專利名稱：滾筒式樣品臺以及用其進行粉體顆粒的磁控濺射鍍膜方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種適用于磁控濺射鍍膜的樣品臺，更特別地說，是指一種新型滾筒式樣品臺，以及應用該滾筒式樣品臺進行粉體顆粒的磁控濺射鍍膜方法。
背景技術：
粉體顆粒由于粒徑小、比表面積大而具有塊體材料所不具有的各種物理和化學性 質(zhì)，因此，目前國內(nèi)外對多種系列的粉體顆粒的各種特性及應用的研究已經(jīng)取得了較大進 展，但有關在粉體顆粒表面鍍膜的方法及其應用方面仍在做積極的探索，需要解決的困難 之一是粉體顆粒的均勻分散問題。在粉體顆粒表面鍍膜的方法很多，如真空蒸發(fā)、磁控濺射、化學鍍、化學氣相沉積 和溶膠-凝膠法等。其中的磁控濺射沉積技術由于濺射率高、基片溫升低、膜-基結合力好、 裝置性能穩(wěn)定、操作控制方便等優(yōu)點而受到越來越多的應用。要想利用磁控濺射方法在粉 體顆粒表面鍍覆上均勻性好、附著力強、純度高和致密性好的薄膜，就必須保證每個顆粒在 薄膜生長時都有機會充分暴露其表面，使得每個顆粒表面上的任意點都能沉積上靶濺射出 的原子，并盡可能地讓其沉積的概率相等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種適用于磁控濺射鍍膜用的滾筒式樣品臺，該滾筒式 樣品臺包括有滾筒、篩網(wǎng)、雙模運動機構和振動機構，篩網(wǎng)與振動機構連接，滾筒與雙模運 動機構連接，滾筒的開口處設有靶材。滾筒在雙模運動機構提供的轉(zhuǎn)動和上下振動的條件 下使得筒內(nèi)的粉體顆粒抖動翻轉(zhuǎn)，又因振動機構為篩網(wǎng)上的粉體顆粒提供振動，從而下落 的粉體顆粒表面沉積上濺射靶材原料，經(jīng)過一定時間的沉積就會在粉體顆粒表面沉積上均 勻性好、致密性高和附著力強的薄膜。本發(fā)明的目的另一是提出一種磁控濺射鍍膜的方法，該方法將粉體顆粒放于滾筒 內(nèi)，根據(jù)粉體顆粒的分散性，調(diào)節(jié)滾筒的旋轉(zhuǎn)速度及上下振動功率，粉體顆粒被翼片帶到滾 筒的上方，同時在滾筒的振動及重力作用下，粉體顆粒就會落到篩網(wǎng)中；篩網(wǎng)中的粉體顆粒 在超聲振動下垂直下落，在入射來的濺射流就會在下落的粉體顆粒表面沉積，經(jīng)過一定時 間的沉積就會在粉體顆粒表面沉積上均勻性好、致密性高和附著力強的薄膜。采用本發(fā)明設計的滾筒式樣品臺對粉體顆粒表面進行磁控濺射鍍膜所需的工藝 步驟為(A)打開真空室，將粉體顆粒放入滾筒3 ；(B)在靶架上安裝好靶材；(C)關閉真空室，打開真空抽氣裝置中的機械泵，對真空室抽真空至IPa 5Pa ；打 開真空抽氣裝置中的分子泵，對真空室抽真空至2. OX 10_3Pa 5. OX 10_3Pa ；(D)向真空室充入氬氣，用質(zhì)量流量計控制其流量保持在IOsccm 40sCCm，沉積 時保持真空室工作氣壓為0. IPa 1. OPa ；
(E)調(diào)節(jié)上下振動電機13輸出功率為20W 500W ；調(diào)節(jié)圓周轉(zhuǎn)動電機14提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為5r/min lOOr/min ；調(diào)節(jié)超聲波振動機構2輸出超聲波頻率為20kHz 500kHz和功率為50W 500W ；(F)打開靶電源，調(diào)節(jié)功率至500W 1500W，開始濺射鍍膜；(G) IOOmin 600min后關閉靶電源，停止濺射；(H)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣，當真空室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。本發(fā)明滾筒式樣品臺具有如下的優(yōu)點①通過在滾筒內(nèi)壁設置具有一定安裝角的翼片來運輸粉體顆粒作旋轉(zhuǎn)運動，使得 粉體顆粒的表面充分暴露出來，有利于在粉體顆粒表面沉積上均勻性好、致密性高和附著 力強的薄膜。②通過在軸向中心線上設置旋轉(zhuǎn)電機，縱向中心線上設置上下振動電機，然后結 合偏心輪在旋轉(zhuǎn)電機的電機座中運動，從而實現(xiàn)了滾筒既能夠在旋轉(zhuǎn)的條件下，得到上下 振動，提高了粉體顆粒的翻轉(zhuǎn)抖動。③通過“Z”構形的篩網(wǎng)連桿將超聲波振動機構輸出的振動傳遞給篩網(wǎng)，使得在篩 網(wǎng)中的粉體顆粒實現(xiàn)振動環(huán)境下的垂直下落，達到更好的顆粒分散。④在滾筒的開口處設置磁控濺射靶架，有利于垂直落下的粉體顆粒表面沉積上靶 材。采用本發(fā)明滾筒式樣品臺對粉體顆粒表面進行磁控濺射鍍膜具有如下優(yōu)點(1)能夠根據(jù)粉體顆粒樣品的分散性來調(diào)節(jié)滾筒的旋轉(zhuǎn)速度和上下振動功率、篩 網(wǎng)的振動功率，讓粉體顆粒像瀑布似的從篩網(wǎng)上落下，可以獲得均勻性好、致密性高和附著 力強的薄膜。(2)通過改變真空室內(nèi)的工作氣壓、濺射功率、溫度、濺射時間、滾筒的旋轉(zhuǎn)速度、 機械振動功率、篩網(wǎng)的振動功率和靶材等工藝條件，即可在各種形狀的粉體顆粒表面沉積 各種薄膜，特別是化合物薄膜，工藝簡單、操作簡便，適用范圍廣。(3)該粉體磁控濺射鍍膜設備，可以在大批量的粉體顆粒表面均勻地鍍膜，所鍍樣 品不僅可以用于實驗室分析研究，也可用于工業(yè)領域。該設備可以幾何放大，以用于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖1是本發(fā)明用于粉體顆粒的滾筒式磁控濺射鍍膜裝置的結構圖。圖2是本發(fā)明雙模運動機構的分解圖。圖3是本發(fā)明篩網(wǎng)與超聲波振動組件的連接示圖。圖4是本發(fā)明滾筒的結構圖。圖4A是本發(fā)明滾筒的A-A視圖。圖4B是本發(fā)明滾筒的B-B視圖。圖4C是本發(fā)明篩網(wǎng)在滾筒內(nèi)的裝配位置圖。圖5是實施例1中空心微珠鍍膜前后的SEM照片。圖6是實施例1中空心微珠鍍膜前后的XRD照片。
圖7是實施例2中SiC顆粒鍍膜前后的X射線能譜儀分析照片。圖中 1.雙模運動機構 11. A電機座 111.上支臂 112.下支臂113.豎 支板 114. A通孔115. B通孔 116. C通孔 12. B電機座121.上導柱 122. 下導柱 123.空腔 124. U形槽 125.側板126. D通孔 13.上下振動電機 14.圓周轉(zhuǎn)動電機15. A直線軸承16. B直線軸承 2.超聲波振動機構3.滾 筒31.翼片 32.開口 33.接頭 34.底部 35.外殼體36.內(nèi)壁 4.篩網(wǎng)連桿 5.篩網(wǎng)
具體實施例方式下面將結合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步的詳細說明。參見圖1所示，本發(fā)明的一種用于粉體顆粒的滾筒式磁控濺射鍍膜裝置，該裝置 包括有真空室、濺射靶架、真空抽氣裝置和滾筒式樣品臺。其中，滾筒式樣品臺由雙模運動 機構1、超聲波振動機構2、滾筒3、篩網(wǎng)連桿4和篩網(wǎng)5構成。篩網(wǎng)5置于滾筒3內(nèi)，篩網(wǎng)5通過篩網(wǎng)連桿4與超聲波振動機構2實現(xiàn)連接，篩網(wǎng) 連桿4的一端置于真空室內(nèi)，篩網(wǎng)連桿4的另一端與超聲波振動機構2的輸出端連接。滾筒3和濺射靶架置于真空室內(nèi)；且濺射靶架位于滾筒開口 32處，濺射靶架與滾 筒開口 32處之間的距離記為h，h = 5cm 30cm。真空抽氣裝置、雙模運動機構1和超聲波振動機構2置于真空室外；真空抽氣裝置 通過管路與真空室聯(lián)通；并對應連接流量計、分子泵和機械泵，同時配置電器控制及冷卻循 環(huán)水系統(tǒng)。真空室上設有觀察窗、放氣閥。參見圖1、圖2所示，本發(fā)明雙模運動機構1中的上下振動電機13安裝在A電機座 11的豎支板113上，上下振動電機13的輸出軸穿過C通孔116后套接有偏心輪131，偏心 輪131置于B電機座12的U形槽124內(nèi)；A電機座11的上支臂111上設有供A直線軸承15安裝的A通孔114，A直線軸承 15套接在B電機座12的上導柱121上；A電機座11的下支臂112上設有供B直線軸承16安裝的B通孔115，B直線軸承 16套接在B電機座12的下導柱122上；B電機座12的上導柱121穿過A直線軸承15，下導柱122穿過B直線軸承16，B 電機座12的空腔123內(nèi)放置有圓周轉(zhuǎn)動電機14，圓周轉(zhuǎn)動電機14安裝在B電機座12的側 板125上，且圓周轉(zhuǎn)動電機14的輸出軸穿過D通孔121后與聯(lián)軸器141連接，聯(lián)軸器141 的另一端上連接有長軸142，長軸142的另一端連接在滾筒3的底部的中心位置。上下振動電機13的輸出功率為20W 500W。圓周轉(zhuǎn)動電機14提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為5r/min lOOr/min。在本發(fā)明中，滾筒3在上下振動電機13的作用下，通過上導柱121、下導柱122使 滾筒式樣品臺3中的粉體形成上下振動運動(沿兩個直線軸承的縱向中心線上下運動)； 在圓周轉(zhuǎn)動電機14的作用下，滾筒3中的粉體跟隨滾筒3的轉(zhuǎn)動而轉(zhuǎn)動(沿滾筒3的軸向 中心線轉(zhuǎn)動)，此時粉體在上下振動和轉(zhuǎn)動作用下可均勻地分散，且落下至篩網(wǎng)5。參見圖1、圖3所示，本發(fā)明的篩網(wǎng)連桿4為“Z”字構形的圓柱桿，篩網(wǎng)連桿4的一端連接在超聲波振動機構2的輸出軸上，篩網(wǎng)連桿4的另一端連接在篩網(wǎng)5上。篩網(wǎng)5的網(wǎng)孔大小從20目 12000目可調(diào)。超聲波振動機構2輸出超聲波頻率為20kHz 500kHz和功率為50W 500W。
在本發(fā)明中，滾筒3中的篩網(wǎng)5在超聲波振動機構2的作用下，通過篩網(wǎng)連桿4使 篩網(wǎng)5形成振動，篩網(wǎng)5中的粉體顆粒跟隨著篩網(wǎng)5的振動而均勻地分散，篩網(wǎng)5中的粉體 在重力和篩網(wǎng)5的振動下通過網(wǎng)孔垂直下落，落下的粉體顆粒表面將會沉積上被靶材濺射 的金屬原子，從而使得粉體顆粒表面包覆上薄膜。參見圖1、圖4、圖4A、圖4B所示，本發(fā)明滾筒3的內(nèi)壁36均勻設有翼片31，翼片31
與滾筒內(nèi)壁36的安裝角記為θ，θ = 10° 40°，翼片31的寬度記為c，=^d，dl表
c 6
示滾筒的內(nèi)直徑(不包括滾筒的外殼體35厚度)。滾筒內(nèi)翼片31設計的個數(shù)為6個 12
個。滾筒3的開口 32的內(nèi)直徑(不包括滾筒的外殼體35厚度)記為d2， /2 二 ^iZl -d\。
2 4
滾筒3的底部34中心位置設有接頭33，該接頭33用于與長軸142的另一端連接。參見圖4C所示，篩網(wǎng)5沿滾筒3的軸向中心線的方向進行設置，篩網(wǎng)5的寬度記
為hl，M = ^dX，dl表示滾筒的內(nèi)直徑(不包括滾筒的外殼體35厚度)。篩網(wǎng)5底部距軸 向中心線的距離記為h2，= ^tZl。
O采用本發(fā)明設計的滾筒式樣品臺對粉體顆粒表面進行磁控濺射鍍膜所需的工藝 步驟為(A)打開真空室，將粉體顆粒放入滾筒3 ；(B)在靶架上安裝好靶材；(C)關閉真空室，打開真空抽氣裝置中的機械泵，對真空室抽真空至IPa 5Pa ；打 開真空抽氣裝置中的分子泵，對真空室抽真空至2. OX 10_3Pa 5. OX 10_3Pa ；(D)向真空室充入氬氣，用質(zhì)量流量計控制其流量保持在IOsccm 40sCCm，沉積 時保持真空室工作氣壓為0. IPa 1. OPa ；(E)調(diào)節(jié)上下振動電機13輸出功率為20W 500W ；調(diào)節(jié)圓周轉(zhuǎn)動電機14提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為5r/min lOOr/min ；調(diào)節(jié)超聲波振動機構2輸出超聲波頻率為20kHz 500kHz和功率為50W 500W ；(F)打開靶電源，調(diào)節(jié)功率至500W 1500W，開始濺射鍍膜；(G) IOOmin 600min后關閉靶電源，停止濺射；(H)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣，當 真空室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。實施例1，以在無機空心微珠顆粒(粉煤灰)表面磁控濺射鍍鎳銀合金膜作為實施 例，詳述工藝步驟如下(A)打開真空室，將粉體顆粒放入滾筒3 ；(B)將金屬鎳和金屬銀兩個濺射靶材分別安裝在不同的濺射靶架上；(C)關閉真空室，打開真空抽氣裝置中的機械泵，對真空室抽真空至2Pa ；打開真空抽氣裝置中的分子泵，對真空室抽真空至3. OX KT3Pa ；
(D)向真空室充入氬氣，用質(zhì)量流量計控制其流量保持在24Sccm，沉積時保持真空室工作氣壓為0. 8Pa ；(E)調(diào)節(jié)上下振動電機13輸出功率為100W ；調(diào)節(jié)圓周轉(zhuǎn)動電機14提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為20r/min ；調(diào)節(jié)超聲波振動機構2輸出超聲波頻率為200kHz和功率為50W ；(F)打開金屬鎳靶材電源，調(diào)節(jié)其濺射功率為1000W ；打開金屬銀靶材電源，調(diào)節(jié)其濺射功率為500W ；(G)磁控濺射300min后關閉靶電源，停止濺射；(H)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣，當 真空室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。圖5中的(a)、(b)為空心微珠在鍍膜前后放大2000倍的掃描電子顯微鏡照片，其 中(a)為未鍍膜的空心微珠，(b)為空心微珠表面鍍鎳銀合金膜。圖5中的(c)、(d)為空心微珠在鍍膜前后放大50000倍的掃描電子顯微鏡照片， 其中(c)為未鍍膜的空心微珠，(d)為空心微珠表面鍍鎳銀合金膜。從圖(a)、(c)中可以看出，未鍍膜的空心微珠表面非常光滑，表面幾乎未發(fā)現(xiàn)任 何金屬顆粒；空心微珠的表面還存在著白點，這是由于在掃描電子顯微鏡檢測時空心微珠 表面的電荷積累造成的，說明未鍍膜空心微珠表面的導電性很差。從圖(b)、(d)中可以看 出，鍍有鎳銀合金膜的空心微珠顆粒表面明顯不光滑，有許多金屬顆粒存在。圖6為未鍍膜空心微珠與空心微珠表面鍍鎳銀合金膜的X射線衍射儀照片。從X 射線衍射儀照片中可以看出，鍍有鎳銀合金膜的空心微珠同時存在鎳和銀的衍射峰，說明 空心微珠表面已成功地鍍覆上鎳銀薄膜。實施例2，以在SiC顆粒表面磁控濺射鍍鎳膜作為實施例，詳述工藝步驟如下(A)打開真空室，將粉體顆粒放入滾筒3 ；(B)將金屬鎳靶材安裝在濺射靶架上；(C)關閉真空室，打開真空抽氣裝置中的機械泵，對真空室抽真空至3. 3Pa ；打開 真空抽氣裝置中的分子泵，對真空室抽真空至3. 3 X ICT3Pa ；(D)向真空室充入氬氣，用質(zhì)量流量計控制其流量保持在30sCCm，沉積時保持真 空室工作氣壓為0. 9Pa ；(E)調(diào)節(jié)上下振動電機13輸出功率為80W ；調(diào)節(jié)圓周轉(zhuǎn)動電機14提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為15r/min ；調(diào)節(jié)超聲波振動機構2輸出超聲波頻率為300kHz和功率為150W ；(F)打開金屬鎳靶材電源，調(diào)節(jié)其濺射功率為500W ；(G)磁控濺射IOOmin后關閉靶電源，停止濺射；(H)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣，當 真空室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。將采用實施例2方法進行加工的在SiC顆粒表面沉積金屬鎳進行X射線能譜儀分 析，從圖7中可以看出SiC顆粒表面已成功鍍覆上金屬鎳薄膜。
權利要求
一種滾筒式樣品臺，包括有超聲波振動機構(2)、篩網(wǎng)(5)，其特征在于還包括有雙模運動機構(1)、滾筒(3)和篩網(wǎng)連桿(4)；雙模運動機構(1)中的上下振動電機(13)安裝在A電機座(11)的豎支板(113)上，上下振動電機(13)的輸出軸穿過C通孔(116)后套接有偏心輪(131)，偏心輪(131)置于B電機座(12)的U形槽(124)內(nèi)；A電機座(11)的上支臂(111)上設有供A直線軸承(15)安裝的A通孔(114)，A直線軸承(15)套接在B電機座(12)的上導柱(121)上；A電機座(11)的下支臂(112)上設有供B直線軸承(16)安裝的B通孔(115)，B直線軸承(16)套接在B電機座(12)的下導柱(122)上；B電機座(12)的上導柱(121)穿過A直線軸承(15)，下導柱(122)穿過B直線軸承(16)，B電機座(12)的空腔(123)內(nèi)放置有圓周轉(zhuǎn)動電機(14)，圓周轉(zhuǎn)動電機(14)安裝在B電機座(12)的側板(125)上，且圓周轉(zhuǎn)動電機(14)的輸出軸穿過D通孔(121)后與聯(lián)軸器(141)連接，聯(lián)軸器(141)的另一端上連接有長軸(142)，長軸(142)的另一端連接在滾筒(3)底部的接頭(33)上；滾筒(3)的內(nèi)壁(36)均勻設有翼片(31)，翼片(31)與滾筒內(nèi)壁(36)的安裝角θ＝10°～40°，翼片(31)的寬度d1表示滾筒的內(nèi)直徑；滾筒(3)的開口(32)的內(nèi)直徑滾筒(3)的底部(34)設有接頭(33)，該接頭(33)用于與長軸(142)的另一端連接；篩網(wǎng)連桿(4)的一端連接在超聲波振動機構(2)的輸出軸上，篩網(wǎng)連桿(4)的另一端連接在篩網(wǎng)(5)上；篩網(wǎng)(5)置于滾筒(3)內(nèi)，篩網(wǎng)5的寬度篩網(wǎng)(5)底部距軸向中心線的距離篩網(wǎng)(5)的網(wǎng)孔大小從20目～12000目可調(diào)。FSA00000060004900011.tif,FSA00000060004900012.tif,FSA00000060004900013.tif,FSA00000060004900014.tif
2.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于該滾筒式樣品臺適用于對顆粒 材料進行磁控濺射鍍膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于上下振動電機(13)的輸出功率 為20W 500W ；圓周轉(zhuǎn)動電機(14)提供給滾筒(3)的旋轉(zhuǎn)速度為5r/min lOOr/min。
4.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于篩網(wǎng)連桿(4)為“Z”字構形。
5.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于超聲波振動機構(2)輸出超聲 波頻率為20kHz 500kHz和功率為50W 500W。
6.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于滾筒(3)內(nèi)翼片(31)設計的個 數(shù)為6個 12個。
7.根據(jù)權利要求1所述的滾筒式樣品臺，其特征在于滾筒(3)在上下振動電機(13) 的作用下，通過上導柱(121)、下導柱(122)使?jié)L筒(3)中的粉體形成上下振動運動；在圓 周轉(zhuǎn)動電機(14)的作用下，滾筒(3)中的粉體跟隨滾筒(3)的轉(zhuǎn)動而轉(zhuǎn)動，此時粉體在上 下振動和轉(zhuǎn)動作用下可均勻地分散，且落下至篩網(wǎng)(5)；滾筒(3)中的篩網(wǎng)(5)在超聲波振 動機構(2)的作用下，通過篩網(wǎng)連桿(4)使篩網(wǎng)(5)形成振動，篩網(wǎng)(5)中的粉體顆粒跟隨 著篩網(wǎng)(5)的振動而均勻地分散，篩網(wǎng)(5)中的粉體在重力和篩網(wǎng)(5)的振動下通過網(wǎng)孔 垂直下落，落下的粉體顆粒表面將會沉積上被靶材濺射的金屬原子，從而使得粉體顆粒表面包覆上薄膜。
8.采用如權利要求1所述的滾筒式樣品臺進行粉體顆粒的磁控濺射鍍膜方法，該磁控 濺射鍍膜所需裝置包括有真空室、濺射靶架、真空抽氣裝置和滾筒式樣品臺，其特征在于工 藝步驟為(A)打開真空室，將粉體顆粒放入滾筒(3)；(B)在靶架上安裝好靶材；(C)關閉真空室，打開真空抽氣裝置中的機械泵，對真空室抽真空至IPa 5Pa；打開真 空抽氣裝置中的分子泵，對真空室抽真空至2. OX 10_3Pa 5. OX 10_3Pa ；(D)向真空室充入氬氣，用質(zhì)量流量計控制其流量保持在IOsccm 40sCCm，沉積時保 持真空室工作氣壓為0. IPa 1. OPa ；(E)調(diào)節(jié)上下振動電機(13)輸出功率為20W 500W；調(diào)節(jié)圓周轉(zhuǎn)動電機(14)提供給滾筒的旋轉(zhuǎn)速度為5r/min lOOr/min ；調(diào)節(jié)超聲波振動機構(2)輸出超聲波頻率為20kHz 500kHz和功率為50W 500W ；(F)打開靶電源，調(diào)節(jié)功率至500W 1500W，開始濺射鍍膜；(G)IOOmin 600min后關閉靶電源，停止濺射；(H)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣，當真空 室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。
9.根據(jù)權利要求8所述的采用滾筒式樣品臺進行粉體顆粒的磁控濺射鍍膜方法，其特 征在于在磁控濺射鍍膜過程中，是將粉體顆粒放于滾筒(3)內(nèi)，根據(jù)粉體樣品的分散性， 調(diào)節(jié)滾筒(3)的旋轉(zhuǎn)速度及上下振動功率，粉體顆粒被翼片(31)帶到滾筒(3)的上方，同 時在滾筒(3)的上下振動及重力作用下，粉體顆粒就會落到篩網(wǎng)(5)中，篩網(wǎng)(5)中的粉體 在超聲波的振動下垂直下落，在滾筒開口(32)處入射來的濺射流就會在下落的粉體表面 沉積，經(jīng)過一定時間的沉積就會在粉體顆粒表面沉積上均勻性好、致密性高和附著力強的 薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種滾筒式樣品臺以及用其進行粉體顆粒的磁控濺射鍍膜方法，屬于真空鍍膜技術領域。該滾筒式樣品臺包括有滾筒、篩網(wǎng)、雙模運動機構和振動機構，篩網(wǎng)與振動機構連接，滾筒與雙模運動機構連接，滾筒的開口處設有靶材。在磁控濺射鍍膜過程中，是將粉體顆粒放于滾筒內(nèi)，根據(jù)粉體樣品的分散性，調(diào)節(jié)滾筒的旋轉(zhuǎn)速度及上下振動功率，粉體顆粒被翼片帶到滾筒的上方，同時在滾筒的上下振動及重力作用下，粉體顆粒就會落到篩網(wǎng)中，篩網(wǎng)中的粉體在超聲波的振動下垂直下落，在滾筒開口處入射來的濺射流就會在下落的粉體表面沉積，經(jīng)過一定時間的沉積就會在粉體顆粒表面沉積上均勻性好、致密性高和附著力強的薄膜。
文檔編號C23C14/35GK101805893SQ20101013104
公開日2010年8月18日 申請日期2010年3月22日 優(yōu)先權日2010年3月22日
發(fā)明者俞曉正, 沈志剛, 蔡楚江, 邢玉山, 麻樹林 申請人:北京航空航天大學