專利名稱：成型電路部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成型電路部件的制造方法，特別是涉及通過激光的照射將基體的表面粗化，對該粗化后的面施以非電解鍍層的成型電路部件的制造方法。
背景技術(shù)：
一直以來，通過對由合成樹脂制成的基體的表面選擇性施以非電解鍍層來形成導(dǎo)電性電路，在成型電路部件的制造方法中，為了提高與該非電解鍍層的密合性，需要預(yù)先對基體的表面進(jìn)行蝕刻而粗化。該蝕刻的代表性方法是使用六價鉻硫酸的化學(xué)蝕刻(例如參照專利文獻(xiàn)1和2)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平10-335781號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開平10-335782號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題然而，由于六價鉻是有毒的，因此操作中伴有危險，而且為了安全地處理蝕刻液的廢排水，需要進(jìn)行將六價鉻還原成三價鉻后進(jìn)行中和沉淀的處理，要求非常復(fù)雜的處理。因此，六價鉻硫酸從環(huán)境上的觀點考慮，被指定為禁止對制品使用的物質(zhì)。此外，通過化學(xué)蝕刻進(jìn)行的粗化中，由于基體的整個面被粗化，因此粗化后的面直接作為外裝的情況下，需要通過涂裝等進(jìn)行裝飾。因此，本發(fā)明的目的是提供不使用化學(xué)蝕刻劑而將基體的表面粗化的成型電路部件的制造方法。用于解決本發(fā)明課題的方法為了解決上述課題，本申請發(fā)明人確認(rèn)了通過激光的照射將由絕緣材料制成的基體的表面粗化，能夠得到與非電解鍍層的充分的密合性，從而發(fā)現(xiàn)可以解決以往的化學(xué)蝕刻帶來的環(huán)境性的問題等。此外，通過僅向作為由絕緣材料制成的基體的表面的、后工序中疊層非電解鍍層的成為電路的部分選擇性照射激光而進(jìn)行粗化，從而可以大幅度縮短粗化時間，并且通過回避不成為電路的部分的粗化，從而可以不需要通過涂裝等進(jìn)行裝飾。S卩，本發(fā)明的成型電路部件的制造方法的第1特征是，具備下述工序第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型；第2工序，照射第1激光而將上述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化；第3工序，將上述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑；第4工序，使上述基體的表面干燥，使上述催化劑固定在該基體的表面上；第5工序，向作為所述基體的表面的、不成為電路的部分照射第2激光，使固定于該不成為電路的部分的上述催化劑的功能降低或消失；第6工序，向作為上述1的基體的表面的、上述成為電路的部分施以非電解鍍層。
這里，重點是，在第2工序中，照射第1激光而僅將上述基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下，第5工序中，也需要使固定于不成為電路的部分的上述催化劑的功能降低或消失。即在第2工序中，僅將成為電路的部分選擇性粗化的情況下，可以確保該被粗化后的成為電路的部分與非電解鍍層的牢固密合性，而未被粗化的不成為電路的部分雖然密合性低，但是也會形成非電解鍍層，因而變得難以精密地形成成為電路的部分。因此在第2工序中，即使僅將成為電路的部分選擇性粗化的情況下，在第5工序中，也需要使固定于不成為電路的部分的上述催化劑的功能降低或消失。此外，在催化劑賦予后的基體的表面中，如果使照射第2激光的范圍不是上述的不成為電路的部分，而是成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界，使固定于該邊界的催化劑的功能降低或消失，則通過之后的工序中的非電解鍍層，不能在成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界形成非電解鍍層。因此，在成為電路的部分與不成為電路的部分形成的非電解鍍層通過邊界而被電氣分離，因此能夠僅向成為電路的部分的非電解鍍層通電，疊層電鍍層。這里成為電路的部分的電鍍層可以比非電解鍍層容易增厚，因此能夠通過軟蝕刻等而容易地僅除去在不成為電路的部分形成的非電解鍍層。即本發(fā)明的成型電路部件的制造方法的第2特征是，具備下述工序第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型；第2工序，照射第1激光而將上述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化；第3工序，將上述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑；第4工序，使上述基體的表面干燥，使上述催化劑固定在該基體的表面上；第5工序，向作為上述基體的表面的、上述成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界照射第2激光，使固定于該邊界的上述催化劑的功能降低或消失；第6工序，向作為上述基體的表面的、上述成為電路的部分和不成為電路的部分施以非電解鍍層；第7工序， 向作為上述基體的表面的、上述成為電路的部分的非電解鍍層的表面施以電鍍層，第8工序，通過蝕刻來除去作為上述基體的表面的、上述不成為電路的部分的非電解鍍層。另外，第2工序中，照射第1激光而僅將上述基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下，第5工序中，也需要使固定于成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界的上述催化劑的功能降低或消失。原因是，如上所述，如果不使固定于該邊界的上述催化劑的功能降低或消失，則密合性低，在該邊界也會形成非電解鍍層。此外，如果將由絕緣材料制成的基體的表面粗化并賦予催化劑后，對該基體的整個表面施以非電解鍍層，僅對不成為電路的部分的非電解鍍層選擇性照射激光而將其除去，則可以形成由非電解鍍層形成的電路。即本發(fā)明的成型電路部件的制造方法的第3特征是，具備下述工序第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型；第2工序，照射第1激光而將上述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化；第3工序，將上述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑；第4工序，向上述基體的表面施以非電解鍍層；第5工序，向作為上述基體的表面的、不成為電路的部分照射第2激光， 除去該不成為電路的部分的上述非電解鍍層。另外，第2工序中，照射第1激光而僅將上述基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下，第5工序中，也需要對在不成為電路的部分形成的非電解鍍層照射激光而將其除去。原因是，如上所述，在未被粗化的不成為電路的部分，雖然密合性低，但由于也形成了非電解鍍層，因此需要除去該成為電路的部分的非電解鍍層。
此外，如果將由絕緣材料制成的基體的表面粗化并賦予催化劑后，對該基體的整個表面施以非電解鍍層，對成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界處的非電解鍍層選擇性照射激光而將其除去，則可以將在成為電路的部分與不成為電路的部分形成的非電解鍍層電氣分離。因此能夠僅向成為電路的部分的非電解鍍層通電，再疊層電鍍層。這里，成為電路的部分的電鍍層可以比非電解鍍層容易增厚，因此在不成為電路的部分形成的非電解鍍層可以如上所述通過軟蝕刻等而容易地除去。即本發(fā)明的成型電路部件的制造方法的第4特征是，具備下述工序第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型；第2工序，照射第1激光而將上述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化；第3工序，將上述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑；第4工序，向上述基體的表面施以非電解鍍層；第5工序，向作為上述基體的表面的、上述成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界照射第2激光，除去施于該邊界的上述非電解鍍層；第6工序，向作為上述基體的表面的、上述成為電路的部分的非電解鍍層的表面施以電鍍層；第7工序，通過蝕刻來除去作為上述基體的表面的、上述不成為電路的部分的非電解鍍層。另外第2工序中，照射第1激光而僅將上述基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下，第5工序中，也需要對在成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界形成的非電解鍍層照射激光而將其除去。如上所述，在未被粗化的部分，雖然密合性低，但也形成了非電解鍍層。因此由于在邊界處也形成了非電解鍍層，因此需要除去形成于該邊界的非電解鍍層，確保成為電路的部分與不成為電路的部分的電絕緣。不過，優(yōu)選如下構(gòu)成上述第2工序中，照射上述第1激光而僅將上述基體的表面中成為電路的部分粗化的情況下，上述第5工序中，從上述成為電路的部分的周緣向著該成為電路的部分的內(nèi)側(cè)重疊規(guī)定寬度的方式照射上述第2激光。即第2工序中，僅將成為電路的部分粗化，然后在第5工序中，向不成為電路的部分、或成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界再次照射第2激光的情況下，需要沿著該被粗化后的成為電路的部分的周緣，準(zhǔn)確地照射第2激光。即第2激光從被粗化后的成為電路的部分的周緣向外側(cè)偏離而照射的情況下，該向外側(cè)偏離的部分中，催化劑的功能不降低或不消失，或者不能除去非電解鍍層，因此難以形成精密的導(dǎo)電性電路。另一方面， 沿著被粗化后的成為電路的部分的周緣，準(zhǔn)確地照射第2激光是極其困難的。因此，再次照射第2激光的情況下，如果以從被粗化后的成為電路的部分的周緣向內(nèi)側(cè)侵入某種程度寬度的方式照射，則可以容易并且確實地防止未被粗化的部分中產(chǎn)生未照射的部分。因此，如果將從被粗化后的成為電路的部分的周緣向內(nèi)側(cè)侵入某種程度寬度的范圍預(yù)先設(shè)定為成為電路的部分，則可以在新的成為電路的部分準(zhǔn)確并且容易地形成導(dǎo)電性電路。這里“由絕緣材料制成的基體”的“絕緣材料”適合為例如合成樹脂、陶瓷或玻璃。 作為合成樹脂，優(yōu)選為熱塑性樹脂，也可以是熱固性樹脂，作為上述樹脂，適合為例如芳香族系液晶聚合物、聚醚醚酮、聚砜、聚醚聚砜、聚芳基砜、聚醚酰亞胺、聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚樹脂、聚酰胺、改性聚苯醚樹脂、降冰片烯樹脂、酚樹脂、環(huán)氧樹脂?！盎w”是指可以在其表面上形成導(dǎo)電性電路的部件，無論其形狀如何均可。適合為例如膜狀基體、平板狀基體、多邊形塊狀基體、表面為曲面狀的基體、或棒狀基體，也包括包含多個部件的情況。此外，不限于基體本身由絕緣性材料制成的情況，也包括用絕緣性材料覆蓋導(dǎo)電性部件表面而成的基體。“第1激光”和“第1激光”可以并用相同的激光的照射裝置，只要能夠進(jìn)行劃線(scribing)、精修(trimming)等微量除去，則無論其種類如何均可。適合例如YAG激光、二次諧波激光、CO2激光和Ar激光等。“基體的表面”是指基體的整個表面。“粗化”是指通過上述的第1激光使基體的表面層熔融或升華，更具體而言，是指用透鏡將第1激光聚光得到的光束呈脈沖狀照射，同時沿著基體的表面掃描，從而在基體的表面層中使微小部分熔融或升華，形成細(xì)的凹凸?！按呋瘎┵x予”是指例如在錫、鈀系的混合催化劑液中浸漬了基體后，用鹽酸、硫酸等酸活化，使鈀析出到表面，或者，使氯化亞錫等較強還原劑吸附于表面，浸漬在包含金等貴金屬離子的催化劑液中，使金析出到表面。“使催化劑的功能降低或消失”是指照射第2激光，將附著于基體表面的催化劑的一部分或全部升華而除去。作為“非電解鍍層”，可以使用公知的非電解鍍層，鍍層金屬適合為例如銅、鎳、鎳合金、或銀、金等貴金屬。此外，也包括再次鍍敷同種金屬或異種金屬的情況。作為“電鍍層”，可以使用公知的電鍍層，鍍層金屬適合為例如銅、鎳、金、銀、或它們的合金。此外，也包括再次鍍敷同種金屬或異種金屬的情況?！巴ㄟ^蝕刻來除去非電解鍍層”的“蝕刻”方法只要是可以溶解非電解鍍層的鍍層金屬的方法即可，適合為例如浸漬在溶解了氯化鐵的硫酸的水溶液、過硫酸鈉的水溶液中。發(fā)明的效果通過向由絕緣材料制成的基體的表面照射激光而粗化，可獲得與非電解鍍層的充分的密合性，并且可以解決以往的化學(xué)蝕刻帶來的環(huán)境性的問題。此外，后工序中，通過僅向疊層非電解鍍層的成為電路的部分選擇性照射激光而粗化，可以使粗化時間大幅度縮短，并且通過回避不成為電路的部分的粗化，能夠不需要通過涂裝等進(jìn)行加飾。將基體的表面粗化后賦予催化劑，再向成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界照射第2激光，使該邊界的部分的催化劑功能降低或消失，從而將在成為電路的部分成型的非電解鍍層與在不成為電路的部分成型的非電解鍍層電絕緣。因此，可以僅對在成為電路的部分成型的非電解鍍層的表面準(zhǔn)確并且容易地疊層電鍍層。將基體的表面粗化后賦予催化劑，在整個表面形成非電解鍍層，殘留成為電路的部分，照射第2激光而除去不成為電路的部分的非電解鍍層，從而可以準(zhǔn)確并且容易地成型由非電解鍍層形成的導(dǎo)電性電路。此外，在基體的整個表面形成非電解鍍層，對成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界的部分，通過照射第2激光而除去非電解鍍層，從而能夠?qū)⒃诔蔀殡娐返牟糠殖尚偷姆请娊忮儗优c在不成為電路的部分成型的非電解鍍層電絕緣。因此，可以僅在成為電路的部分成型的非電解鍍層的表面準(zhǔn)確并且容易地疊層電鍍層。此外，照射第1激光而僅將基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下， 向不成為電路的部分、或成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界再次照射第2激光， 從而可以防止在未被粗化的部分成型或殘存與基體的密合性低的非電解鍍層。此外，照射第1激光而僅將基體的表面中成為電路的部分選擇性粗化的情況下，從成為電路的部分的周緣向著該成為電路的部分的內(nèi)側(cè)以規(guī)定寬度重疊的方式照射第2激光，從而可以準(zhǔn)確并且容易地形成導(dǎo)電性電路。


圖1是顯示成型電路部件的制造方法的工序圖。圖2是顯示成型電路部件的制造方法的其它工序圖。圖3是顯示成型電路部件的制造方法的其它工序圖。圖4是顯示成型電路部件的制造方法的其它工序圖。圖5是顯示以相對于成為電路的部分重疊的方式照射第2激光的原因的說明圖。符號的說明1、101 301基體IaUOla 301a 成為電路的部分IbUOlb 301b 不成為電路的部分101c,301c邊界Ie重疊2、102 302 第 1 激光3、103 303 催化劑4、104 304 第 2 激光5、105 305 非電解鍍層106,306電鍍層
具體實施例方式參照圖1圖5說明本發(fā)明的成型電路部件的制造方法。如圖1所示，本發(fā)明的成型電路部件的制造方法具備第1工序 第6工序((圖A) (圖F))。第1工序(圖A)中， 將作為熱塑性樹脂的聚醚酮(例如，Victrex社的商品“Victrex#450”)注射成型，成型基體1。接下來在第2工序(圖B)中，照射第1激光2，僅將基體1的表面中成為電路的部分 Ia選擇性粗化。另外，可以照射第1激光2而將基體1的整個表面粗化。這里第1激光2 為例如二次諧波，并在輸出功率6W、掃描速度IOOOmm/秒、Q轉(zhuǎn)換頻率30kHz的條件下掃描 3次。粗化后的面從基體1的表面凹下深12 μ m左右。接下來的第3工序(圖C)中，將基體1浸漬在催化劑液中，向該基體的整個表面賦予用于非電解鍍層的催化劑3。另外，催化劑3的賦予能夠使用公知的方法，例如，在錫、 鈀系的混合催化劑液中浸漬基體1后，用鹽酸、硫酸等酸活化，使鈀析出到表面。或者，可以使氯化亞錫等較強還原劑吸附于表面，浸漬在包含金等貴金屬離子的催化劑液中，使金析出到表面。接下來的第4工序(圖D)中，作為再接下來的第5工序中干式加工的第2激光 4的照射的前工序，使賦予了催化劑3的基體1的表面干燥，使該催化劑固定于該基體的表面。第5工序(圖E)中，向作為基體1的表面的、不成為電路的部分Ib照射第2激光 4，使固定于該不成為電路的部分的催化劑3消失。這里第2激光4，如圖E的局部放大圖所示，從成為電路的部分Ia的周緣向著該成為電路的部分的內(nèi)側(cè)以規(guī)定寬度重疊Ie的方式照射。另外關(guān)于其理由等，在下文中詳述。第2激光4例如為第二諧波，并在輸出功率6W、 掃描速度500mm/秒、Q轉(zhuǎn)換頻率30kHz的條件下掃描3次。照射了第2激光4的面從基體 1的表面凹下深42 μ m左右。
最后的第6工序(圖F)中，向保持催化劑3的功能的成為電路的部分Ia施以非電解鍍層5。另外對于不成為電路的部分lb，通過前工序中的第2激光4的照射，從而催化劑3消失，因此非電解鍍層5不析出。這里非電解鍍層5可以使用公知的方法。例如非電解鍍銅的情況下，將作為金屬鹽的硫酸銅5 15g/升、作為還原劑的福爾馬林的37體積％ 的溶液8 12毫升/升、作為絡(luò)合材料的羅謝爾鹽20 25g/升、以及作為堿性劑的氫氧化鈉5 12g/升混合而成的鍍敷液保持在溫度20°C而使用。另外，可以代替非電解鍍銅而進(jìn)行非電解鍍鎳。此外，也可以容易地在非電解鍍層上再次進(jìn)行其它金屬的非電解鍍層或電鍍層。圖2顯示本發(fā)明的成型電路部件的其它制造方法。該制造方法具備第1工序 第 8工序((圖A) (圖H))，第1工序至第4工序((圖A) (圖D))與圖1所示的第1工序至第4工序是相同的。另外為了方便參照等，與圖1所示的部件或部位相同的部件或部位其編號為在圖1所示的部件編號上一律加上100 (圖3和圖4中也是同樣地，編號為在圖 1所示的部件編號上一律加上200和300。)。此外，第5工序(圖E)中，如E的局部放大圖所示，向作為基體101的表面的、成為電路的部分IOla與不成為電路的部分IOlb的邊界IOlc照射第2激光104，使固定于該邊界的催化劑103消失。另外，第2激光104的規(guī)格、作用與圖1中說明的第2激光4是相同的。此外，第2激光104以進(jìn)入成為電路的部分IOla的方式重疊照射。接下來的第6工序(圖F)中，向作為基體101的表面的、成為電路的部分IOla與不成為電路的部分IOlb施以非電解鍍層105。這里成為電路的部分IOla與不成為電路的部分IOlb的邊界101c，由于在前工序中催化劑103消失，因此不能形成非電解鍍層105，該成為電路的部分與不成為電路的部分為電絕緣狀態(tài)。因此接下來的第7工序(圖G)中， 向作為基體101的表面的、成為電路的部分IOla的非電解鍍層105的表面通電，施以電鍍層106。另外，電鍍層106可以使用公知的方法，例如電鍍銅的情況下，鍍浴組成為例如 CuSO4 · 5H20(75g)/IH2SO4 (190g)/ICl (60ppm)/添加劑(適量)。此外，使陽極材料為含磷銅，將鍍浴溫度設(shè)定為25°C，使陰極電流密度為2. 5A/dm2。最后的第8工序(圖H)中，通過蝕刻來除去作為基體101的表面的、不成為電路的部分IOlb的非電解鍍層105。即前工序中的電鍍層106，與非電解鍍層105相比，可以容易地增厚。因此，如果使電鍍層106的鍍層厚度相對于非電解鍍層105為充分大，則可以通過蝕刻來僅除去厚度薄的非電解鍍層。這里作為蝕刻，例如將基體101在過硫酸鈉水溶液中浸漬1分鐘。接下來的圖3顯示本發(fā)明的成型電路部件的其它制造方法。該制造方法具備第1 工序 第5工序((圖A) (圖E))，第1工序至第3工序((圖A) (圖C))與圖1所示的第1工序至第3工序是相同的。此外，第4工序(圖D)中，對基體201的整個表面施以非電解鍍層205。另外，非電解鍍層205的方法與圖1中說明的方法是相同的。然后第5工序(圖E)中，僅向不成為電路的部分201b選擇性照射第2激光204， 而除去在該不成為電路的部分成型的非電解鍍層205。另外第2激光204的規(guī)格和作用與圖1中說明的第2激光是相同的。此外，第2激光204以進(jìn)入成為電路的部分201a的方式重疊照射。而且也可以容易地在形成于成為電路的部分201a的非電解鍍層205上再次疊層電鍍層。
接下來的圖4顯示本發(fā)明的成型電路部件的其它制造方法。該制造方法具備第1 工序 第7工序((圖A) (圖G))，第1工序至第4工序((圖A) (圖D))與圖3所示第1工序至第4工序是相同的。此外，第5工序(圖E)中，向作為基體301的表面的、成為電路的部分301a與不成為電路的部分301b的邊界301c照射第2激光304，除去施于該邊界處的非電解鍍層305。另外第2激光304的規(guī)格和作用與圖1中說明的第2激光是相同的。此外，第2激光304以進(jìn)入成為電路的部分301a的方式重疊照射。接下來的第6工序(圖F)中，向與不成為電路的部分301b電絕緣的、成為電路的部分301a的非電解鍍層305通電，再次施以電鍍層306。另外電鍍層306的方法與圖2中說明的方法是相同的。此外，電鍍層306以與非電解鍍層305相比為充分的鍍層厚度形成。 最后的第8工序(圖H)中，通過蝕刻來除去不成為電路的部分301b的非電解鍍層305。另外蝕刻的方法與圖2中說明的方法是相同的。最后參照圖5再次說明通過第1激光2等的照射而僅將基體1等的表面中成為電路的部分Ia等選擇性粗化的情況下，將后工序中的第2激光4等與該成為電路的部分重疊照射的技術(shù)意義。即如圖5(A)所示，通過第1激光2的照射，僅將基體1的表面中成為電路的部分Ia選擇性粗化，后工序中照射第2激光4的情況下，沿著通過該第1激光的照射而粗化后的成為電路的部分的周緣，準(zhǔn)確地照射第2激光4是極其困難的。因此如圖5⑶所示，關(guān)于第2激光4的照射范圍，從通過第1激光2的照射而粗化后的成為電路的部分Ia向外側(cè)偏離，在該粗化后的成為電路的部分的周緣與第2激光4 的照射范圍之間殘留未照射的部分Id的可能性高。上述情況下，由于未照射的部分Id中的催化劑功能未消失，因此在該部分析出非電解鍍層，或者在該未照射的部分殘存非電解鍍層5。這樣，如果未照射的部分Id存在非電解鍍層，則產(chǎn)生難以形成精密的導(dǎo)電性電路的問題等。因此如圖5(C)所示，照射第2激光4的情況下，如果以從被粗化后的成為電路的部分Ia的周緣向內(nèi)側(cè)侵入某種程度寬度的方式重疊Ie地照射，則可以容易并且確實地防止產(chǎn)生作為未被粗化的部分的、未照射的部分。因此，如果將從被粗化后的成為電路的部分 Ia的周緣除去了重疊Ie后的剩下部分預(yù)先設(shè)定為成為電路的部分la，則可以在新的成為電路的部分準(zhǔn)確并且容易地形成導(dǎo)電性電路。關(guān)于上述的非電解鍍層5等與通過第1激光2的照射而被粗化后的基體1等的密合強度，進(jìn)行剝離強度試驗，結(jié)果剝離強度為1. 5 2. Okg/cm，確認(rèn)了與現(xiàn)有技術(shù)的通過化學(xué)蝕刻進(jìn)行的粗化具有相同的密合強度。產(chǎn)業(yè)可利用性為了能夠確保與非電解鍍層之間充分的密合強度，可以不使用化學(xué)蝕刻劑而將基體的表面粗化。因此可以廣泛用于與電子設(shè)備等相關(guān)的產(chǎn)業(yè)。
權(quán)利要求
1.一種成型電路部件的制造方法，其特征在于，具備下述工序 第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型，第2工序，照射第1激光而將所述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化，第3工序，將所述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑，第4工序，使所述基體的表面干燥，使所述催化劑固定在該基體的表面上， 第5工序，向作為所述基體的表面的、不成為電路的部分照射第2激光，使固定于該不成為電路的部分的所述催化劑的功能降低或消失，第6工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分施以非電解鍍層。
2.一種成型電路部件的制造方法，其特征在于，具備下述工序 第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型，第2工序，照射第1激光而將所述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化，第3工序，將所述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑，第4工序，使所述基體的表面干燥，使所述催化劑固定在該基體的表面上， 第5工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界照射第2激光，使固定于該邊界的所述催化劑的功能降低或消失，第6工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分和不成為電路的部分施以非電解鍍層，第7工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分的非電解鍍層的表面施以電鍍層，第8工序，通過蝕刻來除去作為所述基體的表面的、所述不成為電路的部分的非電解鍍層。
3.一種成型電路部件的制造方法，其特征在于，具備下述工序 第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型，第2工序，照射第1激光而將所述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化，第3工序，將所述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑，第4工序，向所述基體的表面施以非電解鍍層，第5工序，向作為所述基體的表面的、不成為電路的部分照射第2激光，除去該不成為電路的部分的所述非電解鍍層。
4.一種成型電路部件的制造方法，其特征在于，具備下述工序 第1工序，將由絕緣材料制成的基體成型，第2工序，照射第1激光而將所述基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分粗化，第3工序，將所述基體浸漬在催化劑液中，向該基體的表面賦予用于非電解鍍層的催化劑，第4工序，向所述基體的表面施以非電解鍍層，第5工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分與不成為電路的部分的邊界照射第2激光，除去施于該邊界的所述非電解鍍層，第6工序，向作為所述基體的表面的、所述成為電路的部分的非電解鍍層的表面施以電鍍層，第7工序，通過蝕刻來除去作為所述基體的表面的、所述不成為電路的部分的非電解鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的成型電路部件的制造方法，其特征在于，在所述第2工序中，照射所述第1激光而僅將所述基體的表面中成為電路的部分粗化，在所述第5工序中，以從所述成為電路的部分的周緣向著該成為電路的部分的內(nèi)側(cè)重疊規(guī)定寬度的方式照射所述第2激光。
全文摘要
本發(fā)明中，代替化學(xué)蝕刻劑，照射激光而將基體的表面粗化，由此確保與非電解鍍層之間的充分的密合強度。本發(fā)明具備下述工序第1工序，將基體1成型；第2工序，照射第1激光2而將該基體的表面粗化或僅將該表面中成為電路的部分1a粗化；第3工序，向該基體的表面賦予催化劑3；第4工序，使該基體干燥；第5工序，向不成為電路的部分1b照射第2激光4，使該不成為電路的部分的催化劑的功能降低或消失；第6工序，對該成為電路部分的部分施以非電解鍍層。
文檔編號C23C18/20GK102471889SQ20108003092
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日
發(fā)明者湯本哲男 申請人:三共化成株式會社