專利名稱：化學氣相沉積機臺及其遮蔽框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種具有遮蔽框架的化學氣相沉積機臺，特別涉及一種具有定位 板塊的遮蔽框架。
背景技術(shù)：
請參照圖1A，此圖顯示了現(xiàn)有技術(shù)中使用化學氣相沉積法(CVD)于一基板10表面 沉積膜層的情形。其中，為了避免化學氣相沉積制程當中所進行的電漿處理，在基板的邊緣 IOa造成電弧現(xiàn)象，因此會在基板的四周設(shè)置遮蔽框架(Shadow Frame) 12。請參照圖1B，此圖顯示了對基板10進行化學氣相沉積時，相關(guān)設(shè)備的截面圖。一 般而言，基板10是放置于一承載臺(stage) 14上，再由承載臺14將基板10移動至反應室 內(nèi)進行膜層沉積。由遮蔽框架12的截面來看，其為一階梯狀結(jié)構(gòu)，具有第一階梯表面12a 與第二階梯表面12b，其中，第一階梯表面12a正好位于基板10邊緣的上方且面對基板10 的上表面，用以遮蔽基板的邊緣部份10a，至于第二階梯表面12b則鄰近于承載臺14四周的 上表面。為了使承載臺14與遮蔽框架12結(jié)合時能準確的定位，請同時參見圖IA與圖1B， 在遮蔽框架的四個邊框的下表面，也就是在在第二楷梯表面12b上，會分別設(shè)置定位孔 120。并且，在承載臺14四周的上表面也會分別制作對應的定位插銷140。如此一來，當承 載臺14與遮蔽框架12準確的對位時，承載臺14上的插銷140正好會插置于遮蔽框架12 下表面的定位孔120。請參照圖1B、圖2A，此圖顯示了現(xiàn)有技術(shù)中，形成于遮蔽框架12其第二楷梯表面 12b的定位孔120。一般而言，遮蔽框架12為金屬材質(zhì)，但制作在承載臺14上的插銷140 則為陶瓷材質(zhì)(Ceramic)，因此，當承載臺14與遮蔽框架12結(jié)合時，插銷140與定位孔120 的孔壁所發(fā)生的磨擦，會造成定位孔120的孔壁磨損而產(chǎn)生微粒并導致所沉積的膜層良率 下降。為了解決上述的問題，現(xiàn)有技術(shù)中改用了陶瓷材質(zhì)來制作遮蔽框架上的定位孔。 請參照圖2B，其制作方式是先在遮蔽框架12的第二階梯表面12b上形成一個凹洞，并且以 陶瓷材質(zhì)制作一定位塊16，再將此定位塊16填入所述凹洞中。在此定位塊16的表面上，包 括了用來與插銷結(jié)合的定位孔160以及兩個螺孔?？赏ㄟ^螺絲161鎖固的方式，將定位塊 16鎖固于遮蔽框架12上。然而，此種解決方式也會衍生出相關(guān)的缺點。因為遮蔽框架12在周期性的維修 中，會進行陽極處理。但是，經(jīng)常性的陽極處理，容易造成滑牙現(xiàn)象，進而導致螺絲161與定 位塊16由遮蔽框架12上脫落，造成承載臺14或遮蔽框架12的損壞。此外，松脫的定位塊 16也可能導致基板10破裂或是所沉積的膜層異常。請參照圖2C，為了避免前述的的滑牙形象，在現(xiàn)有技術(shù)中也有嘗試將陶瓷材質(zhì)所 制作的定位塊18，以嵌入的方式結(jié)合于遮蔽框架12上。其作法是在遮蔽框架12的第二楷 梯表面12b上挖出一個凹洞，并使凹洞的尺寸與定位塊18的尺寸相符，如此，可直接將定位塊18崁入凹洞而固定于遮蔽框架12上。但是，此種嵌入的方式，由于無法隨意取出，因此當遮蔽框架12進行周期性的陽 極處理時，定位塊18便需要連同遮蔽框架12 —起進行陽極處理。此時，陽極處理中的化學 物質(zhì)容易殘留在定位塊18與遮蔽框架12的縫隙間，因此，在后續(xù)的膜層沉積中便會造成膜 層異常。此外，當定位塊18損壞時，可能需要另外再挖一個新的凹洞，而無法 快速的進行更 換定位塊的作業(yè)，此外也會增加相關(guān)的維護費用。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種新式的遮蔽框架，可由遮蔽框架的內(nèi)緣側(cè)邊，嵌入或取出定 位板塊，而使拆裝更為方便，并大幅減少維修的時間。本實用新型所提供的遮蔽框架，可用于與一承載臺上下結(jié)合，遮蔽位于承載臺上 基板其周圍區(qū)域。此遮蔽框架主要包括了下列組件。一階梯結(jié)構(gòu)，具有第一階梯平面與第 一階梯側(cè)壁，在第一階梯側(cè)壁上具有一凹槽。一定位板塊，可嵌入凹槽而與階梯結(jié)構(gòu)結(jié)合， 定位板塊具有一板面與一側(cè)面，在板面上設(shè)置有一定位孔，提供遮蔽框架與承載臺結(jié)合定 位之用，在側(cè)面上設(shè)置有至少一螺孔，貫穿定位板塊。一螺絲，經(jīng)由螺孔將定位板塊鎖固于 階梯結(jié)構(gòu)上。本實用新型再提供了一種化學氣相沉積機臺，其主要構(gòu)件包括了一反應室、一承 載臺、以及一遮蔽框架。其中，承載臺用以承載一基板至反應室中進行沉積膜層的制程，并 且在承載臺外圍上表面設(shè)置了至少一定位插銷。所述遮蔽框架，則結(jié)合在承載臺之上，以遮 蔽基板的周圍區(qū)域。其中，遮蔽框架包括了一階梯結(jié)構(gòu)與一定位板塊。階梯結(jié)構(gòu)，具有第一 階梯平面與第一階梯側(cè)壁，在第一階梯側(cè)壁上具有一凹槽。定位板塊，可嵌入凹槽而與階梯 結(jié)構(gòu)結(jié)合，定位板塊具有一板面與一側(cè)面，在板面上設(shè)置有一定位孔，提供遮蔽框架與承載 臺結(jié)合定位之用，在側(cè)面上設(shè)置有至少一螺孔，貫穿定位板塊。如此，可通過螺絲通過螺孔 將定位板塊鎖固于階梯結(jié)構(gòu)上。依照本實用新型較佳實施例所述的化學氣相沉積機臺，當該定位板塊嵌入該凹槽 時，該定位板塊的該板面切齊于該第一階梯平面，且該側(cè)面切齊于該第一階梯側(cè)壁。依照本實用新型較佳實施例所述的化學氣相沉積機臺，該凹槽可區(qū)分為鄰近該凹 槽開口端的第一部份凹槽、以及鄰近該凹槽最內(nèi)側(cè)的第二部份凹槽，其中該第一部份凹槽 具有較大的開口尺寸，而該第二部份凹槽具有較小的開口尺寸。依照本實用新型較佳實施例所述的化學氣相沉積機臺，該定位板塊可區(qū)分為一本 體部與二個側(cè)翼部，其中該二個側(cè)翼部分別位于該本體部的兩側(cè)，當該定位板塊嵌入該凹 槽時，該本體部嵌入該第二部份凹槽，而側(cè)翼部則嵌入該第一部份凹槽。依照本實用新型較佳實施例所述的化學氣相沉積機臺，該第二部份凹槽側(cè)壁上具 有內(nèi)縮的溝槽，而該定位板塊前端側(cè)壁上具有凸緣，當該定位板塊嵌入該凹槽時，該凸緣嵌 入該溝槽中。為使本實用新型優(yōu)點及精神能更進一步被揭示，將配合圖式作一詳細說明如后。
圖IA為現(xiàn)有技術(shù)化學氣相沉積制程中以遮蔽框架遮蔽基板四周表面的示意圖；圖IB為現(xiàn)有技術(shù)化學氣相沉積制程中相關(guān)設(shè)備的截面圖；[0021]圖2k為現(xiàn)有技術(shù)中形成于遮蔽框架表面上的定位孔；圖2B為現(xiàn)有技術(shù)中以陶瓷材質(zhì)制作定位塊并以螺絲將定位塊鎖固于遮蔽框架表 面上的情形；圖2C為現(xiàn)有技術(shù)中直接將定位塊嵌入遮蔽框架表面上的情形；圖3為本實用新型所提供遮蔽框架的側(cè)視圖；圖4為本實用新型所提供遮蔽框架應用于化學氣相沉積機臺中的相關(guān)設(shè)備截面 圖；圖5為本實用新型所提供遮蔽框架應用于化學氣相沉積機臺中的相關(guān)設(shè)備側(cè)視 圖。
具體實施方式
請參照圖3，此圖為本實用新型所提供的遮蔽框架3。如同前述，此遮蔽框架3可 與一承載臺結(jié)合，以遮蔽位于承載臺上基板的周圍區(qū)域。此遮蔽框架3的主要結(jié)構(gòu)，包括了 一階梯結(jié)構(gòu)30與一定位板塊31。所述階梯結(jié)構(gòu)30具有第一階梯平面30a、第一階梯側(cè)壁 30b、以及第二階梯平面30c，其中第二階梯平面30c的沿伸方向與第一階梯平面30a概略平 行，至于其平面高度則低于第一階梯平面30a，而構(gòu)成所述階梯結(jié)構(gòu)30。并且，在第一階梯 側(cè)壁30b上制作了一鏤空的凹槽300，而曝露出位于第一階梯平面30a下方的部份第二階梯 平面30c。所述定位板塊31可沿著第二階梯平面30c嵌入凹槽300而與階梯結(jié)構(gòu)30結(jié)合， 此定位板塊31具有一板面31a與一側(cè)面31b。在板面31a上設(shè)置有一定位孔310，提供遮 蔽框架3與承載臺結(jié)合定位之用。在定位板塊31的側(cè)面31b上，則設(shè)置了至少一螺孔311， 貫穿定位板塊31，而能以一螺絲312通過螺孔311，將定位板塊31鎖固于階梯結(jié)構(gòu)30上。當定位板塊31沿著第二階梯平面30c嵌入階梯結(jié)構(gòu)30的凹槽300內(nèi)時，該定位 板塊31的板面31a會切齊于第一階梯平面30a，且側(cè)面31b切齊于第一階梯側(cè)壁30b。換 言之，所述定位板塊31的厚度正好等于第一階梯側(cè)壁30b的高度。在一實施例中，所述階梯結(jié)構(gòu)30的凹槽300，根據(jù)其距離第一階梯側(cè)壁30b的遠 近，可區(qū)分為第一部份凹槽300a與第二部份凹槽300b。其中，鄰近于凹槽300開口端的第 一部份凹槽300a，亦即較鄰近于第一階梯側(cè)壁30b的部份凹槽，具有較大的開口尺寸。至 于，鄰近于凹槽300最內(nèi)側(cè)的第二部份凹槽300b，也就是遠離第一階梯側(cè)壁30b的部份凹 槽，則具有較小的開口尺寸。其中該凹槽可區(qū)分為鄰近該凹槽開口端的第一部份凹槽、以及鄰近該凹槽最內(nèi)側(cè) 的第二部份凹槽，其中該第一部份凹槽具有較大的開口尺寸，而該第二部份凹槽具有較小 的開口尺寸。由于第一部份300a的開口尺寸較第二部份300b的開口尺寸大，因此整個凹槽300 的形狀，由階梯結(jié)構(gòu)30的上方俯視，呈現(xiàn)「凸」字型的形狀。至于，用來與凹槽300嵌合的定位板塊31，由其上方俯視，也呈現(xiàn)「凸」字型的形 狀，而可區(qū)分為一本體部313與二個側(cè)翼部314。其中，二個側(cè)翼部314分別位于本體部313 末端的左、右兩側(cè)。當定位板塊31嵌入凹槽300時，本體部313的前端，正好會嵌入較窄的 第二部份凹槽300b，而本體部313的末端以及兩側(cè)的側(cè)翼部314，則正好嵌入較寬的第一部 份凹槽300a。[0035]在此實施例中，定位板塊31具有二個螺孔311，分別形成于左、右側(cè)翼部314的側(cè) 面31b上，并且所述螺孔311貫穿了整個側(cè)翼部314。另外，在凹槽300的側(cè)壁上也制作了 二個螺孔301，分別對應于定位板塊31的螺孔311，當定位板塊31嵌入凹槽300時，其螺孔 311正好會對準凹槽300側(cè)壁上的螺孔301，而能透過螺絲312將定位板塊31鎖固于階梯 結(jié)構(gòu)30上。為了進一步的防止定位板塊31由階梯結(jié)構(gòu)30脫落，在第二部份凹槽300b的側(cè)壁 3001上，并制作了內(nèi)縮的溝槽3002。如圖所示，溝槽3002夾在側(cè)壁3001與第二階梯平面 30c之間。至于，在定位板塊31前端側(cè)壁上則制作了凸緣315，如圖中所示，此凸緣315制 作于本體部313的側(cè)壁上，并且由本體部313的側(cè)壁向外沿伸。如此一來，當定位板塊31 嵌入凹槽300時，凸緣315正好會嵌入第二部份凹槽300b其溝槽3002中。如同前述，由于遮蔽框架3的材質(zhì)為金屬材質(zhì)，因此，所述階梯結(jié)構(gòu)30也為金屬材 質(zhì)。但是，因為承載臺上的定位插銷為陶瓷材質(zhì)(Ceramic)，所以為了防止定位插銷與定位 孔310的孔壁發(fā)生磨擦導致孔壁磨損進而造成微粒污染，在此實施例中，整個定位板塊31 的材質(zhì)最佳的是由陶瓷材質(zhì)所構(gòu)成。另外，為了避免螺絲312在相關(guān)的維修程序中發(fā)生螺牙滑牙的現(xiàn)象，螺絲312的材 質(zhì)可選擇由不導電的材料來構(gòu)成，例如，可由陶瓷、石英、聚酰亞胺(VESPEL，p0lyimide)、聚 苯咪唑(PBLpolybenzimidazole)或者上述材料的組合加以選取。請參照圖4，此圖顯示了應用遮蔽框架3于化學氣相沉積機臺4時其相關(guān)設(shè)備的截 面圖。所述化學氣相沉積機臺4包括了一反應室40、一承載臺41、以及遮蔽框架3。其中， 承載臺41用來承載一基板42，并移動至反應室40中以進行沉積膜層的制程。如前所述，在 承載臺41外圍的上表面具有一定位插銷410。至于遮蔽框架3，則罩覆并結(jié)合于承載臺41 上，用以遮蔽基板42的周圍區(qū)域。如同前述，此遮蔽框架3包括了階梯結(jié)構(gòu)30、定位板塊31、以及用來鎖固定位板塊 3與階梯結(jié)構(gòu)30的螺絲312。當遮蔽框架3與承載臺41結(jié)合時，其階梯結(jié)構(gòu)30的第二階 梯平面30c位于基板42邊緣的上方，并且面對基板42的上表面，以便遮蔽基板42的邊緣 部份。至于第一階梯平面30a，則位于承載臺41外圍的上方，且正好面對承載臺41的上表 面。藉由定位插銷410與定位孔310的結(jié)合，而使遮蔽框架3與承載臺41間完成準備的對 位。請參照圖5，此圖顯示了相關(guān)設(shè)備的側(cè)視圖。在一較佳實施例中，所述化學氣相 沉積機臺4其承載臺41為一矩形結(jié)構(gòu)，并且在其四個外圍上表面，分別具有四個定位插銷 410。至于，所述遮蔽框架3則為一矩形框架，同樣的，此遮蔽框架3具有四個定位板塊31， 分別位于矩形框架3的四個邊框上，并且每一個定位板塊31由遮蔽框架3的內(nèi)緣嵌入階梯 結(jié)構(gòu)30。要特別指出的是，承載臺41基本上只要具有二個定位插銷410即可達到固定的效 果，因此本發(fā)明中承載臺41只要具有至少二個定位插銷410即可。其中，二個定位插銷410 分別位于承載臺41的二個相對外圍上表面。同樣的，遮蔽框架3亦只要具有至少二個定位 板塊31即可達成所需的功效，此時，所述二個定位板塊31分別位于矩形框架的二相對邊框 上，且每一個定位板塊31可由遮蔽框架3的內(nèi)緣嵌入階梯結(jié)構(gòu)30。使用本新型的方式將定位板塊31組合至遮蔽框架3具有相當?shù)膬?yōu)點。首先，定位板塊31是由遮蔽框架3其邊框的內(nèi)緣進行嵌入或取出，并且，在定位板塊31的板面31a上沒有螺絲，而是在定位板塊31的側(cè)面31b以螺絲來鎖固。換言之，本案中定位板塊31可直 接由遮蔽框架3的側(cè)邊嵌入或取出，因此，在拆裝上較為方便，而可大幅減少維修的時間。其次，由于定位板塊31前端并制作了凸緣315，來嵌合于凹槽300的溝槽3002中， 因此，當遮蔽框架3置放于承載臺4上方時，可以進一步的降低定位板塊31掉落的機率。更者，由于本案中定位板塊31其螺絲312是以不導電材質(zhì)來制作，因此，即便在相 關(guān)的維修程序中，也不易造成螺牙滑牙的現(xiàn)象發(fā)生。并且，即便螺絲312損壞，掉落至化學 氣相沉積機臺上，頂多只會導致所沉積的膜層發(fā)生異常，而不致于造成機臺部件的損壞。綜上所述，僅為本新型的較佳實施例，其并非用以限制本實用新型的實施范圍，任 何熟習該項技藝者依據(jù)本實用新型的精神所做的些微修改，仍應屬本實用新型的保護范 圍。
權(quán)利要求一種遮蔽框架，可與一承載臺結(jié)合，以遮蔽位于承載臺上一基板的周圍區(qū)域，其特征在于，包括一階梯結(jié)構(gòu)，具有一第一階梯平面與一第一階梯側(cè)壁，在該第一階梯側(cè)壁上具有一凹槽；一定位板塊，可嵌入該凹槽而與該階梯結(jié)構(gòu)結(jié)合，該定位板塊具有一板面與一側(cè)面，在該板面上設(shè)置有一定位孔，提供該遮蔽框架與該承載臺結(jié)合定位之用，在該側(cè)面上設(shè)置有至少一螺孔，貫穿該定位板塊；及一螺絲，經(jīng)由該螺孔將該定位板塊鎖固于該階梯結(jié)構(gòu)上。
2.如權(quán)利要求1所述的遮蔽框架，其特征在于，其中當該定位板塊嵌入該凹槽時，該定 位板塊的該板面切齊于該第一階梯平面，且該側(cè)面切齊于該第一階梯側(cè)壁。
3.如權(quán)利要求1所述的遮蔽框架，其特征在于，其中該凹槽可區(qū)分為鄰近該凹槽開口 端的第一部份凹槽、以及鄰近該凹槽最內(nèi)側(cè)的第二部份凹槽，其中該第一部份凹槽具有較 大的開口尺寸，而該第二部份凹槽具有較小的開口尺寸。
4.如權(quán)利要求3所述的遮蔽框架，其特征在于，其中該定位板塊可區(qū)分為一本體部與 二個側(cè)翼部，其中該二個側(cè)翼部分別位于該本體部的兩側(cè)，當該定位板塊嵌入該凹槽時，該 本體部嵌入該第二部份凹槽，而該側(cè)翼部則嵌入該第一部份凹槽。
5.如權(quán)利要求3所述的遮蔽框架，其特征在于，其中該第二部份凹槽側(cè)壁上具有內(nèi)縮 的溝槽，而該定位板塊前端側(cè)壁上具有凸緣，當該定位板塊嵌入該凹槽時，該凸緣嵌入該溝 槽中。
6.一種化學氣相沉積機臺，其特征在于，包括一反應室；一承載臺，用以承載一基板至該反應室中，其中該承載臺外圍上表面具有一定位插銷；及一遮蔽框架，結(jié)合于該承載臺之上，以遮蔽該基板的周圍區(qū)域，該遮蔽框架包括了 一階梯結(jié)構(gòu)，具有一第一階梯平面與一第一階梯側(cè)壁，在該第一階梯側(cè)壁上具有一凹槽，一定位板塊，可嵌入該凹槽而與該階梯結(jié)構(gòu)結(jié)合，該定位板塊具有一板面與一側(cè)面，在 該板面上設(shè)置有一定位孔，用以跟該承載臺的該定位插銷接合，以提供該遮蔽框架與該承 載臺結(jié)合定位之用，在該側(cè)面上設(shè)置有至少一螺孔，貫穿該定位板塊， 一螺絲，經(jīng)由該螺孔將該定位板塊鎖固于該階梯結(jié)構(gòu)上。
7.如權(quán)利要求6項所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中該承載臺為一矩形結(jié) 構(gòu)，且具有至少二個該定位插銷，分別位于其外圍上表面，所述至少二個該定插銷并分別位 于該承載臺的二個相對外圍上。
8.如權(quán)利要求6所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中該遮蔽框架為一矩形框 架，具有至少二個該定位板塊，分別位于該矩形框架的二相對邊框上，且每一個該定位板塊 由該遮蔽框架的內(nèi)緣嵌入該階梯結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求6所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中當該定位板塊嵌入該凹 槽時，該定位板塊的該板面切齊于該第一階梯平面，且該側(cè)面切齊于該第一階梯側(cè)壁。
10.如權(quán)利要求6所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中該凹槽可區(qū)分為鄰近該凹槽開口端的第一部份凹槽、以及鄰近該凹槽最內(nèi)側(cè)的第二部份凹槽，其中該第一部份凹 槽具有較大的開口尺寸，而該第二部份凹槽具有較小的開口尺寸。
11.如權(quán)利要求10所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中該定位板塊可區(qū)分為 一本體部與二個側(cè)翼部，其中該二個側(cè)翼部分別位于該本體部的兩側(cè)，當該定位板塊嵌入 該凹槽時，該本體部嵌入該第二部份凹槽，而側(cè)翼部則嵌入該第一部份凹槽。
12.如權(quán)利要求10所述的化學氣相沉積機臺，其特征在于，其中該第二部份凹槽側(cè)壁 上具有內(nèi)縮的溝槽，而該定位板塊前端側(cè)壁上具有凸緣，當該定位板塊嵌入該凹槽時，該凸 緣嵌入該溝槽中。
專利摘要一種化學氣相沉積機臺及其遮蔽框架，該遮蔽框架可與一承載臺結(jié)合，以遮蔽位于承載臺上基板的周圍區(qū)域。此遮蔽框架包括了下列組件。一階梯結(jié)構(gòu)，具有第一階梯平面與第一階梯側(cè)壁，在第一階梯側(cè)壁上具有一凹槽。一定位板塊，可嵌入凹槽而與階梯結(jié)構(gòu)結(jié)合，定位板塊具有一板面與一側(cè)面，在板面上設(shè)置有一定位孔，提供遮蔽框架與承載臺結(jié)合定位之用，在側(cè)面上設(shè)置有至少一螺孔，貫穿定位板塊。一螺絲，經(jīng)由螺孔將定位板塊鎖固于階梯結(jié)構(gòu)上。
文檔編號C23C16/04GK201567370SQ200920076138
公開日2010年9月1日 申請日期2009年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月11日
發(fā)明者徐鳴均, 李亭輝, 蕭文應, 鄭琮锜 申請人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司