專(zhuān)利名稱(chēng)：光盤(pán)薄膜制備中磁控濺射靶材裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉 及磁控濺射薄膜制備裝置，尤其涉及用于單面雙層DVDR9光盤(pán)薄 膜制備的磁控濺射靶材裝置。
背景技術(shù)：
在光盤(pán)薄膜制備時(shí)，先將濺鍍腔抽真空達(dá)到設(shè)定值，將盤(pán)片放入腔內(nèi)，真空腔 內(nèi)盤(pán)片會(huì)被抽真空至高真空10E-4mbar范圍，注入氬氣到濺鍍腔，這時(shí)濺鍍腔的真空度 降至IOE — 3mbar范圍，然后對(duì)靶材(陰極)和盤(pán)片(陽(yáng)極)之間施以幾百伏特的直流 電壓，使氬氣在電場(chǎng)中被離子化，產(chǎn)生氬離子及自由電子；在電場(chǎng)的作用下，帶正電荷 的氬離子向陰極(靶材)加速，而自由電子向陽(yáng)極加速，被加速的氬離子和自由電子撞 向其他氬原子，因動(dòng)能轉(zhuǎn)移使更多的氬原子被離子化，最后產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象。當(dāng)靶材原子 獲得足夠動(dòng)能，它們會(huì)脫離靶材表面并自由地在濺鍍腔內(nèi)移動(dòng)，最后覆蓋于盤(pán)片及腔內(nèi) 其他表面。上述濺鍍過(guò)程適用于均勻?yàn)R鍍膜層。在DVD9R光盤(pán)生產(chǎn)過(guò)程中，要求濺鍍 的膜層在盤(pán)片由里向外逐漸變薄，以使光穿透率逐漸增高，而傳統(tǒng)的平面靶材濺鍍出的 盤(pán)片內(nèi)外圈膜層厚度一致，不能滿足穿透率在盤(pán)片外圈逐漸升高的要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，就是要提供一種磁控濺鍍靶材裝置，使得薄膜在外圈形成的 厚度漸薄，以改變盤(pán)片在外圈的光穿透率，使光穿透率逐漸升高之目的。本實(shí)用新型的解決方案是磁控濺射靶材裝置內(nèi)面為凹形，內(nèi)底面由中心至外 逐漸呈下坡，也就是分為四個(gè)區(qū)域靶材中心孔區(qū)為凸起區(qū)域，為非有效工作區(qū)，再向 外的區(qū)域?yàn)槠矫鎱^(qū)，使濺鍍膜層厚度均勻一致，再向外的區(qū)域設(shè)計(jì)為增大區(qū)，該區(qū)域與 盤(pán)片的距離逐漸增大，從而影響盤(pán)片中、外部的濺鍍層的厚度，使得盤(pán)片中部和外部的 光穿透率曲線形狀發(fā)生改變，最后為金屬擋板區(qū)，阻擋靶材薄膜的沉積，獲得穿透率在 基片外圈逐漸升高的金屬膜層，并在靶材背面設(shè)計(jì)成梯形結(jié)構(gòu)，減小擋板區(qū)體積，以節(jié) 省用材成本。本實(shí)用新型由于在磁控濺射靶材裝置內(nèi)凹面采用漸下坡階梯型，靶材工 作區(qū)域?yàn)榉瞧矫嫘螤?，在外圈逐漸增大與盤(pán)片的距離，改變了盤(pán)片中、外部的濺鍍層厚 度，使得薄膜形成的厚度由內(nèi)至外逐漸變薄，從而改變了光穿透率，使光穿透率在盤(pán)片 上由內(nèi)至外逐漸升高，達(dá)到梯度濺射的目的。

圖1為磁控濺射靶材裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，并作為摘要附圖；圖2為磁控濺射靶材裝置剖視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、圖2所示，靶材內(nèi)凹面的中心孔區(qū)1半徑R=16mm以?xún)?nèi)為凸起區(qū)域，該區(qū)域?yàn)榉怯行Чぷ鲄^(qū)，防止鍍層在盤(pán)片中心孔區(qū)沉積；靶材平面區(qū)2半徑R=16mm至 R=45mm范圍內(nèi)，為平面區(qū)，該區(qū)域保持平面結(jié)構(gòu)，處于盤(pán)片的內(nèi)圈，使盤(pán)片內(nèi)圈濺鍍 膜層厚度均勻一致；靶材增大區(qū)3半徑R=45mm處至R=58mm范圍內(nèi)，為距離增大區(qū)， 該區(qū)域?yàn)樘菪谓Y(jié)構(gòu)，由內(nèi)至外靶材表面與盤(pán)片的距離逐漸增大，這會(huì)影響盤(pán)片中、外部 的濺鍍層的厚度，使得盤(pán)片中部和外部的光穿透率曲線形狀發(fā)生改變，達(dá)到梯度濺射的 目的；金屬擋板區(qū)4在盤(pán)片半徑為R=58mm處阻擋靶材薄膜的沉積，獲得穿透率在基片 外圈逐漸升高的金屬膜層，擋板區(qū)正面為梯形結(jié)構(gòu)，用以阻擋靶材薄膜在盤(pán)片最外圈的 沉積，背面為階梯形結(jié)構(gòu)，以減小擋板區(qū)體積，以提高設(shè)備利用率。
權(quán)利要求1.光盤(pán)薄膜制備中磁控濺射靶材裝置，由濺鍍靶材組成，其特征在于磁控濺射靶 材裝置內(nèi)面為凹面，內(nèi)底面由中心至外逐漸呈下坡階梯型，分為中心孔區(qū)(1)、平面區(qū) ⑵、增大區(qū)⑶和擋板區(qū)⑷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)薄膜制備中磁控濺射靶材裝置，其特征在于增大區(qū)(3)為梯形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)薄膜制備中磁控濺射靶材裝置，其特征在于擋板區(qū)(4)正面為梯形結(jié)構(gòu)，背面為階梯形結(jié)構(gòu)。
專(zhuān)利摘要光盤(pán)薄膜制備中磁控濺射靶材裝置內(nèi)面為凹面，內(nèi)底面由中心至外逐漸呈下坡階梯型設(shè)計(jì)為非平面形狀，分為中心孔區(qū)、平面區(qū)、增大區(qū)和擋板區(qū)，使靶材由內(nèi)至外逐漸增大與盤(pán)片的距離，改變了盤(pán)片中、外部的濺鍍層厚度，使得薄膜形成的厚度由內(nèi)至外逐漸變薄，從而改變了光穿透率，使光穿透率在盤(pán)片上由內(nèi)至外逐漸升高，達(dá)到梯度濺射的目的。
文檔編號(hào)C23C14/35GK201793724SQ201020514920
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者劉娟, 周寒雪, 李明, 鄭飛璠, 馬琰, 馬超 申請(qǐng)人:河南凱瑞數(shù)碼有限公司