專利名稱：直列式成膜裝置、磁記錄介質的制造方法以及閘閥的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一邊在多個腔室之間依次輸送作為成膜對象的基板一邊進行成膜處理的直列式成膜裝置、使用該直列式成膜裝置的磁記錄介質的制造方法以及在該直列式成膜裝置的多個腔室之間進行通路的開閉的閘閥。本申請基于2009年12月18日在日本申請的特愿2009-287679號主張優(yōu)先權，在這里引用其內容。
背景技術：
近年來，在使用于硬盤裝置等的磁記錄介質的領域，記錄密度的提高顯著，特別在最近，記錄密度以I年間I. 5倍左右的驚人的速度不斷增長。這樣的磁記錄介質具有例如在非磁性基板的雙面或者單面依次層疊有晶種膜 ( '>一卜''膜)、基底膜、磁記錄膜、保護膜以及潤滑劑膜的構造，一般，使用一邊在多個腔室之間依次輸送被保持于載體的基板一邊進行成膜處理的直列式成膜裝置進行制造(例如， 參照專利文獻I)。具體地說，直列式成膜裝置具有將進行成膜處理的多個腔室經由閘閥連接的構造。另外，在各腔室內，在載體的輸送方向上并列設置有被支撐得圍繞水平軸旋轉自如的多個軸承，載體能夠在這多個軸承之上移動。另一方面，載體具有多個支架，在這些支架上，設有將基板配置于內側的孔部，和能夠彈性變形地安裝于該孔部的周圍的多個保持爪。而且，支架能夠一邊使基板的外周部與多個保持爪抵接一邊將被嵌入這些保持爪的內側的基板保持得裝卸自如。另外，在直列式成膜裝置中，通過設置于各腔室之間的閘閥進行對載體通過的通路進行開閉的動作。具體地說，閘閥具有設有形成上述的通路的開口部的一對分隔壁與在這一對分隔壁之間被移動操作的閥體。而且，在該閘閥中，通過閥體通過氣缸等驅動機構向將通路切斷的方向移動、然后閥體向與一方的分隔壁接觸的方向傾斜移動的動作，由此能夠在成膜處理中將開口部封閉。另一方面，能夠通過與該動作相反的動作，在載體的輸送中將開口部開放。進而，這樣的閘閥在各腔室之間配設有2個，設置于另一方的分隔壁的開口部也能夠同樣進行開閉。而且，在該直列式成膜裝置中，通過由閘閥將各腔室隔離、然后對腔室內減壓，能夠將各腔室內分別設為獨立的壓力條件而進行成膜處理。磁記錄介質能夠使用這樣的直列式成膜裝置連續(xù)進行制造，在處理基板的操作時不會污染基板，進而能夠減少操作工序等而將制造工序聞效化，提聞廣品成品率而提聞磁記錄介質的生產性。在先技術文獻專利文獻專利文獻I :特開2002-288888號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題但是，在上述的直列式成膜裝置中，為了提高磁記錄介質的生產性，要求將閘閥進行的開閉動作高速化。然而，在以往的直列式成膜裝置中，通過提高閘閥的開閉速度，在閘閥上產生較大的振動。具體地說，在以往的閘閥中，在上述閥體的驅動機構使用氣缸。在該情況下，能夠通過提高氣缸的驅動氣壓而提高閘閥的開閉速度，但會在閘閥上產生較大的振動。在直列式成膜裝置中，通過伴隨著這樣的閘閥的高速開閉動作的振動，會導致閘閥的壽命下降。另外，通過伴隨著這樣的高速開閉動作的磨損的產生，腔室內會被污染。進而，在通過伴隨著這樣的高速開閉動作的振動、在腔室內飛舞的灰塵附著于基板、由于該振動使得基板從所述支架脫落或者通過與所述保持爪的摩擦而損傷基板時，會導致所制造的磁記錄介質的品質下降。本發(fā)明是鑒于這樣的以往的情況而提出的，其目的在于提供能夠一邊抑制伴隨著閘閥的開閉動作的振動的產生，一邊高速進行該閘閥的開閉動作的直列式成膜裝置、使用這樣的直列式成膜裝置的磁記錄介質的制造方法以及適于使用于這樣的直列式成膜裝置
的閘閥。
用于解決課題的方案
本發(fā)明提供下面的技術方案。
(I) 一種直列式成膜裝置，其特征在于，具備
進行成膜處理的多個腔室；
載體，其在所述多個腔室內保持作為成膜對象的基板；
輸送機構，其在所述多個腔室之間依次輸送所述載體；和
閘閥，其設置于所述多個腔室之間，對所述載體所通過的通路進行開閉；
所述閘閥具有設有形成所述通路的開口部的一對分隔壁；在所述一對分隔壁之
間被移動操作的閥體；和在將所述開口部封閉的位置與將所述開口部開放的位置之間驅動所述閥體的驅動機構；所述驅動機構是氣缸機構，具有連接于所述閥體的活塞；配置有所述活塞的缸； 連接于所述缸內的第I空間的第I閥機構；和連接于所述缸內的第2空間的第2閥機構；—邊經由所述第I閥機構向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2閥機構從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；另一方面，一邊經由所述第2閥機構向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I 閥機構從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；所述氣缸機構在所述缸內的活塞就要到達所述一個方向的端部之前，對在所述第 2閥機構流過的空氣的流量進行節(jié)流而排氣；另一方面，在所述缸內的活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，對在所述第2 閥機構流過的空氣的流量進行節(jié)流而排氣。(2)如前項⑴所述的直列式成膜裝置，其特征在于
所述第I閥機構具有并列連接于所述缸內的第I空間的第I開閉閥以及第I流量調整閥；所述第2閥機構具有并列連接于所述缸內的第2空間的第2開閉閥以及第2流量調整閥；所述氣缸機構一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過將所述第2開閉閥完全關閉而僅通過所述第2流量調整閥排氣；另一方面，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過將所述第I開閉閥完全關閉而僅通過所述第I流量調整閥排氣。(3)如前項⑵所述的直列式成膜裝置，其特征在于所述第I以及第2開閉閥為電磁閥，所述第I以及第2流量調整閥為針閥。(4)如前項⑵或(3)所述的直列式成膜裝置，其特征在于具備導向機構，其具有與所述閥體一體移動的移動體以及和所述移動體接合的導向孔，通過所述移動體在所述導向孔內移動，由此對所述閥體進行導向，使其能夠向所述通路的切斷方向移動；所述導向機構具有在所述移動體位于所述導向孔的至少一方的端部時與該移動體抵接的樹脂擋塊。(5) 一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于包括使用如前項(I) (4)中的任意一項所述的直列式成膜裝置而在所述基板的表面至少形成磁性層的工序。(6) 一種閘閥，該閘閥在多個腔室之間進行通路的開閉，其特征在于具有設有形成所述通路的開口部的一對分隔壁，在所述一對分隔壁之間被移動操作的閥體，和在將所述開口部封閉的位置與將所述開口部開放的位置之間驅動所述閥體的驅動機構；所述驅動機構是氣缸機構，具有連接于所述閥體的活塞，配置有所述活塞的缸， 連接于所述缸內的第I空間的第I閥機構，和連接于所述缸內的第2空間的第2閥機構；一邊經由所述第I閥機構向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2閥機構從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；另一方面，一邊經由所述第2閥機構向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I 閥機構從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；所述氣缸機構在所述缸內的活塞就要到達所述一個方向的端部之前，對在所述第 2閥機構流過的空氣的流量進行節(jié)流而排氣；另一方面，在所述缸內的活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，對在所述第2閥機構流過的空氣的流量進行節(jié)流而排氣。(7)如前項(6)所述的閘閥，其特征在于所述第I閥機構具有并列連接于所述缸內的第I空間的第I開閉閥以及第I流量調整閥；所述第2閥機構具有并列連接于所述缸內的第2空間的第2開閉閥以及第2流量調整閥；所述氣缸機構一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過將所述第2開閉閥完全關閉而僅通過所述第2流量調整閥排氣；另一方面，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過將所述第I開閉閥完全關閉而僅通過所述第I流量調整閥排氣。(8)如前項(7)所述的閘閥，其特征在于所述第I以及第2開閉閥為電磁閥，所述第I以及第2流量調整閥為針閥。(9)如前項(7)或⑶所述的閘閥，其特征在于具備導向機構，其具有與所述閥體一體移動的移動體以及和所述移動體接合的導向孔，通過所述移動體在所述導向孔內移動，由此對所述閥體進行導向，使其能夠向所述通路的切斷方向移動；所述導向機構具有在所述移動體位于所述導向孔的至少一方的端部時與該移動體抵接的樹脂擋塊。發(fā)明的效果如上所述，在本發(fā)明中的直列式成膜裝置中，在缸內的活塞到達一個方向的端部之前，對在第2閥機構流動的空氣的流量進行節(jié)流而排氣，另一方面，在缸內的活塞就要到達另一個方向的端部之前，對在第I閥機構流動的空氣的流量進行節(jié)流而排氣，由此能夠抑制伴隨著閘閥的開閉動作的振動等的產生，由此能夠防止在由載體保持的基板等上產生損傷等，并且能夠高速進行閘閥的開閉動作。另外，在本發(fā)明中的磁記錄介質的制造方法中，通過使用這樣的直列式成膜裝置， 能夠提聞磁記錄介質的制造能力，并且制造聞品質的磁記錄介質。另外，通過本發(fā)明中的閘閥，能夠一邊抑制振動的產生一邊高速對通路進行開閉。


圖I是表示應用本發(fā)明而制造的磁記錄介質的一例的剖視圖。圖2是表示磁記錄再生裝置的一例的剖視圖。圖3是表示應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置的結構的俯視圖。圖4是表示應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置的載體的側視圖。
圖5是表示應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置的要部的側視圖。圖6是表示應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置的要部的剖視圖。圖7是用于對閘閥的結構以及動作進行說明的圖，是表示閥體將通路開放的狀態(tài)的剖視圖。圖8是用于對閘閥的結構以及動作進行說明的圖，是表示閥體與通路相對的狀態(tài)的剖視圖。圖9是用于對閘閥的結構以及動作進行說明的圖，是表示閥體將通路封閉的狀態(tài)的剖視圖。
具體實施例方式下面，對于本發(fā)明的實施方式，參照附圖詳細進行說明。在本實施方式中，列舉使用一邊在多個腔室之間依次輸送作為成膜對象的基板一邊進行成膜處理的直列式成膜裝置，制造搭載于硬盤裝置的磁記錄介質的情況為例進行說明。(磁記錄介質)應用本發(fā)明制造的磁記錄介質如圖I所示，具有在非磁性基板80的雙面上依次層疊有軟磁性層81、中間層82、記錄磁性層83以及保護層84的構造，進而在最表面形成有潤滑膜85。另外，通過軟磁性層81、中間層82以及記錄磁性層83構成磁性層810。作為非磁性基板80，能夠使用將Al設為主要成分的例如Al-Mg合金等Al合金基板和/或通常的由鈉玻璃、硅酸鋁系玻璃、晶化玻璃類、硅、鈦、陶瓷、各種樹脂構成的基板等，只要是非磁性基板，能夠使用任意的基板。其中，優(yōu)選使用Al合金基板和/或晶化玻璃等玻璃制基板、硅基板，另外，這些基板的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為Inm以下，更優(yōu)選為O. 5nm以下，其中特別優(yōu)選為O. Inm 以下。磁性層810可以是面內磁記錄介質用的面內磁性層，也可以是垂直磁記錄介質用的垂直磁性層，但為了實現更高的記錄密度，優(yōu)選為垂直磁性層。另外，記錄磁性層83優(yōu)選由主要將Co設為主要成分的合金形成。例如，作為垂直磁記錄介質用的磁性層810，能夠利用將下述構件層疊而成的磁性層由例如軟磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB, FeCoZr, FeCoZrB、FeCoZrBCu 等)、FeTa 合金(FeTaN、FeTaC 等)、Co 合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB 等)等構成的軟磁性層81，由Ru等構成的中間層82，和由60Co-15Cr-15Pt合金和/或 70(0-50-15 卜105102合金構成的記錄磁性層83。另外，也可以在軟磁性層81與中間層 82之間層疊由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等構成的取向控制膜。另一方面，作為面內磁記錄介質用的磁性層810，能夠利用將非磁性的CrMo基底層與強磁性的CoCrPtTa磁性層層疊而成的磁性層。磁性層810的整體的厚度設為3nm以上20nm以下,優(yōu)選設為5nm以上15nm以下，
磁性層810只要形成為能夠配合使用的磁性合金的種類與層疊構造而得到充分的磁頭輸入輸出即可。磁性層810的膜厚為了在再生時得到一定以上的輸出而需要有某種程度以上的磁性層的膜厚，另一方面由于表示記錄再生特性的各參數通常隨著輸出的上升而劣化， 所以需要設定為最合適的膜厚。
作為保護層84，能夠使用碳(C)、碳化氫(HxC)、氮化碳(CN)、無定形碳、碳化硅 (SiC)等碳質層和/或Si02、Zr203、TiN等通常使用的保護層材料。另外，保護層84也可以由2層以上的層構成。保護層84的膜厚需要設為小于10nm。這因為，在保護層84的膜厚超過IOnm時，磁頭與記錄磁性層83的距離變大，不能得到充分的輸入輸出信號的強度。作為使用于潤滑膜85的潤滑劑，能夠列舉氟系潤滑劑、碳化氫系潤滑劑以及它們的混合物等，通常以I 4nm的厚度形成潤滑層85。(磁記錄再生裝置)另外，作為使用上述磁記錄介質的磁記錄再生裝置，能夠列舉例如圖2所示的硬盤裝置。該硬盤裝置具備作為上述磁記錄介質的磁盤86、旋轉驅動磁盤86的介質驅動部 87、在磁盤86上記錄再生信息的磁頭88、磁頭驅動部89與記錄再生信號處理系統(tǒng)90。而且，記錄再生信號處理系統(tǒng)90對所輸入的數據進行處理而將記錄信號向磁頭88發(fā)送，對來自磁頭88的再生信號進行處理而輸出數據。(直列式成膜裝置)具體地說，在制造上述磁記錄介質時，能夠通過下述工序，穩(wěn)定得到品質較高的磁記錄介質使用如圖3所示的應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置(磁記錄介質的制造裝置)、 在作為成膜對象的非磁性基板80的兩面上依次層疊至少軟磁性層81、中間層82以及記錄磁性層83、保護層，形成磁性層810的工序；和形成保護層84的工序。具體地說，應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置具有機器人臺1，載置于機器人臺I 上的基板移載機器人3，與機器人臺I相鄰的基板供給機器人室2，配置于基板供給機器人室2內的基板供給機器人34，與基板供給機器人室2相鄰的基板安裝室52，使載體25旋轉的角室4、7、14、17，配置于各角室4、7、14、17之間的多個腔室5、6、8 13、15、16、18 21， 與腔室21相鄰地配置的基板取下室53，與基板取下室53相鄰地配置的基板取下機器人室 22，和設置于基板取下機器人室22內的基板取下機器人49。另外，在這些各室的連接部，設有閘閥55 72，在這些閘閥55 72為關閉狀態(tài)時，各腔室內分別成為獨立的密閉空間。然后，通過下述的步驟，最終得到上述圖I所示的磁記錄介質一邊在這些各室之間通過后述的輸送機構依次輸送載體25，一邊在各腔室5、
6、8 13、15、16、18 21內，在由載體25保持的非磁性基板80的兩面上，依次形成上述的軟磁性層81、中間層82以及記錄磁性層83以及保護層84。另外，各角室4、7、14、17是變更載體25的移動方向的室，在其內部設有使載體25旋轉而移動到下一個腔室的機構?；逡戚d機器人3從收納有成膜前的非磁性基板80的盒向基板安裝室2供給非磁性基板80，并且將由基板取下機器人室22取下的成膜后的非磁性基板80 (磁記錄介質) 取出。在該基板安裝·取下機器人室2 · 22的一側壁上，設有對向外部開放的開口進行開閉的門51、55。在基板安裝室52的內部，使用基板供給機器人34在載體25上保持有成膜前的非磁性基板80。另一方面,在基板取下室53內部,使用基板取下機器人49將被保持于載體 25的成膜后的非磁性基板80 (磁記錄介質)取下。對于進行用于制作上述磁記錄介質的成膜處理等的各腔室5、6、8 13、15、16、 18 21的結構，除了處理裝置的結構根據處理內容而不同以外，基本上同樣，所以對于其具體的結構，在圖5所示的腔室91集中進行說明。
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在該腔室91，如圖5所示，夾著載體25而在兩側互相相對配置有對由載體25保持的非磁性基板80進行成膜處理的2個處理裝置92。2個處理裝置92在例如通過濺射進行成膜處理的情況下，由用于產生濺射放電的陽極單元構成，在通過CVD法進行成膜處理的情況下，由用于形成CVD法的成膜空間的電極單元構成，在通過PVD法進行成膜處理的情況下，由離子槍等構成。另外，在腔室91上，設有向內部導入原料氣體和/或氣氛氣體的氣體導入管93。 另外，在該氣體導入管93上，設有通過未圖示的控制機構控制開閉的閥94，通過對該閥94 進行開閉操作，控制氣體從氣體導入管93的供給。另外，在腔室91上，設有分別與真空泵(未圖示)連接的氣體排出管95。而且，腔室91能夠通過連接于該真空泵的氣體排出管95對內部進行減壓排氣。載體25如圖4以及圖6所示，具有支撐臺26與設置于支撐臺26的上表面的多個支架27。另外，在本實施方式中，為搭載兩臺支架27的結構，所以將由這些支架27保持的 2塊非磁性基板80分別作為第I成膜用基板23以及第2成膜用基板24而進行處理。另外，在本實施方式中，例如，在載體25停止在圖4中的實線所示的第I處理位置的狀態(tài)下，2個處理裝置91對載體25的左側的第I成膜用基板23的兩面進行成膜處理等， 然后，載體25移動到圖5中的虛線所示第2處理位置，在載體25停止在該第2處理位置的狀態(tài)下，2個處理裝置91對載體25的右側的第2成膜用基板24的兩面進行成膜處理等。另外，當在夾著載體25的兩側分別具有與第I以及第2成膜用基板23、24相對的 4個處理裝置92的情況下，載體25的移動變得不需要，能夠對由載體25保持的第I以及第 2成膜用基板23、24同時進行成膜處理等。2個支架27以將第I以及第20成膜用基板23、24保持為縱向放置(基板23、24 的主面與重力方向平行的狀態(tài))的方式，即以第I以及第2成膜用基板23、24的主面相對于支撐臺26的上表面大致正交并且大致處于同一平面上的方式，并列設置于支撐臺26的上表面。各支架27在具有第I以及第2成膜用基板23、24的厚度的I 數倍程度的厚度的板體28上，形成有直徑比這些成膜用基板23、24的外周稍大的圓形狀的孔部29。另外，在各支架27的孔部29的周圍，能夠彈性變形地安裝有多個支撐構件30。這些支撐構件30，以通過位于其外周上的最下位的下部側支點與相對于沿著通過該下部側支點的重力方向的中心線對稱的位于外周上的上部側的一對上部側支點這3點支撐配置于孔部29的內側的第I以及第2成膜用基板23、24的外周部的方式，在支架27的孔部29的周圍以一定的間隔并列設有3個。由此，載體25能夠一邊使第I以及第2成膜用基板23、24的外周部與3個支撐構件30抵接，一邊將被嵌入這些支撐構件30的內側的第I以及第2成膜用基板23、24裝卸自如地保持于支架27。另外，第I以及第2成膜用基板23、24相對于支架27的裝卸通過上述基板供給機器人34或者基板取下機器人49向下方按壓下部側支點的支撐構件30而進行。各支撐構件30如圖6所示，由彎折成L字狀的彈簧構件構成，以其基端側由支架 27固定支撐并且其頂端側向孔部29的內側突出的狀態(tài)，分別配置于形成于支架27的孔部 29的周圍的槽31內。另外，在各支撐構件30的頂端部，省略了圖示，但分別設有使第I以及第2成膜用基板23、24的外周部接合的V字狀的槽部。直列式成膜裝置如圖5以及圖6所示，作為輸送這樣的載體25的輸送機構，具備以非接觸狀態(tài)驅動載體25的驅動機構201。該驅動機構201具備多個磁鐵202，其以N極與S極交替并列的方式配置于載體 25的下部；和旋轉磁鐵203，其沿著載體25的輸送方向配置于磁鐵202的下方；在該旋轉磁鐵203的外周面上，將N極與S極交替并列地形成為雙重螺旋狀。另外，在多個磁鐵202與旋轉磁鐵203之間，存在有真空分隔壁204。該真空分隔壁204為了將多個磁鐵202與旋轉磁鐵203磁耦合而由導磁率較高的材料形成。另外，真空分隔壁204通過包圍旋轉磁鐵203的周圍而將腔室91的內側與大氣側隔離。另外，旋轉磁鐵203經由互相嚙合的多個齒輪與由旋轉電機205旋轉驅動的旋轉軸206連結。由此，能夠一邊將來自旋轉電機205的驅動力經由旋轉軸206向旋轉磁鐵203 傳遞，一邊使該旋轉磁鐵203圍繞軸旋轉。如上所述那樣構成的驅動機構201 —邊通過非接觸使載體25側的磁鐵202與旋轉磁鐵203磁耦合一邊使旋轉磁鐵203圍繞軸旋轉，由此沿著旋轉磁鐵203的軸方向直線驅動載體25。另外,在腔室91內，作為對進行輸送的載體25進行導向的導向機構,在載體25的輸送方向上并列設置有被支撐得圍繞水平軸旋轉自如的多個主軸承96。另一方面，載體25 在支撐臺26的下部側具有多個主軸承96接合的導軌97，在該導軌97上，沿著支撐臺26的長度方向形成有V字狀的槽部。另外，在腔室91內，以在中間夾入載體25的方式設有被支撐得圍繞垂直軸旋轉自如的一對副軸承98。這一對副軸承98與多個主軸承96同樣，在載體25的輸送方向上并列設置有多個。另外，主軸承96以及副軸承98是減小機械部件的摩擦、確保平滑的機械旋轉運動的軸承，具體地說由滾動軸承構成，旋轉自如地安裝于固定于框架(安裝構件)的支軸(在圖5中未圖示)，所述框架設置于腔室91內。載體25在使多個主軸承96接合于導軌97的狀態(tài)下，在這多個主軸承96之上移動，并且被夾在一對副軸承98之間，由此防止其傾斜。但是，應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置具備圖7 圖9所示的閘閥100。另外，對于上述各閘閥55 72，基本上具有與閘閥100同樣的結構，所以對于其具體的結構，通過閘閥100集中進行說明。另外，圖7 圖9是從上表面?zhèn)扔^察閘閥100的剖視圖。該閘閥100具備一對分隔壁103AU03B，其設置有形成載體25通過的通路101的開口部102a、102b ;閥體104，其在一對分隔壁103A、103B之間進行移動操作；和驅動機構 105，其在將開口部102b封閉的位置與將開口部102b開放的位置之間驅動閥體104。閥體104是以足夠將開口部102b封閉的大小形成為大致矩形狀的平板構件，在該閥體104的與開口部102b相對的面上，在包圍開口部102b的位置設有被按壓在分隔壁 103b的密封構件106。密封構件106由將氟橡膠等橡膠制或者樹脂制的彈性構件形成為環(huán)狀的O環(huán)構成。該密封構件106以被嵌入設置于閥體104的與開口部102b相對的面的槽部的狀態(tài)安裝。另外，密封構件106被配置成其一部分向槽部的外側伸出。
另外，閘閥100具備導向機構107，其對閥體104進行導向，使其能夠向通路101 的切斷方向移動；和凸輪機構108，其在與開口部102b相對的位置對閥體104進行導向，使其能夠向能夠與分隔壁103B接觸分離的方向傾斜移動。具體地說，閥體104以與臂107正交的狀態(tài)(所謂的T字狀)安裝于在將通路101 切斷的方向上延長的臂109的頂端。導向機構107具有導向板(移動體)110，其設置于臂109的中間部而與閥體104 一體移動；和導向孔111，其接合有該導向板110 ;通過導向板110在導向孔111內移動，對閥體104進行導向，使其能夠向通路101的切斷方向移動。凸輪機構108具有凸輪板(移動體)112，其設置于臂109的基端部而與閥體104 一體移動；和凸輪孔113，其接合有該凸輪板112 ;通過凸輪板112在凸輪孔113內移動，對閥體104進行導向，使其能夠向與分隔壁103B接觸分離的方向傾斜移動。驅動機構105是利用空氣壓作為驅動力的氣缸機構，具有活塞114，其連接于臂 107的基端部；缸115，其配置有該活塞114 ;第I閥機構116，其由并列連接于該缸115內的第I空間SI的第I開閉閥116a以及第I流量調整閥116b構成；切換閥116c，其對空氣的向第I開閉閥116a以及第I流量調整閥116b的供給或者排出進行切換；第2閥機構117， 其由并列連接于該缸115內的第2空間S2的第2開閉閥117a以及第2流量調整閥117b 構成；和切換閥117c，其對空氣的向第2開閉閥117a以及第2流量調整閥117b的供給或者排出進行切換。具體地說，第I空間SI是夾著缸115內的活塞114而形成于與閥體104相反一側 (圖7 9中的下側)的空間，第2空間S2是夾著缸115內的活塞114而形成于閥體104 一側(圖7 9中的上側)的空間。而且，在第I以及第2開閉閥116a、117a，使用僅進行流道的開閉的電磁閥，在第I以及第2流量調整閥116b、117b，使用不但能夠進行流道的開閉而且能夠進行在流道內流動的空氣的流量調整的針閥。在具有上述那樣的構造的閘閥100中，如圖7所示，從將通路101的開口部102b 開放的狀態(tài)，通過驅動機構105使閥體104向通路101的切斷方向的一側(圖7 9中的上側)移動。此時，驅動機構105 —邊從第I切換閥116c經由第I開閉閥116a以及第I流量調整閥116b向第I空間SI供給空氣，一邊從第2切換閥117c經由第2開閉閥117a以及第2流量調整閥117b從第2空間S2排出空氣，由此向一個方向(圖7 9中的上方)按壓缸115內的活塞114而使其移動。由此，閥體104如圖8所示，一邊由導向機構107導向，一邊移動到分隔壁103B的與開口部102b相對的位置。然后，驅動機構105進而向一個方向(圖7 9中的下方)按壓缸115內的活塞114而使其移動。由此，閥體104如圖9所示，一邊由凸輪機構108導向，一邊向與分隔壁103B接近的方向傾斜移動。然后，閥體104最終在使密封構件105壓接于分隔壁103B的狀態(tài)將開口部102b封閉。由此，在直列式成膜裝置中，能夠將設置于經由該閘閥100連接的2個腔室之間的通路101封閉。另外，能夠進行為了將腔室彼此維持為獨立的壓力而進行的閘閥100的關閉動作(過程關閉)，并且能夠在維護時進行為了將大氣側與真空側隔離而進行的閘閥100的關閉動作(大氣關閉)。另一方面，在閘閥100，能夠通過與上述的動作相反的動作將通路101開放。S卩，在該閘閥100，如圖9所示，能夠從通過閥體104將通路101的開口部102b封閉的狀態(tài)通過驅動機構105使閥體104向通路101的切斷方向的另一側(圖7 9中的下側)移動。此時，驅動機構105 —邊從第2切換閥117c經由第2開閉閥117a以及第2流量調整閥117b向第2空間S2供給空氣，一邊從第I切換閥116c經由第I開閉閥116a以及第I流量調整閥116b從第I空間SI排出空氣，由此向閥體104將開口部102b開放的另一個方向(圖7 9中的下方)按壓缸115內的活塞114而使其移動。由此，閥體104如圖8所示，一邊由凸輪機構108導向，一邊向與分隔壁103B分離的方向傾斜移動，移動到與分隔壁103B的開口部102b相對的位置。然后，驅動機構105向另一個方向(圖7 9中的下方)按壓缸115內的活塞114而使其移動。由此，閥體104如圖7所示，一邊由導向機構107導向，向通路101的切斷方向的另一側(圖7 9中的下方側)移動。然后，閥體104最終移動到將分隔壁103B的開口部 102b開放的位置。由此，在直列式成膜裝置中，在載體25的輸送時，能夠將設置于經由該閘閥100連接的2個腔室之間的通路101開放。另外，這樣的閘閥100在各腔室之間配置有2個，設置于另一方的分隔壁103A的開口部102a也能夠同樣進行開閉。但是，在應用了本發(fā)明的閘閥100中，在通過閥體104封閉通路101時，在缸115 內的活塞114就要到達一個方向(一方)的端部之前，通過將第2開閉閥117a完全關閉而僅通過第2流量調整閥117b排氣。由此，能夠抑制在缸115內的活塞114到達一方的端部時通過活塞114與該缸115的一方的端部接觸而產生的振動。S卩，在上述驅動機構5，在缸115內的活塞114就要到達一方的端部之前，通過第2 閥機構117對從缸115內的第2空間S2排出的空氣的流量進行節(jié)流(使其下降)，由此在缸115內朝向一個方向的活塞114的排氣阻力增大。而且，該排氣阻力進行所謂的空氣緩沖的作用，由此能夠緩和由缸115的一方的端部與活塞114的接觸引起的沖擊，能夠抑制振動的產生。另外，在應用了本發(fā)明的閘閥100中，在通過閥體104將通路101開放時也同樣， 在缸115內的活塞114就要到達另一個方向(另一方)的端部之前，通過將第I開閉閥116a 完全關閉而僅通過第I流量調整閥116b排氣。由此，能夠抑制在缸115內的活塞114到達另一方的端部時通過活塞114與該缸115的另一方的端部接觸而產生的振動。S卩，在上述驅動機構5，在缸115內的活塞114就要到達另一方的端部之前，通過第 I閥機構116對從缸115內的第I空間SI排出的空氣的流量進行節(jié)流(使其下降)，由此在缸115內朝向另一個方向的活塞114的排氣阻力增大。而且，該排氣阻力進行所謂的空氣緩沖的作用，由此能夠緩和由缸115的另一方的端部與活塞114的接觸引起的沖擊，抑制振動的產生。進而，在上述導向機構107上，配置有在導向板110位于導向孔111的一方的端部時與該導向孔111抵接的樹脂擋塊118。在該情況下，能夠通過樹脂擋塊118緩和由導向板110與導向孔111的一方的端部的接觸引起的沖擊，抑制缸115內的活塞114到達上方側的端部時的振動的產生。
另外，這樣的樹脂擋塊118除了上述的導向孔111的一方的端部以外，也能夠設置于導向孔111的另一方的端部。在該情況下，能夠通過樹脂擋塊118緩和由導向板110與導向孔111的另一方的端部的接觸引起的沖擊，抑制缸115內的活塞114到達另一方的端部時的振動的產生。另外，在本發(fā)明中，通過謀求上述驅動機構5中的可動部分的輕量化，能夠進一步抑制伴隨著上述閘閥100的開閉動作的振動的產生。如上所述，在應用了本發(fā)明的直列式成膜裝置中，能夠通過閘閥100高速進行對載體25所通過的通路101進行開閉的動作。另外，能夠抑制閘閥100對通路101進行開閉時的振動等的產生，所以能夠防止在由載體25保持的非磁性基板80上產生傷痕等。另外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內能夠加以各種變更。S卩，在本發(fā)明中，只要是下述的結構即可在上述的缸115內的活塞114就要到達一個方向的端部之前，通過第2閥機構117對從第2空間S2排出的空氣的流量進行節(jié)流， 另一方面，在上述的缸115內的活塞114就要到達另一個方向的端部之前，通過第I閥機構 116對從第I空間SI排出的空氣的流量進行節(jié)流。例如，在本發(fā)明中，也能夠設為下述的結構設為在構成上述的第I閥機構116的第I開閉閥116a以及第I流量調整閥116b與構成上述的第2閥機構117的第2開閉閥 117a以及第2流量調整閥117b中將第I以及第2開閉閥116a、117a省略的結構，在缸115 內的活塞114就要到達一個方向的端部之前，通過第2流量調整閥117b對從第2空間S2 排出的空氣的流量進行節(jié)流，在缸115內的活塞114就要到達另一個方向的端部之前，通過第I流量調整閥116b對從第I空間SI排出的空氣的流量進行節(jié)流。(磁記錄介質的制造方法)應用了本發(fā)明的磁記錄介質的制造方法通過下述的步驟制造磁記錄介質使用上述直列式成膜裝置，一邊在多個腔室2、52、4 20、54、3A之間依次輸送由載體25保持的第 I或者第2成膜用基板23、24(非磁性基板80) —邊在該非磁性基板80的兩面上依次層疊由軟磁性層81、中間層82、記錄磁性層83構成的磁性層810與保護層84，進而在最表面形成潤滑膜85。在應用了本發(fā)明的磁記錄介質的制造方法中，通過使用上述直列式成膜裝置，能夠提聞磁記錄介質80的制造能力，并且制造聞品質的磁記錄介質80。實施例下面，通過實施例，本發(fā)明的效果變得更明了。另外，本發(fā)明并不限定于下面的實施例，在不脫離其宗旨的范圍內能夠適當變更而實施。在本實施例中，實際使用上述圖7 圖9所示的閘閥100對載體25所通過的通路 101進行開閉時，對下述兩種情況下的伴隨著閘閥100的開閉動作的振動進行測定如本發(fā)明這樣的情況(實施例1)，在缸115內的活塞114就要到達一方或者另一方的端部之前， 通過將第2或者第I開閉閥117a、116a完全關閉而僅通過第2或者第I流量調整閥117b、 116b排氣；如以往那樣的情況,在缸115內的活塞114就要到達一方或者另一方的端部之前，不進行這樣的動作。另外，在本實施例中，在閘閥100的缸115的底部安裝加速度傳感器(理音株式會社(1J才 >社)制，PV-93B)，使用數字示波器記錄儀(NEC三榮株式會社制， RA1300RT3214)，測定伴隨著閘閥100的開閉動作的振動(最大加速度)。另外，通過施加于閘閥100的氣壓調整閘閥100的打開動作(或者關閉動作)所需要的時間。(實施例I)在實施例I中，在閘閥100的關閉動作時在該閘閥100上產生的最大加速度在動作速度O. 35秒時為2. 8m/秒2，在動作速度O. 31秒時為2. 9m/秒2，在動作速度O. 25秒時為5. 5m/秒2。另一方面，在閘閥100的打開動作時在該閘閥100上產生的最大加速度在動作速度O. 45秒時為2. Im/秒2，在動作速度O. 29秒時為3. 4m/秒2，在動作速度O. 27秒時為 4. Om/ 秒 2 ο(比較例I)在比較例I中，在閘閥100的關閉動作時在該閘閥100上產生的最大加速度在動作速度O. 35秒時為4. 2m/秒2，在動作速度O. 31秒時為7. 2m/秒2，在動作速度O. 25秒時為8. Om/秒2。另一方面，在閘閥100的打開動作時在該閘閥100上產生的最大加速度在動作速度O. 45秒時為2. Im/秒2，在動作速度O. 29秒時為4. 3m/秒2，在動作速度O. 27秒時為 7. 8m/秒 2。如上所述，在進行本發(fā)明的流量的節(jié)流動作的情況下，與以往那樣不進行流量的節(jié)流動作的情況相比，能夠大幅度抑制伴隨著閘閥的開閉動作的振動。
0154]工業(yè)應用前景
0155]本發(fā)明能夠適用于一邊在多個腔室之間依次輸送作為成膜對象的基板一邊進行成膜處理的直列式成膜裝置、使用該直列式成膜裝置的磁記錄介質的制造方法以及在該直列式成膜裝置的多個腔室之間進行通路的開閉的閘閥。
0156]符號說明0157]I 基板移載機器人臺0158]2 基板供給機器人室0159]3 基板盒移載機器人0160]4、7、14、17 :角室0161]5、6、8 13、15、16、180162]22:基板取下機器人室0163]23:第I成膜用基板0164]24:第2成膜用基板0165]25:載體0166]26:支撐臺0167]27:支架0168]28:板體0169]29:圓形狀的孔部0170]30:支撐構件0171]34:基板供給機器人0172]49:基板取下機器人0173]52:基板安裝室0174]54 :基板取下室0175]55 71 :閘閥0176]80 :非磁性基板0177]81 :軟磁性層0178]82 :中間層0179]83 :記錄磁性層0180]84 :保護層0181]85 :潤滑膜0182]91 :腔室0183]810 :磁性層0184]100 :閘閥0185]101 :通路0186]102a、102b :開口部0187]103AU03B :分隔壁0188]104 :閥體0189]105 :驅動機構(氣缸機構)0190]106 :密封構件0191]107 :導向機構0192]108 :凸輪機構0193]109 :臂0194]110 :導向板(移動體)0195]111 :導向孔0196]112 :導向板(移動體)0197]113 :凸輪孔0198]114 :活塞0199]115 :缸0200]116 :第I閥機構0201]116a :第I開閉閥0202]116b :第I流量調整閥0203]116c :第I切換閥0204]117 :第2閥機構0205]117a:第2開閉閥0206]117b :第2流量調整閥0207]117c :第2切換閥0208]118 :樹脂擋塊0209]201 :驅動機構(輸送機構)0210]202 :磁鐵0211]203 :旋轉磁鐵0212]204 :真空分隔壁
205:旋轉電機206 :旋轉軸
權利要求
1.一種直列式成膜裝置，其特征在于，具備進行成膜處理的多個腔室；載體，其在所述多個腔室內保持作為成膜對象的基板；輸送機構，其在所述多個腔室之間依次輸送所述載體；和閘閥，其設置于所述多個腔室之間，對所述載體所通過的通路進行開閉；所述閘閥具有設有形成所述通路的開口部的一對分隔壁；在所述一對分隔壁之間被移動操作的閥體；和在將所述開口部封閉的位置與將所述開口部開放的位置之間驅動所述閥體的驅動機構；所述驅動機構是氣缸機構，具有連接于所述閥體的活塞；配置有所述活塞的缸；連接于所述缸內的第I空間的第I閥機構；和連接于所述缸內的第2空間的第2閥機構；一邊經由所述第I閥機構向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2閥機構從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；另一方面，一邊經由所述第2閥機構向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I閥機構從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；所述氣缸機構在所述缸內的活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過所述第2閥機構對從所述第2空間排出的空氣的流量進行節(jié)流；另一方面，在所述缸內的活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過所述第I閥機構對從所述第I空間排出的空氣的流量進行節(jié)流。
2.如權利要求I所述的直列式成膜裝置，其特征在于所述第I閥機構具有并列連接于所述缸內的第I空間的第I開閉閥以及第I流量調整閥；所述第2閥機構具有并列連接于所述缸內的第2空間的第2開閉閥以及第2流量調整閥；所述氣缸機構一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過將所述第2開閉閥完全關閉而僅通過所述第2流量調整閥排氣；另一方面，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過將所述第I開閉閥完全關閉而僅通過所述第I流量調整閥排氣。
3.如權利要求2所述的直列式成膜裝置，其特征在于所述第I開閉閥以及所述第2開閉閥為電磁閥，所述第I流量調整閥以及所述第2流量調整閥為針閥。
4.如權利要求2或3所述的直列式成膜裝置，其特征在于具備導向機構，其具有與所述閥體一體移動的移動體以及和所述移動體接合的導向孔，通過所述移動體在所述導向孔內移動，對所述閥體進行導向，使其能夠向所述通路的切斷方向移動；所述導向機構具有在所述移動體位于所述導向孔的至少一方的端部時與該移動體抵接的樹脂擋塊。
5.一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于包括使用如權利要求I 4中的任意一項所述的直列式成膜裝置而在所述基板的表面至少形成磁性層的工序。
6.一種閘閥，該閘閥在多個腔室之間進行通路的開閉，其特征在于具有設有形成所述通路的開口部的一對分隔壁，在所述一對分隔壁之間被移動操作的閥體，和在將所述開口部封閉的位置與將所述開口部開放的位置之間驅動所述閥體的驅動機構；所述驅動機構是氣缸機構，具有連接于所述閥體的活塞；配置有所述活塞的缸；連接于所述缸內的第I空間的第I閥機構；和連接于所述缸內的第2空間的第2閥機構；一邊經由所述第I閥機構向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2閥機構從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；另一方面，一邊經由所述第2閥機構向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I閥機構從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動；所述氣缸機構在所述缸內的活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過所述第2閥機構對從所述第2空間排出的空氣的流量進行節(jié)流；另一方面，在所述缸內的活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過所述第I閥機構對從所述第I空間排出的空氣的流量進行節(jié)流。
7.如權利要求6所述的閘閥，其特征在于所述第I閥機構具有并列連接于所述缸內的第I空間的第I開閉閥以及第I流量調整閥；所述第2閥機構具有并列連接于所述缸內的第2空間的第2開閉閥以及第2流量調整閥；所述氣缸機構一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥向所述第I空間供給空氣，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥從所述第2空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部封閉的一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述一個方向的端部之前，通過將所述第2開閉閥完全關閉而僅通過所述第2流量調整閥排氣；另一方面，一邊經由所述第2開閉閥以及所述第2流量調整閥向所述第2空間供給空氣，一邊經由所述第I開閉閥以及所述第I流量調整閥從所述第I空間排出空氣，由此向所述閥體將所述開口部開放的另一個方向按壓所述缸內的活塞而使其移動，在該活塞就要到達所述另一個方向的端部之前，通過將所述第I開閉閥完全關閉而僅通過所述第I流量調整閥排氣。
8.如權利要求7所述的閘閥，其特征在于所述第I開閉閥以及所述第2開閉閥為電磁閥，所述第I流量調整閥以及所述第2流量調整閥為針閥。
9.如權利要求7或8所述的閘閥，其特征在于具備導向機構，其具有與所述閥體一體移動的移動體以及和所述移動體接合的導向孔，通過所述移動體在所述導向孔內移動，對所述閥體進行導向，使其能夠向所述通路的切斷方向移動；所述導向機構具有在所述移動體位于所述導向孔的至少一方的端部時與該移動體抵接的樹脂擋塊。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠一邊抑制伴隨著閘閥的開閉動作的振動的產生一邊高速進行該閘閥的開閉動作的直列式成膜裝置。在這樣的直列式成膜裝置中，在缸(115)內的活塞(114)就要到達一個方向的端部之前，通過將第2開閉閥(117a)完全關閉而僅通過第2流量調整閥(117b)排氣，另一方面，在缸(115)內的活塞(114)就要到達另一個方向的端部之前，通過將第1開閉閥(116a)完全關閉而僅通過第1流量調整閥(116b)排氣。由此，能夠緩和由缸(115)的端部與活塞(114)的接觸引起的沖擊，抑制振動的產生。
文檔編號C23C14/34GK102597300SQ20108004752
公開日2012年7月18日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權日2009年12月18日
發(fā)明者上野諭, 角田幸隆 申請人:昭和電工株式會社