專利名稱：卷繞式帶狀ito導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法及裝置，特別是涉及一 種卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法及裝置。
背景技術(shù)：
眾所周知，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢是向著薄輕、占用空間小、攜帶方便等方向發(fā)展， 透明導(dǎo)電薄膜在平板顯示器、太陽能電池、大面積透明電磁屏蔽、大面積觸摸屏等領(lǐng)域的市 場需求越來越大?，F(xiàn)在市場上生產(chǎn)的導(dǎo)電薄膜，局限于片式生產(chǎn)，片式的產(chǎn)品不能滿足大規(guī)格產(chǎn)品 的要求，而且生產(chǎn)工序多，產(chǎn)品性能的一致性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法及裝置，該方 法及裝置在基材上濺射鍍層，連續(xù)化生產(chǎn)，增大產(chǎn)品幅寬和長度，擴(kuò)大產(chǎn)品用途。本發(fā)明的生產(chǎn)方法是首先，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱器、離子 源表面處理；其次，進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧化硅 膜；接著，在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；最后，出工作室分切、包裝；其中，線性離子 源功率為2 IOkw;紅外加熱器功率為300 800W，溫度100 130°C ；濺射室真空度 為lX10_3pa--5X10_3pa，由質(zhì)量比為0.2 (5_6)的氧氣與氬氣形成濺射氛圍；二氧化 硅膜濺射功率為200w-500w，濺射靶為純度大于99. 99 %的石英，濺射電源為射頻濺射電 源；氧化銦錫膜濺射功率為500W-800W，濺射靶為陶瓷靶，氧化銦和氧化錫質(zhì)量比為90 80 10 20，濺射電源為直流濺射電源；深冷捕集器溫度為-130°C -150°C。本發(fā)明的生產(chǎn)裝置是在由隔板間隔的放料室和濺射室內(nèi)安裝生產(chǎn)裝置，生產(chǎn)裝 置包括輸送架、紅外加熱器、離子源、深冷捕集器、二氧化硅發(fā)放器、氧化銦錫發(fā)放器和濺射 靶，在放料室和濺射室內(nèi)排布連貫的輸送架，輸送架的首尾端都位于放料室，在輸送架的首 端安裝放料輥，在輸送架的尾端安裝收料輥，在放料室內(nèi)位于輸送架的兩側(cè)呈平面矩形安 裝離子源，在離子源之前安裝紅外加熱器，在濺射室內(nèi)位于輸送架的兩側(cè)呈平面矩形安裝 一組濺射靶，濺射室內(nèi)位于濺射靶的前方和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器、氧化銦錫發(fā)放 器，放料室、濺射室內(nèi)各放置一個深冷捕集器和真空泵。其中，在輸送架的接近首尾端上分別安裝漲力器。工作時，基材由放料輥放出，被輸送架輸送經(jīng)過放料室的紅外加熱器和離子源，再 交錯經(jīng)過濺射室的二氧化硅發(fā)放器、濺射靶、氧化銦錫發(fā)放器、濺射靶，最后由放料室的收 料輥將導(dǎo)電薄膜收集起來；其中，基材在經(jīng)過紅外加熱器、離子源時，基材被清潔表面、消除 水汽、克服張力；其中，預(yù)處理后的基材在濺射室內(nèi)經(jīng)濺射靶先直接濺射上氧化二硅膜，再 在二氧化硅膜的基礎(chǔ)上濺射氧化銦錫膜，形成ITO導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、ITO導(dǎo)電薄膜寬幅大，最大滿足1800mm，長度長，可以滿
3足近IOOOm ;2、從基材進(jìn)入工作室到產(chǎn)品，在同一真空條件下完成，連續(xù)化生產(chǎn)，產(chǎn)品性能 一致性好；3、紅外加熱器、離子源處理基材，清潔表面、消除水汽、增大張力，增加基材與濺 射層的結(jié)合力；4、濺射二氧化硅膜作為過渡層，提高ITO導(dǎo)電薄膜質(zhì)量；在真室的放料室和 濺射室放置深冷捕集器，捕集吸附水分子、油分子，潔凈濺射環(huán)境。


圖1為本發(fā)明的生產(chǎn)裝置流程示意中1隔板，2放料室，3濺射室，4輸送架，5離子源，6、7深冷捕集器，8 二氧化硅 發(fā)放器，9濺射靶，10放料輥，11收料輥，12氧化銦錫發(fā)放器，13、14真空泵，15、16漲力器， 17紅外加熱器。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，在由隔板1間隔的放料室2和濺射室3內(nèi)安裝生產(chǎn)裝置，生產(chǎn)裝置包 括輸送架4、紅外加熱器17、離子源5、深冷捕集器6、7、二氧化硅發(fā)放器8、氧化銦錫發(fā)放器 12和濺射靶9，在放料室2和濺射室3內(nèi)排布連貫的輸送架4，輸送架4的首尾端都位于放 料室2，在輸送架4的首端安裝放料輥10，在輸送架4的尾端安裝收料輥11，在放料室2內(nèi) 位于輸送架4的兩側(cè)呈平面矩形安裝離子源5，在離子源5之前安裝紅外加熱器17，在濺射 室3內(nèi)位于輸送架4的兩側(cè)呈平面矩形安裝一組濺射靶9，濺射室3內(nèi)位于濺射靶9的前方 和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器8、氧化銦錫發(fā)放器12，放料室2、濺射室3內(nèi)各放置一個深 冷捕集器6、7和真空泵13、14。其中，在輸送架4的接近首尾端上分別安裝漲力器15、16。實(shí)施例1 依以下步驟生產(chǎn)ITO導(dǎo)電薄膜首先，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱 器、離子源表面處理；其次，進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧 化硅膜；接著，在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；最后，出工作室分切、包裝；其中，線性離 子源功率為2kw ；紅外加熱器功率為300W，溫度100°C ；濺射室真空度為lX10_3pa，由質(zhì)量 比為0. 2 5的氧氣與氬氣形成濺射氛圍；二氧化硅膜濺射功率為200w，濺射靶為純度 大于99. 99%的石英，濺射電源為射頻濺射電源；氧化銦錫膜濺射功率為500w，濺射靶為 陶瓷靶，氧化銦和氧化錫質(zhì)量比為90 10，濺射電源為直流濺射電源；深冷捕集器溫度 為-130°C ；透明導(dǎo)電薄膜性能可見光透過率89%，方塊電阻15Ω。實(shí)施例2:依以下步驟生產(chǎn)ITO導(dǎo)電薄膜首先，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱 器、離子源表面處理；其次，進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧 化硅膜；接著，在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；最后，出工作室分切、包裝；其中，線性離 子源功率為6kw ；紅外加熱器功率為550W，溫度115°C ；濺射室真空度為3X10_3pa，由質(zhì)量 比為0.2 5. 5的氧氣與氬氣形成濺射氛圍；二氧化硅膜濺射功率為350w，濺射靶為純 度大于99. 99%的石英，濺射電源為射頻濺射電源；氧化銦錫膜濺射功率為650w，濺射靶 為陶瓷靶，氧化銦和氧化錫質(zhì)量比為85 15，濺射電源為直流濺射電源；深冷捕集器溫度 為-140°C，透明導(dǎo)電薄膜性能可見光透過率92%，方塊電阻15Ω。
實(shí)施例3:依以下步驟生產(chǎn)ITO導(dǎo)電薄膜首先，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱 器、離子源表面處理；其次，進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧 化硅膜；接著，在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；最后，出工作室分切、包裝；其中，線性離 子源功率為IOkw ；紅外加熱器功率為800W，溫度130°C ；濺射室真空度為5X10_3pa，由質(zhì) 量比為0.2 6的氧氣與氬氣形成濺射氛圍；二氧化硅膜濺射功率為500w，濺射靶為純 度大于99. 99%的石英，濺射電源為射頻濺射電源；氧化銦錫膜濺射功率為800w，濺射靶 為陶瓷靶，氧化銦和氧化錫質(zhì)量比為80 20，濺射電源為直流濺射電源；深冷捕集器溫度 為-150°C ；透明導(dǎo)電薄膜性能可見光透過率95%，方塊電阻15Ω。
權(quán)利要求
卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法，其特征在于該生產(chǎn)方法包括以下步驟首先，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱器、離子源表面處理；其次，進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧化硅膜；接著，在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；最后，出工作室分切、包裝；其中，線性離子源功率為2～10kw；紅外加熱器功率為300～800W，溫度100～130℃；濺射室真空度為1×10 3pa 5×10 3pa，由質(zhì)量比為0.2∶(5 6)的氧氣與氬氣形成濺射氛圍；二氧化硅膜濺射功率為200w 500w，濺射靶為純度大于99.99％的石英，濺射電源為射頻濺射電源；氧化銦錫膜濺射功率為500w 800w，濺射靶為陶瓷靶，氧化銦和氧化錫質(zhì)量比為90～80∶10～20，濺射電源為直流濺射電源；深冷捕集器溫度為 130℃～ 150℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)裝置，其特征在于在由隔 板(1)間隔的放料室(2)和濺射室(3)內(nèi)安裝生產(chǎn)裝置，生產(chǎn)裝置包括輸送架(4)、紅外加 熱器(17)、離子源(5)、深冷捕集器(6、7)、二氧化硅發(fā)放器(8)、氧化銦錫發(fā)放器(12)和濺 射靶(9)，在放料室(2)和濺射室(3)內(nèi)排布連貫的輸送架(4)，輸送架(4)的首尾端都位于 放料室(2)，在輸送架(4)的首端安裝放料輥(10)，在輸送架(4)的尾端安裝收料輥(11)， 在放料室(2)內(nèi)位于輸送架(4)的兩側(cè)呈平面矩形安裝離子源(5)，在離子源(5)之前安裝 紅外加熱器(17)，在濺射室(3)內(nèi)位于輸送架⑷的兩側(cè)呈平面矩形安裝一組濺射靶(9)， 濺射室(3)內(nèi)位于濺射靶(9)的前方和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器(8)、氧化銦錫發(fā)放器 (12)，放料室(2)、濺射室(3)內(nèi)各放置一個深冷捕集器(6、7)和真空泵(13、14)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)裝置，其特征在于其中，在 輸送架(4)的接近首尾端上分別安裝漲力器(15、16)。
全文摘要
本發(fā)明公開了卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法，基材在放料室，真空狀態(tài)下經(jīng)過紅外加熱器、離子源表面處理；進(jìn)入濺射室，使用濺射靶及二氧化硅發(fā)放器在基材上濺射二氧化硅膜；在二氧化硅膜上濺射氧化銦錫膜；在放料室(2)和濺射室(3)內(nèi)排布輸送架(4)，輸送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在輸送架(4)的首尾端分別安裝放料輥(10)和收料輥(11)，在放料室(2)內(nèi)位于輸送架(4)的兩側(cè)依次安裝紅外加熱器(17)、離子源(5)，在濺射室(3)內(nèi)位于輸送架(4)的兩側(cè)安裝濺射靶(9)，濺射室(3)內(nèi)位于濺射靶(9)的前方和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器(8)、氧化銦錫發(fā)放器(12)。該方法及裝置在基材上濺射鍍層，連續(xù)化生產(chǎn)，增大產(chǎn)品幅寬和長度，擴(kuò)大產(chǎn)品用途。
文檔編號C23C14/34GK101914755SQ20101022593
公開日2010年12月15日 申請日期2010年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月13日
發(fā)明者傅青炫, 夏慎領(lǐng), 陳先鋒, 馬爾松 申請人:淮安富揚(yáng)電子材料有限公司