專(zhuān)利名稱：電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，它屬于在TN/STN/CF/TFT黑白及彩 色液晶顯示元器件中用于實(shí)現(xiàn)操作控制黑白及彩色液晶顯示元器件的功能的電容觸摸屏 的制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，TN/STN/CF/TFT黑白及彩色液晶顯示元器件廣泛應(yīng)用于汽車(chē) GPS導(dǎo)航、手提電腦、液晶電視、手機(jī)等電子制品的顯示部件。電容觸摸屏是操作平板顯示器 件最方便實(shí)用的方法。電容觸摸屏由雙面ITO和單面MoAIMO組成，電容觸摸屏的雙面ITO 玻璃不但能保護(hù)導(dǎo)體及感應(yīng)器，更有效地防止外在環(huán)境因素對(duì)觸摸屏造成影響，就算屏幕 沾有污穢、塵?；蛴蜐n，電容式觸摸屏依然能準(zhǔn)確算出觸摸位置。觸摸屏是人機(jī)接口的最終 選擇。不管是單點(diǎn)觸摸，還是多點(diǎn)觸摸識(shí)別方向，抑或多點(diǎn)觸摸識(shí)別位置，它們?cè)诤芏鄳?yīng)用 中都優(yōu)勢(shì)明顯，例如手提電腦、手機(jī)、GPS等等。這些產(chǎn)品本身就要求具有體積小便于攜帶 的特點(diǎn)，如何能夠使小體積產(chǎn)品發(fā)揮更多的功能，這就依賴于電容觸摸屏技術(shù)的應(yīng)用，隨著 此類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)，電容觸摸屏擁有廣闊的市場(chǎng)前景，同時(shí)為電子產(chǎn) 品的發(fā)展創(chuàng)造了良好的市場(chǎng)空間。利用現(xiàn)有的工藝技術(shù)生產(chǎn)的電容屏的缺點(diǎn)在于電容屏反光嚴(yán)重，存在色彩失真 的問(wèn)題，由于光線在各層間的反射造成圖像字符的模糊。漂移，當(dāng)環(huán)境溫度、濕度改變時(shí)，環(huán) 境電場(chǎng)發(fā)生改變時(shí)，都會(huì)引起電容屏觸摸位置的漂移，造成不準(zhǔn)確。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種節(jié)約能耗，生產(chǎn)的集成度高，所生產(chǎn)的電容觸摸屏耐用、 更清晰、漂移變化小、適用性和靈活性好的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，它包括如下的工藝步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C 280°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15. OHz 17. OHz ；使用2個(gè)SiO^E進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè) ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3000W 3500W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo膜 層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍60°C 180°C，鍍膜室Ar流量為 200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；C、鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜， 使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C 280°C，其中SiO2濺射 功率 3500W 3500W，O2 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa。
所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其具體的工藝步驟如下a)在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍280°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. OHz ；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3500W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b)鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo膜 層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置60°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、 鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^Pa之間；c)鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使 用2個(gè)Si02·進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍280°C，其中SiO2濺射功率3500W，O2 流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa。所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其具體的工藝步驟如下a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍260°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. OHz ；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3300W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo膜 層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍80°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；C、鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使用 2個(gè)SiOjE進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍260°C，其中SiO2濺射功率3300W，O2流 量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa。所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其具體的工藝步驟如下a)在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍230°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16. 50Hz ；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3000W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b)鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo 膜層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置100°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；c)鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使 用2個(gè)Si02·進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍230°C，其中SiO2濺射功率3000W，O2 流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa。所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其具體的工藝步驟如下a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置20(TC，鍍膜室 傳動(dòng)速度頻率為16. OHz ；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜， 其中SiO2溉射功率3000W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo 膜層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置150°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；C、鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使用 2個(gè)SiOjE進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍200°C，其中3102濺射功率30001，02流 量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa。所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其具體的工藝步驟如下a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置180°C，鍍膜室 傳動(dòng)速度頻率為15. OHz ；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜， 其中SiO2溉射功率3000W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo 膜層，采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置180°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；c、鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使用 2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置180°C，其中SiO2濺射功率3000W，O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。本發(fā)明不需機(jī)械器件，更耐用；擁有完整的系列，從單點(diǎn)觸摸，到多點(diǎn)觸摸識(shí)別方 向，再到多點(diǎn)觸摸識(shí)別位置；基于電容觸摸屏產(chǎn)品PSOC技術(shù)，使用靈活，可以和眾多的平板 顯示電子產(chǎn)品配合使用；電容觸摸屏產(chǎn)品PSOC所有的價(jià)值在電容觸摸屏里都能體現(xiàn)，例如 靈活性，可編程性等等，可以縮短開(kāi)發(fā)周期，使產(chǎn)品快速上市，還有集成度高，可以把很多外 圍器件集成到電容觸摸屏產(chǎn)品PS0C，這樣不僅可以降低系統(tǒng)成本以外，還可以降低總體功 耗，提高用電效率。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明本發(fā)明的基本工藝步驟為在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C 280°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15. OHz 17. OHz ；使用2個(gè)SiO^E進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè) ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3000W 3500W，O2流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAIMo膜層， 采用8個(gè)MoAIMo靶鍍MoAIMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍60°C 180°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之間；鍍上MoAIMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使 用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C 280°C，其中SiO2濺射 功率 3500W 3500W，O2 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa。其具體的實(shí)施方案如下實(shí)施例1 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為 280°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. 0ΗΖ，在4號(hào)室鍍SiO2, SiO2濺射功率3500W、O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa,使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜，8個(gè)MoAIMo靶鍍 MoAlMo膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. 0*10^Pa 4. S^liT1Pa之間。 測(cè)試結(jié)果基層的Si02膜厚為200A、SiO2透過(guò)率為90. 5% ；ITO膜厚250 A、ITO膜面電 阻為100 Ω / □ 120 Ω / □，透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡85. 0%;ΜοΑ1Μο膜厚為3000 A，方 阻為0.3Ω/□，Si02保護(hù)膜膜厚為500 A,透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡89. 0%顏色均勻，產(chǎn) 品最終檢驗(yàn)合格。實(shí)施例2 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為 2600C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. OHZ (鍍膜室基片傳動(dòng)速度)，在4號(hào)室鍍Si02，Si02濺射 功率 3300W、02 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa,使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之間。測(cè)試結(jié)果基層的Si02膜厚為18 OA、Si02透過(guò)率為90. 5 % ； ITO膜厚260 Α、ΙΤ0膜面電阻為110Ω/□ 130Ω/□，透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡85. 5%;
MoAIMo膜厚為2800人,方阻為0.3Ω/□，Si02保護(hù)膜膜厚為510 A’透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))
為彡88. 8. 0%顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗(yàn)合格。實(shí)施例3:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍Si02+IT0膜，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為 230°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16. 50HZ(鍍膜室基片傳動(dòng)速度)，在4號(hào)室鍍Si02，Si02濺 射功率 3000W、02 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa,使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之間。測(cè)試結(jié)果基層的Si02膜厚為16 OA, Si02透過(guò)率為90. 3 % ； ITO膜厚28O A、ITO膜面電阻為120 Ω / □ 140 Ω / □，透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡86. 5%; MoAIMo膜厚為2600 A，方阻為0.4Ω/□，Si02保護(hù)膜膜厚為540 A,透過(guò)率(550nm波長(zhǎng)) 為》89. 顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗(yàn)合格。實(shí)施例4 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為 2000C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16. OHZ (鍍膜室基片傳動(dòng)速度)，在4號(hào)室鍍Si02，Si02濺射 功率 3000W、02 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa,使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之間。測(cè)試結(jié)果基層的Si02膜厚為18 OA、Si02透過(guò)率為90. 5 % ； ITO膜厚300 A、ITO膜面電阻為120Ω/□ 150Ω/□，透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡85. 5%; MoAIMo膜厚為2800 A，方阻為0.5Ω/□，Si02保護(hù)膜膜厚為600 A,透過(guò)率(550nm波長(zhǎng)) 為》88. 5%顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗(yàn)合格。實(shí)施例5 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍Si02+IT0膜，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為 180°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15. OHZ (鍍膜室基片傳動(dòng)速度)，在4號(hào)室鍍Si02，Si02濺射 功率 3000W、02 流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa,使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行 鍍ITO膜，8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之間。測(cè)試結(jié)果基層的Si02膜厚為2 3OA、Si02透過(guò)率為90. O % ； ITO膜厚330 A、IT0膜面電阻為110Ω/□ 140Ω/□，透過(guò)率(550nm波長(zhǎng))為彡85. 5%; MoAIMO膜厚為2500 A，方阻為0.5 0/口，3102保護(hù)膜膜厚為700人,透過(guò)率(550nm波長(zhǎng)) 為》88. 5%顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗(yàn)合格。
權(quán)利要求
一種電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，它包括如下的工藝步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍SiO2+ITO膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180℃～280℃，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15.0Hz～17.0Hz；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜，其中SiO2濺射功率3000W～3500W，O2流量為35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之間，總氣壓為0.40～0.45Pa；b、鍍上SiO2+ITO膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍60℃～180℃，鍍膜室Ar流量為200～220Sccm、鍍膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍SiO2保護(hù)膜，使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180℃～280℃，其中SiO2濺射功率3000W～3500W，O2流量為35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之間，總氣壓為0.40～0.45Pa。
2.如權(quán)利要求1中所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于它包括如下的工藝 步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍280°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. 0Hz ；使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)IT0靶進(jìn)行 鍍IT0膜，其中Si02濺射功率3500W，02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采 用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍60°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、 鍍膜室真空度4. 0*10^Pa 4. 5*10^Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍Si02保護(hù)膜，使用2個(gè) SiOjE進(jìn)行鍍Si02保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍280°C，其中3102濺射功率3500W，02流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。
3.如權(quán)利要求1中所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于它包括如下的工藝 步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍260°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為17. 0Hz ；使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)IT0靶進(jìn)行 鍍IT0膜，其中Si02濺射功率3300W，02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采 用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置80°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍Si02保護(hù)膜，使用2個(gè) SiOjE進(jìn)行鍍Si02保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍260°C，其中3102濺射功率3300W，02流量為35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。
4.如權(quán)利要求1中所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于它包括如下的工藝 步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍230°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16. 50Hz ；使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)IT0靶進(jìn)行 鍍IT0膜，其中Si02濺射功率3000W，02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采 用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置100 °C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍Si02保護(hù)膜，使用2 個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置230°C，其中Si02濺射功率3000W，02流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。
5.如權(quán)利要求1中所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于它包括如下的工藝 步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍200°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16. 0Hz ；使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)IT0靶進(jìn)行 鍍IT0膜，其中Si02濺射功率3000W，02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采 用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置150°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍Si02保護(hù)膜，使用2 個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置200°C，其中Si02濺射功率3000W，02流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。
6.如權(quán)利要求1中所述的電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于它包括如下的工藝 步驟a、在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 Si02+IT0膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C， 鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15. 0Hz ；使用2個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02膜，使用2個(gè)IT0靶進(jìn)行 鍍IT0膜，其中Si02濺射功率3000W，02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；b、鍍上Si02+IT0膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再進(jìn)行鍍MoAlMo膜層，采 用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180°C，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. (MO—ipa 4. 5*10^Pa之間；c、鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再鍍Si02保護(hù)膜，使用2 個(gè)Si02靶進(jìn)行鍍Si02保護(hù)膜，鍍膜溫度設(shè)置180°C，其中Si02濺射功率3000W，02流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0.45Pa。
全文摘要
一種電容觸摸屏的鍍膜生產(chǎn)工藝，在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)半鋼化玻璃基片基進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍SiO2+ITO膜，采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜，鍍膜溫度設(shè)置范圍180℃～280℃，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15.0Hz～17.0Hz；使用2個(gè)SiO2靶進(jìn)行鍍SiO2膜，2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO膜，鍍上SiO2+ITO膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再采用8個(gè)MoAlMo靶鍍MoAlMo膜；鍍上MoAlMo膜的半成品玻璃經(jīng)過(guò)線路圖形蝕刻加工后，再使用2個(gè)SiO2靶鍍SiO2保護(hù)膜。本發(fā)明生產(chǎn)系統(tǒng)成本低，能耗低，且可以提高用電效率；利用本發(fā)明生產(chǎn)的產(chǎn)品不需機(jī)械器件，更耐用，擁有從單點(diǎn)觸摸，到多點(diǎn)觸摸識(shí)別方向，再到多點(diǎn)觸摸識(shí)別位置。
文檔編號(hào)C23C14/34GK101831614SQ201010169599
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月6日
發(fā)明者吳勇, 吳永光, 溫景成, 胡安春, 董堅(jiān) 申請(qǐng)人:深圳市力合薄膜科技有限公司