200910132770
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2009年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者張世英 申請(qǐng)人:張世英