專利名稱：研磨頭裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉 及半導體制造領(lǐng)域，特別涉及一種研磨頭裝置。
背景技術(shù)：
20世紀70年代，多層金屬化技術(shù)被弓丨入到集成電路制造工藝中，此技術(shù)使芯片的 垂直空間得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但這項技術(shù)使得襯底表面不平整度加 劇，由此引發(fā)的一系列問題(如引起光刻膠厚度不均進而導致光刻受限)嚴重影響了大規(guī) 模集成電路(ULSI)的發(fā)展。針對這一問題，業(yè)界先后開發(fā)了多種平坦化技術(shù)，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜 層等，但效果并不理想。80 年代末，IBM 公司將化學機械拋光(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)技術(shù)進行了發(fā)展使之應用于襯底的平坦化，其在表面平坦化上的效果較傳統(tǒng)的平坦化 技術(shù)有了極大的改善，從而使之成為了大規(guī)模集成電路制造中有關(guān)鍵地位的平坦化技術(shù)?；瘜W機械拋光工藝使用具有研磨性和腐蝕性的拋光液，并配合使用拋光墊。拋光 墊的尺寸通常比襯底要大。拋光墊和襯底被一個可活動的研磨頭壓在一起，襯底和拋光墊 同時轉(zhuǎn)動(通常是以相反的方向轉(zhuǎn))，但是它們的中心并不重合。在這個過程中襯底表面的 材料和不規(guī)則結(jié)構(gòu)都被除去，從而達到平坦化的目的。平坦化后的襯底表面使得干法刻蝕 中的圖樣的成型更加容易。平滑的襯底表面還使得使用更小的金屬圖樣成為可能，從而能 夠提高集成度。參考圖1，現(xiàn)有的研磨頭通常包括功能臺100，所述功能臺100包括基座101和吸 附臺102 ；設(shè)置于吸附臺102表面的過渡膜103 ；包覆吸附臺102和過渡膜103側(cè)面的導向 圈104。襯底105被吸附臺102吸附在過渡膜103表面，并由導向圈104固定位置，導向圈 104與襯底之間有一定的間隙106，所述間隙106用于調(diào)節(jié)襯底105的活動范圍。由于現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的局限性，導向圈104與吸附臺102存在第一空隙107以及導 向圈104與過渡膜103存在第二空隙108，第一空隙107和第二空隙108導通且形成一條垂 直通道，在化學機械拋光過程中，拋光液容易沿第一空隙107進入第二空隙108內(nèi)，由于第 一空隙107和第二空隙108都比較小，難以清理；風干的拋光液在第一空隙107和第二空隙 108內(nèi)形成結(jié)晶。在后續(xù)的化學機械拋光過程中，結(jié)晶的拋光液殘留容易掉落在襯底表面， 造成襯底表面形成刮痕或者在襯底表面造成污染。

發(fā)明內(nèi)容
通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按 實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。本發(fā)明解決的技術(shù)問題是避免拋光液殘留掉落襯底表面，造成襯底表面形成刮痕 或者在襯底表面造成污染。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種研磨頭裝置，包括功能臺，所述功能臺包括 基座和吸附臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所 述導向圈包括連接部和密封部，且所述連接部位于所述密封部表面；所述連接部環(huán)繞吸附 臺側(cè)面和過渡膜側(cè)面；所述密封部包覆過渡膜的邊緣?？蛇x的，所述密封部包覆過渡膜的邊緣具體為所述密封部包覆過渡膜的下表面邊 緣 20mm 至 50mm?？蛇x的，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體。可選的，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷。可選的，所述過渡膜形狀為餅狀?？蛇x的，所述導向圈材料選自耐磨塑料?？蛇x的，密封部與過渡膜之間的為橫向接觸且連接部與吸附臺和過渡膜為縱向接 觸。本發(fā)明還提供一種研磨頭裝置，包括功能臺，所述功能臺包括基座和吸附臺，且 所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所述導向圈包括結(jié) 合部和定位部，且所述結(jié)合部位于定位部表面；所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的邊 緣表面接觸；所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面?？蛇x的，所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的邊緣表面接觸具體為所述結(jié)合部 包覆過渡膜的上表面邊緣20mm至50mm。可選的，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體?？蛇x的，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷?？蛇x的，所述過渡膜形狀為餅狀?？蛇x的，所述導向圈材料選自耐磨塑料。可選的，所述結(jié)合部環(huán)繞吸附臺側(cè)面，與吸附臺側(cè)面縱向接觸，結(jié)合部與所述過渡 膜邊緣橫向接觸；且所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面，與過渡膜側(cè)面縱向接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的研磨頭裝置導向圈的連接 部環(huán)繞吸附臺側(cè)面和過渡膜側(cè)面；導向圈的密封部包覆過渡膜的部分表面，使得密封部與 過渡膜之間的為橫向接觸且連接部與吸附臺和過渡膜為縱向接觸，避免了導向圈與吸附臺 的空隙以及導向圈與過渡膜的空隙導通且形成一條垂直通道。本發(fā)明還提供了一種研磨頭裝置，其中的導向圈的結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡 膜的部分表面接觸；導向圈的定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面；所述結(jié)合部環(huán)繞吸附臺側(cè)面，與吸 附臺側(cè)面縱向接觸，結(jié)合部與所述過渡膜邊緣橫向接觸；且所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面，與 過渡膜側(cè)面縱向接觸，避免了導向圈與吸附臺的空隙以及導向圈與過渡膜的空隙導通且形 成一條垂直通道。上述的研磨頭裝置的結(jié)構(gòu)使得拋光液不容易進入到導向圈與吸附臺的空隙中，從 而避免了拋光液殘留掉落襯底表面，造成襯底表面形成刮痕或者在襯底表面造成污染現(xiàn)象。


圖1是現(xiàn)有的研磨頭裝置示意圖2是本發(fā)明提供的研磨頭裝置一實施例的示意圖；圖3是本發(fā)明提供的研磨頭裝置另一實施例的示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，由于現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的局限性，導向圈與吸附臺存在第一空隙以及導向圈與過渡膜存在第二空隙，第一空隙和第二空隙導通且形成一條垂直通道，在化學 機械拋光過程中，拋光液容易沿第一空隙進入第二空隙內(nèi)，由于第一空隙和第二空隙都比 較小，難以清理；風干的拋光液在第一空隙和第二空隙內(nèi)形成結(jié)晶。在后續(xù)的化學機械拋光 過程中，結(jié)晶的拋光液殘留容易掉落在襯底表面，造成襯底表面形成刮痕或者在襯底表面 造成污染。為此本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗，提出一種優(yōu)化的研磨頭裝置，包括功能 臺，所述功能臺包括基座和吸附臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的 過渡膜；導向圈，所述導向圈包括連接部和密封部，且所述連接部位于所述密封部表面；所 述連接部環(huán)繞吸附臺側(cè)面和過渡膜側(cè)面；所述密封部包覆過渡膜的邊緣?？蛇x的，所述密封部包覆過渡膜的邊緣具體為所述密封部包覆過渡膜的下表面邊 緣 20mm 至 50mm。可選的，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體?？蛇x的，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷?？蛇x的，所述過渡膜形狀為餅狀。可選的，所述導向圈材料選自耐磨塑料。可選的，密封部與過渡膜之間的為橫向接觸且連接部與吸附臺和過渡膜為縱向接 觸。本發(fā)明還提供一種優(yōu)化的研磨頭裝置，包括功能臺，所述功能臺包括基座和吸附 臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所述導向圈包 括結(jié)合部和定位部，且所述結(jié)合部位于定位部表面；所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜 的邊緣表面接觸；所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面。可選的，所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的邊緣表面接觸具體為所述結(jié)合部 包覆過渡膜的上表面邊緣20mm至50mm?？蛇x的，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、立方 體、長方體、不規(guī)則物體。可選的，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷?？蛇x的，所述過渡膜形狀為餅狀?？蛇x的，所述導向圈材料選自耐磨塑料?？蛇x的，所述結(jié)合部環(huán)繞吸附臺側(cè)面，與吸附臺側(cè)面縱向接觸，結(jié)合部與所述過渡 膜邊緣橫向接觸；且所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面，與過渡膜側(cè)面縱向接觸。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖2是本發(fā)明提供的研磨頭裝置的一實施例的示意圖，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的 研磨頭裝置進行說明。
參考圖2，所述研磨頭裝置包括功能臺200，所述功能臺200用于吸附需要進行化 學機械拋光的襯底，通過吸附在襯底不同位置形成不同的壓力來改變拋光效果，且所述功 能臺200能組裝在其他化學機械拋光組件中，進行對襯底進行化學機械拋光。所述功能臺200形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體或者與 化學機械拋光設(shè)備的其他組件相對應的形狀，所述功能臺200材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、 耐磨塑料或者陶瓷；所述功能臺200具體形成方法可以為車床加工工藝以及銑床加工工藝 制備。所述功能臺200包括基座201和吸附臺202，且所述吸附臺202位于所述基座201 表面；所述基座201用于支持吸附臺202，且所述基座201能安裝在化學機械拋光設(shè)備的其 他組件上；所述基座201設(shè)置有安裝部，用以安裝在化學機械拋光設(shè)備上，進行化學機械拋 光工藝，所述基座201形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體，所述基座 201材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷。所述吸附臺202材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷，所述吸附臺202 形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體。在具體的應用中，所述吸附臺202形狀較優(yōu)選的方案為圓柱體，以所述吸附臺 202形狀為圓柱體為例，所述吸附臺202的工作面的直徑比需要進行化學機械拋光的襯 底的直徑大20mm至50mm，考慮到實際生產(chǎn)應用，所述吸附臺202的工作面的直徑可以是 450mm 士 30mm、300mm 士 20mm、200mm 士 40mm 或者 150mm 士 50mm。所述吸附臺202設(shè)置有部分的通孔2021，所述吸附臺通過通孔2021產(chǎn)生吸附作 用，用于吸附需要進行化學機械拋光的襯底；所述通孔2021能夠與真空設(shè)備或者壓力設(shè)備 連通，在所述吸附臺202的表面產(chǎn)生吸附作用或者壓力作用。設(shè)置于吸附臺202表面的過渡膜210，所述過渡膜210形狀為與吸附臺202的 工作面對應，在本實施例中，所述過渡膜210形狀可以為餅狀，所述過渡膜210的直徑與 所述吸附臺202的工作面對應，可以是450mm 士 30mm、300mm 士 20mm、200mm 士 40mm或者 150mm士50mm，所述過渡膜210材料可以為塑料、樹脂；所述過渡膜210表面設(shè)有與吸附臺通 孔2021對應的通孔，所述過渡膜210用于保護吸附臺202的工作面，避免在化學機械拋光 工藝過程中研磨液中的研磨顆粒以及掩膜設(shè)備中的掩膜墊對吸附臺202的工作面造成刮 痕或者損傷。導向圈220，所述導向圈220用于限制進行化學機械拋光的襯底，避免襯底活動范 圍過大影響拋光效果，所述研磨頭裝置包括導向圈220，所述導向圈220材料選自耐磨塑 料。所述導向圈220包括連接部221和密封部222，且所述連接部221位于所述密封部 222表面；所述連接部221環(huán)繞吸附臺202側(cè)面和過渡膜210側(cè)面，并與功能臺200的基座 201接觸，使得導向圈能夠固定在功能臺200上。所述密封部222包覆過渡膜210的部分表面，在本實施例中，所述密封部包覆過渡 膜210的下表面邊緣20mm至50mm，所述密封部包覆過渡膜210的下表面的大小可以根據(jù)實際拋光工藝的需求而進行調(diào)節(jié)。在本發(fā)明中，發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗，使得所述密封部222與過渡膜220之間形成 橫向接觸，能夠有效避免研磨液進入導向圈220與吸附臺202的空隙以及導向圈220與過 渡膜210的空隙。 具體的，由于密封部材料與導向圈220材料密封性能比較良好，能夠有效避免在 化學機械拋光過程中，研磨液進入密封部222與過渡膜210之間的間隙，而密封部和過渡膜 220之間的橫向接觸以及連接部221與吸附臺202和過渡膜210的縱向接觸的設(shè)計，使得研 磨液更加難以進入導向圈220與吸附臺202的空隙以及導向圈220與過渡膜210的空隙。需要特別指出的是，為了取得更好的密封效果，所述密封部222與過渡膜220之間 還可以加入密封環(huán)。本發(fā)明的優(yōu)點具體包括本發(fā)明提供的研磨頭裝置導向圈的連接部環(huán)繞吸附臺 側(cè)面和過渡膜側(cè)面；導向圈的密封部包覆過渡膜的部分表面，使得密封部與過渡膜之間的 為橫向接觸且連接部與吸附臺和過渡膜為縱向接觸，避免了導向圈與吸附臺的空隙以及導 向圈與過渡膜的空隙導通且形成一條垂直通道，避免了現(xiàn)有的導向圈與吸附臺存在第一空 隙以及導向圈與過渡膜存在第二空隙，第一空隙和第二空隙導通且形成一條垂直通道的缺 點，現(xiàn)有的研磨頭裝置在化學機械拋光過程中，拋光液容易沿第一空隙進入第二空隙內(nèi)，由 于第一空隙和第二空隙都比較小，難以清理；風干的拋光液在第一空隙和第二空隙內(nèi)形成 結(jié)晶。在后續(xù)的化學機械拋光過程中，結(jié)晶的拋光液殘留容易掉落在襯底表面，造成襯底表 面形成刮痕或者在襯底表面造成污染。圖3是本發(fā)明提供的研磨頭裝置的另一實施例的示意圖，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的研磨頭裝置進行說明。參考圖3，所述研磨頭裝置包括功能臺300，所述功能臺300用于吸附需要進行化 學機械拋光的襯底，通過吸附在襯底不同位置形成不同的壓力來改變拋光效果，且所述功 能臺300能組裝在其他化學機械拋光組件中，進行對襯底進行化學機械拋光。所述功能臺300形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體或者與 化學機械拋光設(shè)備的其他組件相對應的形狀，所述功能臺300材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、 耐磨塑料或者陶瓷；所述功能臺300具體形成方法可以為車床加工工藝以及銑床加工工藝 制備。所述功能臺300包括基座301和吸附臺302，且所述吸附臺302位于所述基座301 表面；所述基座301用于支持吸附臺302，且所述基座301能安裝在化學機械拋光設(shè)備的其 他組件上；所述基座301設(shè)置有安裝部，用以安裝在化學機械拋光設(shè)備上，進行化學機械拋 光工藝，所述基座301形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體、不規(guī)則物體，所述基座 301材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷。所述吸附臺302材料為鐵、鋼、銅、耐磨合金、耐磨塑料或者陶瓷，所述吸附臺302 形狀可以是圓柱體、圓臺體、立方體、長方體。在具體的應用中，所述吸附臺302形狀較優(yōu)選的方案為圓柱體，以所述吸附臺 302形狀為圓柱體為例，所述吸附臺302的工作面的直徑比需要進行化學機械拋光的襯 底的直徑大20mm至50mm，考慮到實際生產(chǎn)應用，所述吸附臺302的工作面的直徑可以是 450mm 士 30mm、300mm 士 20mm、200mm 士 40mm 或者 150mm 士 50mm。
所述吸 附臺302設(shè)置有部分的通孔3021，所述吸附臺通過通孔3021產(chǎn)生吸附作 用，用于吸附需要進行化學機械拋光的襯底；所述通孔3021能夠與真空設(shè)備或者壓力設(shè)備 連通，在所述吸附臺302的表面產(chǎn)生吸附作用或者壓力作用。設(shè)置于吸附臺302表面的過渡膜310，所述過渡膜310形狀為與吸附臺302的工 作面對應，在本實施例中，所述過渡膜310形狀可以為餅狀，所述過渡膜310的直徑比所述 吸附臺302的工作面大40mm至50mm，所述過渡膜310材料可以為塑料、樹脂；所述過渡膜 310表面設(shè)有與吸附臺通孔3021對應的通孔，所述過渡膜310用于保護吸附臺302的工作 面，避免在化學機械拋光工藝過程中研磨液中的研磨顆粒以及掩膜設(shè)備中的掩膜墊對吸附 臺302的工作面造成刮痕或者損傷。導向圈320，所述導向圈320用于限制進行化學機械拋光的襯底，避免襯底活動范 圍過大影響拋光效果，所述導向圈320材料選自耐磨塑料。所述導向圈包括結(jié)合部321和定位部322，且所述結(jié)合部321位于定位部322表 面；所述結(jié)合部321的上表面與基座301的下表面邊緣接觸，且所述結(jié)合部321環(huán)繞吸附臺 302側(cè)面，與吸附臺302側(cè)面縱向接觸，結(jié)合部321的下表面與所述過渡膜310的上表面邊 緣橫向接觸，所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的邊緣表面接觸具體為所述結(jié)合部包覆 過渡膜的上表面邊緣20mm至50mm。所述定位部322環(huán)繞過渡膜310側(cè)面，與過渡膜310側(cè)面縱向接觸，所述定位部 322還能夠控制進行化學機械拋光的襯底的活動范圍，避免進行化學機械拋光的襯底活動 范圍過大而影響化學機械拋光效果。本發(fā)明提供的研磨頭裝置，其中的導向圈的結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的部 分表面接觸；導向圈的定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面；所述結(jié)合部環(huán)繞吸附臺側(cè)面，與吸附臺側(cè) 面縱向接觸，結(jié)合部與所述過渡膜邊緣橫向接觸；且所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面，與過渡膜 側(cè)面縱向接觸，避免了導向圈與吸附臺的空隙以及導向圈與過渡膜的空隙導通且形成一條 垂直通道。上述的研磨頭裝置的結(jié)構(gòu)使得拋光液不容易進入到導向圈與吸附臺的空隙中，從 而避免了拋光液殘留掉落襯底表面，造成襯底表面形成刮痕或者在襯底表面造成污染。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應 當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種研磨頭裝置，其特征在于，包括功能臺，所述功能臺包括基座和吸附臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所述導向圈包括連接部和密封部，且所述連接部位于所述密封部表面；所述連 接部環(huán)繞吸附臺側(cè)面和過渡膜側(cè)面；所述密封部包覆過渡膜的邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述密封部包覆過渡膜的邊緣具體 為所述密封部包覆過渡膜的下表面邊緣20mm至50mm。
3.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、 立方體、長方體、不規(guī)則物體。
4.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨合 金、耐磨塑料或者陶瓷。
5.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述過渡膜形狀為餅狀。
6.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述導向圈材料選自耐磨塑料。
7.如權(quán)利要求1所述的研磨頭裝置，其特征在于，密封部與過渡膜之間的為橫向接觸 且連接部與吸附臺和過渡膜為縱向接觸。
8.一種研磨頭裝置，其特征在于，包括功能臺，所述功能臺包括基座和吸附臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所述導向圈包括結(jié)合部和定位部，且所述結(jié)合部位于定位部表面；所述結(jié)合部 繞吸附臺側(cè)面且與過渡膜的邊緣表面接觸；所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面。
9.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述結(jié)合部繞吸附臺側(cè)面且與過渡 膜的邊緣表面接觸具體為所述結(jié)合部包覆過渡膜的上表面邊緣20mm至50mm。
10.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述功能臺形狀是圓柱體、圓臺體、 立方體、長方體、不規(guī)則物體。
11.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述功能臺材料為鐵、鋼、銅、耐磨 合金、耐磨塑料或者陶瓷。
12.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述過渡膜形狀為餅狀。
13.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述導向圈材料選自耐磨塑料。
14.如權(quán)利要求8所述的研磨頭裝置，其特征在于，所述結(jié)合部環(huán)繞吸附臺側(cè)面，與吸 附臺側(cè)面縱向接觸，結(jié)合部與所述過渡膜邊緣橫向接觸；且所述定位部環(huán)繞過渡膜側(cè)面，與 過渡膜側(cè)面縱向接觸。
全文摘要
一種研磨頭裝置，包括功能臺，所述功能臺包括基座和吸附臺，且所述吸附臺位于所述基座表面；設(shè)置于吸附臺表面的過渡膜；導向圈，所述導向圈包括連接部和密封部，且所述連接部位于所述密封部表面；所述連接部環(huán)繞吸附臺側(cè)面和過渡膜側(cè)面；所述密封部包覆過渡膜的邊緣。本發(fā)明避免了拋光液殘留掉落襯底表面，導致襯底表面形成刮痕或者在襯底表面造成污染現(xiàn)象。
文檔編號B24B37/04GK102039555SQ20091019768
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月26日
發(fā)明者俞昌, 楊春曉 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司