專利名稱：一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及用于金屬表面處理的真空離子鍍膜設備，尤其涉及一種金屬陶瓷 復合膜真空離子鍍膜機。
背景技術：
目前，對金屬表面處理的方法主要是通過真空離子機對金屬表面進行鍍膜，以提 高金屬的耐磨損度和耐腐蝕性，其主要的原理是通過電弧蒸發(fā)或磁控濺射在金屬的表面形 成一層金屬膜，但是采取這樣的鍍膜方式得到的膜結構的抗腐蝕性能仍然滿足不了人們的 需求。而實驗發(fā)現，陶瓷和金屬混合在一起形成的膜結構，其耐磨損度和耐腐蝕性都有顯著 的提高，而且呈現透明狀，這樣的膜結構更加符合人們對膜的使用要求，所以急需一種可以 生產出高耐磨損度和高耐腐蝕性，且呈透明狀態(tài)的金屬陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機。

實用新型內容為了得到一種可以生產高耐磨損度和高耐腐蝕性，呈透明狀態(tài)的金屬陶瓷復合 膜，并且結構簡單，成本低廉，組裝方便的真空離子鍍膜機，本實用新型提出一個新的技術 解決方案，具體內容如下一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，包括真空鍍膜室，樣品架，機架，所述機架 連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內并與真空鍍膜室底部 內壁固定相接，所述真空鍍膜室內配置有電弧靶和射頻磁控濺射裝置。所述電弧靶位于所述真空鍍膜室的一個側面的內壁上，所述射頻磁控濺射裝置位 于電弧靶所在真空鍍膜室側面的相對面中部。所述電弧靶呈矩形，數量為四，電弧靶互相隔開，其中兩個電弧靶位于真空鍍膜室 側面上靠近該側面頂端的位置，另外兩個電弧靶則位于所述真空室鍍膜室側面上靠近該側 面底端的位置；所述射頻磁控濺射裝置數量為一。所述射頻磁控濺射裝置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺 射靶呈平面形，其一側與真空鍍膜室相連，另一側與所述射頻匹配器連接。當同時啟動電弧靶和射頻磁控濺射裝置時，就可以在工件上實現金屬相和陶瓷相 的離子彌散復合。又或者通過直流磁控濺射裝置得到金屬相的離子，再與射頻磁控濺射裝置產生的 陶瓷相離子復合，該真空離子鍍膜機的原理如下一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，包括真空鍍膜室，樣品架，機架，所述機架 連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內并與真空鍍膜室底部 內壁固定相接，所述真空鍍膜室內配置有直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置。所述直流磁控濺射裝置包括一個柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺 射靶；所述柱型直流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室的頂面中心；所述平面直流磁控濺 射靶位于真空鍍膜室的前端或后端。
3[0012]或者所述直流磁控濺射裝置包括一個柱型直流磁控濺射靶和四個圓形平面直流 磁控濺射靶；所述柱型直流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室頂面中心；所述四個圓形平 面直流磁控濺射靶互相隔開，并位于真空鍍膜室的前端或后端。用圓形平面磁控濺射靶的 主要有點是靶材選取比較容易，而且體積小方便小樣試驗，但是鍍膜的均勻度就不如矩形 平面直流磁控濺射靶好。所述射頻磁控濺射裝置固定在真空鍍膜室前表面內壁中部；所述射頻磁控濺射裝 置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其一側與真空 鍍膜室相連，另一側與所述射頻匹配器連接。當同時啟動直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置時，就可以在工件上實現金屬 相和陶瓷相的離子彌散復合。本實用新型產生如下有益效果本實用新型結構簡單，裝配方便，產品成本低廉，效率高，滿足人們對金屬表面處 理工藝的使用要求，高耐磨損度和高耐腐蝕性。

圖1為本實用新型第一種結構側視圖；圖2為本實用新型第二種結構側視圖；圖3為本實用新型第三種結構側視圖。
具體實施方式
本實用新型的第一種結構，如圖1所示，主要包括真空鍍膜室1、樣品架2、機架3、 射頻磁控濺射裝置4、四個矩形電弧靶5。機架3連接真空鍍膜室1底部外壁，而樣品架2 則位于真空鍍膜室1腔內并與真空鍍膜室1的底部內壁固定相接。四個電弧靶5主要用于 產生金屬離子，它們位于所述真空鍍膜室1的一個側面的內壁上，各個電弧靶5之間互相隔 開，其中兩個電弧靶5位于真空鍍膜室1側面上靠近該側面頂端的位置，另外兩個電弧靶則 位于所述真空室鍍膜室側面上靠近該側面底端的位置。而射頻磁控濺射裝置4就用來產生 非金屬離子，如陶瓷，它位于電弧靶所在真空鍍膜室側面的相對面中部，它主要包括一個平 面射頻磁控濺射靶和一個射頻匹配器，平面射頻磁控濺射靶一側與真空鍍膜室1相連，另 一側就與射頻匹配器連接。當同時啟動電弧靶5和射頻磁控濺射裝置4時，就可以在工件 上實現金屬相和陶瓷相的離子彌散復合。如圖2所示，本實用新型第二種結構主要包括真空鍍膜室1、樣品架2、機架3、射頻 磁控濺射裝置4、直流磁控濺射裝置6。樣品架2、機架3在真空鍍膜室1內的安裝位置與第 一種結構相同，而用于產生金屬離子的直流磁控濺射裝置6就位于真空鍍膜室1內，它包括 一個柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺射靶；柱型直流磁控濺射靶的一端連接 真空鍍膜室1的頂面中心；而平面直流磁控濺射靶就位于真空鍍膜室1的前端或后端。另 外，射頻磁控濺射裝置4固定在真空鍍膜室1的前表面內壁中部，其基本構成與第一種結構 中描述的射頻磁控濺射裝置結構一樣。當同時啟動直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置 時，就可以在工件上實現金屬相和陶瓷相的離子彌散復合。如圖3所示的本實用新型第三種結構，它與第二種結構的區(qū)別在于用于產生金屬離子的直流磁控濺射裝置6的結構不同，第三種結構中的直流磁控濺射裝置6主要包括一 個柱型直流磁控濺射靶和四個圓形平面直流磁控濺射靶。柱型直流磁控濺射靶的一端連接 真空鍍膜室1的頂面中心；而四個圓形平面直流磁控濺射靶則互相隔開后位于真空鍍膜室 1的前端或后端。用圓形平面磁控濺射靶的主要有點是靶材選取比較容易，而且體積小方便 小樣試驗，但是鍍膜的均勻度就不如矩形平面直流磁控濺射靶好，滿足不同使用者的不同 使用要求。由于利用本實用新型所產生的復合膜同時具有陶瓷相和金屬相的特性，因此具有 更耐熱、耐磨、耐腐蝕的良好特性。對于本領域的技術人員來說，可根據以上描述的技術方案以及構思，作出其他各 種相應的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應該屬于本實用新型權利要求的保 護范圍之內。
權利要求1.一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，包括真空鍍膜室，樣品架，機架，所述機架連 接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內并與真空鍍膜室底部內 壁固定相接，其特征在于，所述真空鍍膜室內配置有電弧靶和射頻磁控濺射裝置。
2.如權利要求1所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述電弧 靶位于所述真空鍍膜室的一個側面的內壁上，所述射頻磁控濺射裝置位于電弧靶所在真空 鍍膜室側面的相對面中部。
3.如權利要求2所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述電弧 靶呈矩形，數量為四，電弧靶互相隔開，其中兩個電弧靶位于真空鍍膜室側面上靠近該側面 頂端的位置，另外兩個電弧靶則位于所述真空室鍍膜室側面上靠近該側面底端的位置；所 述射頻磁控濺射裝置數量為一。
4.如權利要求3所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述射頻 磁控濺射裝置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其 一側與真空鍍膜室相連，另一側與所述射頻匹配器連接。
5.一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，包括真空鍍膜室，樣品架，機架，所述機架連 接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內并與真空鍍膜室底部內 壁固定相接，其特征在于，所述真空鍍膜室內配置有直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝 置。
6.如權利要求5所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述直流 磁控濺射裝置包括一個柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺射靶；所述柱型直流 磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室的頂面中心；所述平面直流磁控濺射靶位于真空鍍膜室 的前端或后端。
7.如權利要求5所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述直流 磁控濺射裝置包括一個柱型直流磁控濺射靶和四個圓形平面直流磁控濺射靶；所述柱型直 流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室頂面中心；所述四個圓形平面直流磁控濺射靶互相隔 開，并位于真空鍍膜室的前端或后端。
8.如權利要求6或7所述的一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，其特征在于，所述射 頻磁控濺射裝置固定在真空鍍膜室前表面內壁中部；所述射頻磁控濺射裝置包括一射頻磁 控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其一側與真空鍍膜室相連，另一 側與所述射頻匹配器連接。
專利摘要本實用新型公開了一種金屬陶瓷復合膜真空離子鍍膜機，包括真空鍍膜室，樣品架，機架，所述機架連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內并與真空鍍膜室底部內壁固定相接，所述真空鍍膜室內配置有金屬離子裝置和射頻磁控濺射裝置。本實用新型結構簡單，裝配方便，產品成本低廉，效率高，滿足人們對金屬表面處理工藝的使用要求，高耐磨損度和高耐腐蝕性。
文檔編號C23C14/22GK201890917SQ201020629049
公開日2011年7月6日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權日2010年11月26日
發(fā)明者黃瑞安 申請人:黃瑞安