專利名稱：線性蒸發(fā)源及具有該線性蒸發(fā)源的沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
描述的技術(shù)一方面大體上涉及一種線性蒸發(fā)源及具有該線性蒸發(fā)源的沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
主要由于平板顯示器重量輕且外形薄，所以平板顯示器取代了陰極射線管顯示 器。這樣的顯示器的典型示例包括液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)。與 IXD相比，OLED通常具有更好的亮度和視角特性，且不需要背光，因此，可將OLED實(shí)現(xiàn)為超 薄顯示器。這些OLED使用通過(guò)陰極和陽(yáng)極注入到有機(jī)薄膜中的電子和空穴復(fù)合而形成激子 的現(xiàn)象來(lái)顯示圖像。這樣，通過(guò)由激子的去激產(chǎn)生的能量的釋放來(lái)發(fā)射具有特定波長(zhǎng)的光。通過(guò)光刻方法或沉積方法在由玻璃、不銹鋼或合成樹(shù)脂形成的基底上選擇地形成 陰極、陽(yáng)極和有機(jī)薄膜來(lái)制造0LED。在沉積方法中，將沉積材料蒸發(fā)或升華、在真空下沉積 并選擇性地蝕刻，或使用具有多個(gè)縫隙的掩模組件以預(yù)定圖案選擇性地沉積沉積材料。這里，光刻方法通常要求將光致抗蝕劑涂覆到預(yù)定區(qū)域，然后對(duì)涂覆的光致抗蝕 劑執(zhí)行濕法或干法蝕刻。在去除或蝕刻光致抗蝕劑的工藝中，濕氣可滲透到下面的基底中。 對(duì)于諸如有機(jī)薄膜的在存在水分的情況下劣化的材料，沉積為用于形成薄膜的主要方法。

發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)發(fā)明發(fā)面是一種線性蒸發(fā)源及具有該線性蒸發(fā)源的沉積設(shè)備，在該線性蒸發(fā) 源中，熔罐的內(nèi)部空間被多個(gè)分隔件隔開(kāi)，且存留在熔罐的隔開(kāi)的空間中的沉積材料的量 偏差被最小化，從而能夠防止層被不均勻地形成。另一方面是一種線性蒸發(fā)源，該線性蒸發(fā)源包括熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的，且熔 罐被構(gòu)造為儲(chǔ)存沉積材料；多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，每個(gè)分隔件在下部中具有 至少一個(gè)通孔；噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；用于加熱熔罐的裝置；殼 體，容納熔罐、噴嘴部分和加熱裝置。另一方面是一種沉積設(shè)備，該沉積設(shè)備包括處理室、線性蒸發(fā)源和基底固定件，線 性蒸發(fā)源位于處理室的一側(cè)上，基底固定件設(shè)置為與線性蒸發(fā)源相對(duì)。線性蒸發(fā)源包括熔 罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的；多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，且每個(gè)分隔件在下部中具有 至少一個(gè)通孔；噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；用于加熱熔罐的裝置；殼 體，容納熔罐、噴嘴部分和加熱裝置。另一方面是一種用于制造平板顯示器的線性蒸發(fā)源， 該線性蒸發(fā)源包括熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的，并被構(gòu)造為儲(chǔ)存沉積材料；多個(gè)分隔件，將 熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，其中，每個(gè)分隔件在下部中具有至少一個(gè)開(kāi)口 ；噴嘴部分，位于熔罐 的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；加熱器，被構(gòu)造為加熱熔罐；殼體，被構(gòu)造為容納熔罐、噴嘴 部分和加熱器。在上面的源中，分隔件與熔罐一體地形成。在上面的源中，開(kāi)口包括沿沉積材料蒸 發(fā)的方向延伸的縫隙。在上面的源中，在每個(gè)分隔件的上部中形成有臺(tái)階式的凹進(jìn)。在上面的源中，當(dāng)熔罐具有敞開(kāi)的上側(cè)時(shí)，加熱器位于熔罐的側(cè)面上。在上面的源中，沉積材料 包括有機(jī)材料。另一方面是一種用于制造平板顯示器的沉積設(shè)備，該沉積設(shè)備包括處理室、蒸發(fā) 源和基底固定件，蒸發(fā)源位于處理室的內(nèi)部并被構(gòu)造為容納沉積材料且將沉積材料噴射到 基底上，基底固定件位于處理室內(nèi)部并被構(gòu)造為固定基底，基底固定件與蒸發(fā)源分隔開(kāi)，其 中，蒸發(fā)源包括i)熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的；ii)多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，且 每個(gè)分隔件在下部中具有至少一個(gè)開(kāi)口 ；iii)噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè) 噴嘴；iv)加熱器，被構(gòu)造為加熱熔罐；ν)殼體，被構(gòu)造為容納熔罐、噴嘴部分和加熱器。在上面的設(shè)備中，分隔件與熔罐一體地形成。在上面的設(shè)備中，開(kāi)口包括沿沉積材 料蒸發(fā)的方向延伸的縫隙。在上面的設(shè)備中，在每個(gè)分隔件的上部中形成有臺(tái)階式的凹進(jìn)。 在上面的設(shè)備中，當(dāng)蒸發(fā)源位于處理室的下部時(shí)，蒸發(fā)源的熔罐具有敞開(kāi)的上側(cè)，加熱器位 于熔罐的側(cè)面上。在上面的設(shè)備中，沉積材料包括有機(jī)材料。上面的沉積設(shè)備還包括傳送 單元，傳送單元被構(gòu)造為沿與熔罐敞開(kāi)的方向基本垂直的方向移動(dòng)蒸發(fā)源。上面的設(shè)備還包括設(shè)置在蒸發(fā)源和基底固定件之間的掩模圖案。上面的設(shè)備還包 括構(gòu)造為夾持放置在基底固定件上的基底的夾持構(gòu)件。另一方面是一種用于制造平板顯示器的蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源包括容器，被構(gòu)造為儲(chǔ) 存沉積材料；加熱器，被構(gòu)造為加熱容器使得至少一部分沉積材料蒸發(fā)；多個(gè)分隔件，將容 器的內(nèi)部空間隔開(kāi)，其中，每個(gè)分隔件具有至少一個(gè)開(kāi)口，至少兩個(gè)分隔件被構(gòu)造為使至少 一部分蒸發(fā)的沉積材料通過(guò)開(kāi)口相互連通；殼體，被構(gòu)造為容納容器和加熱器。在上面的蒸發(fā)源中，在每個(gè)分隔件中形成有臺(tái)階式凹進(jìn)，其中，臺(tái)階式凹進(jìn)基本形 成在開(kāi)口的正上方。在上面的蒸發(fā)源中，分隔件被構(gòu)造為使蒸發(fā)的沉積材料通過(guò)開(kāi)口相互 連通，直到每個(gè)分隔件包括基本上相同量的沉積材料。在上面的蒸發(fā)源中，分隔件的開(kāi)口基 本上彼此對(duì)齊并具有基本相同的尺寸。在上面的蒸發(fā)源中，開(kāi)口包括沿沉積材料蒸發(fā)的方 向延伸的縫隙。


圖1為示出根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意圖。圖2A為示出根據(jù)實(shí)施例的用于沉積設(shè)備的線性蒸發(fā)源的透視圖。圖2B為示出根據(jù)實(shí)施例的用于沉積設(shè)備的線性蒸發(fā)源的剖視圖。圖3A和圖IBB為示出根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備中的分隔件的示意圖。
具體實(shí)施例方式用于制造OLED顯示器的沉積設(shè)備典型地配備有蒸發(fā)源。蒸發(fā)源通常包括i)熔 罐(crucible)，其一側(cè)為敞開(kāi)的并儲(chǔ)存沉積材料；ii)加熱器，構(gòu)造為加熱熔罐；iv)噴嘴部 分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上；ν)殼體，容納熔罐、加熱器和噴嘴部分。為了提高沉積工藝的效 率，可以將線性蒸發(fā)源用作蒸發(fā)源，其中，熔罐在線性蒸發(fā)源中沿一個(gè)方向延伸。具有該線性蒸發(fā)源的沉積設(shè)備使用多個(gè)分隔件來(lái)防止儲(chǔ)存在線性蒸發(fā)源的熔罐 中的沉積材料傾向于一側(cè)。由于被分隔件劃分的空間與加熱器隔開(kāi)不同的距離，所以傳 送到每個(gè)空間的熱的量不同。因此，空間中的沉積材料以預(yù)定的量偏差(quantitativedeviation)蒸發(fā)。該偏差導(dǎo)致存留在空間中的沉積材料之間的量偏差。隨后的量偏差增大 了傳送到存留在空間中的沉積材料的熱的量之間的偏差，使得形成在基底上的層的不均勻 性增大。另外，上面的量偏差可增加熔罐的空間之間的溫度偏差，使得熔罐被加熱器反復(fù) 地膨脹和收縮，導(dǎo)致熔罐的變形。現(xiàn)在，將詳細(xì)地參照公開(kāi)的實(shí)施例，附圖中示出了實(shí)施例的示例，其中，相同的標(biāo) 號(hào)始終代表相同的元件。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可放大層和區(qū)域的長(zhǎng)度和厚度。圖1為示出根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備100包括處理室200、線性蒸發(fā)源300和基底固 定件500，線性蒸發(fā)源300位于處理室200的一側(cè)上，基底固定件500設(shè)置為與線性蒸發(fā)源 300相對(duì)。處理室200構(gòu)造為提供用于沉積工藝的空間。處理室200可以包括裝載/卸載門 (未示出)和排出口(未示出)，通過(guò)裝載/卸載門裝載或卸載基底S，排出口與真空泵(未 示出)連接以控制處理室200的內(nèi)壓并排出未沉積在基底S上的沉積材料。這里，處理室 200還可包括掩模組件，掩模組件設(shè)置在線性蒸發(fā)源300和基底固定件500之間并具有多個(gè) 縫隙，使得沉積材料以預(yù)定圖案沉積在基底S上?；坠潭?00構(gòu)造為放置裝載到處理室200中的基底S，基底固定件500可包括 在執(zhí)行沉積工藝的同時(shí)用于夾持基底S的單獨(dú)的夾持構(gòu)件(未示出)。在一個(gè)實(shí)施例中，線性蒸發(fā)源300位于處理室200的下部，基底固定件500位于處 理室200的上部，基底S被夾持到基底固定件500以與水平面基本平行?？蛇x擇地，線性蒸 發(fā)源300可位于處理室200的一側(cè)上，基底固定件500位于處理室200的另一側(cè)上，使得夾 持到基底固定件500的基底S具有相對(duì)于水平面大約70°至大約110°的角。因此，能夠 防止基底因重力下垂。線性蒸發(fā)源300儲(chǔ)存沉積材料，加熱沉積材料以將沉積材料噴射到基底S上，從而 利用噴射的沉積材料在基底S上形成層。線性蒸發(fā)源300沿一個(gè)方向具有預(yù)定的長(zhǎng)度。處 理室200還可包括傳送單元400，傳送單元400沿與線性蒸發(fā)源300的長(zhǎng)度方向基本垂直 的方向移動(dòng)線性蒸發(fā)源300，以使沉積材料容易地噴射在基底S的前表面上。傳送單元400 包括滾珠螺桿410、電機(jī)430和導(dǎo)向件420，電機(jī)420使?jié)L珠螺桿410旋轉(zhuǎn)，導(dǎo)向件420控制 線性蒸發(fā)源300的移動(dòng)方向。圖2A為示出根據(jù)實(shí)施例的用于沉積設(shè)備的線性蒸發(fā)源的透視圖，圖2B為示出根 據(jù)本實(shí)施例的用于沉積設(shè)備的線性蒸發(fā)源的剖視圖。參照?qǐng)D2A和圖2B，線性蒸發(fā)源300包括熔罐320、噴嘴部分330、加熱器340和殼 體310，熔罐320具有敞開(kāi)的上部并儲(chǔ)存沉積材料，噴嘴部分330位于熔罐320的敞開(kāi)的上 部上并具有多個(gè)噴嘴335，加熱器340位于熔罐320的相對(duì)的側(cè)面上并加熱儲(chǔ)存在熔罐320 中的沉積材料，殼體310容納熔罐320、噴嘴部分330和加熱器340。在根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備100中，線性蒸發(fā)源300被描述為位于處理室200的下 部，因此，熔罐320的上部是敞開(kāi)的?？蛇x擇地，根據(jù)線性蒸發(fā)源300的位置，熔罐320的側(cè) 部或下部可以是敞開(kāi)的。加熱器340構(gòu)造為加熱并蒸發(fā)儲(chǔ)存在熔罐320中的沉積材料。加熱器340可位于熔罐320的與熔罐320的敞開(kāi)側(cè)的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面上。在這種情況下，利用加熱器340加 熱并蒸發(fā)沉積材料需要一些時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例中，為了向位于鄰近于熔罐320的敞開(kāi)側(cè) 面的沉積材料輸送最多熱使沉積材料可容易地蒸發(fā)，加熱器340位于熔罐320的側(cè)面上，具 體地為，在如圖2A和圖2B中所示的熔罐320的上側(cè)是敞開(kāi)的時(shí)，加熱器340位于熔罐320 的相對(duì)的側(cè)面上。在另一個(gè)實(shí)施例中，加熱器340設(shè)置為圍繞熔罐320的側(cè)面。熔罐320包括多個(gè)用于劃分熔罐32的內(nèi)部空間的分隔件325，使得儲(chǔ)存的沉積材 料不向一個(gè)方向傾向，其中，分隔件325與熔罐32 —體地形成。在每個(gè)分隔件325的下部 中設(shè)置有至少一個(gè)通孔32 (或至少一個(gè)開(kāi)口)，使得由加熱器340蒸發(fā)的沉積材料可以在 被多個(gè)分隔件325隔開(kāi)的熔罐320的內(nèi)部空間中自由流動(dòng)，其中，分隔件325的開(kāi)口基本上 彼此對(duì)齊并具有基本上相同的尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，通孔32 具有圓形形狀或多邊形形 狀(三角形、正方形、五邊形等)。所述至少一個(gè)通孔32 可包括多個(gè)具有基本相同或不同 尺寸的孔。在一個(gè)實(shí)施例中，分隔件325構(gòu)造為使蒸發(fā)的沉積材料相互連通，直到每個(gè)分隔 件325包括基本相同量的沉積材料。因此，將存留在空間中的沉積材料之間的量偏差最小 化或基本去除。這里，在每個(gè)分隔件325的上部設(shè)置有臺(tái)階式的凹進(jìn)32 ，使得通過(guò)加熱器340蒸 發(fā)的沉積材料可以移動(dòng)。具體地講，臺(tái)階式凹進(jìn)32 基本形成在開(kāi)口的正上方。因此，可 以根據(jù)壓力差通過(guò)噴嘴部分330的每個(gè)噴嘴335均勻地噴射蒸發(fā)的沉積材料。圖3A和圖;3B為示出根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備中的分隔件的示意圖。如圖3A中所 示，形成在每個(gè)分隔件325的下部中的通孔32 可包括具有預(yù)定區(qū)域或形狀的孔。如圖:3B 中所示，形成在每個(gè)分隔件325的下部中的通孔32 可包括沿沉積材料蒸發(fā)的方向延伸的 縫隙325c。因此，允許在被多個(gè)分隔件325隔開(kāi)的空間中蒸發(fā)的沉積材料自由移動(dòng)，使得可 以將存留在被多個(gè)分隔件325隔開(kāi)的空間中的沉積材料之間的量偏差最小化或基本上去 除。因此，根據(jù)實(shí)施例的沉積設(shè)備100構(gòu)造為使得至少一個(gè)通孔32 形成在隔開(kāi)線性 蒸發(fā)源300的熔罐320的內(nèi)部空間的每個(gè)分隔件325的下部中。從而，當(dāng)儲(chǔ)存在熔罐320 中的沉積材料蒸發(fā)時(shí)，允許蒸發(fā)的沉積材料通過(guò)通孔325在熔罐320的內(nèi)部空間中自由地 流動(dòng)，從而可以將存留在被多個(gè)分隔件325隔開(kāi)的空間中的沉積材料之間的量偏差最小化 或基本上去除。因此，根據(jù)至少一個(gè)公開(kāi)的實(shí)施例，能夠在制造諸如OLED顯示器的平板顯示器的 過(guò)程中形成基本均勻的層。公開(kāi)的實(shí)施例不被認(rèn)為是限制性的，因此，在不脫離權(quán)利要求的原理和精神的情 況下，可做許多改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種用于制造平板顯示器的線性蒸發(fā)源，所述線性蒸發(fā)源包括 熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的，且熔罐被構(gòu)造為儲(chǔ)存沉積材料；多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，其中，每個(gè)分隔件在下部中具有至少一個(gè)開(kāi)口 ；噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；加熱器，構(gòu)造為加熱熔罐；殼體，構(gòu)造為容納熔罐、噴嘴部分和加熱器。
2.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其中，分隔件與熔罐一體地形成。
3.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其中，開(kāi)口包括沿沉積材料蒸發(fā)的方向延伸的縫隙。
4.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其中，在每個(gè)分隔件的上部中形成有臺(tái)階式的凹進(jìn)。
5.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其中，當(dāng)熔罐具有敞開(kāi)的上側(cè)時(shí)，加熱器位于熔罐 的側(cè)面上。
6.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其中，沉積材料包括有機(jī)材料。
7.一種用于制造平板顯示器的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括處理室、蒸發(fā)源和基底固 定件，蒸發(fā)源位于處理室的內(nèi)部并被構(gòu)造為容納沉積材料且將沉積材料噴射到基底上，基 底固定件位于處理室內(nèi)部并被構(gòu)造為固定基底，基底固定件與蒸發(fā)源分隔開(kāi)，其中，蒸發(fā)源 包括i)熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的；ii)多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，且每個(gè)分隔件在下部中具有至少一個(gè)開(kāi)口 ；iii)噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；iv)加熱器，被構(gòu)造為加熱熔罐；ν)殼體，被構(gòu)造為容納熔罐、噴嘴部分和加熱器。
8.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中，分隔件與熔罐一體地形成。
9.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中，開(kāi)口包括沿沉積材料蒸發(fā)的方向延伸的縫隙。
10.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中，在每個(gè)分隔件的上部中形成有臺(tái)階式的凹進(jìn)。
11.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中，當(dāng)蒸發(fā)源位于處理室的下部時(shí)，蒸發(fā)源的熔 罐具有敞開(kāi)的上側(cè)，且加熱器位于熔罐的側(cè)面上。
12.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中，沉積材料包括有機(jī)材料。
13.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括傳送單元，傳送單元被構(gòu)造為 沿與熔罐敞開(kāi)的方向基本垂直的方向移動(dòng)蒸發(fā)源。
14.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括設(shè)置在蒸發(fā)源和基底固定件 之間的掩模組件。
15.如權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括構(gòu)造為夾持放置在基底固定 件上的基底的夾持構(gòu)件。
16.一種用于制造平板顯示器的蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源包括 容器，被構(gòu)造為儲(chǔ)存沉積材料；加熱器，被構(gòu)造為加熱容器使得至少一部分沉積材料蒸發(fā)；多個(gè)分隔件，將容器的內(nèi)部空間隔開(kāi)，其中，每個(gè)分隔件具有至少一個(gè)開(kāi)口，至少兩個(gè) 分隔件被構(gòu)造為使至少一部分蒸發(fā)的沉積材料通過(guò)開(kāi)口相互連通； 殼體，被構(gòu)造為容納容器和加熱器。
17.如權(quán)利要求16所述的蒸發(fā)源，其中，在每個(gè)分隔件中形成有臺(tái)階式凹進(jìn)，臺(tái)階式凹 進(jìn)基本形成在開(kāi)口的正上方。
18.如權(quán)利要求16所述的蒸發(fā)源，其中，分隔件被構(gòu)造為使蒸發(fā)的沉積材料通過(guò)開(kāi)口 相互連通，直到每個(gè)分隔件包括基本上相同量的沉積材料。
19.如權(quán)利要求16所述的蒸發(fā)源，其中，分隔件的開(kāi)口基本上彼此對(duì)齊并具有基本上 相同的尺寸。
20.如權(quán)利要求16所述的蒸發(fā)源，其中，開(kāi)口包括沿沉積材料蒸發(fā)的方向延伸的縫隙。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種線性蒸發(fā)源及具有該線性蒸發(fā)源的沉積設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，線性蒸發(fā)源包括i)熔罐，在其一側(cè)是敞開(kāi)的，且熔罐被構(gòu)造為儲(chǔ)存沉積材料；ii)多個(gè)分隔件，將熔罐的內(nèi)部空間隔開(kāi)，其中，每個(gè)分隔件在下部中具有至少一個(gè)開(kāi)口。該源還包括i)噴嘴部分，位于熔罐的敞開(kāi)側(cè)上并包括多個(gè)噴嘴；ii)加熱器，構(gòu)造為加熱熔罐；iii)殼體，構(gòu)造為容納熔罐、噴嘴部分和加熱器。
文檔編號(hào)C23C14/24GK102102175SQ20101060114
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者盧喆來(lái), 安宰弘, 徐敏逵, 韓尚辰 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社