專利名稱：大面積磁控鍍膜用真空過渡室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及到一種鍍膜緩沖裝置，尤其涉及到一種磁控鍍膜生產(chǎn)線用真空緩 沖裝置，屬于金屬鍍膜加工裝置領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的大面積鍍膜技術(shù)發(fā)展中，已由最初的真空蒸發(fā)鍍膜發(fā)展到現(xiàn)在的等離子 體濺射鍍膜，膜層也由最初的單層金屬膜發(fā)展到現(xiàn)在的含有金屬膜、反應(yīng)膜及陶瓷介質(zhì)保 護(hù)膜的復(fù)雜膜系，對鍍膜工藝氣氛的穩(wěn)定性要求越來越高，不允許在鍍膜基板進(jìn)出鍍膜室 時造成鍍膜氣氛的不穩(wěn)定，現(xiàn)有技術(shù)中，是在鍍膜區(qū)前后端設(shè)計兩個真空過渡室，主要根據(jù) 基片的最大規(guī)格設(shè)計，內(nèi)部無任何隔離，但隨著基片的進(jìn)出會造成鍍膜區(qū)氣氛的不穩(wěn)定，影 響鍍膜的效果，生產(chǎn)效率低，會造成較多的廢品，浪費原材料。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有鍍膜真空過渡室，會造成鍍膜區(qū)氣氛的不穩(wěn) 定，影響鍍膜的效果，結(jié)合真空進(jìn)出口室和鍍膜區(qū)的技術(shù)要求，提供一種鍍膜區(qū)氣氛穩(wěn)定的 大面積磁控鍍膜用真空過渡室。為了解決上述的技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是大面積磁控鍍膜用真 空過渡室，包括主箱體10，左、右端板20，30，沿口板40，所述主箱體10由中間隔板裝置50 間隔成多個真空腔室60，所述中間隔板裝置50設(shè)有通孔70以供鍍膜基片在多個真空腔室 之間通行。進(jìn)一步優(yōu)選方案是所述真空腔室60的外部設(shè)有分子泵抽真空單元80。進(jìn)一步優(yōu)選方案是所述真空腔室60是三個。進(jìn)一步優(yōu)選方案是所述通孔70由上擋板71和下?lián)醢?2構(gòu)成。本實用新型的有益效果是，把一個大的真空腔室設(shè)成多個真空腔室，保持了鍍膜 區(qū)的氣氛穩(wěn)定，提高鍍膜的加工效率，保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。

圖1、本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2、本實用新型中的中間隔板裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖3、部件真空腔室的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實施方式
為了更清楚的說明本實用新型采用的技術(shù)方案，現(xiàn)結(jié)合附圖對本實用新型做進(jìn)一 步的說明。如圖1、2、3所示，大面積磁控鍍膜生產(chǎn)線用真空過渡室為一個用金屬材料做成的 密閉的大真空腔，一般由主箱體10，左右端板20、30，沿口板構(gòu)成，左右端板20，30均設(shè)有供鍍膜基材通行的通孔，在大真空腔體內(nèi)用中間隔板裝置50把大真空腔分為三個小真空腔 室60、61、62，，所述中間隔板裝置50設(shè)有通孔70，以方便鍍膜基材有一個真空腔室進(jìn)入下 一個真空腔室，通孔70由上下?lián)醢?1、72圍構(gòu)而成， 在每個真空腔室外部都設(shè)有分子泵抽真空單元80，所述分子泵抽真空單元80與 設(shè)于真空腔室60外部的法蘭盤緊密連接，所述分子泵抽真空單元80抽取進(jìn)入真空腔室的 空氣、水氣、介質(zhì)氣體等雜質(zhì)，保證鍍膜區(qū)氣氛穩(wěn)定。
權(quán)利要求大面積磁控鍍膜用真空過渡室，包括主箱體(10)，左、右端板(20，30)，沿口板(40)，其特征在于所述主箱體(10)由中間隔板裝置(50)間隔成多個真空腔室(60，61，62)，所述中間隔板裝置(50)設(shè)有通孔(70)以供鍍膜基片在多個真空腔室之間通行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述真空腔室(60)的外部設(shè)有分 子泵抽真空單元(80)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述真空腔室(60)是三個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述通孔(70)由上擋板(71)和 下?lián)醢?72)構(gòu)成。
專利摘要本實用新型提供了一種磁控鍍膜用真空緩沖裝置。其包括主箱體，左、右端板，沿口板，所述主箱體由中間隔板裝置間隔成多個真空腔室，所述中間隔板裝置設(shè)有通孔以供鍍膜基片在多個真空腔室之間通行。本實用新型解決了鍍膜區(qū)氣氛穩(wěn)定的技術(shù)問題，提高了鍍膜基材的鍍膜質(zhì)量、鍍膜效率和穩(wěn)定性。
文檔編號C23C14/35GK201686740SQ20102018999
公開日2010年12月29日 申請日期2010年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月12日
發(fā)明者何玄濤, 朱敏華 申請人:上海子創(chuàng)鍍膜技術(shù)有限公司