專利名稱：非電解沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非電解沉積化合物，特別是電致變色化合物到非導(dǎo)電固體基底上 的新方法。
背景技術(shù)：
電致變色裝置通常具有包括至少五層的結(jié)構(gòu)，即兩層透明外層、兩層導(dǎo)電層以及 位于兩導(dǎo)電層之間的電解液，兩層透明外層例如兩層無機(jī)或礦物玻璃板，兩層導(dǎo)電層例如 由摻雜有錫的氧化銦(氧化銦錫，ΙΤ0)沉積在各外層的內(nèi)表面的膜形成。電致變色化合物 可以在電解液中引入，或者沉積于導(dǎo)電層的一層或另一層或兩層中。將至少一種電致變色化合物薄層沉積在覆蓋有導(dǎo)電層的基底上，可例如通過電鍍 的方法進(jìn)行，即先將導(dǎo)電層連接至電極，再將待鍍物浸入含有待沉積電致變色化合物前體 的溶液中。在與導(dǎo)電層連接的電極和與含有電致變色化合物前體的溶液接觸的反電極間施 加電位差使在導(dǎo)電表面上的化合物前體發(fā)生氧化還原反應(yīng)(還原或氧化反應(yīng))以及使在所 述表面形成的電致變色化合物沉積。用于實(shí)現(xiàn)這種電鍍工藝的裝置相對復(fù)雜，并且需要電鍍裝置各元件的幾何形狀與 待鍍物大小相適應(yīng)。這使得難于形成均勻的沉積，特別是對于較大的物體。與電極連接位 置相距較遠(yuǎn)時(shí)，在塑性基底上的至少為60歐姆/方的ITO膜的相對較高方塊電阻具體反映 了電致變色沉積厚度的減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種用于在涂有導(dǎo)電層的基底上沉積電致變色化合物的方 法，該方法既能克服需要電鍍裝置的尺寸適應(yīng)待鍍物大小的缺點(diǎn)，又有利于在擴(kuò)大的表面 上形成均勻厚度的沉積物。申請人開發(fā)的方法可以以簡單和廉價(jià)的方式同時(shí)解決這些問 題。本發(fā)明方法的工作原理基本包括以置于導(dǎo)電層有限區(qū)域上的足量氧化還原劑代替電鍍 裝置的兩個電極。當(dāng)與氧化還原劑接觸的導(dǎo)電層與合適的待沉積電致變色化合物前體溶液 接觸時(shí)，氧化還原反應(yīng)通過導(dǎo)電層間接發(fā)生在沉積于導(dǎo)電層上的氧化還原劑與該溶液中的 前體之間。溶液中的前體與導(dǎo)電層表面接觸后，被還原或氧化形成不溶性的化合物，沉積在 導(dǎo)電層的表面。在涉及氧化還原劑(還原或氧化劑)和溶液中的前體的該氧化還原反應(yīng)過 程中，通過導(dǎo)電層間接發(fā)生電子的交換。雖然申請人開發(fā)該技術(shù)用來制備電致變色裝置，即使用透明基底、透明導(dǎo)電層和 電致變色化合物的裝置，其也可用于非導(dǎo)電基底和不透明導(dǎo)電層以及非電致變色化合物。 因此在下文中說明的用于制備電致變色裝置的非電解沉積方法的應(yīng)用，僅構(gòu)成本發(fā)明優(yōu)選 的實(shí)施方案。因此，本發(fā)明一個主題是化合物非電解沉積的方法，該方法包括以下相繼的步 驟(a)將導(dǎo)電層沉積在非導(dǎo)電固體基底上；
(b)將還原劑或氧化劑(=氧化還原劑)沉積在導(dǎo)電層的區(qū)域上，所述區(qū)域僅覆蓋 所述導(dǎo)電層的部分表面；(c)使待沉積化合物的前體溶液同時(shí)與氧化還原劑和未被氧化還原劑覆蓋的導(dǎo)電 層的至少一部分表面接觸，所述前體選自氧化還原電勢比氧化還原劑高或低的并且在氧化 還原反應(yīng)后形成不溶于待沉積化合物前體溶液中的化合物的那些物質(zhì)。申請人:發(fā)現(xiàn)在步驟(C)期間，氧化還原反應(yīng)所涉及的三種制劑，即氧化還原劑、導(dǎo) 電層和待沉積化合物的前體溶液，每種均需要與另外兩種制劑接觸。這樣做的原因是此三 重接觸確保前體溶液呈電中性。因此，-當(dāng)氧化還原制劑線僅浸入浸有帶導(dǎo)電層的基底的前體溶液時(shí)(氧化還原制劑未 與導(dǎo)電層接觸)，或-當(dāng)隔離的前體溶液滴沉積在未覆蓋有氧化還原制劑的部分導(dǎo)電層上時(shí)(溶液與 氧化還原制劑未接觸)，不會發(fā)生期望的反應(yīng)(前體的還原或氧化)。如背景技術(shù)部分所述，待沉積化合物優(yōu)選是電致變色化合物。因此，在溶液中的前 體優(yōu)選是還原或氧化后形成不溶于所述溶液的電致變色化合物的化合物。在已知的電致變色化合物中，特別優(yōu)選的是兩種顯色狀態(tài)中一種是基本無色狀 態(tài)的電致變色化合物。這些可提及的優(yōu)選電致變色化合物的實(shí)例包括六氰基金屬化物 (hexacyanometallate),如六氰高鐵酸(hexacyanoferrate)鐵、六氰高鐵酸 凡、六氰高鐵 酸釕、六氰高鐵酸鎘、六氰高鐵酸鉻、六氰高鐵酸鈀或六氰高鐵酸鉬；芳基紫羅堿和芳基烷 基紫羅堿，如芐基紫羅堿；和C7,烷基紫羅堿，如庚基紫羅堿。盡管Cp6烷基紫羅堿具有良好的電致變色性，但是由于其是水溶性化合物，因此當(dāng) 含有待沉積化合物前體的溶液是水溶液時(shí)(通常是這樣)，其不適合用于本發(fā)明方法。在本發(fā)明一個特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，電致變色化合物是六氰高鐵酸鐵(普 魯士藍(lán))，分子式為M+Fe11Fein (CN)6,其中M+為陽離子，例如為K+或l/3Fe3+,其在完全 氧化態(tài)(FemCl3和Kfem (CN)6)時(shí)為淡黃色并且是水溶性的，當(dāng)其處于混合價(jià)態(tài)時(shí) (M+Fe1Vem(CN)6)，會形成藍(lán)色的層并且不溶于水。該混合價(jià)態(tài)通過還原溶液中存在的前體 獲得。形成的層可以自身經(jīng)過還原成為M' I+Fe1Ve11 (CN)6W而變成無色，其中是M'是陽 離子，例如Li+或K+。因此普魯士藍(lán)的電致變色具有完全無色透明狀態(tài)M’ +M+Fe11Fe11(CN)6 和藍(lán)色狀態(tài)M+Fe1Vein (CN)60如背景技術(shù)部分所述，其上沉積有導(dǎo)電層的非導(dǎo)電基底優(yōu)選是透明或半透明基 底。其可以是無機(jī)玻璃基底或透明有機(jī)基底，例如由以下材料制成聚(對苯二甲酸乙二醇 酯)、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚甲基丙烯酸甲基酯、對苯二甲酸乙二醇酯和碳酸 酯的共聚物、聚烯烴(尤其是聚降冰片烯)、二甘醇雙(烯丙基碳酸酯)均聚物和共聚物、 (甲基)丙烯酸均聚物和共聚物(尤其是基于雙酚A的(甲基)丙烯酸均聚物和共聚物)、 硫代(甲基)丙烯酸均聚物和共聚物、氨基甲酸乙酯和硫代氨基甲酸乙酯均聚物和共聚物、 環(huán)氧化物均聚物和共聚物、和環(huán)硫化物均聚物合共聚物。特別地，基底可以是相對彈性的材料，可通過卷對卷式(roll-to-roll)印刷沉積 電致變色化合物。當(dāng)基底由透明或半透明的材料形成時(shí)，沉積于其上的導(dǎo)電層優(yōu)選也由透明或半透明材料形成。本領(lǐng)域中已知某些有機(jī)或無機(jī)透明導(dǎo)電材料。最常見和使用最廣泛使用的無 機(jī)材料是縮寫為TCO的透明導(dǎo)電氧化物，其中可提及的是氧化錫、氧化銦和氧化鋅的衍生 物。特別可提及的是摻雜有氟的氧化錫(FT0，氧化氟錫)、摻雜有錫的氧化銦(ΙΤ0，氧化銦 錫)、摻雜有銻的氧化錫和摻雜有鋁的氧化鋅。特別優(yōu)選的是摻雜有錫的氧化銦(ITO)。聚(3，4_亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)是有利的透明有機(jī)導(dǎo)電材料。此聚合物由于對 可見光的透光度及其固有導(dǎo)電率而為人們所熟知，但是其也有不能融化以及不溶于大多數(shù) 有機(jī)溶劑中的缺點(diǎn)，這使得其難于以薄膜形式使用和涂布。因此PEDOT通常以聚(3，4_亞 乙二氧基噻吩)和聚(苯乙烯磺酸酯)(PSQ的混合物水性分散體形式銷售。在本發(fā)明一 個實(shí)施方式中，導(dǎo)電層是含有PED0T，優(yōu)選與PSS組合的有機(jī)層。在透明基底上形成的透明導(dǎo)電層厚度優(yōu)選為IOnm至lOOOOnm，特別是100至 300nmo當(dāng)導(dǎo)電層形成后，優(yōu)選覆蓋在非導(dǎo)電基底的一個面的整個或幾乎整個面上，氧化 還原劑沉積在此導(dǎo)電層的有限區(qū)域上。此氧化還原劑當(dāng)然不同于形成導(dǎo)電層的材料。氧化 還原劑與導(dǎo)電層材料不同的情況特別針對于PED0T，特別是在其氧化態(tài)下PEDOT是透明的 導(dǎo)電聚合物，以及在還原態(tài)下PEDOT可用作還原劑。因此在本發(fā)明中，PEDOT可用作導(dǎo)電層 或用作還原劑，但是不能同時(shí)用作導(dǎo)電層和還原劑。在步驟(b)中沉積在導(dǎo)電層上的氧化還原劑優(yōu)選是待沉積化合物前體的還原劑， 換句話說是氧化還原電勢比前體/待沉積化合物對低的化合物。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，還原劑是金屬態(tài)(零氧化態(tài))的金屬，氧化還原電勢低 于0. 7V ( = Fe111Fe111 (CN) JM+Fe11Fem (CN) 6對的氧化還原電勢)。此金屬優(yōu)選選自=Ni、Mo、 Cu、Co、In、Fe、Zn、Si、Ag、Ti 和 Al，特別選自 Ni、Ag、Ti 和 Al，更優(yōu)選選自 Ni、Ag 和 Al。在另一實(shí)施方式中，還原劑是含有通常與PSS組合使用的聚(3，4-亞乙二氧基噻 )(PED0T)的層。使用這種高分子還原劑的優(yōu)點(diǎn)在于應(yīng)用方便。具體來說，PED0T/PSS水 性分散體可以用刷子手動涂布或通過印刷涂布，然而金屬層的沉積通常需要更加復(fù)雜的技 術(shù)，如物理氣相沉積(PVD)，特別是蒸發(fā)沉積。由氧化還原劑所覆蓋的導(dǎo)電層表面的區(qū)域范圍比所述層的表面范圍相對小。優(yōu)選 小于導(dǎo)電層表面范圍的10%，特別是小于5%，理想的是小于2%。當(dāng)氧化還原劑為鎳時(shí)，此 表面可以是小于0. 5%，甚至小于0. 2%。待沉積氧化還原劑的量取決于期望獲得的沉積物的厚度。具體地，金屬或高分子 (PEDOT)還原劑在本發(fā)明方法中用作可得電子的“存儲器”，其通過導(dǎo)電層將溶液中處于氧 化態(tài)的前體還原。該存儲器越大，最終以固體層形式沉積在導(dǎo)電層表面的被還原的前體分 子數(shù)量越多。申請人:希望指出本發(fā)明方法的巨大的經(jīng)濟(jì)效益。具體地，待沉積化合物僅在導(dǎo)電 層-溶液界面局部發(fā)生還原或氧化反應(yīng)，而不是在整個溶液中發(fā)生還原或氧化反應(yīng)。因此， 在含有溶液的容器壁上幾乎觀察不到有沉積物形成，在溶液中也觀察不到有任何沉淀形 成。因此可以制備含有大量待沉積化合物前體的溶液，并將此溶液用于大量待處理的樣品。 幾乎所有的前體將在待處理表面發(fā)生氧化還原反應(yīng)，并沉積在該表面上。當(dāng)待沉積化合物 含有貴金屬時(shí)，幾乎不會發(fā)生任何由于假性沉積于裝置壁上所導(dǎo)致的損失，這方面是特別 重要的。
溶液中待沉積化合物前體濃度通常為10_3至101。步驟(c)優(yōu)選在室溫下進(jìn)行，即在15至30°C的溫度下進(jìn)行。如背景技術(shù)部分所述，當(dāng)導(dǎo)電層是透明的導(dǎo)電氧化物(TCO)或PEDOT時(shí)，其在塑性 基底上的60歐姆/平方米(ohms/square)數(shù)量級的相對較高的方塊電阻，在待覆蓋的表面 范圍增加時(shí)可能證明是缺點(diǎn)。在本發(fā)明中，這個問題可通過氧化還原劑沉積的適當(dāng)分布容 易解決。盡管在電鍍工藝中，難于改變所用電極的大小和形狀，但相反，在本發(fā)明的非電解 沉積工藝中，非常易于在所述區(qū)域以所述量沉積氧化還原劑，使得得到電致變色化合物的 均勻沉積。一般，當(dāng)待處理表面大小相對較小并且?guī)缀鯖]有形成非均勻沉積物的風(fēng)險(xiǎn)時(shí)，優(yōu) 選將氧化還原劑沉積在導(dǎo)電層表面的邊緣，特別優(yōu)選的是沉積在導(dǎo)電層表面的整個外周 上。對于較大的表面，步驟(b)中的氧化還原劑的沉積優(yōu)選還根據(jù)延伸整個導(dǎo)電層表 面但僅覆蓋其一部分的規(guī)則圖案進(jìn)行。換言之，氧化還原劑的沉積例如是均勻分布在導(dǎo)電 層表面的一組等距線或一組點(diǎn)的規(guī)則網(wǎng)格。由于各個覆蓋有氧化還原劑的區(qū)域構(gòu)成獨(dú)立的 電子供體或受體存儲器，各沉積物不必彼此接觸。氧化還原劑的這種規(guī)則圖案的沉積可根 據(jù)已知的光刻技術(shù)進(jìn)行，該技術(shù)包括(a)形成光可交聯(lián)層，(b)照射待交聯(lián)的區(qū)域，(c)除 去未照射區(qū)域(未交聯(lián)的)，(d)將氧化還原劑沉積在未被交聯(lián)的掩膜覆蓋的區(qū)域，以及(e) 除去交聯(lián)的掩膜。除光刻技術(shù)外，噴墨沉積、蒸發(fā)沉積、絲網(wǎng)印刷或移印也可用于沉積氧化還原劑。當(dāng)氧化還原劑形成可被氧化還原反應(yīng)消耗的層時(shí)，例如金屬鎳被氧化成溶于前體 溶液的M2+離子，施加于導(dǎo)電層上的規(guī)則圖案優(yōu)選是盡可能精細(xì)的，以最小化氧化還原劑 離去后的未覆蓋區(qū)域引起的混亂感覺(esthetic perturbation)。在步驟(c)中，含有待沉積化合物的前體溶液與導(dǎo)電層表面的接觸時(shí)間取決于期 望獲得的沉積物的厚度、待沉積化合物的性質(zhì)、導(dǎo)電層的導(dǎo)電率、溫度、溶液濃度等。申請人 非常意外地發(fā)現(xiàn)，固體沉積物在導(dǎo)電層表面的形成速率取決于鎳沉積物的厚度。該沉積物 越厚，沉積越快，接觸時(shí)間越變短。一般，導(dǎo)電膜與前體溶液的接觸時(shí)間為數(shù)十秒至約十分鐘，例如30秒至8分鐘，優(yōu) 選為1分鐘至5分鐘。導(dǎo)電層表面與溶液的接觸可以已知的方式進(jìn)行，例如沉浸、離心沉積、噴霧、輥涂 或刮涂。當(dāng)基底具有足夠的彈性時(shí)，這種接觸可有利地通過卷對卷式印刷進(jìn)行。如上所述， 所有的這些工藝都需要小心地進(jìn)行，以保證氧化還原劑和導(dǎo)電層都與前體溶液直接接觸。本發(fā)明方法相對于電鍍工藝的一個優(yōu)點(diǎn)在于這樣的事實(shí)原則上不需要將覆蓋有 導(dǎo)電層的基底沉浸在含有前體制劑的溶液中。當(dāng)其它易損的沉積物已在基底上或基底下形 成時(shí)(例如裝配用粘合劑(mounting adhesive)的沉積物)，這個優(yōu)點(diǎn)是非常重要的。在本發(fā)明一個特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，非電解沉積工藝包括以下相繼的步驟(a)將透明導(dǎo)電層沉積在透明的非導(dǎo)電固體基底上；(b)將金屬還原劑沉積在所述透明導(dǎo)電層的區(qū)域上，所述區(qū)域僅覆蓋所述導(dǎo)電層 的部分表面，以及(c)使六氰高鐵酸金屬鹽的氧化的前體溶液與還原劑和未被還原劑覆蓋的透明導(dǎo)電層的至少部分表面接觸足夠的時(shí)間，以在透明導(dǎo)電層的表面形成可見的六氰高鐵酸鹽的 固體沉積物。此優(yōu)選的實(shí)施方式通過下述實(shí)施例1進(jìn)行說明。實(shí)施例2涉及PEDOT作為還原劑 在ITO層上的用途。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1將厚約200nm的ITO層沉積在透明的聚(二甘醇雙(烯丙基碳酸酯))(CR-39來 自PPG Industries)圓形基底(直徑為6. 7cm)上，然后用蒸發(fā)沉積法將金屬鎳沉積到如此 獲得的樣品的邊緣上。再將該制品(CR39-IT0_Ni)完全沉浸在含有1(Γ2Μ的FeCl3和1(Γ2Μ的Kfe (CN)6 的水溶液中。約3分鐘后，從溶液中取出樣品，觀察到形成了均勻的藍(lán)色沉積物。鎳沉積已 經(jīng)消失，在邊緣留下了未著色的區(qū)域。重復(fù)相同的測試，但將樣品逐漸浸入溶液，歷時(shí)4分鐘時(shí)，則會觀察到顏色梯度。實(shí)施例2將約200nm厚的透明導(dǎo)電ITO膜沉積在透明的聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)基 底上。將 PED0T/PSS(Baytron PH500，來自 HC Marck，Clevios PH500)水性分散體手 工沉積在該膜的外周，以便在干燥后獲得約150mm厚的膜。將如此獲得的制品在含有1(Γ2Μ 的FeCl3和IO-2M的K3Fe(CN)6的水溶液中浸漬3分鐘。隨后，從溶液中取出樣品?？梢杂^ 察到均勻的藍(lán)色。與金屬鎳沉積物不同的是，PED0T/PSS膜仍然在樣品上且為藍(lán)色。實(shí)施例3重復(fù)實(shí)施例1的方法，但使用透明的基底PET代替CR39。約3分鐘后，從溶液中取 出樣品，可觀察到形成了均勻的藍(lán)色沉積物。實(shí)施例4重復(fù)實(shí)施例1的方法，但使用基于銀的粘合劑作為氧化還原劑代替金屬鎳沉積 物。約3分鐘后，從溶液中取出樣品，可觀察到形成了均勻的藍(lán)色沉積物。實(shí)施例5將厚約200nm的透明導(dǎo)電ITO層沉積在透明PET基底上。將鋁金屬層通過蒸發(fā)沉 積沉積在該層的外周上。將如此獲得的制品在含有5X IO3M的二溴化庚基紫羅堿和IO4M 的高氯酸四丁基銨的水溶液中浸漬約3分鐘。隨后，從溶液中取出樣品。在ΙΤ0/ΡΕΤ層上 形成了粉紅色庚基紫羅堿二聚體沉積物。金屬鋁沉積物已經(jīng)溶解。
權(quán)利要求
1.非電解沉積化合物的方法，包括以下相繼的步驟(a)將導(dǎo)電層沉積在非導(dǎo)電固體基底上；(b)將還原劑或氧化劑(氧化還原劑)沉積在所述導(dǎo)電層的區(qū)域上，所述區(qū)域僅覆蓋了 所述導(dǎo)電層的部分表面；(c)使待沉積的化合物的前體溶液同時(shí)與所述氧化還原劑和未被所述氧化還原劑覆蓋 的導(dǎo)電層的至少一部分表面接觸，所述前體選自那些氧化還原電勢比所述氧化還原劑高或 低并在氧化還原反應(yīng)后形成不溶于待沉積化合物前體溶液的化合物的物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非電解沉積方法，其特征在于所述待沉積的化合物是電致變 色化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非電解沉積方法，其特征在于所述非導(dǎo)電基底以及沉積于其 上的導(dǎo)電層均由透明或半透明的材料獨(dú)立地形成。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于所述導(dǎo)電層是摻 雜有錫的氧化銦(ITO)層、摻雜有錫的氧化氟層(FTO)或含有聚(3，4_亞乙二氧基噻吩) (PEDOT)的層。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于在步驟(b)中沉積 的所述氧化還原劑是待沉積化合物前體的還原劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非電解沉積方法，其特征在于所述還原劑選自金屬態(tài)的以下 金屬:Ni、Mo、Cu、Co、In、Fe、Zn、Si、Ag、Ti和Al，優(yōu)選選自金屬態(tài)的以下金屬Ni、Ag、Ti和 Al，特別選自金屬態(tài)的Ni、Ag和Al。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于所述還原劑是含有 聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)的膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-7中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于所述電致變色化合 物選自六氰基金屬化物、芳基紫羅堿、芳基烷基紫羅堿和C7,烷基紫羅堿。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非電解沉積方法，其特征在于所述電致變色化合物是六氰高 鐵酸鐵(普魯士藍(lán))。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于步驟(b)中的所 述氧化還原劑的沉積是在所述導(dǎo)電層表面邊緣進(jìn)行。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于步驟(b)中的所 述氧化還原劑的沉積是按照在所述導(dǎo)電層的整個表面上延伸但僅覆蓋其一部分的規(guī)則圖 案進(jìn)行。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的非電解沉積方法，其特征在于在步驟(c)中，含 有待沉積化合物的前體的溶液與所述氧化還原劑和所述導(dǎo)電層表面接觸的時(shí)間為30秒至 8分鐘，優(yōu)選1至5分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及化合物，特別是電致變色化合物的非電解沉積方法，該方法包括以下相繼的步驟(a)將導(dǎo)電層沉積在非導(dǎo)電固體基底上；(b)將還原劑或氧化劑(＝氧化還原試劑)沉積在所述導(dǎo)電層的區(qū)域上，所述區(qū)域僅覆蓋所述導(dǎo)電層的部分表面；以及(c)，使待沉積的化合物的前體溶液與所述氧化還原劑和未被所述氧化還原試劑覆蓋的導(dǎo)電層的至少一部分表面接觸，所述前體選自那些氧化還原電勢比所述氧化還原劑高或低且在氧化還原反應(yīng)后形成不溶于待沉積化合物前體溶液的化合物的物質(zhì)。
文檔編號C23C18/54GK102124143SQ200980125637
公開日2011年7月13日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者克洛迪娜·比韋, 桑德蘭·迪呂阿爾 申請人:埃西勒國際通用光學(xué)公司