專利名稱：太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種利用專用的太陽(yáng)能電池背面濺 鍍背電極的磁控濺射設(shè)備，實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法。
背景技術(shù)：
非晶硅薄膜電池生產(chǎn)過(guò)程中，有一步重要的步驟是在沉積完P(guān)IN層作為發(fā)電層后 沉積背電極，背電極做為電池的其中一個(gè)電極來(lái)使用，并且可以收集電池上每一點(diǎn)的電流， 增大短路電流，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，從而改善電池的穩(wěn)定性，以及電池的性能。并且由于非晶薄膜太陽(yáng)能電池存在著轉(zhuǎn)換效率低，性能不夠穩(wěn)定，并且存在著光 致衰退現(xiàn)象，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收使用率低。嚴(yán)重影響太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和 使用壽命。為了進(jìn)一步提高非晶硅薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率和改善穩(wěn)定性。使非晶硅薄膜太陽(yáng) 能電池光吸收使用率增加。在非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池背面濺鍍一層鋁，首先對(duì)光形成漫反 射，使光在電池內(nèi)部形成漫反射，使折射次數(shù)增加，增加非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)光吸收的 使用率大大增強(qiáng)?，F(xiàn)有濺鍍背電極的設(shè)備，多數(shù)為臥式結(jié)構(gòu)平面濺渡背電極，上述結(jié)構(gòu)的濺渡背電 極設(shè)備存在許多的缺點(diǎn)和不足，具體表現(xiàn)在臥式結(jié)構(gòu)濺鍍一次只能夠?yàn)R鍍一片，效率慢， 靶材使用率低，并且在濺渡之后有殘留物遺留在電池表面，對(duì)下一道工序造成影響，廢片率 增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種增加非晶硅電池使用過(guò)程中增加對(duì)光的吸收以及對(duì) 光反射次數(shù)增加，提高電池轉(zhuǎn)換效率，利用專用的太陽(yáng)能電池背面濺鍍背電極的磁控濺射 設(shè)備，實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的該方法是采用太陽(yáng)能電池背面濺鍍背電極的磁控濺 射設(shè)備通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)的首先電池片經(jīng)進(jìn)片臺(tái)在掛有電池掛片箱的傳送導(dǎo)軌的帶動(dòng)下 一次兩片進(jìn)入緩沖倉(cāng)室，繼續(xù)前行依次進(jìn)入兩個(gè)加熱倉(cāng)室，首先進(jìn)入的加熱倉(cāng)室的加熱溫 度為35°C，后進(jìn)入的加熱倉(cāng)室的加熱溫度為50°C，進(jìn)行兩次加熱之后溫度達(dá)到50°C ；之后 進(jìn)入濺鍍倉(cāng)室，在濺鍍倉(cāng)室中通過(guò)磁控濺射原理均勻的濺鍍一層Al層作為背電極，濺鍍之 后出倉(cāng)經(jīng)緩沖倉(cāng)室和出片臺(tái)進(jìn)入下一個(gè)設(shè)備；通過(guò)真空管道連接到各個(gè)倉(cāng)室的真空系統(tǒng)控 制各個(gè)倉(cāng)室的真空值，閥門(mén)將各個(gè)倉(cāng)室之間隔開(kāi)形成相對(duì)獨(dú)立的空間，達(dá)到對(duì)太陽(yáng)能電池 背電極的濺鍍目的。所述的磁控濺射設(shè)備是一個(gè)隧道式的結(jié)構(gòu)形式，它包括進(jìn)片臺(tái)，出片臺(tái)，緩沖倉(cāng) 室，加熱倉(cāng)室，濺鍍倉(cāng)室，所述的緩沖倉(cāng)室，加熱倉(cāng)室，濺鍍倉(cāng)室各個(gè)倉(cāng)室之間通過(guò)閥門(mén)被隔 開(kāi)，兩端設(shè)置的兩個(gè)緩沖倉(cāng)室、中間并排設(shè)置的兩個(gè)加熱倉(cāng)室和濺鍍倉(cāng)室構(gòu)成磁控濺射設(shè) 備主體，在磁控濺射設(shè)備主體各倉(cāng)室的下面設(shè)置有真空系統(tǒng)，真空系統(tǒng)通過(guò)真空管道連接 到緩沖倉(cāng)室，加熱倉(cāng)室和濺鍍倉(cāng)室。
本發(fā)明由于采用隧道式結(jié)構(gòu)的磁控濺射設(shè)備和濺鍍方法，增加了每次濺鍍的數(shù) 量，采用獨(dú)特的立式結(jié)構(gòu)，靶材均勻分布在兩側(cè)，濺鍍的更加均勻。靶材的利用率進(jìn)一步得 到提高，并且在濺鍍時(shí)不會(huì)有殘留物遺留在電池片上。優(yōu)化設(shè)計(jì)的真空系統(tǒng)使得抽真空時(shí) 間短，穩(wěn)定性高，降低了生產(chǎn)及維護(hù)成本。達(dá)到了太陽(yáng)電池濺射背電極的目的。


圖1為本發(fā)明非晶硅薄膜電池背電極磁控濺射設(shè)備俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明圖1中A-A面的剖視圖。
具體實(shí)施例方式由附圖1、2所示該方法是采用太陽(yáng)能電池背面濺鍍背電極的磁控濺射設(shè)備通過(guò) 以下步驟實(shí)現(xiàn)的，所述的磁控濺射設(shè)備是一個(gè)隧道式的結(jié)構(gòu)形式，它包括進(jìn)片臺(tái)1，出片臺(tái) 2緩沖倉(cāng)室3、4，加熱倉(cāng)室5、6，濺鍍倉(cāng)室7，所述的緩沖倉(cāng)室3、4，加熱倉(cāng)室5、6，濺鍍倉(cāng)室7 各個(gè)倉(cāng)室之間通過(guò)閥門(mén)8被隔開(kāi)，兩端設(shè)置的兩個(gè)緩沖倉(cāng)室3、4、中間并排設(shè)置的兩個(gè)加熱 倉(cāng)室5、6和濺鍍倉(cāng)室7構(gòu)成磁控濺射設(shè)備主體，在磁控濺射設(shè)備主體各倉(cāng)室的下面設(shè)置有 真空系統(tǒng)9，真空系統(tǒng)9通過(guò)真空管道10連接到緩沖倉(cāng)室3、4，加熱倉(cāng)室5、6和濺鍍倉(cāng)室7。該沉積方法的具體步驟是電池片經(jīng)進(jìn)片臺(tái)1在掛有電池掛片箱的傳送導(dǎo)軌的帶 動(dòng)下一次兩片進(jìn)入緩沖倉(cāng)室3，繼續(xù)前行依次進(jìn)入兩個(gè)加熱倉(cāng)室5、6，首先進(jìn)入的加熱倉(cāng)室 5的加熱溫度為35°C，后進(jìn)入的加熱倉(cāng)室6的加熱溫度為50°C，進(jìn)行兩次加熱之后溫度達(dá) 到50°C ；之后進(jìn)入濺鍍倉(cāng)室7，在濺鍍倉(cāng)室7中通過(guò)磁控濺射原理均勻的濺鍍一層Al層作 為背電極，濺鍍之后出倉(cāng)經(jīng)緩沖倉(cāng)室4和出片臺(tái)2進(jìn)入下一個(gè)設(shè)備；通過(guò)真空管道10連接 到各個(gè)倉(cāng)室的真空系統(tǒng)9控制各個(gè)倉(cāng)室的真空值，閥門(mén)8將各個(gè)倉(cāng)室之間隔開(kāi)形成相對(duì)獨(dú) 立的空間，達(dá)到對(duì)太陽(yáng)能電池背電極的濺鍍目的。所述的兩端設(shè)置的兩個(gè)緩沖倉(cāng)室3、4，中間并排設(shè)置的兩個(gè)加熱倉(cāng)室5、6和濺鍍 倉(cāng)室7構(gòu)成磁控濺射設(shè)備主體，進(jìn)片臺(tái)1和出片臺(tái)2設(shè)置在磁控濺射設(shè)備主體的兩端。所述的磁控濺射設(shè)備主體下面的真空系統(tǒng)9通過(guò)真空管道10連接到磁控濺射設(shè) 備主體上的各個(gè)倉(cāng)室，控制磁控濺射設(shè)備主體上各個(gè)倉(cāng)室的真空值，磁控濺射設(shè)備主體上 的各個(gè)倉(cāng)室通過(guò)閥門(mén)8隔開(kāi)，各個(gè)倉(cāng)室形成相對(duì)獨(dú)立的空間，其中所有倉(cāng)室的真空度均為 10_4。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法，其特征在于該方法是采用太陽(yáng)能電池 背面濺鍍背電極的磁控濺射設(shè)備通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)的，所述的磁控濺射設(shè)備是一個(gè)隧道式 的結(jié)構(gòu)形式，它包括進(jìn)片臺(tái)(1)，出片臺(tái)(2)，緩沖倉(cāng)室(3)、0)，加熱倉(cāng)室(5)、(6)，濺鍍倉(cāng) 室(7)，所述的緩沖倉(cāng)室(3) “4)，加熱倉(cāng)室(5)、(6)，濺鍍倉(cāng)室(7)各個(gè)倉(cāng)室之間通過(guò)閥門(mén)(8)被隔開(kāi)，兩端設(shè)置的兩個(gè)緩沖倉(cāng)室(3)、0)、中間并排設(shè)置的兩個(gè)加熱倉(cāng)室(5)、(6)和 濺鍍倉(cāng)室(7)構(gòu)成磁控濺射設(shè)備主體，在磁控濺射設(shè)備主體各倉(cāng)室的下面設(shè)置有真空系統(tǒng)(9)，真空系統(tǒng)(9)通過(guò)真空管道(10)連接到緩沖倉(cāng)室(3)“4)，加熱倉(cāng)室(5)、(6)和濺鍍 倉(cāng)室(7)；該沉積方法的具體步驟是電池片經(jīng)進(jìn)片臺(tái)(1)在掛有電池掛片箱的傳送導(dǎo)軌的帶動(dòng) 下一次兩片進(jìn)入緩沖倉(cāng)室(3)，繼續(xù)前行依次進(jìn)入兩個(gè)加熱倉(cāng)室(5)、(6)，首先進(jìn)入的加熱 倉(cāng)室(5)的加熱溫度為35°C，后進(jìn)入的加熱倉(cāng)室(6)的加熱溫度為50°C，進(jìn)行兩次加熱之 后溫度達(dá)到50°C;之后進(jìn)入濺鍍倉(cāng)室(7)，在濺鍍倉(cāng)室(7)中通過(guò)磁控濺射原理均勻的濺鍍 一層Al層作為背電極，濺鍍之后出倉(cāng)經(jīng)緩沖倉(cāng)室(4)和出片臺(tái)( 進(jìn)入下一個(gè)設(shè)備；通過(guò) 真空管道(10)連接到各個(gè)倉(cāng)室的真空系統(tǒng)(9)控制各個(gè)倉(cāng)室的真空值，閥門(mén)(8)將各個(gè)倉(cāng) 室之間隔開(kāi)形成相對(duì)獨(dú)立的空間，達(dá)到對(duì)太陽(yáng)能電池背電極的濺鍍目的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法，其特征在于所 述的兩端設(shè)置的兩個(gè)緩沖倉(cāng)室(3)、G)，中間并排設(shè)置的兩個(gè)加熱倉(cāng)室(5)、(6)和濺鍍倉(cāng) 室(7)構(gòu)成磁控濺射設(shè)備主體，進(jìn)片臺(tái)(1)和出片臺(tái)( 設(shè)置在磁控濺射設(shè)備主體的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法，其特征在于所 述的磁控濺射設(shè)備主體下面的真空系統(tǒng)(9)通過(guò)真空管道(10)連接到磁控濺射設(shè)備主體 上的各個(gè)倉(cāng)室，控制磁控濺射設(shè)備主體上各個(gè)倉(cāng)室的真空值，磁控濺射設(shè)備主體上的各個(gè) 倉(cāng)室通過(guò)閥門(mén)(8)隔開(kāi)，各個(gè)倉(cāng)室形成相對(duì)獨(dú)立的空間，其中所有倉(cāng)室的真空度均為10_4。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中背電極的沉積方法，該方法是采用專用的太陽(yáng)能電池背面濺鍍背電極的磁控濺射設(shè)備通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)的首先電池片經(jīng)進(jìn)片臺(tái)在掛有電池掛片箱的傳送導(dǎo)軌的帶動(dòng)下一次兩片進(jìn)入緩沖倉(cāng)室，繼續(xù)前行依次進(jìn)入兩個(gè)加熱倉(cāng)室，首先進(jìn)入的加熱倉(cāng)室的加熱溫度為35℃，后進(jìn)入的加熱倉(cāng)室的加熱溫度為50℃，進(jìn)行兩次加熱之后溫度達(dá)到50℃；之后進(jìn)入濺鍍倉(cāng)室，在濺鍍倉(cāng)室中通過(guò)磁控濺射原理均勻的濺鍍一層Al層作為背電極，濺鍍之后出倉(cāng)經(jīng)緩沖倉(cāng)室和出片臺(tái)進(jìn)入下一個(gè)設(shè)備；通過(guò)真空管道連接到各個(gè)倉(cāng)室的真空系統(tǒng)控制各個(gè)倉(cāng)室的真空值，閥門(mén)將各個(gè)倉(cāng)室之間隔開(kāi)形成相對(duì)獨(dú)立的空間，達(dá)到對(duì)太陽(yáng)能電池背電極的濺鍍目的。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102102184SQ20091021815
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者劉萬(wàn)學(xué), 左騰, 張兵, 杜宏荀, 楊帥, 楊繼澤, 王巍, 魏含芳 申請(qǐng)人:吉林慶達(dá)新能源電力股份有限公司