專利名稱：圓筒形濺鍍靶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圓筒形濺鍍靶及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，平板顯示器或太陽能電池使用的玻璃基板已大型化，為了在此大型化的基板上形成薄膜，必須有長度超過:3m的圓筒形靶。此種長條狀圓筒形濺鍍靶是用于磁控管旋轉(zhuǎn)陰極濺鍍裝置。圓筒形濺鍍靶，通常是在長條狀圓筒形基體材料上固定圓筒形靶材而成，就圓筒形基體材料而言，一般使用金屬的無縫管。將長條狀圓筒形基體材料的全部面進行研磨加工，耗費成本，因而并不經(jīng)濟，而且加工精度也是一種問題。所以，僅對圓筒形基體材料的兩端部分進行研磨加工以安裝濺鍍裝置，固定圓筒形靶材的部分仍為無縫管原管的狀態(tài)，并非真圓，故存在起伏或翹曲等。另外，在長條狀圓筒形濺鍍靶中，有時亦由10個以上小型圓筒形靶材堆疊而構(gòu)成，堆疊造成的偏移，成為使圓筒形靶材外周面產(chǎn)生高低平面的差異(段差)的原因。再者，為了防止由多個圓筒形靶材構(gòu)成的多段(多分割)圓筒形濺鍍靶因濺鍍中的等離子體
造成圓筒形靶材熱膨脹，靶材彼此碰撞破裂，則必須具有分割部使相鄰的圓筒形靶材間有間隔地配置。尤其，此種分割部容易在相鄰圓筒形靶材的外周面產(chǎn)生高低平面的差異。在將多枚靶材構(gòu)件配置于單一支承板的平板型靶材中，就不產(chǎn)生高低平面的差異的方法而言，已知有如下方法將濺鍍面高度高的靶構(gòu)件的分割部側(cè)濺鍍面制成斜面，使其直至濺鍍面高度低的濺鍍面(例如專利文獻1)。但是，此方法必須對于靶材施以研磨加工， 故有靶材損耗較大的問題。另外，就使圓筒形靶材與圓筒形基體材料的中心對準的方法而言，利用稍薄于圓筒形基體材料與圓筒形靶材的間隔的間隔件，使圓筒形基體材料的外周面與靶材的內(nèi)周面的中心對準的方法(例如參照專利文獻2、；3)。但是，在此種方法中，使用長條狀圓筒形基體材料時，有時圓筒形靶材無法插入到圓筒形基體材料中，圓筒形基體材料的形狀造成圓筒形靶材的位置受到限制，有時會在相鄰的圓筒形靶材的外周面產(chǎn)生高低平面的差異等。(現(xiàn)有技術(shù)文獻)(專利文獻)專利文獻1 日本特開2000-204468號公報專利文獻2 日本特開平08-060351號公報專利文獻3 日本特開2005-281862號公報

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明要解決的問題)本發(fā)明的課題在于提供圓筒形濺鍍靶，即使在利用由多個圓筒形靶材構(gòu)成的長條狀圓筒形濺鍍靶來濺鍍成膜時，成膜步驟的制造成品率也很高。
(解決問題的方法)本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述問題，進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在由多個圓筒形靶材構(gòu)成的圓筒形濺鍍靶中，抑制相鄰圓筒形靶材彼此外周面的高低平面差異，可抑制濺鍍成膜時的異常放電與微粒的產(chǎn)生，完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供一種圓筒形濺鍍靶，其是利用接合材料將堆疊的多個圓筒形靶材接合在圓筒形基體材料的外周面而形成的，其中，相鄰的圓筒形靶材間具有間隔并且配置有分割部，且位于分割部的相鄰圓筒形靶材的外周面的高低平面差異為0. 5mm以下。另外，本發(fā)明提供一種圓筒形濺鍍靶的制造方法，其特征在于，將多個堆疊的圓筒形靶材利用接合材料接合到圓筒形基體材料的外周面，制造圓筒形濺鍍靶，在以圓筒形基體材料為基準配置多個圓筒形靶材時，以一側(cè)圓筒形靶材的外周面為基準固定另一側(cè)的圓筒形靶材，使相鄰圓筒形靶材的外周面的高低平面差異為0. 5mm以下。(發(fā)明的效果)依據(jù)本發(fā)明，即使在利用由多個圓筒形靶材構(gòu)成的長條狀圓筒形濺鍍靶來濺鍍成膜時，也可抑制異常放電與微粒的產(chǎn)生，并可提高成膜步驟的制造成品率。


圖1為長度方向的剖面圖，其顯示了本發(fā)明圓筒形濺鍍靶的組裝狀態(tài)的一例。圖2為徑向的剖面圖，其顯示了本發(fā)明圓筒形濺鍍靶的組裝狀態(tài)的一例。圖3為概略圖，其說明了本發(fā)明圓筒形濺鍍靶外周面的高低平面差異。圖4為徑向的剖面圖，其顯示了比較例中圓筒形濺鍍靶的組裝狀態(tài)的一例。圖5為長度方向的剖面圖，其顯示了比較例中圓筒形濺鍍靶的組裝狀態(tài)的一例。符號說明1 圓筒形基體材料2 圓筒形靶材3 空間4 封裝夾具5 密封材料6a、6b 基體材料推壓件7 靶材推壓件8 塊件9 連結(jié)軸10 間隔件
具體實施例方式以下參照圖1 圖3詳細說明本發(fā)明。就本發(fā)明的圓筒形濺鍍靶所使用的圓筒形靶材2而言，可使用一般濺鍍中使用的各種材質(zhì)，可列舉例如In、Sn、Zn、Al、Nb、Ti等金屬，或是含有這些金屬的合金，或這些金屬等的一種以上氧化物或氮化物等。氧化物中，可列舉例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、AZ0(Aluminum Zinc Oxide，氧化鋁鋅)、IZOQndium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、Sn02、h203、A1203、Ti02、ZnO等，這些脆的陶瓷材料，尤其可獲得本發(fā)明的效果。就本發(fā)明圓筒形濺鍍靶使用的圓筒形基體材料1而言，可使用各種材質(zhì)。就其材質(zhì)而言，只要是滿足下述條件的材質(zhì)即可在使用靶進行濺鍍時，具有可進行充分冷卻的熱傳導(dǎo)性使得接合圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2的接合材料不致劣化、熔化，并具有在濺鍍時可從靶材2放電的導(dǎo)電性，還具有可支持靶材的強度等。就此種材質(zhì)而言，可列舉例如Cu、Ti、Al、Mo、含有這些金屬的合金、SUS等。另外，就圓筒形基體材料1的長度而言，并無特別限制。在本實施方式中，即使使用具有IOOOmm以上長度的圓筒形基體材料的圓筒形濺鍍靶，也可以以高成品率進行成膜。就本實施方式的圓筒形濺鍍靶所使用的接合材料而言，只要是滿足下述條件的材質(zhì)即可具有在使用靶材進行濺鍍時，可進行充分冷卻的熱傳導(dǎo)性使得接合材料不致劣化、 熔化，并具有在濺鍍時可從靶材2放電的導(dǎo)電性，還具有可支持靶材的強度等?？闪信e例如軟焊材料或?qū)щ娦詷渲?。就軟焊材料而言，只要是一般使用作為軟焊材料者即可使用。?yōu)選為低熔點軟焊， 例如有111、^1合金、311、311合金等。更優(yōu)選為合金軟焊。h或h合金軟焊在平板型靶的實際應(yīng)用中亦相當(dāng)豐富，另外，因為富有延展性，故亦具有緩和在濺鍍中受到加熱的靶材2與受到冷卻的基體材料1的熱膨脹等應(yīng)變(歪* )的效果。就導(dǎo)電性樹脂而言，可列舉例如在環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂中混合Ag、C、Cu等導(dǎo)電性物質(zhì)作為填料制成的導(dǎo)電性樹脂。本實施方式的圓筒形濺鍍靶，是將多個圓筒形靶材2接合到圓筒形基體材料1上而成的，相鄰的圓筒形靶材2具有間隔并且配置有分割部，位于該分割部的相鄰圓筒形靶材2的外周面的高低平面差異為0. 5mm以下。此高低平面差異優(yōu)選為0. 3mm以下，更優(yōu)選為0. 2mm以下。當(dāng)使用存在有較大高低平面差異的圓筒形濺鍍靶進行濺鍍時，因為電場集中在突出側(cè)的圓筒形靶材的邊緣，故會發(fā)生異常放電，靶材的邊緣容易破碎，產(chǎn)生微粒。尤其是當(dāng)圓筒形濺鍍靶上存在有較大高低平面差異時，因為為圓筒形結(jié)構(gòu)，故在高低平面差異的相對側(cè)亦存在有相反凹凸的高低平面差異。所以，旋轉(zhuǎn)此種靶材時，每旋轉(zhuǎn)1圈會出現(xiàn) 2次大的高低平面差異。因為圓筒形靶材是邊旋轉(zhuǎn)邊濺鍍的，故此大的高低平面差異造成的電場紊亂每旋轉(zhuǎn)靶1圈會產(chǎn)生2次，認為此電場紊亂是造成異常放電的原因。另外，因為圓筒形靶在濺鍍時旋轉(zhuǎn)1圈用3 15秒左右，故3 15秒左右產(chǎn)生2次電場紊亂，認為這成為異常放電的原因。再者，因為對圓筒形濺鍍靶通入的能量大于平板型濺鍍靶，故在分割部的靶材高低平面差異的影響極大。另外，在本實施形態(tài)中，位于分割部的相鄰圓筒形靶材2的外周面的高低平面差異是圖3箭頭所示的“偏移”部分，是指該圓筒形濺鍍靶中的最大值。即，在本實施方式中是指所有分割部的該偏移在0. 5mm以下。本實施方式的圓筒形濺鍍靶，具有分割部使相鄰的圓筒形靶材2有間隔地配置， 從而可防止由濺鍍中的等離子體所造成的圓筒形靶材2發(fā)生熱膨脹，導(dǎo)致靶材2彼此碰撞而破裂。但是，當(dāng)分割部的間隔有分布時，成為使圓筒形靶材2的位置產(chǎn)生偏移、在圓筒形靶材2的外周面產(chǎn)生高低平面差異的原因。所以，分割部的間隔分布優(yōu)選為士0. Imm以下， 更優(yōu)選為士0.05mm以下。另外，本實施方式的分割部的間隔分布，是指在分割部圓周方向上均等地測定8處以上間隔時，最大值和最小值與平均值的差，存在有多個分割部時，則是其中的最大值。此分割部的間隔并非為0，可根據(jù)圓筒形靶材2的長度與熱膨脹系數(shù)來設(shè)計為最合適的值，但間隔狹小時，由于濺鍍中等離子體所造成的圓筒形靶材2的熱膨脹，可能導(dǎo)致靶材彼此碰撞而破裂。所以，特別優(yōu)選相鄰靶材2最接近部分的間隔為0. Imm以上。另外， 分割部的間隔較大時，接合材料有可能受到濺鍍。因此，優(yōu)選考慮所使用濺鍍氣體的平均自由行程與靶的使用效率，來決定分割部的間隔使其為分割部的接合材料不受到濺鍍的值。 如前所述求取分割部的間隔的平均值時，實用上優(yōu)選使任一分割部的該平均值皆為0. 5mm 以下，更優(yōu)選為0. 4mm以下。本實施方式所用的圓筒形靶材2，優(yōu)選將相鄰圓筒形靶材2外周面的邊緣部進行倒角加工。藉此，在進行濺鍍時，可防止電場集中在圓筒形靶材2的邊緣，可抑制異常放電的產(chǎn)生。就倒角加工的大小(寬度或深度)而言，優(yōu)選對于膜厚分布的影響為2mm以下，更優(yōu)選為Imm以下。倒角加工的形狀只要能夠緩和濺鍍成膜時的電場集中即可，無特別限制， C面、R面或階梯狀皆可。就本實施方式的圓筒形濺鍍靶的制造方法的一例而言，可以列舉，在圓筒形基體材料1與多個圓筒形靶材2的間隙填充接合材料而加以接合的方法。為了填充接合材料， 首先以圓筒形基體材料1作為基準，配置圓筒形靶材2，例如，預(yù)先在圓筒形基體材料1的外側(cè)堆疊配置多個圓筒形靶材2。其后，將圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2的間隙的下部加以封裝，形成用于填充接合材料的空間。并且，以圓筒形靶材2的外周面為基準，進行與圓筒形基體材料1的對位。此種圓筒形濺鍍靶的組裝希望使用夾具(冶具)進行。此時所用的夾具材質(zhì)只要是可承受填充軟焊料時的加熱的材質(zhì)即可，無特別限制?？闪信e例如鋁、 硬鋁(Duralumin)等金屬。更具體而言，如圖1所示，將圓筒形基體材料1嵌入設(shè)置在基體材料推壓件6a上的凹部，進行配置，通過聚硅氧烷0型環(huán)利用封裝夾具4進行固定。為了安裝到濺鍍裝置上， 圓筒形基體材料1的兩端部是使用0型環(huán)等的真空密封部，其外周面和/或內(nèi)周面經(jīng)過精度良好的研磨加工，故優(yōu)選以此部分作為定位的基準面。另外，通過在封裝夾具4的下方放置任意大小的塊件8，可將圓筒形靶材2配置在距圓筒形基體材料1端面起的任意距離。并且，在位于圓筒形基體材料1外周面的封裝夾具4上，堆疊配置圓筒形靶材2，形成填充接合材料的空間3。此時，圓筒形靶材2優(yōu)選與圓筒形基體材料1成同心圓狀。為了保持填充接合材料的空間3的密閉性，在多個圓筒形靶材2之間、圓筒形靶材2與封裝夾具 4之間、封裝夾具4與圓筒形基體材料1之間、圓筒形靶材2與基體材料推壓件6b之間，利用密封材料5進行封裝。接合材料是低熔點軟焊材料或?qū)щ娦詷渲瑫r，因為進行加熱處理， 故密封材料5必須使用耐熱性襯墊或0形環(huán)，此時可使用特氟隆(注冊商標(biāo))或聚硅氧烷等材料。尤其，通過在多個圓筒形靶材2之間插入密封材料5，在分割部形成規(guī)定的間隔，可使其分布極小。此時插入的密封材料5的厚度，使用對應(yīng)于期望的間隔設(shè)計值的規(guī)定厚度。其后，在最上部的靶材2上通過密封材料5載置基體材料推壓件6b，利用連結(jié)軸9 連結(jié)上下的基體材料推壓件6a、6b。并且，圓筒形靶材2以其外周面作為基準，以平整其外周面并極力抑制發(fā)生在分割部的偏移，例如用具有彈簧(未圖示)與螺絲(未圖示)的靶材推壓件7加以固定，且靶材推壓件7結(jié)合固定在連結(jié)軸9上。靶材推壓件7可為以下構(gòu)造可相對于基體材料推壓件6a、6b調(diào)整到任意位置，以如圖所示的方式，以1根棒狀體的形式推壓在應(yīng)接合的靶材2的外周面上；另外，亦可為以下構(gòu)造僅推壓包含靶材2的分割部的該周邊部分的靶材外周面。由于靶材推壓件7進行相對于基體材料推壓件6a、6b的圓筒形靶材2的定位，故至少必須為2根，優(yōu)選為3根，更優(yōu)選為如圖2所示的那樣，將4根或以上的偶數(shù)根均等配置在彼此對應(yīng)的位置上。藉此，可確實地抑制圓筒形靶材外周面的高低平面差異。當(dāng)結(jié)束按照上述順序進行的組裝時，確認靶材推壓件7位于靶材2未彼此推壓處并未產(chǎn)生超過0. 5mm的高低平面差異。使用軟焊材料作為接合材料時，例如，將以圖1的方式組裝的圓筒形濺鍍靶整體加熱到軟焊材料的熔點以上的溫度，將熔融狀態(tài)的軟焊材料從基體材料推壓件6b的頂部灌入填充到空間3中。填充結(jié)束后，通過冷卻固化軟焊材料，接合圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2。若此時溫度過高，則軟焊材料有可能因氧化而導(dǎo)致粘接強度降低，故就加熱溫度而言，優(yōu)選在軟焊材料的熔點 軟焊材料的熔點+100°C的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為軟焊材料的熔點+50°C的范圍內(nèi)。另外，^軟焊材料的熔點為156°C。另外，接合材料為導(dǎo)電性樹脂時， 將導(dǎo)電性樹脂填充到以圖1的方式組裝的圓筒形濺鍍靶的空間3中，配合樹脂的固化條件進行加熱等固化處理，接合圓筒形靶材2與圓筒形基體材料1。另外，在圓筒形基體材料1及圓筒形靶材2的接合面，為了提升接合材料的潤濕性 (濡Λ性，wettability)，使接合材料易于填充，優(yōu)選預(yù)先將其接合面施以濕化處理。就此處理而言，只要能改善接合材料的潤濕性即可，可列舉如下UV照射、電鍍或蒸鍍Ni、或利用超聲波焊烙鐵(半田鏝)進行的基底處理等。如上所述，接合圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2后，取下夾具和多余的接合材料等，并得到期望的圓筒形濺鍍靶。此時，通過預(yù)先在不易附著接合材料的部分或取下的夾具等處施以屏蔽，可容易地進行取下作業(yè)。另外，相鄰圓筒形靶材2之間的密封材料5，可在接合圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2后，通過加熱，利用圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2 的熱膨脹差而簡單地取下。(實施例1)以下依據(jù)實施例詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此。另外，位于分割部的間隔的分布及間隔的平均值，是如前所述測定8處的間隔而求得的。(實施例1)準備12個ITO圓筒形靶材(外徑150_Φ，內(nèi)徑133_Φ，長度260_)，將除圓筒形靶材的接合面以外的部分利用耐熱性貼帶加以屏蔽，在接合面通過超聲波焊烙鐵利用化軟焊材料打底。另一方面，準備1個SUS制圓筒形基體材料(外徑130πιπιΦ，內(nèi)徑: 120πιπιΦ，長度3200mm)，將除接合面以外的面通過用于防止接合材料附著的耐熱性貼帶加以屏蔽，在接合面將通過超聲波焊烙鐵利用^軟焊材料打底。接著，將施以前述處理的圓筒形基體材料1與12個圓筒形靶材2以及硬鋁制的封裝夾具4、基體材料推壓件6a、6b、靶材推壓件7、塊件8按照圖1的方式組裝。最初，將圓筒形基體材料1配置在基體材料推壓件6a上，通過聚硅氧烷的0形環(huán)并用封裝夾具4固定。 將12個圓筒形靶材2與密封材料5依序嵌入堆疊在圓筒形基體材料1后，在圓筒形靶材2 上隔著密封材料5載置基體材料推壓件6b。并且，通過連結(jié)軸9連結(jié)上下的基體材料推壓件6a、6b，固定圓筒形靶材2。接著，如圖2所示，使用4根靶材推壓件7，進行圓筒形靶材2
7的對位與固定。此時就密封材料5而言，在相鄰的圓筒形靶材2之間，以及圓筒形靶材2與封裝夾具4之間，使用環(huán)狀的特氟隆(注冊商標(biāo))片，圓筒形基體材料1與封裝夾具4之間使用聚硅氧烷的0形環(huán)。接著，將已組裝的圓筒形濺鍍靶整體加熱到180°C，從上側(cè)使熔融的h軟焊材料 (熔點156°C)灌入空間3中。在^!軟焊材料灌注結(jié)束后冷卻至120°C，并確認h軟焊材料已完全固化后，再度加熱到130°C并將相鄰的圓筒形靶材2之間的特氟隆(注冊商標(biāo))片切斷取下，形成具有間隔的分割部。其后，冷卻到室溫，取下夾具或屏蔽，制造出ITO圓筒形濺鍍靶。所獲得的圓筒形濺鍍靶位于分割部外周面的高低平面差異為0. 2mm，且分割部的間隔的分布為士0. 05mm。另外，各分割部的間隔的平均值為0. 29 0. 36mm。(比較例1)與實施例1同樣地準備圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2，如圖4所示，在圓筒形基體材料1的外周面上，以等間隔配置8根銅線(0. 7πιπιΦ)作為間隔件10。接著，如圖5的組裝圖，區(qū)別在于，使用12個圓筒形靶材2，將圓筒形靶材2嵌合插入到圓筒形基體材料1 中，但圓筒形靶材2在中途無法移動，無法組裝成為圓筒形濺鍍靶。(比較例2)除了使銅線(即比較例1的間隔件10)的直徑為0. 6πιπιΦ以外，與比較例1使用相同方法，如圖5的方式來組裝圓筒形濺鍍靶，但使用12個圓筒形靶材。其后，與實施例1 同樣地利用h軟焊材料接合圓筒形基體材料1與圓筒形靶材2，制造出圓筒形靶材。所獲得的圓筒形濺鍍靶位于分割部外周面的高低平面差異為0. 8mm，且分割部的間隔的分布為士0. 13mm。另外，在各分割部的間隔的平均值為0. 30 0. 39mm。(實施例2)準備2個ITO圓筒形靶材(外徑93. ΟπιπιΦ，內(nèi)徑78. 5讓Φ，長度:175mm)，將除圓筒形靶材的接合面以外的部分利用耐熱性貼帶加以屏蔽，在接合面通過超聲波焊烙鐵用^ 軟焊材料打底。另一方面，準備1個SUS制圓筒形基體材料(外徑75. 5πιπιΦ，內(nèi)徑70πιπιΦ， 長度490mm)，將除接合面以外的面通過用于防止接合材料附著的耐熱性貼帶加以屏蔽，在接合面通過超聲波用^軟焊材料焊烙鐵打底。其后，利用與實施例1相同的方法，區(qū)別在于使用2個圓筒形靶材，制造具有如表1所示分割部的靶材I。另外，使用與實施例1相同的方法，區(qū)別在于使用2個圓筒形靶材，制造具有如表1所示分割部的靶材II IV。(比較例3)除未使用銅線以外，使用與比較例2相同的方法，但使用2個ITO圓筒形靶材 (外徑93. ΟπιπιΦ，內(nèi)徑78. 5πιπιΦ，長度175mm)與1個SUS制圓筒形基體材料(外徑 75. 5πιπιΦ，內(nèi)徑70mmΦ，長度490mm)，制造具有如表1所示分割部的靶材V VII。(成膜評價)將如此制作的圓筒形濺鍍靶在以下的濺鍍條件中進行20kWh濺鍍，并測定異常放電(電弧)的產(chǎn)生次數(shù)。關(guān)于電弧產(chǎn)生次數(shù)的測定，利用微電弧監(jiān)視器(Landmark Technology公司制)，以放電電壓的下降時間為基準，區(qū)分為小電弧Qysec以上且低于 20 μ sec)與大電弧(20μ sec以上)，在以下的測定條件中進行。所得的放電結(jié)果示于表1。濺鍍條件
DC電功率15W/cm2 (相對于磁體面積)靶材轉(zhuǎn)速6rpm濺鍍氣體氣體壓力0. 5Pa電弧測定條件檢測電壓300V小電弧2 μ sec以上且低于20 μ sec大電弧20 μ sec以上[表 1]
權(quán)利要求
1.一種圓筒形濺鍍靶，其是利用接合材料將堆疊的多個圓筒形靶材接合在圓筒形基體材料的外周面而形成的，其中，相鄰的圓筒形靶材間具有間隔并且配置有分割部，且相鄰圓筒形靶材的外周面在分割部的高低平面的差異為0. 5mm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓筒形濺鍍靶，其中，所述分割部的間隔的分布為士0.Imm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圓筒形濺鍍靶，其中，對位于分割部的相鄰圓筒形靶材的外周面邊緣部進行倒角加工。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圓筒形濺鍍靶，其中，所述圓筒形基體材料的長度為 IOOOmm 以上。
5.一種圓筒形濺鍍靶的制造方法，該方法包括利用接合材料將相堆疊的多個圓筒形靶材接合在圓筒形基體材料的外周面，由此制造圓筒形濺鍍靶，其中，在以圓筒形基體材料為基準來配置多個圓筒形靶材時，以一側(cè)的圓筒形靶材的外周面為基準來固定另一側(cè)的圓筒形靶材，使得相鄰圓筒形靶材外周面的高低平面差異為 0. 5mm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圓筒形濺鍍靶的制造方法，其中，使用所述圓筒形基體材料至少一側(cè)端部的外周面和/或內(nèi)周面作為圓筒形基體材料的基準面，以該基準面作為基準來固定上述多個圓筒形靶材。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的圓筒形濺鍍靶的制造方法，其中，在固定上述多個圓筒形靶材時，利用固定到該圓筒形基體材料上的靶材推壓件將其固定，使所述多個圓筒形靶材的外周面對齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圓筒形濺鍍靶的制造方法，其中，在固定所述多個圓筒形靶材時，將偶數(shù)根上述靶材推壓件相對于上述圓筒形靶材配置在彼此對應(yīng)的位置。
全文摘要
提供一種圓筒形濺鍍靶，即使在利用由多個圓筒形靶材構(gòu)成的長條狀圓筒形濺鍍靶來濺鍍成膜時，成膜步驟的制造成品率也很高。其是利用接合材料將堆疊的多個圓筒形靶材接合在圓筒形基體材料的外周面而形成的，其中，相鄰的圓筒形靶材間具有間隔并且配置有分割部，且位于分割部的相鄰圓筒形靶材外周面的段差為0.5mm以下。此種靶材是通過以下方式制造而獲得的在以圓筒形基體材料作為基準來配置圓筒形靶材時，將圓筒形靶材的外周面作為基準來固定圓筒形靶材。
文檔編號C23C14/34GK102165092SQ20098013756
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者伊藤謙一, 戶床茂久, 渋田見哲夫, 玉野公章 申請人:東曹株式會社