專利名稱：具抗氧化納米薄膜的散熱單元及抗氧化納米薄膜沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元及其抗氧化納米薄膜沉積方法，尤其涉及一種表面沉積有抗氧化納米薄膜的散熱單元及沉積該抗氧化納米薄膜的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)行電子設(shè)備于運(yùn)行時(shí)內(nèi)部的電子元件將產(chǎn)生熱源，所述熱源是由運(yùn)算芯片運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生，并隨著芯片運(yùn)算效能提高，其功率已近一百瓦特，故若無(wú)適當(dāng)?shù)纳釞C(jī)制，則芯片的溫度則會(huì)超過(guò)100°c以上。現(xiàn)行芯片多為半導(dǎo)體(如硅)所制成，因其內(nèi)部含有大量的金屬導(dǎo)線及絕緣薄膜， 這兩種材料間的膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，故在90°C以上的溫度重復(fù)操作時(shí)，芯片多會(huì)產(chǎn)生龜裂而造成損毀。為使芯片不會(huì)因過(guò)熱而燒毀，因此電流所產(chǎn)生的廢熱必須盡快的排除，故芯片常以銅片接觸散熱或埋藏在目前散熱最快的金屬基陶瓷燒結(jié)體內(nèi)(如鋁基的碳化硅)，并需要散熱單元輔助以增加散熱的效率，以避免前述芯片因溫度過(guò)高造成損毀，前述散熱單元主要是以散熱鰭片組或散熱器或熱管為主，并透過(guò)風(fēng)扇輔助強(qiáng)制對(duì)流散熱以達(dá)到散熱降溫的效果。然而金屬散熱片在空氣之中會(huì)逐漸氧化造成電位差而產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)進(jìn)而生成金屬氧化物，該金屬氧化物的熱傳導(dǎo)效率遠(yuǎn)低于純金屬，故會(huì)使得金屬散熱片的散熱效果及熱傳效率大幅的降低，并當(dāng)氧化情形嚴(yán)重時(shí)，氧化后的金屬氧化物便會(huì)由于其組織結(jié)構(gòu)松散而容易自金屬表面剝落，因此污染芯片。此外，金屬在氧化后表面顏色會(huì)加以改變而影響其外觀。另外，若該金屬散熱片是以粉末(如銅或鋁)燒結(jié)制成多孔性結(jié)構(gòu)時(shí)就更容易因?yàn)檠趸沟闷渖嵝阅芙档?，為了防止氧化，多半?huì)于金屬散熱片的外部以水溶液制程鍍上一層鎳或錫鍍層，其鍍鎳的方式包括有電解電鍍及化學(xué)鍍(無(wú)電鍍)；然而此種水溶液制程方式的鍍膜經(jīng)常會(huì)遭受污染(如吸附酸根離子)，其結(jié)果則會(huì)侵蝕半導(dǎo)體的封裝體。另外，鎳或錫鍍膜的熱傳導(dǎo)效率較常用的銅制散熱片低很多，因此會(huì)影響到銅的散熱效果。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題與缺陷，本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有抗氧化納米薄膜的散熱單元。本發(fā)明另一目的在于提供一種抗氧化納米薄膜沉積方法。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種具有抗氧化納米薄膜的散熱單元，其包含一金屬本體，具有一受熱部及一散熱部，該受熱部及散熱部外部披覆有至少一納米金屬化合物薄膜。其中，所述散熱單元可為散熱器、均溫板、散熱鰭片組、熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一，所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體與至少一納米氧化物涂層及該金屬本體反應(yīng)所形成，所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。本發(fā)明還提出一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其包含一金屬本體，所述金屬本體具有一腔室，該腔室內(nèi)部具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)，所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)具有30%-60%的孔隙率，該毛細(xì)結(jié)構(gòu)披覆有至少一納米金屬化合物薄膜。其中，所述散熱單元為電擊流道板、均溫板、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體及一納米氧化物涂層與前述毛細(xì)結(jié)構(gòu)反應(yīng)所形成。所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。所述納米化合物薄膜為氧化物、氮化物、碳化物及硫化物其中任一，又以氧化物為最佳；所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(Si02)、氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化鋯 (ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組。為達(dá)上述目的，本發(fā)明還提出一種抗氧化納米薄膜沉積方法，所述薄膜沉積方法包含下列步驟提供一散熱單元，并于該散熱單元表面涂布至少一納米氧化物涂層，并將該散熱單元置于高溫環(huán)境下同時(shí)通入一還原氣體對(duì)該散熱單元及散熱單元表面的納米氧化物涂層進(jìn)行熱處理及還原作業(yè)，于該熱處理及還原作業(yè)后，在前述散熱單元外部形成一納米金屬化合物薄膜。所述散熱單元為散熱器、均溫板、散熱鰭片組、電擊流道板、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。所述還原氣體為硫化氫、氫氣、一氧化碳、氨氣、甲烷及其混合氣體的其中任一，又以氫氣為最佳。所述納米化合物薄膜為氧化物、氮化物、碳化物及硫化物其中任一，又以氧化物為最佳；所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(Si02)、氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化鋯 (ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組。所述散熱單元的材質(zhì)選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。所述涂布納米氧化物涂層可透過(guò)物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)及溶膠凝膠法(sol gel)其中任一沉積法。通過(guò)所述抗氧化納米薄膜沉積方法可于前述散熱單元上形成至少一納米金屬化合物薄膜，避免所述散熱單元生成氧化物進(jìn)而防止熱阻情況的發(fā)生。


圖Ia為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖Ib為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖Ic為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖Id為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖Ie為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖If為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖Ig為本發(fā)明圖Ia的局部放大圖
圖2a為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖2b為本發(fā)明散熱單元的示意圖
圖2c為本發(fā)明圖加的局部放大圖；圖3為本發(fā)明散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法步驟流程圖；圖4為本發(fā)明的散熱單元及納米氧化物涂層還原反應(yīng)示意圖；圖5為本發(fā)明另一散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法步驟流程圖；圖6為本發(fā)明的涂布納米氧化物涂層示意圖；圖7為本發(fā)明的散熱單元及納米氧化物涂層熱處理及還原反應(yīng)示意圖；圖8為X光電子能譜分析圖；圖9為X光電子能譜分析圖；圖10為X光電子能譜分析圖；圖11為X光電子能譜分析圖；圖12為X光電子能譜分析圖；圖13為X光電子能譜分析圖；圖14為X光電子能譜分析圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-散熱單元；11-金屬本體；111-受熱部；112-散熱部；113-腔室；114-毛細(xì)結(jié)構(gòu)；2-納米金屬化合物薄膜；3-水溶液；4-槽體；5-還原氣體；6-納米氧化物涂層。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的說(shuō)明。應(yīng)該理解的是，這些實(shí)施例僅用于例證的目的，決不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。請(qǐng)參閱圖la、lb、lC、ld、le、lf、4，如圖所示，本發(fā)明的具有抗氧化納米薄膜的散熱單元1，包含一金屬本體11，具有一受熱部111及一散熱部112，所述受熱部111設(shè)于該金屬本體11 一側(cè)，該散熱部112設(shè)于該金屬本體11的另側(cè)，該受熱部111及散熱部112外部披覆有至少一納米金屬化合物薄膜2。所述金屬本體11選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。所述散熱單元1可為散熱器(如圖Ia所示)、均溫板(如圖Ib所示)、散熱鰭片組(如圖Ic所示)、熱管(如圖Id所示)、回路式熱管(如圖Ie所示)及水冷頭(如圖If 所示)其中任一。所述納米金屬化合物薄膜2是由至少一還原氣體5與至少一納米氧化物涂層6及前述金屬本體11反應(yīng)所形成，于所述金屬本體11外層涂布至少一層納米氧化物涂層6，并于高溫環(huán)境下對(duì)該金屬本體11通入還原氣體5，令所述還原氣體5與該納米氧化物涂層6 及金屬本體11產(chǎn)生還原氧化反應(yīng)及合金化反應(yīng)，反應(yīng)完成即于該金屬本體11形成至少一納米金屬化合物薄膜2。請(qǐng)參閱圖lb、ld、le、lf、2a、2b、2C、7，如圖所示，所述散熱單元1，包含一金屬本體11，所述金屬本體11具有一腔室113，該腔室113內(nèi)部表面具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)114，所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)具有30% -60%的孔隙率，該毛細(xì)結(jié)構(gòu)114披覆有至少一納米金屬化合物薄膜2 (如圖2c所示)。所述金屬本體11選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)114可選擇呈溝槽式(如圖2a)及網(wǎng)格式(如圖2b)及銅粉燒結(jié)(如圖Id)及復(fù)合式(銅粉及網(wǎng)格式及溝槽式任意組合)(圖中未示)其中任一。所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)114的材質(zhì)選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。所述散熱單元1可為均溫板(如圖Ib所示)、熱管(如圖Id所示)、回路式熱管 (如圖Ie所示)、水冷頭(如圖If所示)、電擊流道板及平板式熱管其中任一。所述納米金屬化合物薄膜2是由至少一還原氣體5與至少一納米氧化物涂層6及前述毛細(xì)結(jié)構(gòu)114反應(yīng)所形成；于所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)114涂布至少一層納米氧化物涂層6，并于高溫環(huán)境下對(duì)該金屬本體11進(jìn)行熱處理作業(yè)及通入還原氣體5，令所述還原氣體5與該納米氧化物涂層6及毛細(xì)結(jié)構(gòu)114產(chǎn)生還原氧化反應(yīng)及合金化反應(yīng)，反應(yīng)完成即于該毛細(xì)結(jié)構(gòu)114形成至少一納米金屬化合物薄膜2。上述實(shí)施例中的納米金屬化合物薄膜2為氧化物、氮化物、碳化物及硫化物其中任一，又以氧化物為較佳；所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(Si02)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組；并所述還原氣體5為硫化氫、氫氣、一氧化碳及氨氣其中任一，又以氫氣為較佳。前述實(shí)施例中的納米金屬化合物薄膜2可為一層也可為復(fù)數(shù)層，當(dāng)為復(fù)數(shù)層時(shí)可由氧化物、氮化物、碳化物及硫化物交替涂布。請(qǐng)參閱圖la、3、4，為本發(fā)明散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，包含下列步驟步驟Sl 提供一散熱單元；提供一散熱單元1，所述散熱單元可為散熱器(如圖Ia所示)、均溫板(如圖Ib 所示)、散熱鰭片組(如圖Ic所示)、熱管(如圖Id所示)、回路式熱管(如圖Ie所示)及水冷頭(如圖If所示)其中任一，于本實(shí)施例以散熱器作為實(shí)施說(shuō)明。步驟S2 于前述散熱單元表面涂布至少一納米氧化物涂層；于前述散熱單元1 (散熱器)表面涂布至少一納米氧化物涂層6，前述氧化物選自于氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O) 及氧化鋅(SiO)所組成的群組，所述納米氧化物涂層6可為一層也可為復(fù)數(shù)層，當(dāng)為復(fù)數(shù)層時(shí)，可由氧化物交互披覆。于進(jìn)行涂布納米氧化物涂層6可透過(guò)物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)及溶膠凝膠法(sol gel)其中任一沉積法；所述溶膠凝膠法可為浸漬拉提法、沉降式、旋轉(zhuǎn)涂布式、涂刷式及沾濕式其中任一。本實(shí)施例是以物理氣象沉積法(Physical Vapor D印ositiom，PVD)作為涂布納米氧化物涂層6的方法，將該散熱單元1表面涂布至少一層納米氧化物涂層6，該納米氧化物涂層6厚度約為Inm-lOOnm，進(jìn)行物理氣相沉積法(PVD)時(shí)的散熱單元1溫度約為150°C。 而其靶材的成分為鋯或鈦，作業(yè)環(huán)境的真空程度為10_3mbar，納米化合物涂層6將非常致密且平整。步驟S3 于高溫環(huán)境下通入一還原氣體對(duì)該散熱單元及散熱單元表面的納米氧化物涂層進(jìn)行還原作業(yè)及熱處理；將所述散熱單元1 (散熱器)置于高溫環(huán)境下，并通入還原氣體5對(duì)該散熱單元1 表面的納米氧化物涂層6進(jìn)行還原作業(yè)及熱處理，所述還原氣體5為硫化氫、氫氣、一氧化碳及氨氣其中任一，較佳是以氫氣作為還原氣體5，所述還原溫度為600度 1000度，較佳為650度 850度(如圖4所示)。步驟S4 于還原作業(yè)及熱處理后，在前述散熱單元形成一納米金屬化合物薄膜。當(dāng)還原步驟及熱處理進(jìn)行完成后，所述還原氣體5 (氫氣)與該納米氧化物涂層6 及散熱單元1產(chǎn)生合金化反應(yīng)及還原氧化反應(yīng)，反應(yīng)完成即于該散熱單元1 (散熱器)形成至少一納米金屬化合物薄膜2。請(qǐng)參閱圖ld、5、6、7，為本發(fā)明散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法另一實(shí)施例， 包含下列步驟步驟Sl 提供一具毛細(xì)結(jié)構(gòu)的散熱單元；提供一具毛細(xì)結(jié)構(gòu)114的散熱單元1，所述散熱單元1可為均溫板(如圖Ib所示)、熱管(如圖Id所示)、回路式熱管(如圖Ie所示)、水冷頭(如圖If所示)、電擊流道板、平板式熱管其中任一，于本實(shí)施例中以熱管(如圖Id所示)作為說(shuō)明。步驟S2 于前述散熱單元的毛細(xì)結(jié)構(gòu)以溶膠凝膠法涂布至少一納米氧化物涂層；于前述散熱單元1 (熱管)的毛細(xì)結(jié)構(gòu)114涂布至少一納米氧化物涂層6 ；前述氧化物選自于氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組，本實(shí)施例以氧化鋁(Al2O3)作為說(shuō)明，所述納米氧化物涂層6可為一層也可為復(fù)數(shù)層，當(dāng)為復(fù)數(shù)層時(shí)，可由氧化物交互披覆；所述涂布納米氧化物涂層6是以溶膠凝膠法(sol gel)施以涂布；所述溶膠凝膠法可為浸漬拉提法、沉降式、旋轉(zhuǎn)涂布式、涂刷式及沾濕式其中任一。本實(shí)施例是使用溶膠凝膠法的浸漬拉提法進(jìn)行涂布納米氧化物涂層6作業(yè)，但并不引以為限，該溶膠凝膠法是選自由氧化鋁(Al2O3)顆粒浸泡于水溶液3中，并令所述水溶液3及前述氧化鋁(Al2O3)顆粒一同注入一槽體4內(nèi)均勻混合分散，其后將所述散熱單元1 具有的毛細(xì)結(jié)構(gòu)114的部位浸泡于前述槽體4的水溶液3中，并將該散熱單元1靜置于槽體4的水溶液3中，最后再將該散熱單元1從水溶液3中取出或?qū)⑺芤?全數(shù)由槽體4 中漏除，令前述氧化鋁(Al2O3)顆粒附著于該毛細(xì)結(jié)構(gòu)114表面(如圖6所示)步驟S3 于高溫環(huán)境下通入一還原氣體對(duì)該散熱單元的毛細(xì)結(jié)構(gòu)及納米氧化物涂層進(jìn)行還原作業(yè)；將所述散熱單元1置于高溫環(huán)境下，并通入還原氣體5對(duì)該散熱單元1的毛細(xì)結(jié)構(gòu)114及納米氧化物涂層6進(jìn)行還原作業(yè)及熱處理，所述還原氣體5為硫化氫、氫氣、一氧化碳及氨氣其中任一，較佳是以氫氣作為還原氣體，所述還原溫度為600度 1000度，較佳為650度 850度。步驟S4 于還原作業(yè)及熱處理后，在前述散熱單元的毛細(xì)結(jié)構(gòu)形成一納米金屬化合物薄膜。當(dāng)還原步驟進(jìn)行完成后，所述還原氣體5 (氫氣)與該納米氧化物涂層6及毛細(xì)結(jié)構(gòu)114產(chǎn)生還原氧化反應(yīng)及合金化反應(yīng)，反應(yīng)完成即于該散熱單元1的毛細(xì)結(jié)構(gòu)114形成至少一納米金屬化合物薄膜2。上述實(shí)施例中所使用的氧化鋁(Al2O3)是由忠信科技顧問(wèn)公司(臺(tái)灣)所提供的納米溶膠表面預(yù)處理劑，產(chǎn)品編號(hào)A-100，其主要成分為氧化鋁(Al2O3)納米粒子，粒徑彡lOnm，含量1. 0% ；產(chǎn)品特性比重1.01 士0.03，閃火點(diǎn)> 100°C，外觀無(wú)色透明，pH值7. 0士0. 5 ；操作溫度10-40 0C ο于上述各實(shí)施例的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法進(jìn)行完成后，透過(guò)X光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)對(duì)所得納米金屬化合物薄膜結(jié)構(gòu)作分析，針對(duì)X光電子能譜分析使用設(shè)備的明細(xì)如下名稱PERKINELMER(USA)電壓15KV瓦數(shù)300W真空度-.2. 5*10-9torrX光電子能譜分析包含下列步驟步驟1 先進(jìn)行表面全區(qū)域SCAN (Spot Size :0. 1 A )；步驟2 :向下 Etching 至 10 A 及 500 Α,分別進(jìn)行 Multiplex (Local Scan) (SpotSize :0. 05 A )；步驟3 與標(biāo)準(zhǔn)圖譜進(jìn)行比對(duì)及定量分析； 請(qǐng)參閱圖8、13為透過(guò)X光電子能譜對(duì)試片表面作全區(qū)域的掃描，在其中可知道材料表面有銅、鋁及氧等成分。請(qǐng)參閱圖9、12為透過(guò)X光電子能譜針對(duì)銅元素的鍵結(jié)能(binding energy)區(qū)域作局部的掃描，并往材料內(nèi)部蝕刻Inm及50nm的深度作局部掃描。由圖12可知，材料表面有一層不到Inm的氧化銅，但材料的內(nèi)部Inm以后即是銅的成分。請(qǐng)參閱圖10、11、14為透過(guò)X光電子能譜針對(duì)鋁元素的鍵結(jié)能(bindingenergy) 區(qū)域作局部的掃描，并往材料內(nèi)部蝕刻Inm及50nm的深度，并作局部掃描，由圖可知，材料表面有一層氧化鋁化合物(77. 44eV)，這一層化合物是氧化鋁及氧化銅的化合物(如圖11 所示)，當(dāng)往下蝕刻Inm時(shí)，出現(xiàn)氧化鋁74. 86，再往下蝕刻50nm時(shí)，一樣是氧化鋁(如圖14 所示)。綜上述分析可知，由于氧化鋁的溶膠是一種很強(qiáng)的氧化劑，當(dāng)涂布于銅的表面時(shí)， 很容易使銅氧化，由其是在高溫時(shí)特別明顯。當(dāng)在高溫下使用氫氣還原具有氧化銅及氧化鋁的散熱元件時(shí)，表面的氧化銅會(huì)被還原并與氧化鋁(如圖8所示)形成化合物CuAlxOx， 這層化合物可以阻止銅的氧化，形成所謂抗氧化納米薄膜。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明而言僅僅是說(shuō)明性的，而非限制性的。本專業(yè)技術(shù)人員理解，在本發(fā)明權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)可對(duì)其進(jìn)行許多改變， 修改，甚至等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于包含一金屬本體，具有一受熱部及一散熱部，該受熱部及散熱部外部披覆有至少一納米金屬化合物薄膜，所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體及一納米氧化物涂層與前述金屬本體反應(yīng)所形成。
2.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述散熱單元為散熱器、均溫板、散熱鰭片組、熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。
3.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組。
4.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。
5.一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于包含一金屬本體，所述金屬本體具有一腔室，該腔室內(nèi)部具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)，所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)具有30% -60%的孔隙率，該毛細(xì)結(jié)構(gòu)披覆有至少一納米金屬化合物薄膜，所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體及一納米氧化物涂層與前述毛細(xì)結(jié)構(gòu)反應(yīng)所形成。
6.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述散熱單元為電擊流道板、均溫板、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。
7.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K2O)及氧化鋅(SiO)所組成的群組。
8.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。
9.一種散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于包含下列步驟提供一散熱單元；于前述散熱單元表面涂布至少一納米氧化物涂層；于高溫環(huán)境下通入一還原氣體對(duì)該散熱單元及散熱單元表面的納米氧化物涂層進(jìn)行還原作業(yè)；于熱處理及還原作業(yè)后，在前述散熱單元形成一納米金屬化合物薄膜。
10.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述散熱單元為電擊流道板、散熱器、均溫板、散熱鰭片組、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。
11.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原氣體為硫化氫、氫氣、一氧化碳及氨氣其中任一。
12.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原作業(yè)溫度為600度 1000度。
13.如權(quán)利要求12所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原作業(yè)溫度為650度 850度。
14.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于于散熱單元表面涂布納米氧化物涂層采用物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)及溶膠凝膠法(sol gel)其中任一。
15.如權(quán)利要求14所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述溶膠凝膠法為浸漬拉提式、沉降式、旋轉(zhuǎn)涂布式、涂刷式及沾濕式其中任一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，包含一金屬本體，具有一受熱部及一散熱部，該受熱部及散熱部外部披覆有至少一納米金屬化合物薄膜；所述納米金屬化合物薄膜是透過(guò)先于前述散熱單元外部披覆至少一納米氧化物涂層，再于高溫環(huán)境下通入一還原氣體對(duì)該散熱單元及表面納米氧化物涂層進(jìn)行還原作業(yè)及熱處理，于還原作業(yè)及熱處理后，在前述散熱單元表面形成一納米金屬化合物薄膜；通過(guò)于散熱單元表面披覆納米金屬化合物薄膜可降低該散熱單元表面氧化物的生成，進(jìn)而避免氧化物造成散熱單元的熱阻情況的發(fā)生。
文檔編號(hào)C23C18/16GK102208377SQ20101014211
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日
發(fā)明者陳盈同 申請(qǐng)人:陳盈同