專利名稱：Cmp研磨液、基板研磨方法和電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CMP研磨液、基板研磨方法和電子部件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路中具有進(jìn)一步提高安裝密度的傾向，各種微細(xì)加工技術(shù)被研究、開發(fā)，設(shè)計(jì)規(guī)則方面已經(jīng)達(dá)到了亞半微米(sub-half micron)級(jí)別。為了滿足這樣苛刻的微細(xì)化要求而開發(fā)的技術(shù)之一中，有CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)。該CMP技術(shù)通過在半導(dǎo)體裝置的制造工序中將實(shí)施曝光的層幾乎完全平坦化，能夠減輕曝光技術(shù)的負(fù)擔(dān)，使成品率穩(wěn)定在較高水平。因此，CMP技術(shù)在例如進(jìn)行層間絕緣膜、 BPSG膜的平坦化，淺溝槽隔離(shallow trench isolation)等時(shí)，是必須的技術(shù)?，F(xiàn)在，通常使用的CMP研磨液是以氧化硅膜為主要研磨對(duì)象的CMP研磨液，通常情況下，氧化硅膜、多晶硅膜與氮化硅膜相比，具有被5倍以上快速研磨的特性。另一方面，對(duì)于氮化硅膜而言，尚不存在能夠以實(shí)用的速度進(jìn)行研磨的研磨液。因此，存在如專利文獻(xiàn)1那樣的、通過添加1. 0質(zhì)量％以上的磷酸以增大氮化硅膜的研磨速度而使氮化硅膜的研磨工序能夠?qū)嵱没募夹g(shù)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利第3190742號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題近年來(lái)，已經(jīng)提出了各種使用CMP技術(shù)的電路形成工藝，作為其中之一，存在研磨氧化硅膜和氮化硅膜、并于作為截止膜(stopper film)的多晶硅膜露出時(shí)停止研磨的工藝。更具體而言，存在例如45nm節(jié)點(diǎn)以后的、預(yù)期能夠應(yīng)用于邏輯(Logic)器件的高介電 /金屬柵工藝(High-k/metal Gate process，研磨氧化硅膜、氮化硅膜并于多晶硅膜露出時(shí)停止研磨的工藝)。前述專利文獻(xiàn)1中公開的技術(shù)并非是能夠?qū)⑦@樣的以實(shí)用的研磨速度研磨氧化硅膜和氮化硅膜且以多晶硅膜為截止膜來(lái)進(jìn)行研磨的研磨工序?qū)嵱没募夹g(shù)。并且，專利文獻(xiàn)1中公開的技術(shù)無(wú)法應(yīng)用于相對(duì)于多晶硅膜選擇性地研磨氧化硅膜和氮化硅膜這2種膜的研磨工序。本發(fā)明提供能夠提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度、能夠應(yīng)用于以多晶硅膜為截止膜對(duì)氧化硅膜、氮化硅膜進(jìn)行研磨的研磨工序的CMP研磨液，使用了該CMP研磨液的基板研磨方法和具備通過該研磨方法進(jìn)行研磨而成的基板的電子部件。解決問題的手段S卩，本發(fā)明提供一種CMP研磨液，其為將第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有鈰系研磨粒、分散劑和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、pH調(diào)整劑、 磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水，第2液的pH為6. 5以上，以磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)達(dá)到0. 01 1. 0質(zhì)量％的方式混合第1液和第 2液。這樣的本發(fā)明的CMP研磨液能夠提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度，能夠應(yīng)用于以多晶硅膜為截止膜對(duì)氧化硅膜、氮化硅膜進(jìn)行研磨的研磨工序。第2液可以含有pKa為8以上的堿性化合物作為pH調(diào)整劑。第2液優(yōu)選含有非離子性表面活性劑作為表面活性劑。這種情況下，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度。第1液的pH優(yōu)選為7. 0以上。第1液優(yōu)選含有氧化鈰粒子作為鈰系研磨粒。此外，更優(yōu)選第1液含有氧化鈰粒子作為鈰系研磨粒，鈰系研磨粒的平均粒徑為0. 01 2. 0 μ m。第1液優(yōu)選含有聚丙烯酸系分散劑作為分散劑。這種情況下，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度。此外，本發(fā)明提供一種CMP研磨液，其含有鈰系研磨粒、分散劑、聚丙烯酸化合物、 表面活性劑、PH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)為0. 01 1. 0質(zhì)量％。這樣的本發(fā)明的CMP研磨液能夠提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度，能夠應(yīng)用于以多晶硅膜為截止膜對(duì)氧化硅膜、氮化硅膜進(jìn)行研磨的研磨工序。本發(fā)明的CMP研磨液可以含有pKa為8以上的堿性化合物作為pH調(diào)整劑。本發(fā)明的CMP研磨液優(yōu)選含有非離子性表面活性劑作為表面活性劑。這種情況下，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度。本發(fā)明的CMP研磨液優(yōu)選含有氧化鈰粒子作為鈰系研磨粒。此外，本發(fā)明的CMP 研磨液優(yōu)選含有氧化鈰粒子作為鈰系研磨粒，鈰系研磨粒的平均粒徑為0. 01 2. 0 μ m。本發(fā)明的CMP研磨液優(yōu)選含有聚丙烯酸系分散劑作為分散劑。這種情況下，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度。本發(fā)明提供一種基板研磨方法，其具備如下研磨工序在將至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜按壓在研磨平臺(tái)的研磨布上的狀態(tài)下，一邊將上述CMP研磨液供給到被研磨膜和研磨布之間，一邊使基板和研磨平臺(tái)相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)被研磨膜進(jìn)行研磨。此外，本發(fā)明提供一種基板研磨方法，其具備研磨液制備工序?qū)⒑锈嬒笛心チ?、分散劑和水的?液與含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、PH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水且PH為6. 5以上的第2液混合，獲得磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)為0.01 1.0質(zhì)量％ WCMP研磨液；和研磨工序使用CMP 研磨液，對(duì)在至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜進(jìn)行研磨。本發(fā)明的基板研磨方法能夠提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度，能夠應(yīng)用于以多晶硅膜為截止膜對(duì)氧化硅膜、氮化硅膜進(jìn)行研磨的研磨工序。在本發(fā)明的基板研磨方法中，優(yōu)選第1液的pH為7. 0以上。在本發(fā)明的基板研磨方法中，基板的上述一個(gè)面可以具有高度差。在本發(fā)明的基板研磨方法中，基板和被研磨膜
5之間形成有多晶硅膜，在研磨工序中，可以以多晶硅膜作為截止膜而對(duì)被研磨膜進(jìn)行研磨。 進(jìn)而，在本發(fā)明的基板研磨方法中，可以在基板上形成有氧化硅膜或氮化硅膜中的至少一方作為被研磨膜。本發(fā)明提供一種具備通過上述基板研磨方法進(jìn)行研磨而成的基板的電子部件。這樣的本發(fā)明的電子部件由于具備能夠提高氧化硅膜和氮化硅膜相對(duì)于多晶硅膜的研磨速度的基板，從而具有能夠應(yīng)對(duì)加工的微細(xì)化的優(yōu)異品質(zhì)。發(fā)明效果本發(fā)明的CMP研磨液和使用了該CMP研磨液的基板研磨方法能夠抑制多晶硅膜的研磨速度且以充分實(shí)用的速度研磨氧化硅膜和氮化硅膜，能夠應(yīng)用于以多晶硅膜作為截止膜對(duì)氧化硅膜、氮化硅膜進(jìn)行研磨的研磨工序。此外，具備通過本發(fā)明的研磨方法進(jìn)行研磨而成的基板的電子部件具有能夠應(yīng)對(duì)加工的微細(xì)化的優(yōu)異品質(zhì)。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的研磨方法的模式剖面圖。圖2是表示實(shí)施例中使用的圖形晶片(A夕一 >々-/、)的模式剖面圖。
具體實(shí)施例方式(CMP 研磨液)本實(shí)施方式的CMP研磨液含有鈰系研磨粒、分散劑、聚丙烯酸化合物、表面活性劑、PH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物、和水。本實(shí)施方式的CMP研磨液可以將漿料(第1液)和添加液(第2液)混合而獲得。{漿料}首先對(duì)漿料進(jìn)行說明。漿料含有鈰系研磨粒、分散劑和水。就漿料而言，優(yōu)選鈰系研磨粒粒子通過分散劑而分散于水中。<鈰系研磨粒>鈰系研磨粒定義為含有鈰作為構(gòu)成元素的研磨粒。本實(shí)施方式的CMP研磨液優(yōu)選含有選自氧化鈰、氫氧化鈰、硝酸銨鈰、醋酸鈰、硫酸鈰水合物、溴酸鈰、溴化鈰、氯化鈰、草酸鈰、硝酸鈰和碳酸鈰中的至少1種研磨粒作為鈰系研磨粒，更優(yōu)選含有氧化鈰粒子，進(jìn)一步優(yōu)選由氧化鈰粒子構(gòu)成。作為制造氧化鈰粒子的方法沒有特別限制，例如，可以使用燒成或利用過氧化氫等的氧化法。氧化鈰粒子例如可以通過對(duì)碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、草酸鹽等鈰化合物進(jìn)行氧化而獲得。前述燒成的溫度優(yōu)選350 900°C。鈰系研磨粒優(yōu)選含有具有晶界的多晶體鈰系研磨粒。這樣的多晶體的鈰系研磨粒當(dāng)在研磨中變細(xì)時(shí)同時(shí)逐漸出現(xiàn)活性面，因此能夠高度地維持對(duì)氧化硅膜的高研磨速度。鈰系研磨粒的微晶直徑優(yōu)選為1 400nm。微晶直徑可以通過TEM照片圖像或SEM 圖像而測(cè)定。就通過TEOS-CVD法等形成的氧化硅膜的研磨中所使用的氧化鈰漿料(以下也簡(jiǎn)稱為“漿料”。)而言，氧化鈰粒子的微晶直徑越大、晶體應(yīng)變(Crystal strain)越少，即結(jié)晶性越好，則越能夠高速研磨。予以說明，微晶直徑是指鈰系研磨粒的一粒單晶的大小， 在為具有晶界的多晶體的情況下，是指構(gòu)成多晶體的一粒粒子的大小。鈰系研磨粒發(fā)生聚集的情況下，優(yōu)選進(jìn)行機(jī)械粉碎。作為粉碎方法例如優(yōu)選利用了噴射磨等的干式粉碎、利用了行星式珠磨等的濕式粉碎。作為噴射磨，可以使用例如“化學(xué)工學(xué)論文集”，第6卷第5號(hào)，(1980)，527 532頁(yè)說明的噴射磨。將這樣的鈰系研磨粒分散于作為分散介質(zhì)的水中而獲得漿料。作為分散方法，使用后述的分散劑，除了通過例如通常的攪拌機(jī)進(jìn)行分散處理外，還可以使用均化器、超聲波分散機(jī)、濕式球磨等。作為將通過上述方法分散后的鈰系研磨粒進(jìn)一步微?；姆椒ǎ?，可以使用如下的沉降分級(jí)法，即通過小型離心分離機(jī)對(duì)漿料進(jìn)行離心分離后進(jìn)行強(qiáng)制沉降，僅取出上清液。此外，作為微?；椒?，也可以使用在高壓下使分散介質(zhì)中的鈰系研磨粒彼此碰撞的高壓均化器。漿料中的鈰系研磨粒的平均粒徑優(yōu)選0. 01 2. 0 μ m，更優(yōu)選0. 08 0. 5 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選0. 08 0. 4 μ m。此外，優(yōu)選本實(shí)施方式的CMP研磨液含有氧化鈰粒子且鈰系研磨粒的平均粒徑為0. 01 2. 0 μ m。平均粒徑為0. 01 μ m以上時(shí)，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜和氮化硅膜的研磨速度。平均粒徑為2. 0 μ m以下時(shí)，能夠抑制對(duì)被研磨膜帶來(lái)研磨損傷。鈰系研磨粒的平均粒徑是指通過激光衍射式粒度分布儀測(cè)定的體積分布的中值粒徑。更具體而言，這樣的平均粒徑可以使用株式會(huì)社堀場(chǎng)制作所制的LA-920 (商品名)等而獲得。首先，以使測(cè)定時(shí)對(duì)于He-Ne激光的透過率(H)達(dá)到60 70%的方式，對(duì)含有鈰系研磨粒的樣品(可以是漿料或CMP研磨液)進(jìn)行稀釋或濃縮，獲得測(cè)定用樣品。然后，將該測(cè)定樣品加入到LA-920中進(jìn)行測(cè)定，求出獲得的算術(shù)平均直徑(mean size，平均尺寸)。鈰系研磨粒的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)優(yōu)選0. 2 3. 0質(zhì)量％，更優(yōu)選0. 3 2. 0質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選0. 5 1. 5質(zhì)量％。鈰系研磨粒的含量為3. 0質(zhì)量％以下時(shí)，能夠進(jìn)一步提高添加液所帶來(lái)的研磨速度調(diào)整效果。此外，鈰系研磨粒的含量為0. 2 質(zhì)量％以上時(shí)，氧化硅膜的研磨速度能夠進(jìn)一步提高，能夠容易獲得希望的研磨速度。<分散劑>就本實(shí)施方式的CMP研磨液中使用的分散劑而言，只要是能夠溶解于水、能夠使前述鈰系研磨粒分散的化合物，就除此以外沒有其它限制。作為分散劑，通常優(yōu)選對(duì)水的溶解度達(dá)到0. 1 99. 9質(zhì)量％的化合物，可以列舉出例如水溶性陰離子性分散劑、水溶性非離子性分散劑、水溶性陽(yáng)離子性分散劑、水溶性兩性分散劑等，優(yōu)選后述的聚羧酸型高分子分散劑。作為前述的水溶性陰離子性分散劑，可以列舉出例如月桂基硫酸三乙醇胺、月桂基硫酸銨、聚氧乙烯烷基醚硫酸三乙醇胺、聚羧酸型高分子分散劑等。作為前述的聚羧酸型高分子分散劑，可以列舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來(lái)酸、富馬酸、衣康酸等具有不飽和雙鍵的羧酸單體的聚合物、具有不飽和雙鍵的羧酸單體和其它具有不飽和雙鍵的單體的共聚物以及它們的銨鹽、胺鹽等。作為聚羧酸型高分子分散齊U，優(yōu)選聚丙烯酸系分散劑，更優(yōu)選以作為共聚成分的丙烯酸銨鹽作為構(gòu)成單元的高分子分散劑。作為前述的以作為共聚成分的丙烯酸銨鹽作為構(gòu)成單元的高分子分散劑，可以優(yōu)選使用例如聚丙烯酸銨鹽、丙烯酸烷基酯與丙烯酸的共聚物的銨鹽等。此外，還可以形成包含以作為共聚成分的丙烯酸銨鹽作為構(gòu)成單元的高分子分散劑中的至少1種和選自其它分散劑中的至少1種的2種以上的分散劑而使用。
聚羧酸型高分子分散劑的重均分子量?jī)?yōu)選為100000以下。予以說明，重均分子量例如可以在以下條件下使用GPC進(jìn)行測(cè)定。(條件)試樣10μ L標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯東曹株式會(huì)社制標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯(分子量190000、17900、9100、 2980、578、474、370、266)檢測(cè)器株式會(huì)社日立制作所公司制，RI-監(jiān)視器，商品名“L-3000”積分器株式會(huì)社日立制作所公司制，GPC積分器，商品名“D-2200”泵株式會(huì)社日立制作所公司制，商品名“L-6000”脫氣裝置昭和電工株式會(huì)社制，商品名“Shodex DEGAS”柱日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，將商品名“GL-R440”、“GL-R430”、“GL-R420”按照該順序連接而使用洗提液四氫呋喃(THF)測(cè)定溫度23°C流速1.75mL/分鐘測(cè)定時(shí)間45分鐘作為前述的水溶性非離子性分散劑，可以列舉出例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯鯨蠟基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯高級(jí)醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧亞烷基烷基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、四油酸聚氧乙烯山梨糖醇、聚乙二醇單月桂酸酯、聚乙二醇單硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇單油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯氫化蓖麻油、甲基丙烯酸-2-羥乙酯、烷基烷醇酰胺等。作為前述的水溶性陽(yáng)離子性分散劑，可以列舉出例如聚乙烯吡咯烷酮、椰油胺醋酸酯、硬脂酰胺醋酸酯等。作為水溶性兩性分散劑，可以列舉出例如月桂基甜菜堿、硬脂基甜菜堿、月桂基二甲基氧化胺、2-烷基-N-羧甲基-N-羥乙基咪唑鐺甜菜堿等。前述的各種分散劑可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上組合使用。予以說明，將漿料和添加液混合而得的CMP研磨液，可以使用與后述的聚丙烯酸化合物、表面活性劑同樣的物質(zhì)作為分散劑。這種情況下，將漿料和添加液混合而得的CMP研磨液含有來(lái)源于漿料的物質(zhì)和來(lái)源于添加液的物質(zhì)。從能夠充分分散研磨粒、能夠抑制保管中的聚集沉降的觀點(diǎn)出發(fā)，漿料中的分散劑的含量在以漿料中的研磨粒的總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)優(yōu)選1. 0 5. 0質(zhì)量％，更優(yōu)選1. 0 4. 0
質(zhì)量％。在與半導(dǎo)體元件的制造相關(guān)的研磨中使用CMP研磨液的情況下，例如，在以CMP研磨液全體為基準(zhǔn)時(shí)，優(yōu)選將全部分散劑中的雜質(zhì)離子(鈉離子、鉀離子等堿金屬、鹵素原子和硫原子等)的含有率以質(zhì)量比計(jì)抑制在IOppm以下。< 漿料的 pH>
8
漿料的pH優(yōu)選為7.0以上，更優(yōu)選7.0 12.0，進(jìn)一步優(yōu)選7.0 11.0。當(dāng)pH 為7. 0以上時(shí)，能夠抑制粒子聚集。當(dāng)pH為12. 0以下時(shí)，能夠獲得良好的平坦性。< 7jC>本實(shí)施方式的CMP研磨液中，對(duì)漿料、添加液或它們的濃縮液的稀釋中使用的介質(zhì)即水沒有特別限制，優(yōu)選去離子水、超純水。水的含量為其它含有成分含量的剩余部分即可，沒有特別限制。{添加液}下面對(duì)添加液進(jìn)行說明。添加液含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、PH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物、和水。<聚丙烯酸化合物>添加液含有聚丙烯酸化合物作為添加液成分的1種成分。作為聚丙烯酸化合物， 可以列舉出由丙烯酸均聚物形成的聚丙烯酸、丙烯酸和水溶性的丙烯酸烷基酯的共聚物。 作為聚丙烯酸化合物，可以使用例如聚丙烯酸、丙烯酸和丙烯酸甲酯的共聚物、丙烯酸和甲基丙烯酸的共聚物、丙烯酸和丙烯酸乙酯的共聚物等，其中優(yōu)選使用聚丙烯酸。這些可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上組合使用。聚丙烯酸化合物的重均分子量?jī)?yōu)選為500000以下，更優(yōu)選為50000以下。當(dāng)重均分子量為500000以下時(shí)，例如使用聚丙烯酸時(shí)，聚丙烯酸易于均勻地吸附在被研磨膜上。 予以說明，重均分子量可以在與聚羧酸型高分子分散劑同樣的條件下使用GPC進(jìn)行測(cè)定。聚丙烯酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)優(yōu)選0. 05 2. 0質(zhì)量％， 更優(yōu)選0.08 1.8質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選0. 10 1.5質(zhì)量％。當(dāng)聚丙烯酸化合物的含量為2. 0質(zhì)量％以下時(shí)，能夠進(jìn)一步提高氧化硅膜的研磨速度。當(dāng)聚丙烯酸化合物的含量為 0.05質(zhì)量％以上時(shí)，能夠提高平坦性。予以說明，使用聚丙烯酸化合物作為前述分散劑時(shí)， 優(yōu)選作為分散劑的聚丙烯酸化合物和添加液中的聚丙烯酸化合物的合計(jì)量滿足上述范圍。<表面活性劑>添加液含有表面活性劑作為添加液成分的1種成分。作為表面活性劑，可以列舉出陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑、陽(yáng)離子性表面活性劑、兩性離子性表面活性齊U。這些可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上組合使用。上述表面活性劑中，特別優(yōu)選非離子性表面活性劑。作為前述的非離子性表面活性劑，可以列舉出例如聚氧丙烯、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基烯丙基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚衍生物、聚氧丙烯甘油基醚、 聚乙二醇、甲氧基聚乙二醇、乙炔系二醇的環(huán)氧乙烷加成物等醚型表面活性劑、山梨糖醇酐脂肪酸酯、甘油硼酸酯脂肪酸酯等酯型表面活性劑、聚氧乙烯烷基胺等氨基醚型表面活性齊U、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油硼酸酯脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基酯等醚酯型表面活性劑、脂肪酸烷醇酰胺、聚氧乙烯脂肪酸烷醇酰胺等烷醇酰胺型表面活性劑、乙炔系二醇的環(huán)氧乙烷加成物、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚二甲基丙烯酰胺等。表面活性劑的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)優(yōu)選0. 01 1. 0質(zhì)量％，更優(yōu)選0. 02 0. 7質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 03 0. 5質(zhì)量％。當(dāng)表面活性劑的含量為1. 0質(zhì)量％以下時(shí)，氧化硅膜的研磨速度進(jìn)一步提高。當(dāng)表面活性劑的含量為0. 01質(zhì)量％以上時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制多晶硅膜研磨速度的增加。予以說明，使用表面活性劑作為前述分散劑的情況下，優(yōu)選作為分散劑的表面活性劑和添加液中的表面活性劑的合計(jì)量滿足上述范圍。<添加液的pH>添加液的pH必須為6. 5以上，優(yōu)選6. 7 12.0，更優(yōu)選為6. 8 11.0。當(dāng)pH為 6. 5以上時(shí)，能夠抑制將添加液和漿料混合時(shí)漿料中所含的粒子發(fā)生聚集。當(dāng)pH為12. 0以下時(shí)，在將添加液和漿料混合時(shí)能夠獲得良好的平坦性。添加液的pH可以通過通常的使用玻璃電極的pH計(jì)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定pH時(shí)，具體而言可以使用例如株式會(huì)社堀場(chǎng)制作所的商品名Model(F-51)。添加液的pH可以如下獲得， 艮口，使用鄰苯二甲酸鹽PH標(biāo)準(zhǔn)液(pH 4. 01)、中性磷酸鹽pH標(biāo)準(zhǔn)液(pH :6. 86)和硼酸鹽pH 標(biāo)準(zhǔn)液(PH:9. 18)作為pH標(biāo)準(zhǔn)液，對(duì)pH計(jì)進(jìn)行3點(diǎn)校正后，將pH計(jì)的電極放入添加液中， 測(cè)定經(jīng)過2分鐘以上而穩(wěn)定后的值，從而獲得。此時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)緩沖液和添加液的液溫例如均可以設(shè)為25°C。予以說明，漿料的pH也可以通過同樣的方法進(jìn)行測(cè)定。<pH 調(diào)整劑〉本實(shí)施方式的CMP研磨液含有pH調(diào)整劑作為添加液成分的1種成分。作為PH調(diào)整劑，可以列舉出水溶性的堿性化合物、水溶性的酸化合物。作為堿性化合物，可以列舉出 PKa為8以上的堿性化合物。這里，“pKa”是指能夠解離的第1酸性基團(tuán)(第1解離可能酸性基)的酸解離常數(shù)，為該基團(tuán)的平衡常數(shù)Ka的負(fù)常用對(duì)數(shù)。作為前述的堿性化合物，具體而言，優(yōu)選使用水溶性的有機(jī)胺、氨水等。此外，添加液的PH還可以通過上述聚丙烯酸化合物等其它含有成分進(jìn)行調(diào)整。作為水溶性的有機(jī)胺，可以列舉出例如乙胺、二乙胺、三乙胺、二苯胍、哌啶、丁胺、 二丁胺、異丙胺、四甲基氧化銨、四甲基氯化銨、四甲基溴化銨、四甲基氟化銨、四丁基氫氧化銨、四丁基氯化銨、四丁基溴化銨、四丁基氟化銨、四甲基銨硝酸鹽、四甲基銨醋酸鹽、四甲基銨丙酸鹽、四甲基銨馬來(lái)酸鹽、四甲基銨硫酸鹽等。就pH調(diào)整劑的含量而言，例如使用堿性化合物的情況下，在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)，優(yōu)選0.01 10.0質(zhì)量％，更優(yōu)選0. 05 5.0質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選0. 1 3. 0質(zhì)量％。但是，PH調(diào)整劑的含量受調(diào)整的pH制約，因此取決于其它含有成分(強(qiáng)酸、聚丙烯酸化合物等)的含量，并沒有特別限制。<磷酸化合物>添加液含有磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物作為添加液成分的1 種成分。予以說明，“磷酸化合物”指包括磷酸、磷酸衍生物在內(nèi)的物質(zhì)。作為磷酸衍生物， 可以列舉出例如二聚體、三聚體等磷酸聚合物(例如焦磷酸、焦亞磷酸、三偏磷酸)、含有磷酸基的化合物(例如，磷酸氫鈉、磷酸鈉、磷酸銨、磷酸鉀、磷酸鈣、焦磷酸鈉、聚磷酸、聚磷酸鈉、偏磷酸、偏磷酸鈉、磷酸銨等)。磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)為0. 01 1. 0質(zhì)量％，優(yōu)選 0. 02 0. 7質(zhì)量％，更優(yōu)選0. 03 0. 5質(zhì)量％。當(dāng)磷酸化合物的含量為1. 0質(zhì)量％以下時(shí)，能夠進(jìn)一步提高氮化硅膜的研磨速度。同樣，當(dāng)磷酸化合物的含量為0.01質(zhì)量％以上時(shí)，能夠進(jìn)一步提高氮化硅膜的研磨速度。予以說明，同時(shí)使用磷酸和磷酸衍生物作為磷酸化合物時(shí)，優(yōu)選它們的合計(jì)量滿足上述范圍。(CMP研磨液的保存方法)
就本實(shí)施方式的CMP研磨液而言，例如，優(yōu)選以分成通過分散劑使鈰系研磨粒分散于水中的漿料、和添加液的兩液式研磨液的方式進(jìn)行保存。不將漿料和添加劑混合而是以兩液式研磨液的方式保管時(shí)，能夠抑制鈰系研磨粒聚集，抑制研磨損傷的效果和研磨速度發(fā)生改變。漿料和添加液既可以事前進(jìn)行混合，也可以在即將使用前進(jìn)行混合。使用兩液式研磨液的情況下，例如可以使用A方法，通過不同配管輸送漿料和添加液，使這些配管匯合并在供給配管出口之前混合而供給到研磨平臺(tái)上；B方法，在即將研磨前將漿料和添加液混合；C方法，分別將漿料和添加劑供給到研磨平臺(tái)上，在研磨平臺(tái)上將兩液混合；和D方法，通過供給配管供給預(yù)先使?jié){料和添加液混合而成的液體；等。通過任意改變上述兩液的配合，能夠調(diào)整平坦化特性和研磨速度。漿料和添加液的配合比以質(zhì)量比計(jì)優(yōu)選1 10 10 1(漿料添加液)左右。在A方法或B方法的情況下，也可以將漿料、添加液預(yù)先制成減少了水的含量的濃縮液，在混合時(shí)根據(jù)需要用去離子水稀釋。(基板研磨方法)本實(shí)施方式的基板研磨方法具備如下研磨工序在將至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜按壓在研磨平臺(tái)的研磨布上的狀態(tài)下，一邊將前述CMP研磨液供給到被研磨膜和研磨布之間，一邊使基板和研磨平臺(tái)相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)被研磨膜進(jìn)行研磨。此夕卜，本實(shí)施方式的基板研磨方法還可以具備研磨液制備工序?qū){料和添加液混合獲得前述CMP研磨液；和研磨工序使用獲得的CMP研磨液，對(duì)在至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜進(jìn)行研磨。本實(shí)施方式的基板研磨方法尤其適合于在基板的形成有被研磨膜的上述一個(gè)面具有高度差的情況下，對(duì)基板的該一個(gè)面進(jìn)行研磨而將高度差平坦化的研磨工序。本實(shí)施方式的基板研磨方法中，在基板和被研磨膜之間形成有多晶硅膜的情況下，在研磨工序中可以以多晶硅膜作為截止膜對(duì)被研磨膜進(jìn)行研磨。例如，可以在形成有分離槽的基板上沿著該分離槽形成截止膜，在截止膜上形成被研磨膜后，除去被研磨膜直至露出截止膜。更具體而言，可以列舉出對(duì)具有如圖1的(a)所示的構(gòu)造的基板100進(jìn)行研磨的研磨方法。圖1的(a)所示的基板100在硅1上形成的槽中埋入二氧化硅等絕緣物2而形成有淺溝槽隔離(STI)。具有高導(dǎo)電率的絕緣膜(High-k絕緣膜)3層疊在硅1之上。在絕緣膜3上的規(guī)定位置形成有多晶硅膜的虛擬柵(dUmmygate)4，在該虛擬柵4的側(cè)部形成有氮化硅膜的側(cè)壁5。進(jìn)而，為了對(duì)擴(kuò)散層施加應(yīng)力、提高晶體管性能，以覆蓋表面的方式層疊氮化硅膜的應(yīng)力膜(stress liner) 6，最后層疊氧化硅膜7。通過使用本實(shí)施方式的CMP研磨液，對(duì)這樣的基板的前述氧化硅膜7和前述氮化硅的應(yīng)力膜6的一部分進(jìn)行研磨，直至前述多晶硅的虛擬柵4露出，能夠獲得如圖1的(b)所示構(gòu)造的基板200。該工序中，作為前述虛擬柵4的多晶硅膜作為用于抑制過度研磨的截止膜而起作用。以下，列舉形成有氧化硅膜或氮化硅膜中的至少一方的無(wú)機(jī)絕緣層作為被研磨膜的半導(dǎo)體基板的例子，對(duì)研磨方法進(jìn)一步進(jìn)行說明。作為本實(shí)施方式的研磨方法中使用的研磨裝置，可以使用例如具有保持具有被研磨膜的基板的固定器、能夠貼合研磨布(襯墊)且安裝有轉(zhuǎn)速可變的電動(dòng)機(jī)等的研磨平臺(tái)的常規(guī)研磨裝置等。
作為上述研磨裝置，可以列舉出例如株式會(huì)社荏原制作所制的研磨裝置，型號(hào) EP0-111, AMAT (Applied Materials)公司制的研磨裝置，商品名Mirra3400、Reflection 研磨機(jī)，等。作為研磨布沒有特別限制，可以使用例如通常的無(wú)紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔質(zhì)氟樹脂等。此外，前述研磨布優(yōu)選實(shí)施開槽加工，以留存研磨液。作為研磨條件沒有特別限制，從抑制半導(dǎo)體基板脫出的立場(chǎng)出發(fā)，優(yōu)選研磨平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度為200rpm以下的低旋轉(zhuǎn)。從抑制研磨后發(fā)生損傷的立場(chǎng)出發(fā)，施加于半導(dǎo)體基板的壓力(加工負(fù)荷)優(yōu)選IOOkPa以下。優(yōu)選在研磨期間用泵等連續(xù)地將研磨液供給到研磨布的表面。其供給量沒有限制，優(yōu)選研磨布的表面一直被研磨液覆蓋。如前所述，研磨液的供給方法可以列舉出A方法，通過不同配管輸送兩液，使這些配管匯合并在供給配管出口之前混合而供給到研磨平臺(tái)上；B方法，在即將研磨前將兩液混合；C方法，分別將兩液供給到研磨平臺(tái)上；和D方法，通過供給配管供給預(yù)先使?jié){料和添加液混合而成的液體；等。研磨結(jié)束后的半導(dǎo)體基板優(yōu)選在流水中充分清洗后使用旋轉(zhuǎn)干燥器等使附著于半導(dǎo)體基板上的水滴脫離然后使之干燥。這樣，通過上述研磨液對(duì)作為被研磨膜的無(wú)機(jī)絕緣層進(jìn)行研磨，能夠消除表面的凹凸，能夠在半導(dǎo)體基板整個(gè)表面獲得平滑的面。通過將該工序重復(fù)規(guī)定次數(shù)，能夠制造具有希望的層數(shù)的半導(dǎo)體基板。作為制作被研磨膜即氧化硅膜和氮化硅膜的方法，可以列舉出低壓CVD法、等離子體CVD法等。通過低壓CVD法形成氧化硅膜時(shí)，作為Si源可以使用單硅烷SiH4，作為氧源可以使用氧氣02。氧化硅膜可以通過在400°C以下的低溫下進(jìn)行該SiH4-A系氧化反應(yīng)而獲得。通過CVD法制作氧化硅膜后，根據(jù)情況可以在1000°C或其以下的溫度下進(jìn)行熱處理。氧化硅膜中可以摻雜磷、硼等元素。為了謀求通過高溫回流帶來(lái)的表面平坦化，在氧化硅膜中摻雜磷P時(shí)，優(yōu)選使用SiH4-O2-PH3系反應(yīng)氣體。等離子體CVD法具有能夠以低溫來(lái)進(jìn)行在通常的熱平衡下需要高溫的化學(xué)反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。等離子體發(fā)生法可以列舉出電容耦合(容量結(jié)合)型和感應(yīng)耦合(誘導(dǎo)結(jié)合)型兩者。作為反應(yīng)氣體，可以列舉出使用SiH4為Si源、使用N2O為氧源的SiH4^2O系氣體，在 Si源中使用四乙氧基硅烷(TEOS)的TEOS-仏系氣體(TE0S-等離子體CVD法)?；鍦囟葍?yōu)選在250 400°C的范圍，反應(yīng)壓力優(yōu)選在67 4001 的范圍。利用低壓CVD法形成氮化硅膜的情況下，可以使用二氯硅烷=SiH2Cl2作為Si源， 使用氨=NH3作為氮源。氮化硅膜可以通過在900°C的高溫下進(jìn)行SiH2Cl2-NH3系氧化反應(yīng)而獲得。作為等離子體CVD法的反應(yīng)氣體，可以列舉出使用SiH4作為Si源、使用NH3作為氮源的SiH4-NH3系氣體?；鍦囟葍?yōu)選300 400°C。作為本實(shí)施方式中使用的基板，可以列舉出具有二極管、晶體管、化合物半導(dǎo)體、 熱敏電阻、壓敏電阻(〃 'J ^夕)、閘流晶體管(寸4 1J 7夕)等單個(gè)半導(dǎo)體、DRAM (Dynamic Random Access Memory,云力態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、SRAM (Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、EPR0M(Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)、掩模 ROM (Mask Read-Only Memory，掩模只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM (Electrical Iy Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃存等存儲(chǔ)元件、微處理器、DSP、ASIC等邏輯電路元件(理論回路素子)、匪IC(Monolithic Microwave Integrated Circuit，單片微波集成電路)所代表的化合物半導(dǎo)體等集成電路元件、混成集成電路(Hybrid IC)、發(fā)光二極管、電荷耦合元件等光電轉(zhuǎn)換元件等的基板。本實(shí)施方式的CMP研磨液不僅能夠研磨形成于半導(dǎo)體基板上的氮化硅膜、氧化硅膜，而且能夠?qū)π纬捎诰哂幸?guī)定布線的布線板上的氧化硅膜、玻璃、氮化硅等無(wú)機(jī)絕緣膜、 多晶硅、主要含有Al、Cu、Ti、TiN, W、Ta、TaN等的膜進(jìn)行研磨。(電子部件)本實(shí)施方式的電子部件使用了通過前述研磨方法進(jìn)行研磨而獲得的基板。電子部件不僅是半導(dǎo)體元件，還包括光掩?！ね哥R·棱鏡等光學(xué)玻璃、ITO等無(wú)機(jī)導(dǎo)電膜、由玻璃和結(jié)晶材料構(gòu)成的光集成電路·光開關(guān)元件·光波導(dǎo)、光纖的端面、閃爍體等光學(xué)用單晶、 固體激光單晶、藍(lán)色激光LED用藍(lán)寶石基板、SiC、GaP、GaAs等的半導(dǎo)體單晶、磁盤用玻璃基板、磁頭等。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例限定。(氧化鈰粉碎粉末的制作)將碳酸鈰水合物40kg加入到氧化鋁制容器中，在830°C下、空氣中燒成2小時(shí)，獲得20kg黃白色粉末。通過X射線衍射法對(duì)該粉末進(jìn)行相鑒別的結(jié)果是，確認(rèn)其為氧化鈰。 此外，通過激光衍射式粒度分布儀測(cè)定燒成粉末的粒徑，結(jié)果是燒成粉末的粒徑95%以上分布于1 100 μ m之間。接著，使用噴射磨對(duì)前述氧化鈰粉末20kg進(jìn)行干式粉碎。通過BET法測(cè)定多晶體的比表面積，結(jié)果為9. 4m2/g。(氧化鈰漿料的制作)將氧化鈰粉末10. Okg和去離子水116. 65kg混合，添加市售聚丙烯酸銨鹽水溶液(重均分子量8000，40質(zhì)量％) :228g作為分散劑，獲得氧化鈰分散液。將氧化鈰分散液攪拌10分鐘后，一邊將液體送入另一容器，一邊在送液的配管內(nèi)照射超聲波。超聲波頻率為400kHz，經(jīng)30分鐘輸送氧化鈰分散液。在4個(gè)500mL燒杯中加入各500g士20g輸送的氧化鈰分散液，進(jìn)行離心分離。在設(shè)定為施加于外周的離心力達(dá)到500G的條件下離心分離2分鐘，除去燒杯底部沉降的氧化鋪。測(cè)定獲得的氧化鈰分散液(氧化鈰漿料)的固體成分濃度，結(jié)果為4.0質(zhì)量％。測(cè)定該漿料的PH，結(jié)果為9.0。進(jìn)而使用激光衍射式粒度分布儀〔株式會(huì)社堀場(chǎng)制作所制，商品名LA_920〕，設(shè)折射率1. 93、透過度68%，對(duì)漿料中的氧化鈰粒子的平均粒徑進(jìn)行測(cè)定，結(jié)果為0. Ilum0此外，使用原子吸收光度計(jì)〔株式會(huì)社島津制作所制，商品名AA-6650〕測(cè)得的氧化鈰漿料中的雜質(zhì)離子(Na、K、Fe、Al、Zr、Cu、Si、Ti)以質(zhì)量比計(jì)為Ippm以下。(添加液的制作)〈實(shí)施例1>
按照以下工序制作添加液。將超純水900g稱量到IOOOmL容器a中。將聚丙烯酸40質(zhì)量％水溶液(重均分子量3000) :10. Og加入到容器a中。將表面活性劑2，4，7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇的聚氧乙烯醚(求彡工卜矢 * > 一卜)15. Og加入到容器a中。以磷酸達(dá)到8. 5g的方式將85質(zhì)量％的磷酸水溶液加入到容器a中。將氨水(25質(zhì)量％水溶液)加入到容器a中，調(diào)整添加量使添加液的pH達(dá)到7. 0。加入適量超純水，使得總計(jì)達(dá)到lOOOg，從而制成添加液?！磳?shí)施例2 11>與實(shí)施例1同樣地，按照表1所示的配合制作添加液。<比較例1 7>與實(shí)施例1同樣地，按照表2所示的配合制作添加液。(研磨液的制作)將前述氧化鈰漿料500g、前述實(shí)施例1 11、比較例1 7所制作的添加液500g 和純水1500g混合，分別制作總計(jì)為2500g的CMP研磨液。表 權(quán)利要求
1.一種CMP研磨液，其為將第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，所述第1液含有鈰系研磨粒、分散劑和水，所述第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、pH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水，所述第2液的pH為6. 5以上，以所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)達(dá)到0. 01 1. 0質(zhì)量％的方式混合所述第1液和所述第2液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP研磨液，其中，所述第2液含有pKa為8以上的堿性化合物作為所述PH調(diào)整劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CMP研磨液，其中，所述第2液含有非離子性表面活性劑作為所述表面活性劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，所述第1液的pH為7.0 以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，所述第1液含有氧化鈰粒子作為所述鈰系研磨粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，所述第1液含有氧化鈰粒子作為所述鈰系研磨粒，所述鈰系研磨粒的平均粒徑為0. 01 2. 0 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，所述第1液含有聚丙烯酸系分散劑作為所述分散劑。
8.—種CMP研磨液，其含有鈰系研磨粒、分散劑、聚丙烯酸化合物、表面活性劑、pH調(diào)整齊U、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水，所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)為0. 01 1. 0質(zhì)量％。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMP研磨液，其中，含有pKa為8以上的堿性化合物作為所述 PH調(diào)整劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的CMP研磨液，其中，含有非離子性表面活性劑作為所述表面活性劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求8 10中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，含有氧化鈰粒子作為所述鈰系研磨粒。
12.根據(jù)權(quán)利要求8 11中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，含有氧化鈰粒子作為所述鈰系研磨粒，所述鈰系研磨粒的平均粒徑為0. 01 2. 0 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求8 12中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液，其中，含有聚丙烯酸系分散劑作為所述分散劑。
14.一種基板研磨方法，其具備如下研磨工序在將至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜按壓在研磨平臺(tái)的研磨布上的狀態(tài)下，一邊將權(quán)利要求1 13中任意一項(xiàng)所述的CMP研磨液供給到所述被研磨膜和所述研磨布之間，一邊使所述基板和所述研磨平臺(tái)相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)所述被研磨膜進(jìn)行研磨。
15.一種基板研磨方法，其具備研磨液制備工序?qū)⒑锈嬒笛心チ?、分散劑和水的?1液與含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、PH調(diào)整劑、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水且pH為6. 5以上的第2液混合，獲得所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液總質(zhì)量為基準(zhǔn)時(shí)為0. 01 1. 0質(zhì)量％的CMP研磨液；和研磨工序使用所述CMP研磨液，對(duì)在至少一個(gè)面上形成有被研磨膜的基板的該被研磨膜進(jìn)行研磨。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板研磨方法，其中，所述第1液的pH為7.0以上。
17.根據(jù)權(quán)利要求14 16中任意一項(xiàng)所述的基板研磨方法，其中，所述基板的所述一個(gè)面具有高度差。
18.根據(jù)權(quán)利要求14 17中任意一項(xiàng)所述的基板研磨方法，其中，在所述基板和所述被研磨膜之間形成有多晶硅膜，在所述研磨工序中，以所述多晶硅膜作為截止膜對(duì)所述被研磨膜進(jìn)行研磨。
19.根據(jù)權(quán)利要求14 18中任意一項(xiàng)所述的基板研磨方法，其中，在所述基板上形成有氧化硅膜或氮化硅膜中的至少一方作為所述被研磨膜。
20.一種電子部件，其具備通過權(quán)利要求14 19中任意一項(xiàng)所述的基板研磨方法進(jìn)行研磨而成的基板。
全文摘要
本發(fā)明的CMP研磨液為將第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有鈰系研磨粒、分散劑和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性劑、pH調(diào)整劑、磷酸化合物和水，第2液的pH為6.5以上，以磷酸化合物的含量達(dá)到規(guī)定范圍的方式混合第1液和第2液。此外，本發(fā)明的CMP研磨液含有鈰系研磨粒、分散劑、聚丙烯酸化合物、表面活性劑、pH調(diào)整劑、磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在規(guī)定范圍。
文檔編號(hào)B24B37/04GK102473621SQ20108002891
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者榎本和宏, 筱田隆, 阿久津利明 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社