專利名稱：一種納米鐵硅軟磁材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁性材料。
背景技術(shù)：
軟磁材料是一種具有低矯頑力和高磁導(dǎo)率的磁性材料，電磁性能優(yōu)異。軟磁材料易于磁化，也易于退磁，廣泛用于電工設(shè)備和電子設(shè)備中，現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用最多的軟磁材料是鐵硅合金(硅鋼片)以及鐵鎳合金。現(xiàn)有技術(shù)中的鐵鎳合金采用50%的鐵和50%的鎳合成軟磁材料，但是由于金屬鎳的成本高，所以造成鐵鎳合金軟磁材料的造價高，使軟磁材料的使用受到一定的限制。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供了一種成本低、電磁性能高的納米鐵硅軟磁材料。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的一種軟磁材料，所述軟磁材料是由納米晶鐵硅合金粉體組成的合金材料。進一步所述軟磁材料由質(zhì)量百分比為91 97%的納米鐵和質(zhì)量百分比為3 9%的納米硅組成。優(yōu)選的所述軟磁材料由質(zhì)量百分比為93. 5%的納米鐵和質(zhì)量百分比為6. 5%的納米硅組成。本發(fā)明提供的納米鐵硅軟磁材料，鐵硅合金納米化后，其軟磁性能進一步得到大幅度的提高，磁損耗大大降低，直流偏置力提高，尤其是大大降低了軟磁材料的成本，大大擴大了軟磁材料的使用范圍。
具體實施例方式下面將結(jié)合具體實施例來詳細說明本發(fā)明，在此本發(fā)明的示意性實施例以及說明用來解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。實施例1 本實施例提供的軟磁材料為由質(zhì)量百分比為93. 5%的鐵和質(zhì)量百分比為6. 5% 的硅組成的合金材料。將上述質(zhì)量百分比的原料進行熔煉，然后通過霧化器生成納米級合金粉體軟磁材料。本實施例提供的納米軟磁材料磁損耗大大降低，電磁性能提高。經(jīng)測試1、在測試條件50WiZ/1000gaSS (高斯)下時，其磁損耗為小于450mW/cm3(毫瓦/ 立方厘米)；磁導(dǎo)率為60 μ ；2、直流偏置能力在IOOOe (奧斯特)的磁場強度下，電感量保持率達70 %以上時；磁導(dǎo)率為60 μ。
實施例2:本實施例提供的軟磁材料為由質(zhì)量百分比為91%的鐵和質(zhì)量百分比為9%的硅組成的合金材料。將上述質(zhì)量百分比的原料進行熔煉，然后通過霧化器生成納米級合金粉體軟磁材料。本實施例提供的納米軟磁材料磁損耗大大降低，電磁性能提高。經(jīng)測試1、在測試條件50WiZ/1000gaSS (高斯)下時，其磁損耗為小于450mW/cm3(毫瓦/ 立方厘米)；磁導(dǎo)率為60 μ ；2、直流偏置能力在IOOOe (奧斯特)的磁場強度下，電感量保持率達70 %以上時；磁導(dǎo)率為60 μ。實施例3 本實施例提供的軟磁材料為由質(zhì)量百分比為97%的鐵和質(zhì)量百分比為3%的硅組成的合金材料。將上述質(zhì)量百分比的原料進行熔煉，然后通過霧化器生成納米級合金粉體軟磁材料。本實施例提供的納米軟磁材料磁損耗大大降低，電磁性能提高。經(jīng)測試1、在測試條件50WiZ/1000gaSS (高斯)下時，其磁損耗為小于450mW/cm3(毫瓦/ 立方厘米)；磁導(dǎo)率為60 μ ；2、直流偏置能力在IOOOe (奧斯特)的磁場強度下，電感量保持率達70 %以上時；磁導(dǎo)率為60 μ。以上對本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用于幫助理解本發(fā)明實施例的原理；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例，在具體實施方式
以及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種軟磁材料，其特征在于所述軟磁材料是由納米晶鐵硅合金粉體組成的合金材料。
2.如權(quán)利要求1所述的軟磁材料，其特征在于所述軟磁材料由質(zhì)量百分比為91 97%的鐵和質(zhì)量百分比為3 9%的硅組成。
3.如權(quán)利要求2所述的軟磁材料，其特征在于所述軟磁材料由質(zhì)量百分比為93.5% 的鐵和質(zhì)量百分比為6. 5%的硅組成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種納米鐵硅軟磁材料，所述材料由納米晶鐵硅合金粉體組成。本發(fā)明提供的納米鐵硅軟磁材料磁損耗大大降低，直流偏置力提高，尤其是大大降低了軟磁材料的成本，大大擴大了軟磁材料的使用范圍。
文檔編號C22C38/02GK102208237SQ201010138198
公開日2011年10月5日 申請日期2010年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者羅志敏 申請人:深圳市鉑科磁材有限公司