專利名稱：同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種同軸電纜生產(chǎn)工藝中的設(shè)備改良，尤其是涉及一種給同軸電纜表 面鍍錫的裝置的改良。
背景技術(shù)：
同軸電纜行業(yè)里由于要使用信號(hào)屏蔽，需要在信號(hào)載體外作屏蔽層，可以采用熔 融鍍錫的方式給同軸電纜表面鍍上錫層作為屏蔽層，其生產(chǎn)裝置如圖3所示，錫槽1中裝有 熔融液態(tài)錫2，錫槽中有用于牽引同軸電纜3的導(dǎo)輥4，同軸電纜被牽引至鍍錫處A進(jìn)行鍍 錫，鍍錫后由下而上離開(kāi)錫槽，這種生產(chǎn)裝置存在以下缺點(diǎn)一、由于錫槽液面和空氣高溫 接觸，導(dǎo)致錫有氧化物產(chǎn)生使得最終鍍錫后的產(chǎn)品表面時(shí)不時(shí)附著氧化物，降低了產(chǎn)品品 質(zhì)；二、由于錫槽溫度很高，當(dāng)同軸電纜離開(kāi)錫槽液面后和空氣高溫接觸而產(chǎn)生變色不良； 三、由于錫槽液面很大，難免產(chǎn)生表面波動(dòng)，而使產(chǎn)品表面鍍錫不均勻。發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，該同 軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良可以有效防止同軸電纜表面的鍍錫層氧化、變色及不均勻 現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品品質(zhì)。
本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是
一種同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，包括裝有熔融液態(tài)錫的錫槽和用于牽引 同軸電纜的導(dǎo)輥，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，鍍錫處液面上方設(shè)有保護(hù)裝置，所述保護(hù)裝置為上、 下端開(kāi)口的中空密閉體，所述保護(hù)裝置的側(cè)壁上設(shè)有用于通入惰性氣體的氣體進(jìn)口，所述 保護(hù)裝置的下端口不高于錫槽液面，所述同軸電纜鍍錫后由所述保護(hù)裝置的下端口進(jìn)入所 述保護(hù)裝置中。在生產(chǎn)時(shí)，往保護(hù)裝置中通入惰性氣體，形成保護(hù)氣氛，鍍錫后的同軸電纜 從錫槽液面出來(lái)后即進(jìn)入保護(hù)裝置，保護(hù)裝置中惰性的保護(hù)氣氛可以防止鍍錫層氧化和變 色。
本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是
以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述保護(hù)裝置的下端口為一隔離管，所述隔離管的下端口伸 入熔融液態(tài)錫中。隔離管將鍍錫處的液面與錫槽液面相隔離，錫槽液面的波動(dòng)不會(huì)影響到 鍍錫處的液面，極大地減少了鍍錫處液面的震動(dòng)，有效改善了鍍錫不均勻的狀況；由于隔離 管的下端口伸入液面以下，液面被隔離后，鍍錫處在隔離管內(nèi)形成孤立的液柱，鍍?cè)谕S電 纜表面的錫可以從錫槽內(nèi)部進(jìn)行補(bǔ)給，防止錫槽液面被空氣氧化后的錫的氧化物附著到同 軸電纜表面，改善了產(chǎn)品的品質(zhì)和整體外觀。
以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述隔離管的下端口為口徑由下而上漸縮的喇叭狀口。隔離 管的下端口為喇叭口狀可以有效防止錫槽液面的錫的氧化物進(jìn)入鍍錫處。
所述隔離管為金屬管。
所述惰性氣體為氮?dú)狻?br> 本發(fā)明的有益效果是由于鍍錫處液面上方設(shè)有保護(hù)裝置，在生產(chǎn)時(shí)，往保護(hù)裝置 中通入惰性氣體，形成保護(hù)氣氛，鍍錫后的同軸電纜從錫槽液面出來(lái)后即進(jìn)入保護(hù)裝置，保 護(hù)裝置中惰性的保護(hù)氣氛可以防止鍍錫層氧化和變色；由于隔離管將鍍錫處的液面與錫槽 液面相隔離，錫槽液面的波動(dòng)不會(huì)影響到鍍錫處的液面，極大地減少了鍍錫處液面的震動(dòng)， 有效改善了鍍錫不均勻的狀況；由于隔離管的下端口伸入液面以下，液面被隔離后，鍍錫處 在隔離管內(nèi)形成孤立的液柱，鍍?cè)谕S電纜表面的錫可以從錫槽內(nèi)部進(jìn)行補(bǔ)給，防止錫槽 液面被空氣氧化后的錫的氧化物附著到同軸電纜表面，改善了產(chǎn)品的品質(zhì)和整體外觀。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明所述保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)示意圖3為傳統(tǒng)熔融鍍錫生產(chǎn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一種同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，包括裝有熔融液態(tài)錫2的錫槽1 和用于牽引同軸電纜3的導(dǎo)輥4，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，鍍錫處液面上方設(shè)有保護(hù)裝置5，所述 保護(hù)裝置為上、下端開(kāi)口的中空密閉體，所述保護(hù)裝置的側(cè)壁上設(shè)有用于通入惰性氣體的 氣體進(jìn)口 51，所述保護(hù)裝置的下端口不高于錫槽液面，所述同軸電纜鍍錫后由所述保護(hù)裝 置的下端口進(jìn)入所述保護(hù)裝置中。在生產(chǎn)時(shí)，往保護(hù)裝置中通入惰性氣體，形成保護(hù)氣氛， 鍍錫后的同軸電纜從錫槽液面出來(lái)后即進(jìn)入保護(hù)裝置，保護(hù)裝置中惰性的保護(hù)氣氛可以防 止鍍錫層氧化和變色。
以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述保護(hù)裝置的下端口為一隔離管52，所述隔離管的下端口 伸入熔融液態(tài)錫中。隔離管將鍍錫處的液面與錫槽液面相隔離，錫槽液面的波動(dòng)不會(huì)影響 到鍍錫處的液面，極大地減少了鍍錫處液面的震動(dòng)，有效改善了鍍錫不均勻的狀況；由于隔 離管的下端口伸入液面以下，液面被隔離后，鍍錫處在隔離管內(nèi)形成孤立的液柱，鍍?cè)谕S 電纜表面的錫可以從錫槽內(nèi)部進(jìn)行補(bǔ)給，防止錫槽液面被空氣氧化后的錫的氧化物附著到 同軸電纜表面，改善了產(chǎn)品的品質(zhì)和整體外觀。
以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述隔離管的下端口為口徑由下而上漸縮的喇叭狀口。隔離 管的下端口為喇叭口狀可以有效防止錫槽液面的錫的氧化物進(jìn)入鍍錫處。
所述隔離管為金屬管。
所述惰性氣體為氮?dú)狻?br> 權(quán)利要求
1.一種同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，包括裝有熔融液態(tài)錫O)的錫槽(1)和用 于牽引同軸電纜(3)的導(dǎo)輥G)，其特征在于以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，鍍錫處液面上方設(shè)有保 護(hù)裝置(5)，所述保護(hù)裝置為上、下端開(kāi)口的中空密閉體，所述保護(hù)裝置的側(cè)壁上設(shè)有用于 通入惰性氣體的氣體進(jìn)口(51)，所述保護(hù)裝置的下端口不高于錫槽液面，所述同軸電纜鍍 錫后由所述保護(hù)裝置的下端口進(jìn)入所述保護(hù)裝置中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，其特征在于以使用方 向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述保護(hù)裝置的下端口為一隔離管(52)，所述隔離管的下端口伸入熔融液態(tài)錫 中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，其特征在于以使用方 向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述隔離管的下端口為口徑由下而上漸縮的喇叭狀口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，其特征在于所述隔離管為金屬管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，其特征在于 所述惰性氣體為氮?dú)狻?br> 全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種同軸電纜表面鍍錫裝置的結(jié)構(gòu)改良，包括錫槽和導(dǎo)輥，鍍錫處液面上方設(shè)有保護(hù)裝置，保護(hù)裝置為上、下端開(kāi)口的中空密閉體，保護(hù)裝置側(cè)壁上設(shè)有用于通入惰性氣體的氣體進(jìn)口，保護(hù)裝置的下端口不高于錫槽液面，生產(chǎn)時(shí)，往保護(hù)裝置中通惰性氣體，形成保護(hù)氣氛，同軸電纜從錫槽液面出來(lái)后即進(jìn)入保護(hù)裝置，可防止鍍錫層氧化和變色；保護(hù)裝置下端隔離管使錫槽液面波動(dòng)不影響鍍錫處液面，極大減少鍍錫處液面震動(dòng)，有效改善了鍍錫不均狀況；隔離管的下端口伸入液面以下，鍍?cè)谕S電纜表面的錫從錫槽內(nèi)部補(bǔ)給，防止錫槽液面錫的氧化物附著到同軸電纜表面，改善了產(chǎn)品的品質(zhì)和整體外觀。
文檔編號(hào)C23C2/08GK102031471SQ200910233858
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者強(qiáng)輝 申請(qǐng)人:日星電氣(昆山)有限公司