專利名稱：半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著等離子體(Plasma)技術(shù)的不斷發(fā)展，等離子體設(shè)備已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于制造集成電路(IC)或光伏(PV)產(chǎn)品的制造工藝中。平行板電容耦合等離子體(Capacitively Coupled Plasma，簡稱CCP)設(shè)備由于放電的原理簡單，并且與電子回旋共振等離子體 (Electron Cyclotron Resonance Plasma,以下簡稱ECR)設(shè)備產(chǎn)生的等離子體和感應(yīng)耦合等離子體anductively Coupled Plasma,以下簡稱ICP)產(chǎn)生的等離子體相比相對比較均勻，因此在光伏產(chǎn)品制造行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。目前，平板式等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,以下簡稱PECVD)設(shè)備是應(yīng)用 CCP 原理的設(shè)備。平板式PECVD設(shè)備根據(jù)成膜方式的不同主要分為直接法設(shè)備和間接法設(shè)備兩種，這兩種設(shè)備都是由平板式載板承載晶片。直接法設(shè)備中的載板接地，上電極接中頻或者射頻，在上電極和載板之間形成等離子體；間接法設(shè)備中的載板不接地，只起到傳輸作用， 電極板接高頻或者微波，離子放電時空間中就結(jié)合成減反膜并由擴散作用沉積在晶片表面上。直接法設(shè)備為了實現(xiàn)載板接地，通常都是采用上鍍膜的方式。圖1為一種平板式PECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，該平板式PECVD設(shè)備為平板式直接法上鍍膜PECVD設(shè)備。如圖1所示，該平板式PECVD設(shè)備包括反應(yīng)腔室11、設(shè)置于反應(yīng)腔室11內(nèi)部的上極板14和載板17，上極板14連接有射頻電源13，載板17直接接地或者接射頻電源(此種情況圖中未示出)，上電極14上設(shè)置有進氣口 12，反應(yīng)腔室11上設(shè)置有位于載板17下方的排氣口 19，反應(yīng)腔室11上還設(shè)置有用于測量反應(yīng)腔室11內(nèi)部壓力的真空計18，載板17上放置有晶片16。其中，載板17可以作為下極板。反應(yīng)腔室11內(nèi)部一般處于真空狀態(tài)，工藝氣體通過上極板14上的進氣孔15進入反應(yīng)腔室11內(nèi)部，并在真空計18 的監(jiān)控下通過排氣口 19的排氣將反應(yīng)腔室11內(nèi)部控制在一定壓力下。射頻電源13通過上極板14向反應(yīng)腔室11內(nèi)部提供能量，在上極板14和載板17之間產(chǎn)生射頻電場，以將工藝氣體激發(fā)成等離子體15，從而對放置于載板17上的晶片16進行鍍膜工藝處理，進行工藝處理后的氣體通過排氣口 19排出反應(yīng)腔室11。圖2為采用圖1中的平板式PECVD設(shè)備的晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該晶片處理系統(tǒng)包括預(yù)熱設(shè)備2、平板式PECVD 設(shè)備1和冷卻設(shè)備3。其中，預(yù)熱設(shè)備2包括預(yù)熱腔室21和設(shè)置于預(yù)熱腔室21內(nèi)部的紅外燈管M ；冷卻設(shè)備3包括冷卻腔室31和設(shè)置于冷卻腔室31內(nèi)部的冷卻裝置32 ；平板式 PECVD設(shè)備1的結(jié)構(gòu)可參見圖1中的描述。結(jié)合圖1和圖2所示，裝滿晶片16的載板17首先被傳送到預(yù)熱腔室21中，由紅外燈管M對載板17上的晶片16進行加熱處理；當加熱到一定溫度后載板17傳入平板式PECVD設(shè)備1，平板式PECVD設(shè)備1對載板17上的晶片16 進行鍍膜工藝處理；工藝處理完成后載板17傳入冷卻腔室31中，由冷卻裝置32對整個載板17進行冷卻處理，冷卻到一定溫度后載板17被傳出冷卻腔室31，并在指定地點進行裝卸片，即將進行過工藝處理的晶片16從載板17上取走，并將待處理的晶片16放置于載板17
4之上。進而重復(fù)上述過程對待處理的晶片16進行工藝處理。但是，上述平板式PECVD設(shè)備存在如下缺陷由于該平板式PECVD設(shè)備對晶片進行鍍膜工藝處理時采用的是上鍍膜方式，即晶片的鍍膜表面朝上，這樣在工藝處理過程中產(chǎn)生的顆?；蛘唛L時間運行后上極板剝落的顆粒會掉落到晶片的鍍膜表面上，從而降低了晶片的質(zhì)量并影響了晶片的外觀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，用于提高晶片的質(zhì)量并避免對晶片外觀的影響。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括包括反應(yīng)腔室、吸附組件和用于向所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置；所述吸附組件位于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的頂部，所述吸附組件用于吸附晶片；所述反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有進氣口，所述進氣口為向所述反應(yīng)腔室引入工藝氣體的通道。進一步地，所述射頻裝置包括氣體分配板和射頻電源，所述射頻電源連接于所述氣體分配板；所述氣體分配板位于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并靠近所述反應(yīng)腔室內(nèi)的底部設(shè)置，且通過絕緣部件與所述反應(yīng)腔室內(nèi)的底部連接以構(gòu)成進氣腔，所述進氣腔與所述進氣 □連通。 進一步地，所述氣體分配板為金屬板。進一步地，所述吸附組件為一頂部開設(shè)有多個第一通孔的罩狀體，所述罩狀體扣設(shè)于所述反應(yīng)腔室的頂部；且所述反應(yīng)腔室的頂部設(shè)置有與所述罩狀體相連通的控壓抽氣出口。進一步地，當所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強與所述罩狀體的內(nèi)部壓強之差為指定值時，所述晶片吸附于所述罩狀體頂部的第一通孔上。進一步地，所屬半導(dǎo)體設(shè)備還包括第一真空規(guī)和第二真空規(guī)；所述第一真空規(guī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，且設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的底部或側(cè)部，該第二真空規(guī)用于檢測所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強；所述第二真空規(guī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，且設(shè)置于所述罩狀體所扣設(shè)的所述反應(yīng)腔室的頂部范圍內(nèi)，該第二真空規(guī)用于檢測所述罩狀體的內(nèi)部壓強。進一步地，所述反應(yīng)腔室的頂部還設(shè)置有位于所述罩狀體外圍的排氣口 ；則所述半導(dǎo)體設(shè)備還包括控制器和與所述控制器連接的排氣裝置，所述控制器與所述第一真空規(guī)和所述第二真空規(guī)連接，所述排氣裝置與所述控壓抽氣出口和所述排氣口連接；所述控制器，用于根據(jù)所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強和所述罩狀體的內(nèi)部壓強，控制所述排氣裝置；所述排氣裝置，用于在所述控制器的控制下，通過所述控壓抽氣出口和所述排氣口分別對罩狀體和反應(yīng)腔室進行排氣，以使所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強與所述罩狀體的內(nèi)部壓強之差為指定值。進一步地，所述指定值大于所述晶片的重量與所述晶片的面積的比值。進一步地，所述罩狀體頂部設(shè)置有多個通孔區(qū)域，每個通孔區(qū)域內(nèi)包括多個所述第一通孔，每個通孔區(qū)域內(nèi)所述第一通孔分布的面積小于所述晶片的面積。進一步地，所述半導(dǎo)體設(shè)備還包括載板，所述載板包括多個晶片槽，所述晶片槽為鏤空結(jié)構(gòu)，所述晶片槽用于放置所述晶片，每個所述晶片槽對應(yīng)于一個所述通孔區(qū)域。進一步地，所述晶片槽的深度大于所述晶片的厚度。進一步地，所述晶片槽的材料為炭炭復(fù)合材料。進一步地，所述罩狀體中設(shè)置有加熱器，所述加熱器用于對所述罩狀體的頂部進行加熱。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，半導(dǎo)體設(shè)備包括反應(yīng)腔室、吸附組件和用于向反應(yīng)腔室的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置。吸附組件位于反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并設(shè)置于反應(yīng)腔室的頂部，吸附組件用于吸附晶片。反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有進氣口，進氣口為向反應(yīng)腔室引入工藝氣體的通道。本發(fā)明中晶片吸附于位于反應(yīng)腔室頂部的吸附組件上，晶片的鍍膜工藝處理表面朝下，這樣避免了鍍膜工藝處理過程中產(chǎn)生的顆粒或者長時間運行后上極板剝落的顆粒掉落到晶片表面的問題，從而提高了晶片的質(zhì)量并避免了對晶片外觀的影響。


圖1為一種平板式PECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為采用圖1中的平板式PECVD設(shè)備的晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種半導(dǎo)體設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中氣體分配板的俯視圖；圖5為圖3中半導(dǎo)體設(shè)備的俯視圖；圖6為圖3中罩狀體頂部的示意圖；圖7為圖6中第一通孔的剖面圖；圖8為本發(fā)明實施例一中載板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的半導(dǎo)體設(shè)備進行詳細描述。圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種半導(dǎo)體設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，該半導(dǎo)體設(shè)備包括反應(yīng)腔室41、吸附組件和用于向反應(yīng)腔室41的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置。吸附組件位于反應(yīng)腔室41的內(nèi)部，并設(shè)置于反應(yīng)腔室41的頂部，吸附組件用于吸附晶片。反應(yīng)腔室41的底部設(shè)置有進氣口 45，進氣口 45為向反應(yīng)腔室41引入工藝氣體的通道。本實施例中，射頻裝置包括氣體分配板43和射頻電源44，且氣體分配板43連接于射頻電源44，氣體分配板43位于反應(yīng)腔室41的內(nèi)部，并靠近反應(yīng)腔室41內(nèi)的底部設(shè)置。 氣體分配板由金屬材料制成，因此可作為電極板將射頻電源44所提供的射頻功率引入反應(yīng)腔室41內(nèi)，優(yōu)選地，氣體分配板的材料可以為鋁或者不銹鋼。本實施例中，為使氣體分配板43更好地起到分配工藝氣體氣流的作用，需使氣體分配板43與反應(yīng)腔室41構(gòu)成一進氣腔，且該進氣腔與進氣口 45連通；但由于反應(yīng)腔室41接地(如圖3所示)的緣故，氣體分配板43必需通過絕緣部件M與反應(yīng)腔室41的底部相連接以構(gòu)成所述進氣腔。圖4為圖3中氣體分配板的俯視圖，如圖4所示，氣體分配板43上開設(shè)有用于使工藝氣體通過的第二通孔49。優(yōu)選地，第二通孔49的數(shù)量可以為多個，并且均勻排布于氣體分配板43上。優(yōu)選地，第二通孔49的形狀可以為圓形或者方形，圖4中以圓形為例進行描述。進一步地，第二通孔49還可以為其它形狀，此處不再一一列舉。本實施例中，進氣口 45位于氣體分配板43的下方，從進氣口 45進入的工藝氣體可以通過氣體分配板43上的第二通孔49進入到反應(yīng)腔室41的腔體中。本實施例中，絕緣部件M固設(shè)于反應(yīng)腔室41的底部，氣體分配板43安裝于絕緣部件M上。絕緣部件M的數(shù)量可以為一個或者多個，優(yōu)選地，本實施例中絕緣部件M的數(shù)量為二個。絕緣部件M使反應(yīng)腔室41和氣體分配板43之間實現(xiàn)電氣隔離。本實施例中，進氣腔還可以稱為勻流腔。本實施例中，吸附組件可以為一頂部開設(shè)有多個第一通孔48的罩狀體42，罩狀體 42扣設(shè)于反應(yīng)腔室41的頂部；且反應(yīng)腔室41的頂部設(shè)置有與罩狀體42相連通的控壓抽氣出口 47。本實施例中，當反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強大于罩狀體42的內(nèi)部壓強，晶片16才可以吸附于罩狀體42頂部的第一通孔48上。具體地，當反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強與罩狀體42 的內(nèi)部壓強之差為指定值時，晶片16會吸附于罩狀體42頂部的第一通孔48上。優(yōu)選地， 指定值可以大于晶片16的重量與晶片16的面積的比值。本實施例中，半導(dǎo)體設(shè)備可以為PECVD設(shè)備，具體地，該PECVD設(shè)備設(shè)備為平板式直接法下鍍膜PECVD設(shè)備。當半導(dǎo)體設(shè)備為PECVD設(shè)備時，吸附組件可吸附多個晶片。本實施例中，半導(dǎo)體設(shè)備還包括第一真空規(guī)50和第二真空規(guī)51。第一真空規(guī)50 位于反應(yīng)腔室41的外部，且設(shè)置于反應(yīng)腔室41的底部或側(cè)部，該第一真空規(guī)50用于檢測反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強；第二真空規(guī)51位于反應(yīng)腔室41的外部，且設(shè)置于罩狀體42所扣設(shè)的反應(yīng)腔室42的頂部范圍內(nèi)，該第二真空規(guī)51用于檢測罩狀體42的內(nèi)部壓強。本實施例中，反應(yīng)腔室41的頂部還設(shè)置有位于罩狀體42外圍的排氣口 46，則半導(dǎo)體設(shè)備還包括控制器和與控制器連接的排氣裝置，控制器與第一真空規(guī)50和第二真空規(guī) 51連接，排氣裝置與控壓抽氣出口 45和排氣口 46連接。控制器，用于根據(jù)反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強和罩狀體42的內(nèi)部壓強，控制排氣裝置；排氣裝置，用于在控制器的控制下，通過控壓抽氣出口 45和排氣口 46分別對罩狀體42和反應(yīng)腔室41進行排氣，以使反應(yīng)腔室41 的內(nèi)部壓強與罩狀體42的內(nèi)部壓強之差為指定值。其中，控制器和排氣裝置在圖3中未示出。優(yōu)選地，排氣裝置可以為真空泵。圖5為圖3中半導(dǎo)體設(shè)備的俯視圖，如圖5所示，排氣口 46位于罩狀體42外圍。優(yōu)選地，排氣口 46均勻排布于罩狀體42外圍。具體地，排氣口 46位于罩狀體42的周圍，圍繞罩狀體42均勻排列。圖6為圖3中罩狀體頂部的示意圖，圖7為圖6中第一通孔的剖面圖，如圖7和圖 7所示，罩狀體42的頂部開設(shè)有多個第一通孔48。第一通孔48的形狀可以為圓形或者方形，圖6中以圓形為例進行描述。進一步地，第一通孔48還可以為其它形狀，此處不再一一列舉。本實施例中的第一通孔48可分區(qū)域設(shè)置。優(yōu)選地，罩狀體42底部設(shè)置有多個通孔區(qū)域49，每個通孔區(qū)域49內(nèi)包括多個第一通孔48，每個通孔區(qū)域49內(nèi)第一通孔48分布的面積小于晶片16的面積。
進一步地，半導(dǎo)體設(shè)備還可以包括載板53。圖8為本發(fā)明實施例一中載板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，載板53包括多個晶片槽531，晶片槽531為鏤空結(jié)構(gòu)，晶片槽53用于放置晶片，每個晶片槽531對應(yīng)于一個通孔區(qū)域49。晶片槽53的尺寸可根據(jù)晶片的尺寸進行設(shè)置。晶片槽53的數(shù)量為多個。優(yōu)選地，晶片槽53的深度大于晶片的厚度，從而當晶片放置于晶片槽53中時，可實現(xiàn)晶片位置的固定。由于載板53采用的是鏤空框架結(jié)構(gòu)，為保證載板53獲得足夠的強度，優(yōu)選地，載板53的材料可以為炭炭復(fù)合材料。進一步地，本實施例中，罩狀體42中可設(shè)置有加熱器52，加熱器52用于對罩狀體 42的頂部進行加熱。加熱器52可均勻分布于罩狀體42頂部的上方，根據(jù)需要該加熱器52 可將罩狀體42頂部的溫度維持在某一溫度。本實施例中，射頻裝置提供的射頻功率使工藝氣體成為等離子體15，反應(yīng)腔室41 通過等離子體15對晶片16進行鍍膜工藝處理。下面結(jié)合附圖3至圖8，通過一個具體的實例對本發(fā)明中半導(dǎo)體設(shè)備的工作原理進行詳細描述。將晶片槽531中放滿晶片16的載板53傳輸?shù)椒磻?yīng)腔室41內(nèi)部。升降機構(gòu)(圖3 中未示出)將載板53升起到罩狀體42的頂部并使載板53與罩狀體42的頂部充分接觸。 控制器根據(jù)第一真空規(guī)50檢測出的反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強和第二真空規(guī)51檢測出的罩狀體42的內(nèi)部壓強，控制排氣裝置。排氣裝置在控制器的控制下，通過控壓抽氣出口 45和排氣口 46分別對罩狀體42和反應(yīng)腔室41進行排氣，以使反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強與罩狀體42的內(nèi)部壓強之差為指定值。當反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強與罩狀體42的內(nèi)部壓強之差達到指定值時，晶片16從晶片槽531中升起并被吸附于罩狀體42的頂部，其中指定值可以大于晶片16的重量與晶片16的面積的比值。工藝氣體通過進氣口 45進入到氣體分配板 43下方的進氣腔中，并通過氣體分配板43上的第二通孔49進入到反應(yīng)腔室41的腔體中。 射頻裝置提供的射頻功率使工藝氣體成為等離子體15，反應(yīng)腔室41通過等離子體15對晶片16進行鍍膜工藝處理。升降機構(gòu)將載板53降下，此時，載板53可以被傳輸?shù)椒磻?yīng)腔室 41之外的其它腔室執(zhí)行工藝流程。待反應(yīng)腔室41完成對晶片16的鍍膜工藝處理之后，載板53被傳輸回反應(yīng)腔室41中。升降機構(gòu)將載板53升起到罩狀體42的頂部并使載板53 與罩狀體42的頂部接觸?？刂破鞲鶕?jù)第一真空規(guī)50檢測出的反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強和第二真空規(guī)51檢測出的罩狀體42的內(nèi)部壓強，控制排氣裝置。排氣裝置在控制器的控制下，通過控壓抽氣出口 45和排氣口 46分別對罩狀體42和反應(yīng)腔室進行排氣，以使反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強與罩狀體42的內(nèi)部壓強之差小于指定值。當反應(yīng)腔室41的內(nèi)部壓強與罩狀體42的內(nèi)部壓強之差小于指定值時，吸附于罩狀體42頂部的晶片16落入載板53的晶片槽531中。載板53將晶片16從反應(yīng)腔室41中送出。其中，在反應(yīng)腔室41對晶片16 進行鍍膜工藝處理過程中，反應(yīng)后的剩余氣體可通過排氣口 46排出反應(yīng)腔室41。本發(fā)明上述實施例提供的技術(shù)方案中，半導(dǎo)體設(shè)備包括反應(yīng)腔室、吸附組件和用于向反應(yīng)腔室的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置。吸附組件位于反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并設(shè)置于反應(yīng)腔室的頂部，吸附組件用于吸附晶片。反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有進氣口，進氣口為向反應(yīng)腔室引入工藝氣體的通道。本發(fā)明中晶片吸附于位于反應(yīng)腔室頂部的吸附組件上，晶片的鍍膜工藝處理表面朝下，這樣避免了鍍膜工藝處理過程中產(chǎn)生的顆粒或者長時間運行后上極板剝落的顆粒掉落到晶片表面的問題，從而提高了晶片的質(zhì)量并避免了對晶片外觀的影響。進一步地，本發(fā)明中的載板包括多個用于放置晶片的晶片槽，晶片槽為鏤空結(jié)構(gòu)，與采用實體結(jié)構(gòu)的載板相比，質(zhì)量小，利于維護，且由于載板的熱容量較小導(dǎo)致對載板加熱和冷卻的時間較少以及能耗較少，從而提高了晶片的產(chǎn)能。 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括反應(yīng)腔室、吸附組件和用于向所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置；所述吸附組件位于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的頂部，所述吸附組件用于吸附晶片；所述反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有進氣口，所述進氣口為向所述反應(yīng)腔室引入工藝氣體的通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述射頻裝置包括氣體分配板和射頻電源，所述射頻電源連接于所述氣體分配板；所述氣體分配板位于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并靠近所述反應(yīng)腔室內(nèi)的底部設(shè)置，且通過絕緣部件與所述反應(yīng)腔室內(nèi)的底部連接以構(gòu)成進氣腔，所述進氣腔與所述進氣口連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述氣體分配板為金屬板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述吸附組件為一頂部開設(shè)有多個第一通孔的罩狀體，所述罩狀體扣設(shè)于所述反應(yīng)腔室的頂部；且所述反應(yīng)腔室的頂部設(shè)置有與所述罩狀體相連通的控壓抽氣出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，當所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強與所述罩狀體的內(nèi)部壓強之差為指定值時，所述晶片吸附于所述罩狀體頂部的第一通孔上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，還包括第一真空規(guī)和第二真空規(guī)； 所述第一真空規(guī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，且設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的底部或側(cè)部，該第二真空規(guī)用于檢測所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強；所述第二真空規(guī)位于所述反應(yīng)腔室的外部，且設(shè)置于所述罩狀體所扣設(shè)的所述反應(yīng)腔室的頂部范圍內(nèi)，該第二真空規(guī)用于檢測所述罩狀體的內(nèi)部壓強。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔室的頂部還設(shè)置有位于所述罩狀體外圍的排氣口 ；則所述半導(dǎo)體設(shè)備還包括控制器和與所述控制器連接的排氣裝置，所述控制器與所述第一真空規(guī)和所述第二真空規(guī)連接，所述排氣裝置與所述控壓抽氣出口和所述排氣口連接；所述控制器，用于根據(jù)所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強和所述罩狀體的內(nèi)部壓強，控制所述排氣裝置；所述排氣裝置，用于在所述控制器的控制下，通過所述控壓抽氣出口和所述排氣口分別對罩狀體和反應(yīng)腔室進行排氣，以使所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部壓強與所述罩狀體的內(nèi)部壓強之差為指定值。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述指定值大于所述晶片的重量與所述晶片的面積的比值。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述罩狀體頂部設(shè)置有多個通孔區(qū)域，每個通孔區(qū)域內(nèi)包括多個所述第一通孔，每個通孔區(qū)域內(nèi)所述第一通孔分布的面積小于所述晶片的面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，還包括載板，所述載板包括多個晶片槽，所述晶片槽為鏤空結(jié)構(gòu)，所述晶片槽用于放置所述晶片，每個所述晶片槽對應(yīng)于一個所述通孔區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述晶片槽的深度大于所述晶片的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述晶片槽的材料為炭炭復(fù)合材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述罩狀體中設(shè)置有加熱器，所述加熱器用于對所述罩狀體的頂部進行加熱。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體設(shè)備。該半導(dǎo)體設(shè)備包括包括反應(yīng)腔室、吸附組件和用于向所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部提供射頻功率的射頻裝置；所述吸附組件位于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部，并設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的頂部，所述吸附組件用于吸附晶片；所述反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有進氣口，所述進氣口為向所述反應(yīng)腔室引入工藝氣體的通道。本發(fā)明中晶片吸附于位于反應(yīng)腔室頂部的吸附組件上，晶片的鍍膜工藝處理表面朝下，這樣避免了鍍膜工藝處理過程中產(chǎn)生的顆?；蛘唛L時間運行后上極板剝落的顆粒掉落到晶片表面的問題，從而提高了晶片的質(zhì)量并避免了對晶片外觀的影響。
文檔編號C23C16/44GK102534551SQ201010610649
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者張風(fēng)港 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司