專利名稱：碳化鈦新型復(fù)合材料的smt金屬掩膜板之制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種利用新型復(fù)合材料制作高 精度貼裝孔掩膜板的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著生活水平的不斷提高，人們對各種電子電器產(chǎn)品的追求日益小型化，以便攜 帶和擺放，但是傳統(tǒng)使用的穿孔插放電子元件的方法已無法再將產(chǎn)品體積縮?。粸榱穗娮?產(chǎn)品功能更完整，特別是大規(guī)模、高集成IC，不得不采用在模板表面貼片元件；傳統(tǒng)的電子 元件表面貼裝制作方法有掩膜板蝕刻制作法、掩膜板激光切割法等，但是傳統(tǒng)制作掩膜板 的方法存在以下不足之處其一、掩膜板表面不夠光亮，不利于錫膏在掩膜板上的滾動及印 刷時掩膜板與PCB的零接觸；其二、傳統(tǒng)的掩膜板其硬度在370HVB，普通激光掩膜板的使 用壽命不夠長，只有5-8萬次；批量大的生產(chǎn)要頻繁的更新掩膜板，生產(chǎn)成本增加；其三、傳 統(tǒng)方法制作的掩膜板與錫膏中的吸附拉力較大，對錫膏的脫模成型造成不便；其四、傳統(tǒng)方 法制作的掩膜板，印刷錫膏后錫膏較易殘留孔內(nèi)，導(dǎo)致鋼網(wǎng)需要頻繁清洗，使得生產(chǎn)效率不 尚o

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)的諸多不足，旨在提供一種制作出的掩膜板表面精度高 且便于貼裝的新型材料掩膜板的制作方法，。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是碳化鈦新型復(fù)合材料的SMT金屬掩 膜板之制作方法，包括以下步驟a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩 沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2X104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150-200攝氏度；d)通過0. 025-0. 035ffb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金 屬耙材納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶 面，高速度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶 面飛向掩膜板的表面淀積一層約500-1500納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。下面對以上技術(shù)方案作進(jìn)一步闡述所述a步驟制成的掩膜板其貼裝孔為一被掩膜板一面橫截的凌錐形孔剩留的空 槽部分；貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為3-30i!m，貼裝孔的中心距與掩膜板厚度最小比 值為1，貼裝孔其孔壁粗糙度為0. 4 y m。所述a步驟制成的掩膜板由不銹鋼材料和納米碳化鈦復(fù)合制成，其可控硬度為 450-500HV。本發(fā)明的有益效果是其一、本發(fā)明制作的掩膜板，通過對掩膜板表面磁控濺射碳 化鈦的納米膜，使得掩膜板表面光亮，有利于焊膏印刷時，錫珠在掩膜板上的滾動；其二、本發(fā)明制作的掩膜板其表面光亮平整，能保證焊膏印刷時，PCB板與掩膜板之間形成良好的密 封性，以便焊膏印刷在PAD上很好的成型；其三、本發(fā)明制作的掩膜板其硬度比普通不銹鋼 片制作的掩膜板提高20% -40% (由原來的370HVB提高到450-500HVB)，同時強(qiáng)度及韌性 也有較大幅度的提高，讓掩膜板耐磨不易變形，大大提高掩膜板的重復(fù)使用次數(shù)，即大大的 提高了掩膜板的使用壽命，降低了的電子組裝的成本；其四、通過納米技術(shù)微離子濺射產(chǎn)生 的掩膜板，確?？妆诘墓饣瑹o毛刺，利于脫模，減少掩膜板在印刷孔內(nèi)壁殘留大面積的錫 膏，從而減少了對掩膜板的清洗次數(shù)，提高了組裝生產(chǎn)效率。


圖1是本發(fā)明的制作方法流程圖；圖2是發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；附圖標(biāo)記1、掩膜板；2、貼裝孔。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明參照圖1所示，本發(fā)明提供的碳化鈦新型復(fù)合材料SMT金屬掩膜板之制作方法包 括以下步驟a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩 沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2X104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150-200攝氏度；d)通過0. 025-0. 035ffb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金 屬耙材納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶 面，高速度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶 面飛向掩膜板的表面淀積一層約500-1500納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。參照圖2所示，應(yīng)用于SMT的金屬掩膜板，包括掩膜板1及設(shè)置在掩膜板1上用于 安裝電子元件的貼裝孔2，貼裝孔2穿透掩膜板1 ；貼裝孔2為一被掩膜板1 一面橫截的凌 錐形孔剩留的空槽部分；所述掩膜板貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為3-30 ym。依然參照圖2所示，在貼裝印刷上錫漿時，錫漿刮過貼裝孔2，貼裝孔2為一被掩 膜板1 一面橫截的凌錐形孔剩留的空槽部分；所述掩膜板貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為 3-30 u m ；如此錫漿將隨有一定傾斜度的貼裝孔2孔壁緩慢灌入貼裝孔2，并在PCB上形成 貼裝孔2 —致的模型與電子元件相粘合；所述的貼裝孔2其孔壁粗糙度為0. 4 y m，孔壁光 滑有利于錫漿脫模。下面是本發(fā)明的具體實(shí)施例實(shí)施例一a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩 沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2X104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150攝氏度；d)通過0. 025ffb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材 納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，高速度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩 膜板的表面淀積一層約500納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。a步驟制成的掩膜板其貼裝孔上下兩面的尺寸差為3 u m,貼裝孔的中心距與掩膜 板厚度比值為3，貼裝孔其孔壁粗糙度為0. 4 ym ；由不銹鋼材料和納米碳化鈦復(fù)合制成的 掩膜板，其可控硬度為450HV。實(shí)施例二a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩 沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2X104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到175攝氏度；d)通過0. 03ffb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材納 米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，高速度 轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩膜 板的表面淀積一層約1000納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。a步驟制成的掩膜板其貼裝孔上下兩面的尺寸差為15 ym，貼裝孔的中心距與掩 膜板厚度比值為2，貼裝孔其孔壁粗糙度為0. 4 y m ；由不銹鋼材料和納米碳化鈦復(fù)合制成 的掩膜板，其可控硬度為475HV。實(shí)施例三a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩 沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2X104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到200攝氏度；d)通過0. 035ffb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材 納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，高速 度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩 膜板的表面淀積一層約1500納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。a步驟制成的掩膜板其貼裝孔上下兩面的尺寸差為30 ym，貼裝孔的中心距與掩 膜板厚度比值為1，貼裝孔其孔壁粗糙度為0. 4 y m ；由不銹鋼材料和納米碳化鈦復(fù)合制成 的掩膜板，其可控硬度為500HV。根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo)，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實(shí)施方 式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏托薷摹Ｒ虼?，本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的具體實(shí)施方式
，對 本發(fā)明的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，盡管本說明 書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本發(fā)明構(gòu)成任何限制。
權(quán)利要求
碳化鈦新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法，其特征在于包括以下步驟a)在掩膜板上加工用于漏印錫膏的貼裝孔，貼裝孔穿透掩膜板；b)將掩膜板進(jìn)行清洗處理后置于磁控濺射設(shè)備的緩沖室內(nèi)，對磁控濺射設(shè)備的緩沖室進(jìn)行抽真空處理，使得磁控濺射設(shè)備的緩沖室處于2×104帕的真空環(huán)境；c)將置于磁控濺射設(shè)備緩沖室內(nèi)掩膜板加熱到150 200攝氏度；d)通過0.025 0.035Wb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，高速度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩膜板的表面淀積一層約500 1500納米的膜；e)對掩膜板進(jìn)行退火處理，冷卻便完成了碳化鈦新型復(fù)合材料掩膜板的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鈦新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法，其特征 在于所述a步驟制成的掩膜板其貼裝孔為一被掩膜板一面橫截的凌錐形孔剩留的空槽部 分；貼裝孔上下兩面的尺寸差范圍為3-30μπι，貼裝孔的中心距與掩膜板厚度最小比值為 1，貼裝孔其孔壁粗糙度為0. 4 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鈦新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法，其特 征在于所述a步驟制成的掩膜板由不銹鋼材料和納米碳化鈦復(fù)合制成，其可控硬度為 450-500HV。
全文摘要
碳化鈦新型復(fù)合材料的SMT金屬掩膜板之制作方法，涉及電子元件表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種利用新型復(fù)合材料制作高精度貼裝孔掩膜板的制作方法，通過0.025-0.035Wb磁通量的磁場同高壓電場組成正交電磁場將高密度的金屬耙材納米碳化鈦激發(fā)出高密度的微離子體，微離子體在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，高速度轟擊靶面，使靶面上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向掩膜板的表面淀積一層約500-1500納米的膜；其有益效果是本發(fā)明制作的掩膜板，其表面鍍有一層約500-1500納米的碳化鈦膜，使得掩膜板表面光亮，有利于焊膏印刷時，錫珠在掩膜板上的滾動。
文檔編號C23C14/35GK101932200SQ20101023196
公開日2010年12月29日 申請日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者孔斌輝, 徐智, 潘宇強(qiáng), 陳孟財 申請人:潘宇強(qiáng)