專利名稱：一種大直徑硅片拋光裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種硅片拋光裝置，特別是一種300mm以上大直徑硅片的拋光裝置。
背景技術(shù)：
半導體硅片是現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主要襯底材料，一般通過拉晶、切片、倒 角、磨片、腐蝕、拋光、清洗等工藝過程制造而成的集成電路級半導體硅片。為增加IC芯片 產(chǎn)量，降低單元制造成本，硅片向大直徑發(fā)展，盡管目前的主流是300mm，國際上三大IC廠 家正在研究和推進450mm硅片的應用和產(chǎn)業(yè)化。由于大尺寸硅片的表面積較大，在拋光過 程中幾何參數(shù)難以控制，為了獲得平坦的表面，在目前大尺寸硅片的拋光過程中雙面拋光 代替單面拋光。雙面拋光過程中由于硅片處于自由的懸浮狀態(tài)，拋光后的表面幾何參數(shù)能控制得 很好，能達到65nm和32nm線寬的要求。但隨著硅片表面積的進一步增大，由于面積太大和 自身重力的問題，拋光過程中的均勻性很難控制，從而會影響大直徑硅片的幾何參數(shù)。因 此，為了得到符合幾何參數(shù)要求的300mm直徑以上硅片產(chǎn)品，就需要一種新型的硅片拋光
直ο
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種大直徑硅片的拋光裝置，該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，硅片在 拋光時處于垂直狀態(tài)，硅片可以有效地避免因自重而引起的形變，同時更容易控制硅片兩 面由于硅片尺寸的增大而帶來的拋光問題，另外，拋光液直接由拋光輪表面的小孔供到硅 片表面，拋光時表面的拋光液更加均勻，可以有效地提高拋光后的表面平整度，既提高了生 產(chǎn)的效率，又提高了拋光片的成品率。為達到上述發(fā)明目的本實用新型采用以下技術(shù)方案一種大直徑硅片拋光裝置，它包括垂直方向設置的、帶動硅片進行旋轉(zhuǎn)的游輪 圈、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動部分帶動的左拋光輪，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動部分 帶動的右拋光輪，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊，拋光輪表面設有供拋光 液到硅片表面的孔，孔與內(nèi)置于傳動部分和拋光輪內(nèi)的軟管相通。所述的左、右拋光輪為拋光盤。拋光輪的材料為金屬或陶瓷。拋光輪直徑為150mm 250mm。拋光輪上供拋光液的孔的數(shù)量為1 50個。游輪圈材料為樹脂。拋光液供液部分的管道材料為樹脂。本實用新型的優(yōu)點是該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，硅片在拋光時處于垂直狀態(tài)，硅片可以有 效地避免因自重而引起的形變，同時更容易控制硅片表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來的拋光問題，既提高了生產(chǎn)的效率，又提高了拋光片的成品率。
圖Ia 目前雙面拋光機的拋光示意圖圖lb:圖Ia內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖圖2 本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖圖3 使用本實用新型時加工示意圖圖la、圖Ib中，21為上大盤，22為下大盤，23為邊緣齒輪，24為游輪片，25為硅片， 26為太陽輪。
具體實施方式
硅片拋光裝置它包括垂直方向設置的、帶動硅片進行旋轉(zhuǎn)的游輪圈(3)、位于游 輪圈左側(cè)的、由左傳動部分(2)帶動的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動部分(5) 帶動的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)，拋光輪表面設 有供拋光液到硅片表面的小孔(加液孔)，孔與內(nèi)置于傳動部分和拋光輪內(nèi)的軟管(6)相 通，所述的軟管與設備外面的拋光液供液部分相連。在拋光時游輪圈帶動硅片(25)旋轉(zhuǎn)，拋光液由左右傳動部分中的拋光液管道和 拋光輪表面的小孔供到硅片的表面，左右拋光輪同時逆向旋轉(zhuǎn)對硅片表面進行拋光，左右 拋光輪的轉(zhuǎn)速和壓力相同。由于拋光時硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形變，同時更容易控 制硅片兩面表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來的拋光問題。
權(quán)利要求一種大直徑硅片拋光裝置，其特征在于它包括垂直方向設置的、帶動硅片進行旋轉(zhuǎn)的游輪圈(3)、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動部分(2)帶動的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動部分(5)帶動的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)，拋光輪表面設有供拋光液到硅片表面的孔，孔與內(nèi)置于傳動部分和拋光輪內(nèi)的軟管(6)相通。
2.按照權(quán)利要求1所要求的硅片拋光裝置，其特征在于所述的左、右拋光輪為拋光
3.按照權(quán)利要求1所要求的硅片拋光裝置，其特征在于拋光輪的材料為金屬或陶瓷。
4.按照權(quán)利要求1所要求的硅片拋光裝置，其特征在于拋光輪直徑為150mm 250mmo
5.按照權(quán)利要求1或4所要求的硅片拋光裝置，其特征在于拋光輪上供拋光液的孔 的數(shù)量為1 50個。
6.按照權(quán)利要求1所要求的硅片拋光裝置，其特征在于游輪圈材料為樹脂。
7.按照權(quán)利要求1所要求的硅片拋光裝置，其特征在于拋光液供液部分的管道材料 為樹脂。
專利摘要一種大直徑硅片拋光裝置，其特征在于它包括垂直方向設置的、帶動硅片進行旋轉(zhuǎn)的游輪圈(3)、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動部分(2)帶動的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動部分(5)帶動的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)，拋光輪表面設有供拋光液到硅片表面的孔，孔與內(nèi)置于傳動部分和拋光輪內(nèi)的軟管(6)相通。本實用新型的優(yōu)點是該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，硅片在拋光時處于垂直狀態(tài)，硅片可以有效地避免因自重而引起的形變，同時更容易控制硅片表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來的拋光問題，既提高了生產(chǎn)的效率，又提高了拋光片的成品率。
文檔編號B24B57/02GK201711850SQ201020261749
公開日2011年1月19日 申請日期2010年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月12日
發(fā)明者常青, 庫黎明, 索思卓, 閆志瑞, 魯進軍 申請人:北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司