專利名稱：靶材結構及其濺鍍設備的制作方法
技術領域：
本實用新型是有關于一種靶材結構(target structure)及應用其的濺鍍設備 (sputtering apparatus)，且特別是有關于一種應用于磁控溉鍍系統(tǒng)(magnet sputtering system)的靶材結構以及濺鍍設備。
背景技術：
薄膜沈積(thin film deposition)技術已是半導體(semiconductor)產業(yè)所廣 泛應用的技術之一。薄膜沈積技術可分為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)以及化學氣相沈積(Chemical VaporDeposition, CVD) 0其中，物理氣相沈積更以蒸鍍 (evaporation)及濺鍍(sputtering)為目前的主流。濺鍍的基本原理是藉兩電極板之間加 以高電壓將其間的氬氣激發(fā)成氬電漿。再利用此高能量的離子轟擊(bombardment)陰極上 的靶材(target)，而使靶材分子氣體化及單粒子化后，利用擴散等方式將靶材分子沈積于 基板表面，以形成均勻薄膜。由于濺鍍制程可采用金屬材料或非金屬材料做為其靶材，因此 濺鍍制程已廣泛地應用于各種產業(yè)上。磁控濺鍍機的鍍膜原理是于真空狀態(tài)下利用具有動能的粒子撞擊靶材，以將靶材 (欲鍍材料)表面的物質打出，并附著在基板(被鍍物)上而形成薄膜。此外，為加速濺鍍 薄膜的速度并提升濺鍍質量，一般系在磁控濺鍍機的真空濺鍍腔外對應靶材的位置配設磁 鐵以達到目的。值得注意的是，公知的靶材的外型大都為長方體或正方體。由于在磁控濺鍍系統(tǒng) 濺鍍成膜過程中，靶材上下兩端會沉積部分的濺鍍物質而形成一回濺物堆積區(qū)。在執(zhí)行多 次的濺鍍動作之后，附著于上述區(qū)域的濺鍍物質將因厚度增加而剝落，使得濺鍍設備內的 潔凈度下降，進而影響濺鍍制程的良率。
實用新型內容本實用新型提供一種靶材結構，可有效減少濺鍍過程中回濺物的堆積，以增加磁 場影響的區(qū)域。本實用新型提供一種濺鍍設備，具有上述的靶材結構，可提高濺鍍制程的良率，以 減少產品的良率損失。本實用新型提供一種靶材結構，其包括一靶材主體。靶材主體具有彼此相對的一 上表面與一下表面、多個連接上表面與下表面的側表面以及至少一傾斜面。傾斜面連接上 表面與至少一側表面，且傾斜面與上表面夾一特定角度。在本實用新型的一實施例中，上述的特定角度的范圍介于1度至89度之間。在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體更具有一有效濺鍍區(qū)以及一無效濺 鍍區(qū)。無效濺鍍區(qū)位于有效濺鍍區(qū)的周圍，且傾斜面位于無效濺鍍區(qū)。在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體為一矩形靶材主體。矩形靶材主體 具有一對長邊以及一對短邊，而無效濺鍍區(qū)位于這對短邊。[0011]在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體的材質包括金屬或非金屬。本實用新型還提供一種濺鍍設備，其包括一靶材承載機構以及一靶材結構。靶材 承載機構具有一靶材容納空間以及一背板。靶材結構包括一靶材主體。靶材主體配置背板 上且位于靶材容納空間中。靶材主體具有彼此相對的一上表面與一下表面、多個連接上表 面與下表面的側表面以及至少一傾斜面。傾斜面連接上表面與至少一側表面，且傾斜面與 上表面夾一特定角度。在本實用新型的一實施例中，上述的特定角度的范圍介于1度至89度之間。在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體更具有一有效濺鍍區(qū)以及一無效濺 鍍區(qū)。無效濺鍍區(qū)位于有效濺鍍區(qū)的周圍，且傾斜面位于無效濺鍍區(qū)。在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體為一矩形靶材主體。矩形靶材主體 具有一對長邊以及一對短邊，而無效濺鍍區(qū)位于這對短邊。在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體的材質包括金屬或非金屬。基于上述，由于本實用新型的靶材結構具有一連接上表面以及一側表面的傾斜 面，因此可增加磁場影響的區(qū)域，使回濺物不易堆積于無效濺鍍區(qū)，以提高濺鍍制程的良 率。為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附 圖式作詳細說明如下。
圖1為本實用新型的一實施例的一種濺鍍設備的示意圖。圖2為圖1的濺鍍設備中一靶材結構與一背板貼合的放大示意圖。
具體實施方式
圖1為本實用新型的一實施例的一種濺鍍設備的示意圖。圖2為圖1的濺鍍設備 中一靶材結構與一背板貼合的放大示意圖。請同時參考圖1與圖2，在本實施例中，濺鍍設 備200包括一靶材承載機構210以及一靶材結構100。其中，靶材承載機構210具有一用以 容納靶材結構100的靶材容納空間212以及一用以支撐靶材結構100的背板214。一般來 說，背板214例如是由一高強度鋁合金所制成。詳細來說，靶材結構100包括一靶材主體100a，其中靶材主體IOOa配置背板214 上且位于靶材容納空間212中。在本實施例中，靶材主體IOOa具有彼此相對的一上表面112 與一下表面114、多個連接上表面112與下表面114的側表面116以及至少一傾斜面118。 特別是，傾斜面118連接上表面112與至少一側表面116，且傾斜面118與上表面112夾一 特定角度a。在本實施例中，特定角度α的范圍例如是介于1度至89度之間(意即小于 90 度)。靶材主體IOOa是由欲濺鍍在一基材10上的濺鍍材料所構成，其中濺鍍材料例如 是鉻(Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)、復合金屬靶(例如是鉬-鈮(Mo-Nb))以及其它適當的金屬。 當然，于其它實施例中，濺鍍材料亦可為非金屬，在此并不加以為限。此外，基板10例如是 顯示面板所使用的玻璃基板或硅晶圓。在本實施例中，靶材主體IOOa例如是一矩形靶材主 體，其中此矩形靶材主體具有一對長邊124以及一對短邊126。此外，靶材主體IOOa更具有一有效濺鍍區(qū)12 以及一無效濺鍍區(qū)122b，其中無效濺鍍區(qū)122b位于有效濺鍍區(qū)12 的周圍，如圖1所示，無效濺鍍區(qū)122b位于靶材主體IOOa的上端且位于這對短邊1 之一 上。較佳地，本實施例的傾斜面118是位于無效濺鍍區(qū)122b。在本實施例中，由于靶材結構100的靶材主體IOOa具有傾斜面118的設計，因此 可增加磁場影響的區(qū)域，意即本實施例的有效濺鍍區(qū)12 大于公知的有效濺鍍區(qū)，以使回 濺物不易堆積于無效濺鍍區(qū)122b。如此一來，本實施例的應用此靶材結構100的濺鍍設備 200可具有提高濺鍍制程的良率，以減少產品的良率損失的優(yōu)點。值得一提的是，本實用新型并不限定傾斜面118的個數，雖然此處所提及的傾斜 面118的個數具體化為一個，但于其它未繪示的實施例中，傾斜面118的個數亦可為二個且 分別位于矩形靶材主體的這對短邊1 上，此仍屬于本實用新型可采用的技術方案，不脫 離本實用新型所欲保護的范圍。再者，本實用新型并不限定靶材主體IOOa的外型，雖然此處所提及的靶材主體 IOOa的外型具體化為一矩形，但于其它實施例中，靶材主體IOOa的外型亦可為正方形或其 它適當形狀，在此并不加以限制。綜上所述，由于本實用新型的靶材結構具有傾斜面的設計，因此本實用新型的靶 材結構可有效防止回濺物堆積于無效濺鍍區(qū)，可增加磁場影響的區(qū)域。再者，由于本實用新 型的濺鍍設備具有上述的靶材結構，因此本實用新型的濺鍍設備可提高濺鍍制程的良率， 以減少產品的良率損失。雖然本實用新型已以實施例公開如上，然其并非用以限定本實用新型，任何所屬 技術領域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作些許的更動與 潤飾，故本實用新型的保護范圍當視前述的權利要求范圍所界定者為準。
權利要求1.一種靶材結構，其特征在于，包括一靶材主體，具有彼此相對的一上表面與一下表面、多個側表面連接該上表面與該下 表面以及至少一傾斜面，其中該傾斜面連接該上表面與至少一該側表面，且該傾斜面與該 上表面夾一特定角度，該特定角度的范圍介于1度至89度之間。
2.如權利要求1所述的靶材結構，其特征在于，該靶材主體更具有一有效濺鍍區(qū)以及 一無效濺鍍區(qū)，該無效濺鍍區(qū)位于該有效濺鍍區(qū)的周圍，且該傾斜面位于該無效濺鍍區(qū)。
3.如權利要求2所述的靶材結構，其特征在于，該靶材主體為一矩形靶材主體，該矩形 靶材主體具有一對長邊以及一對短邊，而該無效濺鍍區(qū)位于該對短邊。
4.如權利要求1所述的靶材結構，其特征在于，該靶材主體的材質包括金屬或非金屬。
5.一種濺鍍設備，其特征在于，包括一靶材承載機構，具有一靶材容納空間以及一背板；一靶材結構，包括一靶材主體，配置該背板上且位于該靶材容納空間中，該靶材主體具有彼此相對的一 上表面與一下表面、多個側表面連接該上表面與該下表面以及至少一傾斜面，其中該傾斜 面連接該上表面與至少一該側表面，且該傾斜面與該上表面夾一特定角度，該特定角度的 范圍介于1度至89度之間。
6.如權利要求5所述的濺鍍設備，其特征在于，該靶材主體更具有一有效濺鍍區(qū)以及 一無效濺鍍區(qū)，該無效濺鍍區(qū)位于該有效濺鍍區(qū)的周圍，且該傾斜面位于該無效濺鍍區(qū)。
7.如權利要求6所述的濺鍍設備，其特征在于，該靶材主體為一矩形靶材主體，該矩 形靶材主體具有一對長邊以及一對短邊，而該無效濺鍍區(qū)位于該對短邊。
8.如權利要求5所述的濺鍍設備，其特征在于，該靶材主體的材質包括金屬或非金屬。
專利摘要一種靶材結構及其濺鍍設備。靶材結構包括一靶材主體。靶材主體具有彼此相對的一上表面與一下表面、多個連接上表面與下表面的側表面以及至少一傾斜面。傾斜面連接上表面與至少一側表面。傾斜面與上表面夾一特定角度。
文檔編號C23C14/34GK201834964SQ20102026299
公開日2011年5月18日 申請日期2010年7月15日 優(yōu)先權日2010年7月15日
發(fā)明者陳維燕 申請人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司